JPS61242092A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS61242092A JPS61242092A JP60083892A JP8389285A JPS61242092A JP S61242092 A JPS61242092 A JP S61242092A JP 60083892 A JP60083892 A JP 60083892A JP 8389285 A JP8389285 A JP 8389285A JP S61242092 A JPS61242092 A JP S61242092A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- semiconductor laser
- phase shift
- center
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
位相シフト領域を有する分布帰還型半導体レーザであっ
て、その位相シフト領域を共振器の中心から２５％以内
ずらせるように構成し、共振器内の光分布に非対称性を
持たせ、光分布の大きな端面から光を取出す。
て、その位相シフト領域を共振器の中心から２５％以内
ずらせるように構成し、共振器内の光分布に非対称性を
持たせ、光分布の大きな端面から光を取出す。
本発明は、分布帰還型（ＤＦＢ型）半導体レーザに係夛
、特に単一モードの発根が可能で且つ高効率化するに適
する構造に関する。
、特に単一モードの発根が可能で且つ高効率化するに適
する構造に関する。
近年、ＤＦＢ型半導体レーザは、ファブリ・ペロー型半
導体レーザに比して単一モードの発根に好適な構造をも
つことから開発が進められている。
導体レーザに比して単一モードの発根に好適な構造をも
つことから開発が進められている。
第四図に従来のＤＦＢ型半導体レーザの断面構成を示し
ており、半導体基板１（例えばｎ−ＩｎＰ）上にコルゲ
ーション５が一様に形成された光ガイド層２（例えばｎ
ＩｎＧａＡｓＰ ）が形成され、さらに活性層３（
例えばＩｎＧａＡｓＰ ） ＋及び上部のクラッド層４
（例えばｐ−ＩｎＰ）が頭に！見られてなる０なお、コ
ンタクト層や電極が形成されるが、図示していない。ま
た、レーザの端面７には絶縁膜（Ｓｉｎｓ）２０と、高
反射率にする金属２１（例えばＡｕ）とが付着され、一
方レーザの他端面８にはＳｉＮ等の反射防止膜ｎが付着
されている。この構造によれば、レーザの光の取出し端
面８と他端面７とに反射率の差を設けているので、取出
し効率を向上させたＤＦＢ型半導体レーザが得られる。
ており、半導体基板１（例えばｎ−ＩｎＰ）上にコルゲ
ーション５が一様に形成された光ガイド層２（例えばｎ
ＩｎＧａＡｓＰ ）が形成され、さらに活性層３（
例えばＩｎＧａＡｓＰ ） ＋及び上部のクラッド層４
（例えばｐ−ＩｎＰ）が頭に！見られてなる０なお、コ
ンタクト層や電極が形成されるが、図示していない。ま
た、レーザの端面７には絶縁膜（Ｓｉｎｓ）２０と、高
反射率にする金属２１（例えばＡｕ）とが付着され、一
方レーザの他端面８にはＳｉＮ等の反射防止膜ｎが付着
されている。この構造によれば、レーザの光の取出し端
面８と他端面７とに反射率の差を設けているので、取出
し効率を向上させたＤＦＢ型半導体レーザが得られる。
ところが、このようなりＦＢ型半導体レーザでは、理論
的には、数百（Ｍｂ／秒〕の高速で変調を行っても単一
波長の発振を維持できるとされているが、実際には困難
である。
的には、数百（Ｍｂ／秒〕の高速で変調を行っても単一
波長の発振を維持できるとされているが、実際には困難
である。
その理由は、第り図のようにコルゲーション５が一様に
形成され、所謂、対称ＤＦＢ型半導体レーザとなってい
て、２モ一ド発振したり、コルゲーションの周期に合っ
たブラッグ波長から士に同じ波長分だけ僅かにずれた二
つの共振モード間で発振が移行するなど不安定な動作を
することによる。
形成され、所謂、対称ＤＦＢ型半導体レーザとなってい
て、２モ一ド発振したり、コルゲーションの周期に合っ
たブラッグ波長から士に同じ波長分だけ僅かにずれた二
つの共振モード間で発振が移行するなど不安定な動作を
することによる。
また、他の理由として、高反射率化した端面７において
