JPS61234532A - シリコン酸化膜光化学気相成長装置 - Google Patents
シリコン酸化膜光化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPS61234532A JPS61234532A JP60077182A JP7718285A JPS61234532A JP S61234532 A JPS61234532 A JP S61234532A JP 60077182 A JP60077182 A JP 60077182A JP 7718285 A JP7718285 A JP 7718285A JP S61234532 A JPS61234532 A JP S61234532A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- silicon oxide
- oxide film
- temperature
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、薄膜の気相成長装置に関し、特に紫外光を照
射することによって反応ガスを励起せしめ化学反応を促
進させ、シリコン酸化膜を成長させるシリコン酸化膜光
化学気相成長装置に関するものである。
射することによって反応ガスを励起せしめ化学反応を促
進させ、シリコン酸化膜を成長させるシリコン酸化膜光
化学気相成長装置に関するものである。
集積回路装置を含む半導体装置製造プロセスの低温化の
ために、光化学気相成長法が半導体装置製造技術として
開発されている。特に、光化学気相成長法で形成される
シリコン酸化膜は、集積回路装置の多層配線層間膜とし
て優れた特徴をもつものである。
ために、光化学気相成長法が半導体装置製造技術として
開発されている。特に、光化学気相成長法で形成される
シリコン酸化膜は、集積回路装置の多層配線層間膜とし
て優れた特徴をもつものである。
シリコン酸化膜光化学気相成長のために、通常反応ガス
としてシランガス（ＳｉＨ４）と酸素ガス（０２）ある
いは亜酸化窒素ガス（Ｎ２０ ）が用いられ、照射紫外
光として低圧水銀灯のもつ１８４．９ ｎｍ光が広く用
いられている（５９年春応用物理学会予稿集Ｐ４３５題
名：酸素の直接励起光（至）によるＳｉＯ２の低温析出
）。
としてシランガス（ＳｉＨ４）と酸素ガス（０２）ある
いは亜酸化窒素ガス（Ｎ２０ ）が用いられ、照射紫外
光として低圧水銀灯のもつ１８４．９ ｎｍ光が広く用
いられている（５９年春応用物理学会予稿集Ｐ４３５題
名：酸素の直接励起光（至）によるＳｉＯ２の低温析出
）。
シリコン酸化膜光化学気相成長を行う装置においては、
光源部と、反応が生じる反応部との間は光源から発光さ
せられる紫外光を透過する光透過窓によって仕切られて
いる。光透過窓を透過した紫外光によって反応ガスは膜
形成すべき基板上のみならず、光透過窓上においても、
光化学反応をおこし膜成長する。
光源部と、反応が生じる反応部との間は光源から発光さ
せられる紫外光を透過する光透過窓によって仕切られて
いる。光透過窓を透過した紫外光によって反応ガスは膜
形成すべき基板上のみならず、光透過窓上においても、
光化学反応をおこし膜成長する。
従来のシリコン酸化膜光化学気相成長装置を用いた場合
、光透過窓上に成長したシリコン酸化膜が厚くなるに従
がい、光透過窓を透過し反応部へ照射される紫外光量が
減少し、遂には全く遮断され、基板上にシリコン酸化膜
が成長しなくなるという問題があった。
、光透過窓上に成長したシリコン酸化膜が厚くなるに従
がい、光透過窓を透過し反応部へ照射される紫外光量が
減少し、遂には全く遮断され、基板上にシリコン酸化膜
が成長しなくなるという問題があった。
本発明の目的は、上記問題を解消したシリコン酸化膜光
化学気相成長装置を提供することにある。
化学気相成長装置を提供することにある。
本発明のシリコン酸化膜光化学気相成長装置は、紫外光
を照射する光源部と、紫外光により反応ガスを励起し基
板にシリコン酸化膜を形成せしめる反応部と、光源部と
反応部との間に位置し紫外光を透過する光透過窓と、光
透過窓の加熱、温度制御を行う制御部とを有することを
特徴とするものである。
を照射する光源部と、紫外光により反応ガスを励起し基
板にシリコン酸化膜を形成せしめる反応部と、光源部と
反応部との間に位置し紫外光を透過する光透過窓と、光
透過窓の加熱、温度制御を行う制御部とを有することを
特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図によって説明する・第１図
、第２図は本発明の第１の実施例を示すもので、図にお
いて、第１の実施例による装置は光源室１０１と反応室
１０２とから成り、これらは合成石英板から成る光透過
窓１０３によって仕切られている。さらに、光透過窓１
０３の内部に抵抗加熱体１０４を埋め込み、かつ光透過
窓１０３の局部に温度計測器１０５を設置する。ここに
抵抗加熱体１０４と温度計測器１０５とにて、光透過窓
１０３の加熱、温度制御を行う制御部を構成する。
、第２図は本発明の第１の実施例を示すもので、図にお
いて、第１の実施例による装置は光源室１０１と反応室
１０２とから成り、これらは合成石英板から成る光透過
窓１０３によって仕切られている。さらに、光透過窓１
０３の内部に抵抗加熱体１０４を埋め込み、かつ光透過
窓１０３の局部に温度計測器１０５を設置する。ここに
抵抗加熱体１０４と温度計測器１０５とにて、光透過窓
１０３の加熱、温度制御を行う制御部を構成する。
光源室１０１には、波長１８４．９ｎｍの紫外光を発す
る低圧水銀灯１０６および光反射板１０７が設置され、
反応室１０２には基板１０８を置くための基板台座１０
９が設置されている。この基板台座１０９は、その内部
に埋め込まれた基板加熱温度制御体１１０により温度制
御される。反応ガスは反応ガス導入部１１１よυ反応室
