JPS61242352A - 光デイスク - Google Patents

光デイスク

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Publication number
JPS61242352A
JPS61242352A JP8243285A JP8243285A JPS61242352A JP S61242352 A JPS61242352 A JP S61242352A JP 8243285 A JP8243285 A JP 8243285A JP 8243285 A JP8243285 A JP 8243285A JP S61242352 A JPS61242352 A JP S61242352A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
stamper
optical
medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP8243285A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Haneda
羽田 敏雄
Toru Mori
徹 森
Makoto Kobashi
誠 小橋
Yoshio Ariki
有木 美雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP8243285A priority Critical patent/JPS61242352A/ja
Publication of JPS61242352A publication Critical patent/JPS61242352A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 この発明は、追加記録、追加記録・消去可能な元ディス
クまたは元テープの製作法に係り、特に、基板材の構成
、裏作原理を従来法とは異にする、製作工程の制御因子
数が少な(、かつその因子の制御が容易な簡易裏作法、
その製作法で得た光ディスクまた元テープに関するもの
である。
〔発明の背景〕
追加記録または追加記録・消去可能な元ディスクは、−
例をあげれば特公昭54−5725号(特開昭50−4
6317  号)K見るように、透明樹脂材料の射出成
形によって信号痕追尾の螺旋状または同心円状の案内溝
を刻みつけた中心穴を設けた薄い円板をつくり、この円
板の案内溝側面に真空蒸着、イオンプレーテング法また
はスパッタ法によって追加記録媒体1例えば低酸化テ/
I/ /L/ (TeOx、 xxo、7〜1.5) 
+炭素化テ/L/ /L/ (Te−C)、セレン化ア
ンチモン(Sb@Se ) 、ビスマス(Bi)の薄膜
または追加記録・消去可能媒体。
例えば、光磁性体(希土類金属と3d遷移金属との非晶
質合金)またはテルルにゲルマニウム(Ge)、錫(S
n)、ビスマス、インジウム(In)、硫黄(S)、セ
レン(Se)などの内の1種を含んだ非晶質合金膜を形
成してつ(つている。
この方法によれば射出成形基板内の各部位には、製作法
に由来して光学的特性1例えば複屈折率の不均一が生じ
、この欠陥を除くために基板製作法の改良や光学系構成
に基板の欠陥を補正する対処が望まれている。この方法
の基板の射出成形、追加記録媒体膜の形成は、製作工程
や装置の構成上多品種・少量生産や大量生産への適応性
に解決を要する課題を残している。
また、大量生産を目指した追加記録形光ディスク製作に
は、特開昭59−188859がある。この製作法の要
点は第1図に示す通りである。即ち、1は帯状の透明樹
脂基板、2は光記録層の形成された樹脂薄膜、3は基板
1の移送ローラ・4は基板1に感圧接着剤5を塗布する
塗布a−ラ、6は塗布ローラ4に接して感圧接着剤5の
厚さを所定厚さに保つ練りローラ、7は接着剤4が塗布
された基板1に薄膜2を圧着するローラであって、この
系によって記録媒体層を面上に形成した樹脂薄膜2と基
板1とが[7W剤5を介して接着され、爾後の工程で所
定の形状に成形して元ディスクを得ている。
この方法によって得た元ディスクの断面構造は第2図の
ようKなる。なお光記録媒体を形成した薄膜2は元録媒
