JPS61234168A - 記録装置 - Google Patents
記録装置Info
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- JPS61234168A JPS61234168A JP61078700A JP7870086A JPS61234168A JP S61234168 A JPS61234168 A JP S61234168A JP 61078700 A JP61078700 A JP 61078700A JP 7870086 A JP7870086 A JP 7870086A JP S61234168 A JPS61234168 A JP S61234168A
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- laser
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、コンピュータ、ワードプロセッサ、ファクシ
ミリ等からの文字、図形等の画像信号を半導体レーザー
の照射光を利用して高速に再生記録する記録装置に関す
るものである。
ミリ等からの文字、図形等の画像信号を半導体レーザー
の照射光を利用して高速に再生記録する記録装置に関す
るものである。
く従来技術〉
最近走査光源として半導体レーザーを用いた記録装置が
実用化されつつあり、第１図にその記録装置の構成の一
例を示す。
実用化されつつあり、第１図にその記録装置の構成の一
例を示す。
第１図において、１は記録を行なうための画像信号、２
は上記画像信号１を処理して半導体レーザー３及びモー
タ４を駆動する信号処理回路である。５は上記半導体レ
ーザー３からの放射光を集光してモータ４によって回転
駆動される回転多面ｔｆｔ６に照射光７を入射させ、そ
の面８からの反射光７゛が感光体ドラム９上に結像する
ように設けられた光学レンズである。該光学レン：Ｘ：
５は半導体レーザー３から放出された比較的放射角の広
い放射光を有効に利用するため、開口数即ちＮＡ（Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）が大きいことが
望ましい。
は上記画像信号１を処理して半導体レーザー３及びモー
タ４を駆動する信号処理回路である。５は上記半導体レ
ーザー３からの放射光を集光してモータ４によって回転
駆動される回転多面ｔｆｔ６に照射光７を入射させ、そ
の面８からの反射光７゛が感光体ドラム９上に結像する
ように設けられた光学レンズである。該光学レン：Ｘ：
５は半導体レーザー３から放出された比較的放射角の広
い放射光を有効に利用するため、開口数即ちＮＡ（Ｎｕ
ｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）が大きいことが
望ましい。
又、スポットの形状を整形する目的で、上記光学レンズ
５にはシリンドリカルレンズ又はプリズム等を含んだ非
軸対称な構成になっている。又、他の異なる手段として
半導体レーザー３がらの放射光をコリメータレンズ、エ
キスバングレンズを通した後偏向系を介し、その後に結
像レンズを置き、感光体ドラム９上に光点を結ばせる方
法等が採用されている。
５にはシリンドリカルレンズ又はプリズム等を含んだ非
軸対称な構成になっている。又、他の異なる手段として
半導体レーザー３がらの放射光をコリメータレンズ、エ
キスバングレンズを通した後偏向系を介し、その後に結
像レンズを置き、感光体ドラム９上に光点を結ばせる方
法等が採用されている。
１０はンーザービームの検出器で多面鏡６の面８からの
反射光７°はまずこの検出器１０を走査してビームが定
位置に米たことを検出し、レーザー素子３への入力信号
のスタートタイミングを制御している。結像点１１は検
出器１０を走査した後感光体ドラム１１上のライン１２
