JPS61243447A - Formation of pattern - Google Patents

Formation of pattern

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Publication number
JPS61243447A
JPS61243447A JP8437985A JP8437985A JPS61243447A JP S61243447 A JPS61243447 A JP S61243447A JP 8437985 A JP8437985 A JP 8437985A JP 8437985 A JP8437985 A JP 8437985A JP S61243447 A JPS61243447 A JP S61243447A
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JP
Japan
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polyimide
pattern
copper surface
copper
polyimide precursor
Prior art date
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Application number
JP8437985A
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Japanese (ja)
Inventor
Naohiro Tsuruta
鶴田 直宏
Tatsuya Nakajima
達哉 中島
Hideo Ai
愛 英夫
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Asahi Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Chemical Industry Co Ltd filed Critical Asahi Chemical Industry Co Ltd
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Publication of JPS61243447A publication Critical patent/JPS61243447A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits

Abstract

PURPOSE:To enhance adhesion of a fine pattern, such as LSI, by oxidizing a copper surface in advance and then forming a polyimide pattern. CONSTITUTION:The copper surface is oxidized in an atmosphere of air or oxygen, at >=100 deg.C. For example, copper is deposited by sputtering on a ceramic substrate heated at about 120 deg.C, the copper surface is coated with a polyimide precursor, and further, with a positive type photoresist layer, exposed through a mask, developed, and etched in succession, and finally, heated to form a polyimide pattern. The oxidation treatment of the copper surface permits adhesion between the polyimide film and the copper surface to be remarkably strengthened.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銅面上に接着性に優れたポリイミドパターン
を形成する方法に関するものであり、特にLSI塔載用
の回路モジュールやハイブリッドIC等に利用すること
が出来、配線層である銅と絶縁層であるポリイミドの接
着性を著しく改良する方法に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for forming a polyimide pattern with excellent adhesiveness on a copper surface, and is particularly applicable to circuit modules for LSI towers, hybrid ICs, etc. The present invention relates to a method that can be used to significantly improve the adhesion between copper, which is a wiring layer, and polyimide, which is an insulating layer.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、ポリイミドを各種の基板上にパターン形成する場
合、基板とのぬれ性、接着性を改良する方法として、シ
ランカップリング剤を基板上に前処理する方法や、ポリ
イミドおよび/またはポリイミド前駆体からなる組成物
中にシランカップリング剤をブレンドする方法が知られ
ている。
Conventionally, when patterning polyimide on various substrates, methods for improving wettability and adhesion with the substrate include pre-treating the substrate with a silane coupling agent, or using polyimide and/or polyimide precursors. A method of blending a silane coupling agent into a composition is known.

しかしながら基板が銅である場合は、これらのシランカ
ップリング剤を用いる方法では充分な接着性が得られな
い。例えば、約2IlX線幅の細線パターンにおいては
、エツチング液や現像液の界面へのもぐりがみられ、過
酷な取扱条件下では充分な接着性を有するとは云えなか
った。その結果、プレッシャークンカーテスト(PCT
)における高温高湿下や、ハンダ浴あるいは300℃以
上の乾熱下でとりあつかった場合、銅面とポリイミド層
の界面の剥離が発生し、信頬性の点で実用的なものでは
なかった。
However, when the substrate is copper, sufficient adhesion cannot be obtained by using these silane coupling agents. For example, in the case of a fine line pattern with a width of about 2I1 X lines, leakage of the etching solution and developer to the interface was observed, and it could not be said that the pattern had sufficient adhesion under severe handling conditions. As a result, the Pressure Cunker Test (PCT)
), or when used in a soldering bath or dry heat above 300°C, the interface between the copper surface and the polyimide layer would peel, making it impractical in terms of reliability. .

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

本発明は上記の欠点を除き、かつ極めて容易なプロセス
により、2−線幅においても良好な接着性を有するパタ
ーンを形成出来る方法に関するものである。
The present invention relates to a method that eliminates the above-mentioned drawbacks and can form a pattern having good adhesion even in a 2-line width using an extremely easy process.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

すなわち本発明は、銅面上にポリイミドのパタ−ンを形
成する方法において、その銅表面をあらかじめ酸化処理
することを特徴とするポリイミドパターン形成方法に関
するものである。
That is, the present invention relates to a method for forming a polyimide pattern on a copper surface, which is characterized in that the copper surface is subjected to an oxidation treatment in advance.