、コルゲーション５がその周期のどの位置で切れるかに
よシ端面反射の影響が現われ、特性が不安定になること
があげられる。コルゲージ目ン５のピッチＡは２０００
〜４０００ Ｘと微細であ夛、ヘキ開による端面７の位
置を、ピッチ幅の中で制御することは、困難であシ、レ
ーザの閾値、効率が変動し不安定になることは避けられ
ない。
、コルゲーション５がその周期のどの位置で切れるかに
よシ端面反射の影響が現われ、特性が不安定になること
があげられる。コルゲージ目ン５のピッチＡは２０００
〜４０００ Ｘと微細であ夛、ヘキ開による端面７の位
置を、ピッチ幅の中で制御することは、困難であシ、レ
ーザの閾値、効率が変動し不安定になることは避けられ
ない。
これに対して、本発明者が先に提案し九π７２シフト領
域をレーザの共振器長りの中心に配設するＤＦＢ型半導
体レーザ（特願昭５９−２１０５８８号）がある。第四
図にその構成を示してちゃ、共振器長りの中心、すなわ
ちＬ／２の位置に等価的に屈折率を変えた位相シフト領
域６（ハツチング部）を設け、その屈折率変化分と位相
シフト領域の長さＬｍとを調整することにより、ちょう
どπ／２だけ位相がシフトするように構成している。そ
の結果、コルゲーションの周期に合ったブラッグ波長上
で安定に発振する単一モードのＤＦＢ半導体レーザが提
供される。ところが、この位相シフト型のＤＦＢ半導体
レーザにおいては、左右対称型であるから、共振器内の
光分布が対称であり、そのため端面８からの光の取出し
効率が良くないという問題がある。
域をレーザの共振器長りの中心に配設するＤＦＢ型半導
体レーザ（特願昭５９−２１０５８８号）がある。第四
図にその構成を示してちゃ、共振器長りの中心、すなわ
ちＬ／２の位置に等価的に屈折率を変えた位相シフト領
域６（ハツチング部）を設け、その屈折率変化分と位相
シフト領域の長さＬｍとを調整することにより、ちょう
どπ／２だけ位相がシフトするように構成している。そ
の結果、コルゲーションの周期に合ったブラッグ波長上
で安定に発振する単一モードのＤＦＢ半導体レーザが提
供される。ところが、この位相シフト型のＤＦＢ半導体
レーザにおいては、左右対称型であるから、共振器内の
光分布が対称であり、そのため端面８からの光の取出し
効率が良くないという問題がある。
そして、取出し効率の向上のために他端面を第Ｕ図と同
様に高反射率化すると、前述の高反射率な共振器端面の
コルゲーションの位相によル、閾値或いは効率が変動し
不安定になるという問題が生じてしまう。なお、第１３
図に関して先の第四図と対応部の記号を共通にしている
ので、特にこれらを説明しない。
様に高反射率化すると、前述の高反射率な共振器端面の
コルゲーションの位相によル、閾値或いは効率が変動し
不安定になるという問題が生じてしまう。なお、第１３
図に関して先の第四図と対応部の記号を共通にしている
ので、特にこれらを説明しない。
本発明は、以上のように従来のＤＦＢ型牛型体導体レー
ザ面に反射率差を設ける方式による光取出し効率向上に
おいては、高反射率共振器端面のコルゲーションの位相
による特性変動（端面位相の影響）が不可避であるとい
う問題を解決するものである。
ザ面に反射率差を設ける方式による光取出し効率向上に
おいては、高反射率共振器端面のコルゲーションの位相
による特性変動（端面位相の影響）が不可避であるとい
う問題を解決するものである。
本発明においては、第１図（Ａ）に示すごとく、位相シ
フト領域を有するＤＦＢ半導体レーザにおいて、該位相
シフト領域６をその中心がレーザの共振器の中心からΔ
ノだけ離れた位置に設けるように構成する。第１図（Ａ
）において、その他の構成は先の第１３図と同様であり
、１がｎ−ＩｎＰ等の半導体（基板）、２はコルゲーシ
ョン５が設けられた光ガイド層（ｎ ＩｎＧａＡｓＰ
）、３がＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、４がｐ Ｉｎ
Ｐ等のクラッド層、７，８が端面である。
フト領域を有するＤＦＢ半導体レーザにおいて、該位相
シフト領域６をその中心がレーザの共振器の中心からΔ
ノだけ離れた位置に設けるように構成する。第１図（Ａ
）において、その他の構成は先の第１３図と同様であり
、１がｎ−ＩｎＰ等の半導体（基板）、２はコルゲーシ