を画像信号１により変調した光ビームで矢印ａ方向に走
査する。
反射光７°はまずこの検出器１０を走査してビームが定
位置に米たことを検出し、レーザー素子３への入力信号
のスタートタイミングを制御している。結像点１１は検
出器１０を走査した後感光体ドラム１１上のライン１２
を画像信号１により変調した光ビームで矢印ａ方向に走
査する。
感光体ドラム９は、あらかじめ一般の複写機と同様に、
例えばチャージャー等の帯電器により数百ボルトに帯電
されており、光ビーム７°の照射により電荷が消失し、
照射光に応じた電荷像が形成される。その後帯電有色粒
子（トナー）を作用させ、光が照射した点のみにトナー
が付着する様、［ｌＥ−現像法によって現像される。な
お感光体ドラム９は光導電性に限定されるものではなく
銀塩系又は他の感光体媒体が用いられることもある。
例えばチャージャー等の帯電器により数百ボルトに帯電
されており、光ビーム７°の照射により電荷が消失し、
照射光に応じた電荷像が形成される。その後帯電有色粒
子（トナー）を作用させ、光が照射した点のみにトナー
が付着する様、［ｌＥ−現像法によって現像される。な
お感光体ドラム９は光導電性に限定されるものではなく
銀塩系又は他の感光体媒体が用いられることもある。
画像信号に応じて変調された光ビームが感光体ドラム９
の有効範囲を走査した後、信号処理回路２は半導体レー
ザー３が一定量の光ビームを放射する様な信号電圧を半
導体レーザー３に印加する。
の有効範囲を走査した後、信号処理回路２は半導体レー
ザー３が一定量の光ビームを放射する様な信号電圧を半
導体レーザー３に印加する。
この場合の半導体レーザー３の放射光量は光ビーム７゛
がドラム９上を走査して記録を行う時の光量と同じであ
っても良いが必ずしも同じ値にする必要はない。感光体
ドラム９の有効範囲を走査した後、一定量の光ビーム°
を照射されつつ回転多面鏡６は回転を続けるから、光ビ
ーム７は回転多面鏡の次の面を照射し、その反射光７゛
は再び位置検出器１０を照射し、再び、前回の走査と同
様の動作が行なわれ、感光体ドラム９上に走査線１２を
画く、この間感光体ドラム９は一定速度で回転している
ため、感光体ドラム９上には一定間隔の走査線による記
録側が画かれる。なお図には示されていないが感光体ド
ラム９と並行にシリンドリカルレンズを設置し、走査線
１２が走査方向と垂直な方向に揺らぐのを防止する手段
が併用されることもある。
がドラム９上を走査して記録を行う時の光量と同じであ
っても良いが必ずしも同じ値にする必要はない。感光体
ドラム９の有効範囲を走査した後、一定量の光ビーム°
を照射されつつ回転多面鏡６は回転を続けるから、光ビ
ーム７は回転多面鏡の次の面を照射し、その反射光７゛
は再び位置検出器１０を照射し、再び、前回の走査と同
様の動作が行なわれ、感光体ドラム９上に走査線１２を
画く、この間感光体ドラム９は一定速度で回転している
ため、感光体ドラム９上には一定間隔の走査線による記
録側が画かれる。なお図には示されていないが感光体ド
ラム９と並行にシリンドリカルレンズを設置し、走査線
１２が走査方向と垂直な方向に揺らぐのを防止する手段
が併用されることもある。
感光体ドラム９面を走行するスポットの形状は半導体レ
ーザー、レンズ等の構造によって定まるが、単に小さけ
れば良いのではなく、適度な大きさが必要である。感光
体ドラム９に走査線によって記録を行う場合、垂直方向
即ち主走査方向に垂直な方向のスポット径ｄｖが走査線
間隔Ｗｖに比べて極度に小さい場合には、記録側に走査
線が現れ、テレビジョンにおけるラスター状の稿によっ
て記録側が画かれてしまう。この様な記録側は解像度は
良いが、見易い記録側とは言えない。又、これとは逆に
、スポット径が走査線間隔Ｗｖより大き過ぎる場合には
稿状記録を見えなくなるが、垂直方向の解像度が低下す
る。本発明者の実験の結果走査線間隔をＷｖとした場合