１０２内に導入され、反応ガス排気部１１２よシ排気さ
れる。
る低圧水銀灯１０６および光反射板１０７が設置され、
反応室１０２には基板１０８を置くための基板台座１０
９が設置されている。この基板台座１０９は、その内部
に埋め込まれた基板加熱温度制御体１１０により温度制
御される。反応ガスは反応ガス導入部１１１よυ反応室
１０２内に導入され、反応ガス排気部１１２よシ排気さ
れる。
第３図は本発明の光化学気相成長装置の効果説明するた
めのグラフ図であり、モノシランガス（ＳＩＨ４）と酸
素ガス（０□）との混合比１／１５の反応ガス１０１０
０５ｅと、希釈アルゴンガスＣＡｒ） １０００ ｓｃ
ｃｍとを用い、全圧力５Ｔｏｒｒ ｒ波長１８４．９ｎ
ｍ光の光強度１５ｍｗ／α２．基板温度１５０℃でシリ
コン酸化膜を成長した場合の膜厚と成長時間との関係を
示すものである。グラフＡは光透過窓加熱温度制御を使
用しない膜成長、すなわち従来の光化学気相成長装置を
用いた場合の膜成長を示すものであり、成長時間ととも
に膜成長速度が小さくなり５時間以上では膜成長しなく
なる。一方、グラフＢは本発明による光透過窓加熱制御
部を作動させ、光透過窓の温度を２００℃に制御して行
った膜成長を示すものであり、一定の成長速度で膜成長
していることが判る。
めのグラフ図であり、モノシランガス（ＳＩＨ４）と酸
素ガス（０□）との混合比１／１５の反応ガス１０１０
０５ｅと、希釈アルゴンガスＣＡｒ） １０００ ｓｃ
ｃｍとを用い、全圧力５Ｔｏｒｒ ｒ波長１８４．９ｎ
ｍ光の光強度１５ｍｗ／α２．基板温度１５０℃でシリ
コン酸化膜を成長した場合の膜厚と成長時間との関係を
示すものである。グラフＡは光透過窓加熱温度制御を使
用しない膜成長、すなわち従来の光化学気相成長装置を
用いた場合の膜成長を示すものであり、成長時間ととも
に膜成長速度が小さくなり５時間以上では膜成長しなく
なる。一方、グラフＢは本発明による光透過窓加熱制御
部を作動させ、光透過窓の温度を２００℃に制御して行
った膜成長を示すものであり、一定の成長速度で膜成長
していることが判る。
第４図は本発明の第２の実施例を示すもので、第４図に
示すシリコン酸化膜光化学気相成長装置では、光透過窓
１０３の加熱、温度制御を行う制御部は光透過窓下０．
２ ｃｍ以内に設置された、基板加熱温度制御部をもつ
基板台座１０９にて構成される。
示すシリコン酸化膜光化学気相成長装置では、光透過窓
１０３の加熱、温度制御を行う制御部は光透過窓下０．
２ ｃｍ以内に設置された、基板加熱温度制御部をもつ
基板台座１０９にて構成される。
光透過窓１０３と基板台座１０９との距離を０．２ ｃ
ｍ以下にすることにより、光透過窓１０３の温度を基板
台座１０９の温度に近いものに設定することができる。
ｍ以下にすることにより、光透過窓１０３の温度を基板
台座１０９の温度に近いものに設定することができる。
第２実施例の装置においては、光透過窓１０３に付着す
るシリコン酸化膜を紫外光透過性の優れたものにするた
めに、基板へのシリコン酸化膜成長を２００℃以上の基
板温度で行うことが必要である。第２実施例の装置を用
い、基板温度を２００℃以上に設定し第１実施例と同じ
反応ガス種、流量、圧力および同じ紫外光強度でシリコ
ン酸化膜成長することにより、第１実施例の装置と同様
に一定の成長速度を得ることができる。
るシリコン酸化膜を紫外光透過性の優れたものにするた
めに、基板へのシリコン酸化膜成長を２００℃以上の基
板温度で行うことが必要である。第２実施例の装置を用
い、基板温度を２００℃以上に設定し第１実施例と同じ
反応ガス種、流量、圧力および同じ紫外光強度でシリコ
ン酸化膜成長することにより、第１実施例の装置と同様
に一定の成長速度を得ることができる。
以上述べた様に実施例によれば、従来のシリコン酸化膜
光化学気相成長装置の問題、すなわち光透過窓への膜被
着のために基板に膜成長しなくなるという問題が解決さ
れる。
光化学気相成長装置の問題、すなわち光透過窓への膜被
着のために基板に膜成長しなくなるという問題が解決さ
れる。
以上説明したように、本発明の光化学気相成長装置によ
れば、基板へのシリコン酸化膜成長時に、光透過窓が加
熱、温度制御されるため、光透過窓上に形成されるシリ
コン酸化膜は紫外光透過性の優れたものとなり、その結
果、光透過窓上に成長したシリコン酸化膜が厚くなるに
従がい光透過窓を透過し反応部へ照射される紫外光量が
減少するのを防止でき、基板上に膜成長しなくなるとい
う事態を回避できる効果を有するものである。
れば、基板へのシリコン酸化膜成長時に、光透過窓が加
熱、温度制御されるため、光透過窓上に形成されるシリ
コン酸化膜は紫外光透過性の優れたものとなり、その結
果、光透過窓上に成長したシリコン酸化膜が厚くなるに
従がい光透過窓を透過し反応部へ照射される紫外光量が
減少するのを防止でき、基板上に膜成長しなくなるとい
う事態を回避できる効果を有するものである。
第１図は本発明に基づくシリコン酸化膜光化学気相成長
装置の第１の実施例を示す断面構造図、第２図は第１図
の光透過窓部の平面構造図、第３図は第１の実施例の効
果を説明するための特性図、第４図は本発明に基づくシ
リコン酸化膜光化学気相成長装置の第２の実施例を示す
断面構造図である。 １０１・・・光源室 １０２・・・反応室１０
３・・・光透過窓 １０４・・・抵抗加熱体１０
５・・・温度計測器 １０６・・・低圧水銀灯１０
７・・・光反射板 １０８・・・基板１０９・・
・基板台座 １１０・・・基板加熱温度制御体
１１１・・・反応ガス導入部 １１２・・・反応ガス
排気部特許出願人 日本電気株式会社 党１図 ／Ｕ４ 第３図 成長晧間（時間）
装置の第１の実施例を示す断面構造図、第２図は第１図
の光透過窓部の平面構造図、第３図は第１の実施例の効
果を説明するための特性図、第４図は本発明に基づくシ
リコン酸化膜光化学気相成長装置の第２の実施例を示す