本発明でいう銅面とは、プリント配線基板等で用いられ
ている銅箔や、無電解銅メッキ、電解−メッキあるいは
スパッタリング法で得られた銅表面を有する基板、ある
いは通常銅板と呼ばれている圧延により得られた銅板等
である。
The copper surface referred to in the present invention refers to copper foil used in printed wiring boards, etc., a substrate with a copper surface obtained by electroless copper plating, electrolytic plating, or sputtering, or a copper surface commonly called a copper plate. These are copper plates etc. obtained by rolling.

本発明でいうポリイミドパターンとしては、ポリイミド
前駆体から得られるポリイミドパターンや溶剤可溶型ポ
リイミドから得られるポリイミドパターン等があげられ
、パターン形成方法としては写真蝕刻法、スクリーン印
刷法などがあげられる。
Examples of the polyimide pattern in the present invention include polyimide patterns obtained from polyimide precursors and polyimide patterns obtained from solvent-soluble polyimide, and examples of pattern forming methods include photolithography, screen printing, and the like.

ポリイミド前駆体としては、一般式(A)〔式中のXは
(2+n)価の炭素環式基または複素環式基、Yは(2
+m)価の炭素環式基または数1以上を含む基、Wは熱
処理によりROHを脱離せしめるに際し、−C0ORの
カルボニル基と反応して環を形成しうる基、nは1また
は2、mは0.1または2であり、かつC0ORとZは
互いにオルト位またはべり位の関係にある。〕 で示される繰り返し単位を有する重合体が挙げられる。
As a polyimide precursor, the general formula (A) [in the formula, X is a (2+n)-valent carbocyclic group or a heterocyclic group, Y is a (2
+m) a valent carbocyclic group or a group containing number 1 or more, W is a group that can react with the carbonyl group of -C0OR to form a ring when ROH is removed by heat treatment, n is 1 or 2, m is 0.1 or 2, and C0OR and Z are in an ortho position or an override position with respect to each other. ] Examples include polymers having repeating units represented by the following.

代表的には、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸無水物、ビフェニルテトラカルボン酸無
水物等のテトラカルボン酸無        、水物と
4.4′−ジアミノジフェニルエーテル、4.4′−ジ
アミノジフェニルスルホン、4.4’−ジアミノジフェ
ニルメタン等のジアミンの縮合により生成するポリイミ
ド前駆体およびそのメチル、エチル、プロピル、エステ
ル等が代表として挙げられるが、これらに限定されない
Typically, tetracarboxylic acid anhydrides such as pyromellitic anhydride, benzophenonetetracarboxylic anhydride, biphenyltetracarboxylic anhydride, hydrates and 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone are used. Representative examples include polyimide precursors produced by condensation of diamines such as , 4,4'-diaminodiphenylmethane, and methyl, ethyl, propyl, and esters thereof, but are not limited thereto.

このポリイミド前駆体の代表例としては、バイラリン■
(デュポン社製)やPIQ■(日立化成製)があげられ
る。又一部シリコン化合物を共重合させたポリイミドシ
リコンPIX @ (日立化成製)があげられる。これ
らは非感光性ポリイミド前駆体であり、基板に塗布した
のち加熱により一部又は全部をポリイミド化させ、フォ
トレジストを用いてそのポリイミドをエツチングするこ
とにより所定のパターンを形成することが出来る。
A typical example of this polyimide precursor is Bailarin■
(manufactured by DuPont) and PIQ■ (manufactured by Hitachi Chemical). Another example is polyimide silicon PIX @ (manufactured by Hitachi Chemical), which is partially copolymerized with a silicon compound. These are non-photosensitive polyimide precursors, and a predetermined pattern can be formed by applying them to a substrate, converting part or all of them into polyimide by heating, and etching the polyimide using a photoresist.

又、一般式(A)におけるRが炭素−炭素二重結合を有
する基であって化学結合により主鎖に結合している感光
性ポリイミド前駆体がある。
Further, there is a photosensitive polyimide precursor in which R in the general formula (A) is a group having a carbon-carbon double bond and is bonded to the main chain through a chemical bond.