ョン５が設けられた光ガイド層（ｎ ＩｎＧａＡｓＰ
）、３がＩｎＧａＡｓＰ等の活性層、４がｐ Ｉｎ
Ｐ等のクラッド層、７，８が端面である。
第１図に示されるよう位相調整性ＤＦＢレーザは、位相
シフト領域の左右に利得をもった分布反射器（ｉ）、（
ｉｉ）が設けられたものとみなすことができる。
シフト領域の左右に利得をもった分布反射器（ｉ）、（
ｉｉ）が設けられたものとみなすことができる。
第１図（Ａ）では分布反射器（ｉ）の方がその長さが（
ｉｉ ）より短いために、その反射率γｉは（ｉ）のも
のよフ小さくなる。
ｉｉ ）より短いために、その反射率γｉは（ｉ）のも
のよフ小さくなる。
第１図（Ｂ）、第１図（Ａ）に示されたＤＦＢレーザ中
の電界強度を示す。
の電界強度を示す。
このようにして端面８側よシ放出されるレーザ光は端面
７よシのものよシ大きくなシ、高効率レーザが実現され
る。
７よシのものよシ大きくなシ、高効率レーザが実現され
る。
第２図に、位相シフト領域の中心からのずれΔｌの共振
器長りに対する割合と、位相シフト領域をずらした側の
端面からの光の取出し効率の関係を示している。但し、
各条件は次のとおシである。
器長りに対する割合と、位相シフト領域をずらした側の
端面からの光の取出し効率の関係を示している。但し、
各条件は次のとおシである。
共振器長 Ｌ＝４００μｍ活性層におけ
る吸収損 α。＝ １４０ ａｍクラッド層におけ
る吸収損 α。ｘ＝２０ｃｍ−１端面反射率
Ｒ＝ ０．０位相シフト領域における位相シフト量
π／２結合定数 ｋ 図において、ＩＩＣＬにより光の取出し効率に違いがで
るが、いずれにおいても位相シフト領域が中心位置から
ずれる程度が大なる根先取出し効率が向上する。
る吸収損 α。＝ １４０ ａｍクラッド層におけ
る吸収損 α。ｘ＝２０ｃｍ−１端面反射率
Ｒ＝ ０．０位相シフト領域における位相シフト量
π／２結合定数 ｋ 図において、ＩＩＣＬにより光の取出し効率に違いがで
るが、いずれにおいても位相シフト領域が中心位置から
ずれる程度が大なる根先取出し効率が向上する。
ところが、一方、位相シフト領域が共振器中心位置から
ずれると、中心モードと隣接モードとの電力利得差がと
れなくなる問題が生ずる。第３図にこれを示してお９、
Δｌ／Ｌが小さい場合にはんＬが大な程隣接モードとの
電力利得差がとれて安定であるが、Δ１１／Ｌが大きく
なるにつれて／ｃＬが大な場合の方が相対的に大きな割
合いで隣接モードとの電力利得差が減少している。ここ
で、中心モードと隣接モードとの電力利得差が５ ａｍ
−’以上あれば、高速変調時においても安定である〔Ｆ
、Ｋｏｙａｍａ＋ Ｙ、Ｓｕｅｍａｔｓｕ＋ ５−Ａｒ
ａｉ＋ ａｎｄ Ｔ、Ｔａｕｂｕｎ−ｅｋ＋ −１−５
〜１．６μｍ ＧａＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰ ｄｙｎａｍ
ｉｃ−ｓｉｎ−ｇｌｅ−ｍｏｄｅ （ＤＳＭ） １ａｓ
ｓｒｓ ｗｉｔｈ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａ−
ｇｇ ｒａｆｌｅｃｔｏｒ ” ＊ ＩＢ
ＢＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓｖ
ｏｌ、 ＱＥ−１９，ｐｐ、１０４２−１０５１． Ｊ
ｕｎｅ １９８３． 等の論文参照〕。
ずれると、中心モードと隣接モードとの電力利得差がと
れなくなる問題が生ずる。第３図にこれを示してお９、
Δｌ／Ｌが小さい場合にはんＬが大な程隣接モードとの
電力利得差がとれて安定であるが、Δ１１／Ｌが大きく
なるにつれて／ｃＬが大な場合の方が相対的に大きな割
合いで隣接モードとの電力利得差が減少している。ここ
で、中心モードと隣接モードとの電力利得差が５ ａｍ
−’以上あれば、高速変調時においても安定である〔Ｆ
、Ｋｏｙａｍａ＋ Ｙ、Ｓｕｅｍａｔｓｕ＋ ５−Ａｒ
ａｉ＋ ａｎｄ Ｔ、Ｔａｕｂｕｎ−ｅｋ＋ −１−５
〜１．６μｍ ＧａＩｎＡｓＰ／ ＩｎＰ ｄｙｎａｍ
ｉｃ−ｓｉｎ−ｇｌｅ−ｍｏｄｅ （ＤＳＭ） １ａｓ
ｓｒｓ ｗｉｔｈ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａ−
ｇｇ ｒａｆｌｅｃｔｏｒ ” ＊ ＩＢ