、スポットの径をはＩＦ １ 、５ Ｗｖに選定するこ
とにより、ラスター状の稿がｉ）Ｙえ、Ｉｉ！１ｉＩｆ
！もほとんど低下しないことが判明した。従って走査Ｍ
密度を１０本／■とした場合には走査線間隔Ｗｖは１０
０μｍとなりスポット径の垂直方向の最適値はほぼ１０
０Ｘ１．５＝１５０μＩとなる。但しスポットの直径は
ビームの強度がｅ−２（０，１３５３・・・）になる点
を示すものである。
ーザー、レンズ等の構造によって定まるが、単に小さけ
れば良いのではなく、適度な大きさが必要である。感光
体ドラム９に走査線によって記録を行う場合、垂直方向
即ち主走査方向に垂直な方向のスポット径ｄｖが走査線
間隔Ｗｖに比べて極度に小さい場合には、記録側に走査
線が現れ、テレビジョンにおけるラスター状の稿によっ
て記録側が画かれてしまう。この様な記録側は解像度は
良いが、見易い記録側とは言えない。又、これとは逆に
、スポット径が走査線間隔Ｗｖより大き過ぎる場合には
稿状記録を見えなくなるが、垂直方向の解像度が低下す
る。本発明者の実験の結果走査線間隔をＷｖとした場合
、スポットの径をはＩＦ １ 、５ Ｗｖに選定するこ
とにより、ラスター状の稿がｉ）Ｙえ、Ｉｉ！１ｉＩｆ
！もほとんど低下しないことが判明した。従って走査Ｍ
密度を１０本／■とした場合には走査線間隔Ｗｖは１０
０μｍとなりスポット径の垂直方向の最適値はほぼ１０
０Ｘ１．５＝１５０μＩとなる。但しスポットの直径は
ビームの強度がｅ−２（０，１３５３・・・）になる点
を示すものである。
以上は走査方向に垂直な方向のスポット径について述べ
たが、走査方向のスポット径ｃｌ）Ｉについては異なっ
で米る。走査＃Ｘ１２の光ビームの変調は信号処理回路
２によって半導体レーザー３より規定の光量の光ビーム
が発する様に該半導体レーザー３に電圧を印加すること
によって行なわれる。
たが、走査方向のスポット径ｃｌ）Ｉについては異なっ
で米る。走査＃Ｘ１２の光ビームの変調は信号処理回路
２によって半導体レーザー３より規定の光量の光ビーム
が発する様に該半導体レーザー３に電圧を印加すること
によって行なわれる。
第２図（ａ）は走査により記録されるべき一走査線上の
画素の例で、画素Ｓ、、Ｓ２．Ｓ、・・・より成ってお
り、斜線をほどこした画素Ｓ ２１ Ｓ ＬＩ Ｓ ５
９Ｓ９．Ｓ、。９ Ｓ ｌ ＋・・・等が記録される画
素を示している。又、白のままの画素ｓ、、ｓ１．ｓ、
、ｓ、・・・は記録されない画素を示している。
画素の例で、画素Ｓ、、Ｓ２．Ｓ、・・・より成ってお
り、斜線をほどこした画素Ｓ ２１ Ｓ ＬＩ Ｓ ５
９Ｓ９．Ｓ、。９ Ｓ ｌ ＋・・・等が記録される画
素を示している。又、白のままの画素ｓ、、ｓ１．ｓ、
、ｓ、・・・は記録されない画素を示している。
この様な記録を行う場合、従来は半導体レーザー３から
の照射光が第２図（ｂ）の様に発光する様な電圧が半導
体レーザー３に印加されていた。第２図（、）及び（ｂ
）において、ＷＨは画素間距離であリ、一画素を走査す
るのに要する時間をｔｃ、感光体ドラム９上の光ビーム
の走査速度をＶとすればＷＨ＝ｖ−ｔｃとなる。なおこ
こでｔｃはクロツクパルスの周期でもあり、ｔｅを基準
時間として画像信号がレーザー素子３に送り込まれる。
の照射光が第２図（ｂ）の様に発光する様な電圧が半導
体レーザー３に印加されていた。第２図（、）及び（ｂ
）において、ＷＨは画素間距離であリ、一画素を走査す
るのに要する時間をｔｃ、感光体ドラム９上の光ビーム
の走査速度をＶとすればＷＨ＝ｖ−ｔｃとなる。なおこ
こでｔｃはクロツクパルスの周期でもあり、ｔｅを基準
時間として画像信号がレーザー素子３に送り込まれる。
第３図はこの様な方法でレーザー３を駆動した時のスポ
ット尤の走査方向の直径ｄｌｌが変化した場合、感光体
ドラム９上の光エネルギーがどの様に変化するかを示す
ものである。第３図において、（ａ）はｄＨ＜＜ＷＨの