体層2−1.樹脂薄膜2−2で構成されていて、接着剤
を介して基板1と隣接する面の規定がないので断面構成
は、図示した2様式が想定できる。第2図(al lb
lの何れの構成でも光照射側の基板1から見ると記録媒
体層2−1&C比べて格段忙厚く、かつ基板1とは異質
の接着剤5を介在させている。この接着剤層5は第1図
に示したようにロールコードであって、一般には樹脂薄
膜2−2上に形成されている光記録媒体層2−1と比べ
て、その厚さは接着層5の方が格段に大きく、接着剤固
化時に生じる圧縮ひずみによって、記録媒体層には引張
りひずみが生じて記録媒体層2−1に変形を誘発させる
。また記録媒体2−1と基板1との中間に基板1とは異
質で、かつ成分組成の制御が十分に行届かない接着剤層
5の介在は、光学的特性の低下や劣化を促すことなど特
性劣化を誘う欠陥を内在させる。さらに案内溝の構成を
推定すると、溝の深さくtd)に対して接着剤の厚さく
ta)とはta>tctの関係にあって案内溝追尾およ
び記録媒体2−1への信号記録傘読取りなどの感度低下
を招来する。さらに案内溝を形成するスタンパの構造を
みると、接着剤の厚さくta)を考慮して、案内溝形成
部に相轟する凸部の高さを大きくしておかなければ、案
内溝を良好に形成できない。スタンパの凸部の高さを大
きくすることは、スタンパの耐久性(凸部の割れ、折れ
、摩耗など)を著しく低下させる要因になり、大量生産
・i生を損なう欠陥を内在させている。
〔発明の目的〕
この発明は、従来例に見られる元ディスクとし、この必
要特性保持および多品種・少量生産または大量生産への
適応性を高めるための欠陥を除いた工程・特性因子数が
少な(、かつその制御が容易であり、またでき上った製
品の特性が従来技術品と同等もしくはそれ以上のものを
    得る元ディスクの簡易な製作法の提供を目指し
ている。
〔発明の概要〕
この発明は、上記した製作法で発生または促進される諸
種の状況の解析結果にもとすいてなされたものである。
先ず、軟化状態にあるプラスチック面に形成されである
追加記録媒体膜が加圧されて展延すること、即ち微細穴
や溝の形成性を具えていることに着目して、従来の製作
法とは基板材構成、製作原理を異軸するホットプレス成
形による元ディスクの製作法を案出している。
またこ又では、光追加記録媒体の光または熱的性質を考
慮して選択幅の自由度をもつために敢て特定していない
が、従来から用いられている、所謂相変化形媒体のテル
ル(Te)・セレン化アンチモン、低酸化テルル、炭素
化テルル、ビスマス、また光母性体などが用いられるこ
とを特徴としている。
〔発明の実施例〕
こ〜では先ず発明の要点を摘出して全容を示し、次いで
実施例によって製作時の具体的条件を加えて詳細を提示
する。
この発明による元ディスクの製作法の一連の工程を第5
図に示す。こ−で第3図tcL+において8は、この発
明に係る元ディスクの透明樹脂基板であり、射出または
押出成形または注形でつ(つたアクリル樹脂シートまた
はフィルム、射出または押出成形でつくったポリカーボ
ネート樹脂シートまたはフィルムであり、その厚さは0
.31Bないし2鵡2幅は合目的的にきめた広幅である
。次いで第3図tb+において該基板の片面に元記碌層
を形成する媒体層9である。この膜9は、その機能によ
って、光記録媒体、熱吸収媒体2反射膜など、またはそ
れらの機能を合一化して保有する媒体からなり、複数層
または単層で構成され、こ〜では先にあげた材料を真空
蒸着、イオングレーテングまたはスパッタリング人ない
し1500Aの薄膜からなる。厚さは材料。
特にその材料の相変化に伴う反射率の変化賃およびその
相変化を惹き起す条件によって最適点を規制した。
第6図(c)には基板10に転写すべき信号痕の凸起ま
たは案内溝凸起を設けたスタンパ11の断面図を示して
いる。第6図(dlでは該スタンパ11と基板10とを
透明樹脂基板8のガラス転位点から融点までの温度域に
おける加熱下で相接している状況を示している。この状
況下で基板10は予備加熱されて、透明樹脂基板8は軟
化する。続いて第3図(elに示すようにスタンパ11
で基板10を面圧力0.5嘔−ないし10略勺で加圧す
ると、図示した様にスタンパ11は基板10内に食いこ
んで透明樹脂板を8゛1元記碌層9°の如く変形しスタ