ＢＥ Ｊ、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓｖ
ｏｌ、 ＱＥ−１９，ｐｐ、１０４２−１０５１． Ｊ
ｕｎｅ １９８３． 等の論文参照〕。
したがって、第３図によれば／ｃＬによって多少の違い
はあるが、はぼΔｌ／Ｌが２５％程度以内においては高
速変調時においても安定に単一モード性が保たれる。
はあるが、はぼΔｌ／Ｌが２５％程度以内においては高
速変調時においても安定に単一モード性が保たれる。
以上のことから、本発明は、ＤＦＢ半導体レーザにおい
て、位相シフト領域を共振器の中心から５チ以内ずらし
た所に設けることによって生ずる光とコルゲーションと
の位相差の非対称性を利用するもので、共振器内の光分
布に非対称性を持たせ、光分布の大きい端面よシ光を取
出し、高効率化が可能になる。この発明では、特に端面
の反射率の非対称性は必要でなく、両端面ＡＲコート聾
として、反射率を低減することにより端面位相の影響を
受け、ない構造にできる。
て、位相シフト領域を共振器の中心から５チ以内ずらし
た所に設けることによって生ずる光とコルゲーションと
の位相差の非対称性を利用するもので、共振器内の光分
布に非対称性を持たせ、光分布の大きい端面よシ光を取
出し、高効率化が可能になる。この発明では、特に端面
の反射率の非対称性は必要でなく、両端面ＡＲコート聾
として、反射率を低減することにより端面位相の影響を
受け、ない構造にできる。
なお、もちろん端面の一方７を高反射率化することを行
なえば、光分布の非対称性に反射率の非対称性の効果が
加わることになるものでアシ、本発明はこれも含む。
なえば、光分布の非対称性に反射率の非対称性の効果が
加わることになるものでアシ、本発明はこれも含む。
以下に本発明の実施例を第４図〜第１０図により説明す
る。
る。
（実施例１）
第４図、第５図は本発明の第１の実施例を説明するため
の要部切断斜面図、及び要部側断面図を示している。
の要部切断斜面図、及び要部側断面図を示している。
図において、１はｎ” ＩｎＰ基板、１１はｎ Ｉ
ｎＰバッファ層、戎はＩｎＰクラッド層、５はコルゲー
ション、２はｎＩｎＧａＡｓＰガイド層、３はＩｎＧａ
ＡａＰ活性層、３Ａは活性層３の拡幅部分、４はｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層、１４はｐ −ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極である。また、
βｌ及びβ！は伝播定数、Ｌは活性層３の長さ、即ち共
振器長、ＩＪ８は拡幅部分３Ａの長さ、即ち位相シフト
領域の長さ、Ｌｌは活性層３がなだらかに“拡幅されて
いる部分の長さ、Ｗｌは活性層３の幅、Ｗ２は拡幅部分
３人の幅を各々示している。
ｎＰバッファ層、戎はＩｎＰクラッド層、５はコルゲー
ション、２はｎＩｎＧａＡｓＰガイド層、３はＩｎＧａ
ＡａＰ活性層、３Ａは活性層３の拡幅部分、４はｐ−Ｉ
ｎＰクラッド層、１４はｐ −ＩｎＧａＡｓＰコンタク
ト層、１６はｐ側電極、１７はｎ側電極である。また、
βｌ及びβ！は伝播定数、Ｌは活性層３の長さ、即ち共
振器長、ＩＪ８は拡幅部分３Ａの長さ、即ち位相シフト
領域の長さ、Ｌｌは活性層３がなだらかに“拡幅されて
いる部分の長さ、Ｗｌは活性層３の幅、Ｗ２は拡幅部分
３人の幅を各々示している。
本実施例では、活性層３の中心（端面７からＬｌ２の位
置）からΔｌだけずらして、位相シフト領域の拡幅部分
３ＡがＬｓの長さに形成されて゛いる。
置）からΔｌだけずらして、位相シフト領域の拡幅部分
３ＡがＬｓの長さに形成されて゛いる。
これによシ、光導波領域における伝播定数がβｌからβ
鵞に変化し、実効的に屈折率を変化させることができる
ので、伝播する位相をずらすことができる。
鵞に変化し、実効的に屈折率を変化させることができる
ので、伝播する位相をずらすことができる。
こ＼、で、ブラッグ波長をλ１、実効的な屈折率を”ｏ
ｆｆとすると で表わされ、また伝播定数Δβは、 Δβ＝β鵞−β１ で表わされ、本実施例の場合、−意くβ１であるからｌ
βは正である。
ｆｆとすると で表わされ、また伝播定数Δβは、 Δβ＝β鵞−β１ で表わされ、本実施例の場合、−意くβ１であるからｌ
βは正である。