断面構造図である。 １０１・・・光源室 １０２・・・反応室１０
３・・・光透過窓 １０４・・・抵抗加熱体１０
５・・・温度計測器 １０６・・・低圧水銀灯１０
７・・・光反射板 １０８・・・基板１０９・・
・基板台座 １１０・・・基板加熱温度制御体
１１１・・・反応ガス導入部 １１２・・・反応ガス
排気部特許出願人 日本電気株式会社 党１図 ／Ｕ４ 第３図 成長晧間（時間）
Claims (1)
- （１）紫外光を照射する光源部と、紫外光により反応ガ
スを励起し基板にシリコン酸化膜を形成せしめる反応部
と、光源部と反応部との間に位置し紫外光を透過する光
透過窓と、光透過窓の加熱、温度制御を行う制御部とを
有することを特徴とするシリコン酸化膜光化学気相成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077182A JPS61234532A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | シリコン酸化膜光化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60077182A JPS61234532A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | シリコン酸化膜光化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234532A true JPS61234532A (ja) | 1986-10-18 |
Family
ID=13626668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60077182A Pending JPS61234532A (ja) | 1985-04-11 | 1985-04-11 | シリコン酸化膜光化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234532A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277769A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | 光化学反応利用装置 |
| WO2000042644A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Sumitomo Sitix Silicon Inc. | System and method for surface passivation |
| EP1158574A1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-11-28 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Ultraviolet radiation producing apparatus |
| WO2012124928A3 (ko) * | 2011-03-14 | 2012-11-08 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 불순물 제거 기능의 광조사부를 구비하는 증착장치 |
-
1985
- 1985-04-11 JP JP60077182A patent/JPS61234532A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63277769A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Fuji Electric Co Ltd | 光化学反応利用装置 |
| WO2000042644A1 (en) * | 1999-01-12 | 2000-07-20 | Sumitomo Sitix Silicon Inc. | System and method for surface passivation |
| US6511921B1 (en) | 1999-01-12 | 2003-01-28 | Sumco Phoenix Corporation | Methods for reducing the reactivity of a semiconductor substrate surface and for evaluating electrical properties of a semiconductor substrate |
| EP1158574A1 (en) * | 1999-10-07 | 2001-11-28 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Ultraviolet radiation producing apparatus |
| EP1158574A4 (en) * | 1999-10-07 | 2009-05-27 | Ushio Electric Inc | DEVICE FOR PRODUCING ULTRAVIOLETTER RADIATION |
| WO2012124928A3 (ko) * | 2011-03-14 | 2012-11-08 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 불순물 제거 기능의 광조사부를 구비하는 증착장치 |
| KR101232602B1 (ko) | 2011-03-14 | 2013-02-25 | 에스엔유 프리시젼 주식회사 | 불순물 제거 기능의 광조사부를 구비하는 증착장치 |
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