ンパ110表面形状を写し取る。而して基板102がガ
ラス転位点以下まで冷却するのをまって第3図げ)に示
す様にスタンノ<11と基板10°とを引離し、スタン
パ110面形状を転写された基板10゛を得た。
こ〜で透明樹脂基板B上に光記録媒体層9を形成酸して
なる基板10を加熱下で加圧して得た信号痕の状況を1
000倍に顕微鏡拡大して第4図、第5図に示した。第
4図は厚さ1鵡のポリカーボネート押出成形板の面上に
、反応性高周波イオンプレテングによって、厚さ約80
OAの低酸化テルル膜(Tears x−0,8−4,
9)が形成されてなる基板12を、温度150°Cの加
熱下、圧力15kg/cdで加圧して得た信号痕(ピッ
ト)の跡である。低酸化テルル膜のき裂や破断は発生せ
ず、ピット形状12−1も良く写しとられている。また
、平坦部12−2も粗さが′増していない状況がわかる
。また第5図には、厚さ13M18のポリカーボネート
押出成形フィルムの面上に、真空共蒸着によって、厚さ
950λのセレン化アンチモン膜(5b−8e )が形
成されてなる基板15を、温度140°Cの加熱下、圧
力4 Wedで加圧して得たピット列である。セレン化
アンチモン膜にはき裂。
破断は認められず、ピット形成15−1は良(転写され
て、またピットの無い平坦部13−2の粗さ増大もな(
スタンパ面形状を良(写し取っている状況がわかる。
また、押出成形によるポリカーボネート樹脂シートは、
加熱下で加圧されて板内の配向ひすみは低減し、これに
よって複屈折度が35度から20度ないし25度に低下
し、同時にその変動範囲も15度から8度に半減した。
以下、実施例によって具体的内容を詳述する。
実施例1 押出成形でつくった厚さ11wIkのポリカーボネート
樹脂基板面8に反応性高周波イオンプレーテングにより
、酸素プラズマ内でテルルを蒸発し、これを酸化させて
なる厚さ800Aの低酸化テルル(Te00.9 )膜
9を形成し、これを基板10とし、温度150°Cに保
ってポリカーボネート樹脂基板10を軟化させ、これを
@ 1 /Jn 、長さ2同り高さα1μmの凸起列が
ピンチ16μmで螺旋状に並んで設けられているスタン
パ11によりて面圧力秘◆4で加圧した。これによって
低酸化テルル膜が形成された基板11にはスタンパ面凸
起が食いこみそれが刻みこまれる。而して加熱−加圧状
態で5秒間保ち、続いて加熱を止め、冷風を送って冷却
し温度60°Cに達した点でスタンパから信号痕が刻み
こまれた基板11°の外周および中心穴を打ちぬき、而
して基板11°をスタンパから引離して、低酸化テルル
膜に信号痕が刻みこまれた元ディスク12な得た。また
、こへでスタンパ面上の信号痕列凸起にかえて案内溝凸
起にすれば案内溝付き追加記録形光ディスクになる。
か(して得た元ディスク面の状況は先に第4図に示した
通りである。
実施例2 押出成形でつ(つた厚さ0.311)のポリカーボネー
ト樹脂フィルム面8に、真空蒸着によって厚さ950人
のセレン化アンチモン膜9を形成し、これを基板10と
して、温度140°Cに保ってポリカーボネート樹脂フ
ィルム8を軟化させて、実施例1で用いたスタンパ11
によって該温度の加熱下で、面圧力4 kg/cdで加
圧し、爾後の条件は実施例1と同じにして第5図に示す
信号痕列の刻みこまれた元ディスクを得た。
なお、実施例では透明樹脂板8としてポリカーボネート
樹脂板を例示したが、これはアクリル樹脂板、スチロー
ル樹脂板なとであっても良い。また追加記録媒体9は例
示したものの他の媒質1例えば元磁性体も目的に合わせ
て使うことができる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、追加記録媒体層を設けてなる元ディ
スクが因子数が少なく、かつその制御が容易で高価な機
械設備を要しない簡易な製法でつ(ることができるので
元ディスクを安価に提供できる。
また透明樹脂基板は加熱下で加圧されてfl内の製法に
由来して存在する配向ひずみが低減し、板の光学的特性
、例えば複屈折度を低減し、またその値の変動範囲が半
減するので透明樹脂基板材の選択範囲を広げている。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術に係る元ディスクの保護膜のロールコ