光の伝播定数を変化させて位相をずらせるために変化さ
せるべき実効的な屈折率をΔｎとし、これと伝播定数を
異にする部分の長さＬとの関係は、自由空間の発振波長
をλとして、 で与えられる。したがって、この弐に発振波長λ及び変
化させるべき実効的な屈折率差Δｎを入れることによシ
、伝播定数を異にする部分の長さＬを求めることができ
る。また、 ２πΔｎ Δβ＝□ λ であるから、 ΔβＬ＝±−±ｍπ （ｍは整数） とな夛、この式を満足させることにより、ブラッグ波長
λｂでの発振が可能となる。
せるべき実効的な屈折率をΔｎとし、これと伝播定数を
異にする部分の長さＬとの関係は、自由空間の発振波長
をλとして、 で与えられる。したがって、この弐に発振波長λ及び変
化させるべき実効的な屈折率差Δｎを入れることによシ
、伝播定数を異にする部分の長さＬを求めることができ
る。また、 ２πΔｎ Δβ＝□ λ であるから、 ΔβＬ＝±−±ｍπ （ｍは整数） とな夛、この式を満足させることにより、ブラッグ波長
λｂでの発振が可能となる。
具体的寸法例は、Ｗｌ ＝ １．８ ｐｍ ＋ Ｗｌ
＝ ２．５ ｐｍ＊Ｌ＝４００μｍ、Ｌｓ＝６０ｐｍ、
Ｌｌ＝５〜ｌＯμｍである。
＝ ２．５ ｐｍ＊Ｌ＝４００μｍ、Ｌｓ＝６０ｐｍ、
Ｌｌ＝５〜ｌＯμｍである。
本実施例で位相シフト領域６の中心位置（Ｌ／２）とな
り、第２図からにＬｍ２．０の場合、３５チという高い
光取出し効率が得られる。そして、第３図によシ明らか
なようにこの時中心モードと隣接モードとの利得差はｉ
ｏａｍ””であシ、安定に単一モード発振が可能な限界
５ ａｍ−”を上回っておシ、高速変調時においても安
定に単一モード性を保つことができる。
り、第２図からにＬｍ２．０の場合、３５チという高い
光取出し効率が得られる。そして、第３図によシ明らか
なようにこの時中心モードと隣接モードとの利得差はｉ
ｏａｍ””であシ、安定に単一モード発振が可能な限界
５ ａｍ−”を上回っておシ、高速変調時においても安
定に単一モード性を保つことができる。
（実施例２）
第６図は本発明の第２の実施例の要部側断面図であシ、
第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同記号
で指示しである。
第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同記号
で指示しである。
図において、２Ａはガイド層２が他より厚くなっている
場合、Ｌｍは伝播定数が異なる部分の長さくガイド層３
の厚い部分２人の長さ）、Δノは領域２人の中心とレー
ザの共振器長りの中心との距離を示す。
場合、Ｌｍは伝播定数が異なる部分の長さくガイド層３
の厚い部分２人の長さ）、Δノは領域２人の中心とレー
ザの共振器長りの中心との距離を示す。
この実施例では、活性層３には拡幅部分がなく、その代
わシ光導波路領域の一部をなすガイド層２を局所的に厚
く形成した部分２人を備えることによシ伝播定数異なら
せている。
わシ光導波路領域の一部をなすガイド層２を局所的に厚
く形成した部分２人を備えることによシ伝播定数異なら
せている。
こ＼でΔβは正であシ、λ＝ １．３ （μｍ〕、 Δ
ｎ： ０．０１とした場合、伝播定数を異にする部分の
長さＬは３３〔μｍ〕にすると良い。
ｎ： ０．０１とした場合、伝播定数を異にする部分の
長さＬは３３〔μｍ〕にすると良い。
本実施例における諸寸法例を次に示す。
Ｌ ＝ ４００ ［ｐｍ）
活性層３の厚み ０．１５ Ｃμｍ〕ガイド層
２の厚み ０．１５ Ｃμｍ〕コルゲーションの
周期 ０．３９９ Ｃμｍ〕ガイド層２の厚い部分２
人の厚み ０．２〔μｍ〕コルゲーション５の高さくピ
ーク・ピーク）ｏ、ｉ（μｍ〕（実施例３） 第７図は本発明における第３０笑施例を示す側断面図で
あシ、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は
同記号を付している。
２の厚み ０．１５ Ｃμｍ〕コルゲーションの
周期 ０．３９９ Ｃμｍ〕ガイド層２の厚い部分２
人の厚み ０．２〔μｍ〕コルゲーション５の高さくピ
ーク・ピーク）ｏ、ｉ（μｍ〕（実施例３） 第７図は本発明における第３０笑施例を示す側断面図で
あシ、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は