場合で斜線をほどこした幅ｄＨの部分が光ビームの走査
方向の直径である。同図においては長方形に画かれてい
るが、垂直方向の形状はここでは特に意味を持たない。
ット尤の走査方向の直径ｄｌｌが変化した場合、感光体
ドラム９上の光エネルギーがどの様に変化するかを示す
ものである。第３図において、（ａ）はｄＨ＜＜ＷＨの
場合で斜線をほどこした幅ｄＨの部分が光ビームの走査
方向の直径である。同図においては長方形に画かれてい
るが、垂直方向の形状はここでは特に意味を持たない。
ｄｌｌの直径を持ったスポットは走査方向に第４図に示
した様なエネルギー分布をしているので走査線上のエネ
ルギー分布はおぽ第３図（ｄ）の様に肩とすそがやや丸
みを帯びてはいるが、幅がほぼＷＨで理想形に近い矩形
分布の記録が行なわれる。第３図（ｂ）はｄＨがやや大
きくなりｃｎ＋？ｗｎの場合で、感光体ドラム９上のエ
ネルギー分布は第３図（ｅ）の様になる。
した様なエネルギー分布をしているので走査線上のエネ
ルギー分布はおぽ第３図（ｄ）の様に肩とすそがやや丸
みを帯びてはいるが、幅がほぼＷＨで理想形に近い矩形
分布の記録が行なわれる。第３図（ｂ）はｄＨがやや大
きくなりｃｎ＋？ｗｎの場合で、感光体ドラム９上のエ
ネルギー分布は第３図（ｅ）の様になる。
更にｃｌｌｌが大きくなり、ｄＢ＞Ｗｌｌの場合には（
ｆ）の様になり、幅が増大するばかりでなく、エネルギ
ー分布のピーク値も低くなってしまう。なお第３図の（
ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の形状は異なるが面積は同一であ
る。
ｆ）の様になり、幅が増大するばかりでなく、エネルギ
ー分布のピーク値も低くなってしまう。なお第３図の（
ｄ）、（ｅ）、（ｆ）の形状は異なるが面積は同一であ
る。
第３図は一画素のみが記録される場合であるが第２図（
ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれｄｎ＜ ＜ＷＨ，ｄｌ
ｌ′：ＷＨ。
ｃ）、（ｄ）、（ｅ）はそれぞれｄｎ＜ ＜ＷＨ，ｄｌ
ｌ′：ＷＨ。
ｄＨ＞ＷＨの場合における一走査線上のエネルギー分布
を示すもので、第２図（ａ）の記録をする為に第２図（
ｂ）の様な信号電圧をレーザー３に印加した場合の状態
を示すものである。第２図（ｅ）〜（ｅ）において点線
で示されているラインはエネルギーＥＴのレベルで記録
に必要な限界値でこれにより高い部分でのみ記録が可能
である。
を示すもので、第２図（ａ）の記録をする為に第２図（
ｂ）の様な信号電圧をレーザー３に印加した場合の状態
を示すものである。第２図（ｅ）〜（ｅ）において点線
で示されているラインはエネルギーＥＴのレベルで記録
に必要な限界値でこれにより高い部分でのみ記録が可能
である。
ｄｌｌ＜＜Ｗｌｌの場合のエネルギー分布であるならば
第２（ｃ）に示す如く、記録画素がどの様に配列されて
いても、はぼ忠実な記録が行なわれる。
第２（ｃ）に示す如く、記録画素がどの様に配列されて
いても、はぼ忠実な記録が行なわれる。
ｄＨ′、ＷＨの場合には第３図（ｄ）に示す様に、記録
される画素が狭くなる。特に記録すべき画素が８２ｔＳ
２４の様に一つだけの場合には、特にその傾向が進み、
５２１Ｓ−？＜ではエネルギーレベルＥＴよりも低くな
り、一点だけの記録が行なわれなくなるだけでなく、二
点以上の記録においても記録幅が細くなる問題点がある
。
される画素が狭くなる。特に記録すべき画素が８２ｔＳ
２４の様に一つだけの場合には、特にその傾向が進み、
５２１Ｓ−？＜ではエネルギーレベルＥＴよりも低くな
り、一点だけの記録が行なわれなくなるだけでなく、二
点以上の記録においても記録幅が細くなる問題点がある
。
以上の説明からも判る様に走査方向のスポット幅ｄｌｌ
はｄＨ＜＜ＷＨになることが望ましい。
はｄＨ＜＜ＷＨになることが望ましい。
一般にレーザー光を使用して記録する場合、Ｗｖ”ＷＨ