化学結合を介して、ポリイミド前駆体に導入される感光
性基としては、光により三量化または重合が可能な炭素
−炭素二重結合を有する基が代表的で、ビニル基、アリ
ル基、アクリル基、メタクリル基、シンナミル基、マレ
イミド基を有する基等が好例として挙げられる。
The photosensitive groups introduced into the polyimide precursor through chemical bonds are typically groups with carbon-carbon double bonds that can be trimerized or polymerized by light, such as vinyl groups, allyl groups, and acrylic groups. , a group having a methacrylic group, a cinnamyl group, a maleimide group, and the like.

化学結合の形式としては、エステル結合、アミド結合、
イオン結合等があり、導入する方法としては、米国特許
第4.040.831号明細書、あるいは特開昭54−
145794号公報に示されている方法などが適用でき
る。このような方法で得られた感光性ポリイミド前駆体
としては、前者の例としてはセレクティランクスHTR
−2■(メルク社製)、後者の例としてはフォトニース
UR−3100■(東し製)が代表的なものとしてあげ
られる。
Forms of chemical bonds include ester bonds, amide bonds,
There are ionic bonds, etc., and methods for introducing them are described in U.S. Pat.
The method disclosed in Japanese Patent No. 145794 can be applied. As a photosensitive polyimide precursor obtained by such a method, an example of the former is Selectilanx HTR.
-2■ (manufactured by Merck & Co., Ltd.), and a representative example of the latter is Photonice UR-3100■ (manufactured by Toshi).

ポリイミド前駆体および/またはポリイミド前駆体に化
学結合を介して感光性基を導入した感光性ポリイミド前
駆体に感光性を付与、あるいは必要ならば向上させる目
的で混合される感光性化合物としては、まず増感剤とし
て以下の例が挙げられるがこれらに限定されない。
Photosensitive compounds that are mixed for the purpose of imparting or, if necessary, improving photosensitivity to a polyimide precursor and/or a photosensitive polyimide precursor in which a photosensitive group is introduced into the polyimide precursor through a chemical bond, include: Examples of the sensitizer include, but are not limited to, the following.

ベンゾフェノン、4.4′−ビス(ジメチルアミノ)ベ
ンゾフェノン等ベンゾフェノン類、ベンゾインエーテル
またはアントラキノンまたはチオキサントン誘導体、1
−フェニル−1,2−プロパンジオン−2−(o−エト
キシカルボニル)−オキシム等オキシム類、2.6−ビ
ス−(4′−ジエチルアミノベンザル)−シクロヘキサ
ノン等ビスアジドI!、1−フェニル−5−メルカプト
テトラゾール等メルカプト化合物、2,4.5−トリフ
ェニルイミダゾリル二量体等ビイミダゾール類。
Benzophenone, benzophenones such as 4,4'-bis(dimethylamino)benzophenone, benzoin ether or anthraquinone or thioxanthone derivative, 1
-Phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)-oxime and other oximes, 2,6-bis-(4'-diethylaminobenzal)-cyclohexanone and other bisazides I! , mercapto compounds such as 1-phenyl-5-mercaptotetrazole, and biimidazoles such as 2,4.5-triphenylimidazolyl dimer.

また、感光性モノマーとして以下のものが好例として挙
げられるがこれらに限定されない。
In addition, the following are good examples of photosensitive monomers, but the invention is not limited thereto.

トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロ
ールプロパントリメタクリレート、ポリエチレングリコ
ールジアクリレート、ポリエチレングリコールジメタク
リレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペン
タエリスリトールジメタクリレート、ジメチルアミノエ
チルアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレー
ト、3−メルカプトプロピオン酸、チオグリコール酸等
メルカプト化合物、フェニルスルホニルマレイミド等マ
レイミド類、メタクリル酸エチルイソシアネート等イソ
シアネート類。
Trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol dimethacrylate, pentaerythritol diacrylate, pentaerythritol dimethacrylate, dimethylaminoethyl acrylate, dimethylaminoethyl methacrylate, 3-mercaptopropionic acid, thioglycol Mercapto compounds such as acids, maleimides such as phenylsulfonylmaleimide, isocyanates such as ethyl isocyanate methacrylate.