同記号を付している。
この実施例では、第６図の実施例と異なり、ガイド層２
が厚く形成され、光導波領域の伝播定数を異にする部分
では２Ｂで指示しであるように薄くなされている。なお
、この場合、Δβは負になる。
が厚く形成され、光導波領域の伝播定数を異にする部分
では２Ｂで指示しであるように薄くなされている。なお
、この場合、Δβは負になる。
（第４の実施例）
第８図は本発明における第４の実施例の側断面図でちゃ
、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同記
号を付している。
、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同記
号を付している。
この実施例では、活性層３に薄い部分３Ｂを形成するこ
とによ〕光の伝播定数を異ならしめている。なお、この
実施例におけるΔβＬは−π／２となる。
とによ〕光の伝播定数を異ならしめている。なお、この
実施例におけるΔβＬは−π／２となる。
（第５の実施例）
第９図は本発明における第５の実施例の側断面図であシ
、第４図及び第５図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示している。
、第４図及び第５図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示している。
この実施例では、活性層３に厚い部分３Ｃを形成するこ
とによシ光の伝播定数を異ならしめている。なお、この
実施例におけるΔβＬはπ／２ となる。
とによシ光の伝播定数を異ならしめている。なお、この
実施例におけるΔβＬはπ／２ となる。
（第６の実施例）
第１０図は本発明における第６の実施例の側断面図であ
り、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示している。
り、第４図、第５図に関して説明した部分と同部分は同
記号で示している。
この実施例では、ガイド層２の外に第２のガイド層１０
２を活性層３上に形成し、その第２のガイド層１０２に
選択的に厚い部分１０２Ａを形成して伝播定数を異なら
しめている。
２を活性層３上に形成し、その第２のガイド層１０２に
選択的に厚い部分１０２Ａを形成して伝播定数を異なら
しめている。
（第７の実施例）
第１１図は本発明における第７の実施例を示す要部側断
面図であ夛、第４図及び第５図に関して説明した部分と
同部分は同記号で示しである。
面図であ夛、第４図及び第５図に関して説明した部分と
同部分は同記号で示しである。
この実施例では、第１０図に見られる実施例と同様に第
２のガイド層１０２を活性層３上に形成しているが、そ
の第２のガイド層１０２に選択的に組成を異にする部分
１０２Ｂを形成することによシ、伝播定数を異ならしめ
ている。
２のガイド層１０２を活性層３上に形成しているが、そ
の第２のガイド層１０２に選択的に組成を異にする部分
１０２Ｂを形成することによシ、伝播定数を異ならしめ
ている。
以上のように、本発明の分布帰還型半導体レーザでは、
π／２位相シフト領域を共振器の中心から２５％以内ず
らした所に設けることによって、共振器内の光分布に非
対称性を持たせ、光分布の大きな端面より光を取出すこ
とにより、光取出し効率を向上させることができる。そ
して、特に端面の反射率の非対称性は必要でないから、
両端面とも反射防止膜（ＡＲコート）を形成し、反射率
を低減することによシ、共振器断面のコルゲーションの
位相による特性の変動を防止できる。
π／２位相シフト領域を共振器の中心から２５％以内ず
らした所に設けることによって、共振器内の光分布に非
対称性を持たせ、光分布の大きな端面より光を取出すこ
とにより、光取出し効率を向上させることができる。そ
して、特に端面の反射率の非対称性は必要でないから、
両端面とも反射防止膜（ＡＲコート）を形成し、反射率
を低減することによシ、共振器断面のコルゲーションの
位相による特性の変動を防止できる。
第１図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の原理を示す図、第２図
及び第３図はそれぞれ本発明の作用を示す図、 第４図及び第５図は本発明の実施例１の要部り断斜面図