にすることが多く、この場合には前述した様に１０本／
■の記録密度の場合にはＷ ｖ ＝ Ｗ Ｉｆ ＝１０
０μｔｆｌとなり垂直方向のビーム最適値はｄＶ＝１５
０μ伯であった。しかし上述した様にｄｌｌ＜＜ＷＨで
あることが理想であり、ＷＨが１００μ「ｎの場合には
ｃｌｌｌ＜＜１００μ鑓となり、ｄＶよりかなり小さい
値になってしまう。即ち理想的なスポットの形状の走査
方向を短軸とした極度な長円形が望ましい形状となる。
にすることが多く、この場合には前述した様に１０本／
■の記録密度の場合にはＷ ｖ ＝ Ｗ Ｉｆ ＝１０
０μｔｆｌとなり垂直方向のビーム最適値はｄＶ＝１５
０μ伯であった。しかし上述した様にｄｌｌ＜＜ＷＨで
あることが理想であり、ＷＨが１００μ「ｎの場合には
ｃｌｌｌ＜＜１００μ鑓となり、ｄＶよりかなり小さい
値になってしまう。即ち理想的なスポットの形状の走査
方向を短軸とした極度な長円形が望ましい形状となる。
一般に半導体レーザーの発光、αは、レーザーの接合面
に水平な方向を長軸とした長円形になっており、紬対祢
レンズを使用して結像させる場合には、長円形のスポッ
トに結像する。したがって半導体レーザーを使用したプ
リンターに於てはレーザーの接合面がスポットの走査方
向に対し、垂直になる様に配置することが望ましく、こ
の様に配置することにより、ｄＶ／ｄＨ’Ｈ１，ｓ程度
にすることが出来る。しかしｄＶを１５０μ艶としても
ｄｌｌ＝ １００μ…程度となり、ｄｌｌ＝ＷＨに近い
値になってしまう。これを補う手段として、レンズ５と
して従来はシリンドリカルレンズまたはプリズムを含む
レンズ系が採用されており、水平垂直方向の倍率を変え
て、ｄＨを小さくするように配置されているが、従来の
装置によれば光学系が複雑であり、レンズ枚数が増加し
て空気−ガラスの境界面における光の反射が増加し等価
的に光の透過率が低下する。
に水平な方向を長軸とした長円形になっており、紬対祢
レンズを使用して結像させる場合には、長円形のスポッ
トに結像する。したがって半導体レーザーを使用したプ
リンターに於てはレーザーの接合面がスポットの走査方
向に対し、垂直になる様に配置することが望ましく、こ
の様に配置することにより、ｄＶ／ｄＨ’Ｈ１，ｓ程度
にすることが出来る。しかしｄＶを１５０μ艶としても
ｄｌｌ＝ １００μ…程度となり、ｄｌｌ＝ＷＨに近い
値になってしまう。これを補う手段として、レンズ５と
して従来はシリンドリカルレンズまたはプリズムを含む
レンズ系が採用されており、水平垂直方向の倍率を変え
て、ｄＨを小さくするように配置されているが、従来の
装置によれば光学系が複雑であり、レンズ枚数が増加し
て空気−ガラスの境界面における光の反射が増加し等価
的に光の透過率が低下する。
＊タレンズの倍率を下げる為にはレンズの焦７り距離を
長くする必要があり、焦点距離を長くすれば開口数ＮＡ
が小さくなり、一層光の利用率が悪くなり、半導体レー
ザーの出力を上げねばならない。
長くする必要があり、焦点距離を長くすれば開口数ＮＡ
が小さくなり、一層光の利用率が悪くなり、半導体レー
ザーの出力を上げねばならない。
しかし、半導体レーザーの出力を増加させるのは容易で
はなく、記録速度を犠牲にしなければならない。又、更
に光学系の構造が複雑になる為に光学系のコストが上昇
する問題があった。
はなく、記録速度を犠牲にしなければならない。又、更
に光学系の構造が複雑になる為に光学系のコストが上昇
する問題があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記諸点に鑑みて成されたもので、開口数の大
きい構造の簡単なレンＸ′系で集光集束の可能な、即ち
レンズ５（ＮＳ１図）として軸対称の最も基本的なレン
ズ系を用いて鮮明且つ解像度の優れた画像の得られる記
録装置を提供することを目的とし、この目的を達成する
ため本発明の記録装置は駆動手段により、単独画素の記