ート方式、その駆動系を示す断面図、第2図は第1図で
得た元ディスクの撰成を示す断面図、第3図はこの発明
に係る一連の製作手順を示す流れ系統図、第4図、第5
図はこの発明でできた元ディスク面上の追加記録に刻み
こまれた信号痕(ビット)列の状況を示す顕微鏡拡大写
真である。 8・・・透明樹脂基板、9・・・追加記録媒体層、1゜
・・・追加記録媒体層を表面に設けた基板の断面、10
゛・・・スタンパの加圧による信号痕または案内溝形成
の状況を夫々示している。12,13・・・この第 1
 図 第 2 図 (α)(b) 図面の浮a、へ′シに変更なし) 第5u 手続補正書(方式) 事件の表示 昭和 60  年特許願第 82432 号発明の名称
  光ディスク 補正をする者 餠と1係 特許出願人 名  称   (510)株式会は  日  立 製作
所代  理   人 居 所   〒1■東京都千代田区丸の内−丁目5番1
号株式会社日立製作所内 電話東京212−II口伏代
表)氏 名 (6850)弁理士 小 川 勝 再補正
命令の日付  昭和60年7月30日(発送日)補正の
内容 1、 明細書の第13頁の第11行から第14行に記載
の「第4図、第5図は・・・拡大写真である。」を下記
の通り補正する。 「第4図、第5図はこの発明でできた光デイスク面上の
追加記録に刻みこまれた信号痕(ピット)列の状況を示
す斜視図である。」2 図面の第4図、第5図を別紙の
通り補正する。 以上

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、信号痕列追尾の案内溝が設けられた透明樹脂基板の
    案内溝側面に、光記録媒体または光記録媒体と熱吸収や
    光反射機能体の層の単層もしくは複数層で構成された媒
    体層を設けてなる追加記録形光ディスクにおいて、押出
    成形、射出成形または注形によつてつくつた板を基板と
    し、この片面に光追加記録または光追加記録と消去ので
    きる媒体層を設け、この媒体層側面から所定の信号痕列
    または信号痕列追尾の案内溝をホットプレスによつて刻
    みこみ、刻印と同時または信号痕、案内溝形成後に所定
    形状に成形して得た光ディスク。 2、特許請求の範囲第1項記載の光ディスクにおいて、
    光追加記録媒体層、光追加記録・消去可能媒体層または
    反射・熱吸収媒体層は、真空蒸着、イオンプレーテング
    またはスパッタリング法によつて基板面上に形成されて
    なる薄膜であることを特徴とする光ディスク。
JP8243285A 1985-04-19 1985-04-19 光デイスク Pending JPS61242352A (ja)

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JP8243285A JPS61242352A (ja) 1985-04-19 1985-04-19 光デイスク

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JP8243285A Pending JPS61242352A (ja) 1985-04-19 1985-04-19 光デイスク

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JP (1) JPS61242352A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442970A (ja) * 1990-06-06 1992-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN100440350C (zh) * 2003-08-05 2008-12-03 松下电器产业株式会社 光盘及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0442970A (ja) * 1990-06-06 1992-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
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