これらの添加剤を感光性ポリイミド前駆体100重量部
に対して0.1〜50重量部添加するのが好ましい。
It is preferable to add 0.1 to 50 parts by weight of these additives to 100 parts by weight of the photosensitive polyimide precursor.

溶剤としては、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラク
トン、N、N’−ジメチルアセトアミド、N、N ’−
ジメチルホルムアミドが好例として挙げられる。
As a solvent, N-methylpyrrolidone, γ-butyrolactone, N,N'-dimethylacetamide, N,N'-
Dimethylformamide is a good example.

基板上への塗布法としては、スピンナーによるのが代表
的である。
A typical method for coating the substrate is by using a spinner.

感光性ポリイミド前駆体の場合は、非感光性ポリイミド
前駆体と異なり、フォトレジストを用いずに直接パター
ンを形成させる利点がある。
In the case of a photosensitive polyimide precursor, unlike a non-photosensitive polyimide precursor, there is an advantage that a pattern can be directly formed without using a photoresist.

銅表面を有する基板の上にスピナーを用いて感光性ポリ
イミド前駆体を塗布し、乾燥させて溶剤を除去する。次
にフォトマスクを介して紫外線を照射し、引き続き現像
、リンスを行ない未露光部を除去し、所定のパターンを
形成する。このパターンを熱硬化させポリイミドに転化
させることにより、耐熱性、電気特性等に優れたポリイ
ミドパターンを形成させることが出来る。
A photosensitive polyimide precursor is applied onto a substrate having a copper surface using a spinner, and the solvent is removed by drying. Next, ultraviolet rays are irradiated through a photomask, followed by development and rinsing to remove unexposed areas and form a predetermined pattern. By thermosetting this pattern and converting it into polyimide, a polyimide pattern with excellent heat resistance, electrical properties, etc. can be formed.

本発明に用いるポリイミドとしては、更にビスマレイミ
ド系ポリイミド〔代表的な例としてケルイミド■(三井
石油化学製)、BTレジン■(三菱ガス化学型)〕、末
端にアセチレン基を有するポリイミド(THERMID
 (ナショナルコーンスターチ社製)〕、溶剤可溶型ポ
リイミド(XU−218(チバガイギー社製)〕等があ
げられる。
Examples of the polyimide used in the present invention include bismaleimide polyimide (typical examples include Kelimide (manufactured by Mitsui Petrochemical) and BT resin (Mitsubishi Gas Chemical)), polyimide having an acetylene group at the end (THERMID),
(manufactured by National Cornstarch)], solvent-soluble polyimide (XU-218 (manufactured by Ciba Geigy)), and the like.

本発明に用いるポリイミドとしては、一般式〔A〕で示
されるポリイミド前駆体におけるRが炭素−炭素二重結
合を有する基であり、エステル結合により直接ポリマー
主鎖に結合している感光性ポリイミドが特に好ましい。
The polyimide used in the present invention is a photosensitive polyimide in which R in the polyimide precursor represented by the general formula [A] is a group having a carbon-carbon double bond, and is directly bonded to the polymer main chain through an ester bond. Particularly preferred.

一般式〔A〕におけるRが水素でありかつジメチルアミ
ノエチルメタクリレートを混合したイオン結合による感
光性ポリイミド前駆体を用いる場合は、銅表面上にスパ
ッタリング法等でチタン又はクロム層を設けることが好
ましい。チタン層、クロム層を設けることにより、未露
光部における銅とポリイミド前駆体のコンプレックス形
成によるスカムの発生を防止することが出来る。
When R in the general formula [A] is hydrogen and a photosensitive polyimide precursor with ionic bonding mixed with dimethylaminoethyl methacrylate is used, it is preferable to provide a titanium or chromium layer on the copper surface by sputtering or the like. By providing the titanium layer and the chromium layer, it is possible to prevent the generation of scum due to the formation of a complex between copper and the polyimide precursor in the unexposed area.