録時に発光強度を増加させるよう半導体レーザーの発光
源を発光駆動するように構成されている。
きい構造の簡単なレンＸ′系で集光集束の可能な、即ち
レンズ５（ＮＳ１図）として軸対称の最も基本的なレン
ズ系を用いて鮮明且つ解像度の優れた画像の得られる記
録装置を提供することを目的とし、この目的を達成する
ため本発明の記録装置は駆動手段により、単独画素の記
録時に発光強度を増加させるよう半導体レーザーの発光
源を発光駆動するように構成されている。
〈実施例〉
以下本発明を実施例について詳細に説明する。
第５図は本発明の記録装置に用いられる駆動手段の一実
施例のブロックｖｌ成図であり、第２図（ａ）に示す画
素Ｓ ２９ Ｓ ２４の様に記録される画素が一点のみ
で、その前後の画素が記録されない場合に、その画素の
み半導体レーザーの出力を上げるようにしたものである
。
施例のブロックｖｌ成図であり、第２図（ａ）に示す画
素Ｓ ２９ Ｓ ２４の様に記録される画素が一点のみ
で、その前後の画素が記録されない場合に、その画素の
み半導体レーザーの出力を上げるようにしたものである
。
第５図に於て画像信号１は例えばシフトレジスタ１３の
入力端子１４に入力され、該シフトレジスタ１３のパラ
レル出力Ａｏｕｔ、Ｂｏｕｔ、Ｃｏｕｔがそれぞれ導出
され、Ｂｏｕｔ出力が抵抗１５を介してトランジスタ１
６のベースに印加され、該トランジスタ１６のエミッタ
は抵抗１７を介して接地され、コレクタは半導体レーザ
ー３のカソードに接続され、該半導体レーザー３の７７
−ドは正電源ＶＬに接続されている。又、Ａｏｕｔ出力
、Ｂｏｕｔ出力のインバータ１８の出力及びＣｏｕｔの
出力のそれぞれ入力されるノアデート１９の出力は抵抗
２０を介してトランジスタ２１のベースに印加され、該
トランジスタ２１のエミッタは抵抗２２を介して接地さ
れ、コレクタは半導体レーザー３のカソードに接続され
るように構成されている。
入力端子１４に入力され、該シフトレジスタ１３のパラ
レル出力Ａｏｕｔ、Ｂｏｕｔ、Ｃｏｕｔがそれぞれ導出
され、Ｂｏｕｔ出力が抵抗１５を介してトランジスタ１
６のベースに印加され、該トランジスタ１６のエミッタ
は抵抗１７を介して接地され、コレクタは半導体レーザ
ー３のカソードに接続され、該半導体レーザー３の７７
−ドは正電源ＶＬに接続されている。又、Ａｏｕｔ出力
、Ｂｏｕｔ出力のインバータ１８の出力及びＣｏｕｔの
出力のそれぞれ入力されるノアデート１９の出力は抵抗
２０を介してトランジスタ２１のベースに印加され、該
トランジスタ２１のエミッタは抵抗２２を介して接地さ
れ、コレクタは半導体レーザー３のカソードに接続され
るように構成されている。
上記の如き構成に於て、画像信号１はシフトレジスタ１
３に順次入力され、パラレル出力ＢｏｕＬによってトラ
ンジスタ１６が駆動されレーザー３に電流■１が流れる
。又、記録すべき画素の前後の画素信号はＣｏ ｕ を
及びＡｏｕＬとして取り出され、前後の画素信号が０”
でＢｏｕｔの画素信号が“１”の場合にはノアデート１
９の出力によってトランジスタ２１が駆動され、レーザ
ー３に電流Ｌ＋Ｉ２が流れる。このようにして、２点以
上連続して記録するのに必要なレーザー出力を得るのに
電流し、一点のみの場合に必要なレーザーの出力を得る
のに必要なレーザー電流をＬ＋Ｌになるように設定する
ことにより、簡単な構成でｄＶ／ｄＨ輪１．５程度であ
ッテ４．ｃｌＨ＜＜Ｗ１１即チｄｌｌ＜＜ｄＶの場合に
近い画質を得ることが出来る。
３に順次入力され、パラレル出力ＢｏｕＬによってトラ
ンジスタ１６が駆動されレーザー３に電流■１が流れる
。又、記録すべき画素の前後の画素信号はＣｏ ｕ を
及びＡｏｕＬとして取り出され、前後の画素信号が０”
でＢｏｕｔの画素信号が“１”の場合にはノアデート１
９の出力によってトランジスタ２１が駆動され、レーザ
ー３に電流Ｌ＋Ｉ２が流れる。このようにして、２点以