及び要部側断面図、 第６図乃至第１１図は本発明のそれぞれ実施例２乃至実
施例７の側断面図、 第Ｕ図及び第１図はそれぞれ従来例１及び２の概要図（
！！部部面面図である。 主な符号 １・・・基板 ２・・・ガイド層 ３・・・活性層 ４・・・クラッド層 ５・・・コルゲーション ６・・・位相シフト領域 ７．８・・・端面 。
及び第３図はそれぞれ本発明の作用を示す図、 第４図及び第５図は本発明の実施例１の要部り断斜面図
及び要部側断面図、 第６図乃至第１１図は本発明のそれぞれ実施例２乃至実
施例７の側断面図、 第Ｕ図及び第１図はそれぞれ従来例１及び２の概要図（
！！部部面面図である。 主な符号 １・・・基板 ２・・・ガイド層 ３・・・活性層 ４・・・クラッド層 ５・・・コルゲーション ６・・・位相シフト領域 ７．８・・・端面 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 コルゲーシヨンを有する光導波領域に伝播定数を異にす
る部分を選択的に形成せしめてなる位相シフト領域が形
成され、該位相シフト領域とその他の部分との伝播定数
差をΔβとなし、且つ位相シフト領域の長さをＬｓとし
て ΔβＬｓ＝±π／２±ｍπ（ｍは整数） なる式を満足するものとした半導体レーザにおいて、 該半導体レーザの前記光導波領域の全長Ｌの中央と前記
位相シフト領域の中心との距離がΔｌであり、 且つ、 ０＜Δｌ／Ｌ≦０．２５ となるように形成されてなることを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083892A JPS61242092A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60083892A JPS61242092A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242092A true JPS61242092A (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=13815291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60083892A Pending JPS61242092A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242092A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269983A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | 分布帰還型レーザ |
| EP1191651A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-27 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2007227560A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 利得結合型分布帰還型半導体レーザ |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60083892A patent/JPS61242092A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0269983A (ja) * | 1988-09-06 | 1990-03-08 | Toshiba Corp | 分布帰還型レーザ |
| EP1191651A1 (en) * | 2000-09-06 | 2002-03-27 | Nec Corporation | Distributed feedback semiconductor laser |
| JP2007227560A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 利得結合型分布帰還型半導体レーザ |
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