本発明に用いられる酸化処理方法としては、銅面を10
0℃以上で加熱したあと空気中又は酸素雰囲気下で銅表
面を酸化する方法、あるいはCuO又はCutOをスパ
ッタリングで物理的に付着させる方法があげられる。特
に好ましい方法としてNaC10□あるいはH20□水
溶液等を用いてCuOを形成させる湿式法があげられる
As the oxidation treatment method used in the present invention, the copper surface is
Examples include a method of heating the copper surface to 0° C. or higher and then oxidizing the copper surface in air or an oxygen atmosphere, or a method of physically depositing CuO or CutO by sputtering. A particularly preferred method is a wet method in which CuO is formed using an aqueous solution of NaC10□ or H20□.

本発明による銅表面を酸化処理する方法において、バイ
アホールを介して上・下層の導体の導通を行なわせる場
合は、銅表面上の酸化物を除去することが好ましい。除
去方法としては過硫酸アンモニュウム水溶液に浸漬して
いわゆるクイックエツチングを行なう方法が好ましく、
水素等の還元雰囲気炉で焼成させるかあるいはアルゴン
又は還元ガス雰囲気下でスパッタリングを行なう方法が
あげられる。
In the method of oxidizing a copper surface according to the present invention, when conducting conductors in the upper and lower layers through via holes, it is preferable to remove oxides on the copper surface. The preferred method for removal is immersion in an aqueous ammonium persulfate solution and so-called quick etching.
Examples of methods include firing in a furnace in a reducing atmosphere such as hydrogen or sputtering in an argon or reducing gas atmosphere.

次に本発明及びその効果を実施例により説明するが、本
発明はこれによりなんら限定されるものではない。
Next, the present invention and its effects will be explained using Examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例 1 50X50X0.5mmのセラミック基板(96,0%
アルミナ)を120℃に加熱しながらスパッタリング装
置により銅を付着させた。この基板を酸素雰囲気下で冷
却した。この酸化銅表面を有するセラミック基板の上に
、スピンコーターを用いてバイラリン0PI−2555
(デュポン社製)を塗布し、引きつづきクリーンオープ
ン中で140℃、30分加熱し、5−の塗膜を得た。こ
の表面上にポジ型フォトレジストAZ−1350J (
シブレイ社)を塗布し、乾燥後2.5.10.15.2
0tsのライン&スペースを有するマスクを用いてAZ
−1350Jを露光した。続いて現像液MP−312(
シブレイ社)にてAZ−1350JおよびバイラリンP
I −2555の現像およびエツチングを行なった。水
洗後400℃、30分加熱し、ポリイミド化を行なった
Example 1 50x50x0.5mm ceramic substrate (96.0%
Copper was deposited using a sputtering device while heating the alumina to 120°C. This substrate was cooled under an oxygen atmosphere. Bilalin 0PI-2555 was coated onto this ceramic substrate having a copper oxide surface using a spin coater.
(manufactured by DuPont) and subsequently heated at 140° C. for 30 minutes in a clean open to obtain a 5- coating film. A positive photoresist AZ-1350J (
2.5.10.15.2 after drying
AZ using a mask with lines & spaces of 0ts
-1350J was exposed. Next, developer MP-312 (
AZ-1350J and Baylarin P at Sibley Co., Ltd.
I-2555 was developed and etched. After washing with water, it was heated at 400°C for 30 minutes to perform polyimidation.

得られたパターンを有する基板を100℃の沸とう水中
に入れ、2時間煮沸したのちテープ剥離試験により接着
性を測定した。テープ剥離試験後のパターンを顕微鏡観
察した結果、エツチング部の剥離等の問題もなく良好な
接着性を示した。
The substrate with the obtained pattern was placed in boiling water at 100° C., and after boiling for 2 hours, the adhesiveness was measured by a tape peel test. Microscopic observation of the pattern after the tape peeling test showed good adhesion with no problems such as peeling off of the etched areas.

比較例 1 スパッタリング時の基板温度を常温で行ない、かつ取出
し雰囲気を空気中にかえた以外は実施例1と同様の方法
で、表面が銅面である基板上にバイラリンPI−255
5のパターンを形成した。このパターンを400℃、3
0分加熱したところ、パターンの一部が剥離し、カール
した。
Comparative Example 1 Bilarin PI-255 was deposited on a substrate with a copper surface in the same manner as in Example 1 except that the substrate temperature during sputtering was room temperature and the extraction atmosphere was changed to air.
5 patterns were formed. This pattern was heated to 400℃, 3
When heated for 0 minutes, part of the pattern peeled off and curled.

比較例 2 基板上にアミノシラン系カップリング剤(デュポン社製
VM −651)を塗布し、前処理をおこなったのち、
比較例1と同様の方法で、バイラリンPI−2555を
塗布し、バターニングを行なった。
Comparative Example 2 After applying an aminosilane coupling agent (VM-651 manufactured by DuPont) on a substrate and performing pretreatment,
Bilarin PI-2555 was applied and buttered in the same manner as in Comparative Example 1.

4QO℃、30分の加熱時にはパターンの剥離はみられ
なかったが、このパターンを実施例1と同様の方法で2
時間煮沸水中に入れた後、テープ剥離試験を行なったと
ころ、パターンの10μ以下の細線部がすべて剥離した
Although no peeling of the pattern was observed when heated at 4QO°C for 30 minutes, this pattern was heated in the same manner as in Example 1.
After being immersed in boiling water for an hour, a tape peeling test was performed, and all of the thin line portions of 10 μm or less of the pattern were peeled off.

実施例 2 厚さ35.uの銅箔を、主成分がNaC10□であるキ
ューボンド(室町化学製)に90℃、3分間浸漬した。
Example 2 Thickness 35. The copper foil of u was immersed in Q-bond (manufactured by Muromachi Chemical Co., Ltd.) whose main component was NaC10□ at 90° C. for 3 minutes.

ESCAで表面を分析した結果、CuOに変化している
ことを確認した。このfJ箔上に感光性ポリイミド前駆
体セレクティラフクス1(TR−2■溶液(メルク社製
)をアプリケーターをもちいて50μの厚さに塗布した
As a result of analyzing the surface with ESCA, it was confirmed that it had changed to CuO. On this fJ foil, a photosensitive polyimide precursor Selectirafx 1 (TR-2) solution (manufactured by Merck & Co., Ltd.) was applied to a thickness of 50 μm using an applicator.

70℃のホットプレート上で3時間乾燥後、1m角のゼ
ブラパターンを有するマスクを用いて直接感光性ポリイ
ミド前駆体を露光し、N−メチルピロリドンで現像した
のちイソプロピルアルコールでリンスした。この基板を
400℃、2Hr加熱りポリイミド化を行なった。引続
きPCTにて2気圧、6時間加熱処理を行なったのち、
外観検査、テープ剥離試験を行なったが、パターンが剥
離する等の問題は発生しなかった0、又280℃のハン
ダ浴に3分間浸漬上後も充分な接着性が確認された。
After drying on a hot plate at 70° C. for 3 hours, the photosensitive polyimide precursor was directly exposed using a mask having a 1 m square zebra pattern, developed with N-methylpyrrolidone, and rinsed with isopropyl alcohol. This substrate was heated at 400° C. for 2 hours to form polyimide. After continuing heat treatment in PCT at 2 atmospheres for 6 hours,
Visual inspection and tape peeling test were conducted, but no problems such as peeling of the pattern occurred, and sufficient adhesion was confirmed even after immersion in a 280° C. solder bath for 3 minutes.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明により、LSI、IC等の電子部品塔載用の回路
モジュールや、銅を配線としたハイブリッドICにおい
て、微細パターンからなる導体や絶縁層の層間接着性を
著しく向上させることが出来、信頼性を付与することが
出来た。
The present invention makes it possible to significantly improve the interlayer adhesion of conductors and insulating layers made of fine patterns in circuit modules for mounting electronic components such as LSIs and ICs, and hybrid ICs with copper wiring, thereby improving reliability. was able to be granted.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims]  銅面上にポリイミドのパターンを形成する方法におい
て、その銅表面をあらかじめ酸化処理することを特徴と
するポリイミドパターン形成方法
A method for forming a polyimide pattern on a copper surface, the method comprising oxidizing the copper surface in advance.
JP8437985A 1985-04-22 1985-04-22 Formation of pattern Pending JPS61243447A (en)

Priority Applications (1)

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