上連続して記録するのに必要なレーザー出力を得るのに
電流し、一点のみの場合に必要なレーザーの出力を得る
のに必要なレーザー電流をＬ＋Ｌになるように設定する
ことにより、簡単な構成でｄＶ／ｄＨ輪１．５程度であ
ッテ４．ｃｌＨ＜＜Ｗ１１即チｄｌｌ＜＜ｄＶの場合に
近い画質を得ることが出来る。
従って、軸対称な簡易なレンズを使用し、半導体レーザ
ーの接合面に平行な発光、αの長軸方向が走査方向に垂
直な方向に米る様に配置してｄＶ／ｃｌＨ？１．ｓ程度
のスポット光によって、ｄｌｌ＜＜ｄＶの場合と同様な
画質を上記した信号処理により得ることが出来る。
ーの接合面に平行な発光、αの長軸方向が走査方向に垂
直な方向に米る様に配置してｄＶ／ｃｌＨ？１．ｓ程度
のスポット光によって、ｄｌｌ＜＜ｄＶの場合と同様な
画質を上記した信号処理により得ることが出来る。
く効果〉
以上の如く本発明によれば、極めて簡単な回路を付加す
るのみで、開口数の大きい軸対称の簡易構造のレンズを
用いて、単独画素が、連続する画素と同様に、明瞭な記
録を得ることが出来る。
るのみで、開口数の大きい軸対称の簡易構造のレンズを
用いて、単独画素が、連続する画素と同様に、明瞭な記
録を得ることが出来る。
第１図は半導体レーザー記Ｏ装置の構成例を示すブロッ
ク図、第２図は本発明の説明に供する信号波形図、第３
図は画素の記録状態及びレーザーエネルギーの分布を示
す図、第４図はスポット光のエネルギー分布図、第５図
は本発明装置に用いられる駆動手段の一実施例を示すブ
ロック図である。 １・・・画像信号、３・・・半導体レーザー等発光源、
（Ｃ・・・クロックパルス周期、７・・・照射光、７゛
・・・反射光。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第 ｌ
図 ｄｓ ＜ｔｔｒＨｃｈｔ職ｔＬｆＨｄｓ ＞ ｕｔＨ第
３ 図
ク図、第２図は本発明の説明に供する信号波形図、第３
図は画素の記録状態及びレーザーエネルギーの分布を示
す図、第４図はスポット光のエネルギー分布図、第５図
は本発明装置に用いられる駆動手段の一実施例を示すブ
ロック図である。 １・・・画像信号、３・・・半導体レーザー等発光源、
（Ｃ・・・クロックパルス周期、７・・・照射光、７゛
・・・反射光。 代理人 弁理士 杉 山 毅 至（他１名）第 ｌ
図 ｄｓ ＜ｔｔｒＨｃｈｔ職ｔＬｆＨｄｓ ＞ ｕｔＨ第
３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体レーザーからの照射光を記録媒体上に結像、
走査して情報を記録する記録装置において、連続する第
１、第２並びに第３の画素信号が入力されるレジスタと
、 前記レジスタに入力された第２の画素信号が“１”のと
き駆動する第１のトランジスタと、前記レジスタに入力
された第２の画素信号が“１”で、且つ、第１及び第３
の画素信号が“０”のとき駆動する第２のトランジスタ
と、 前記第１のトランジスタが駆動したとき前記半導体レー
ザーに第１の電流を流すと共に、前記第２のトランジス
タが駆動したとき第２の電流を流す回路とを設けたこと
を特徴とする記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078700A JPS61234168A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61078700A JPS61234168A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 記録装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56040884A Division JPS57154974A (en) | 1981-03-19 | 1981-03-19 | Recorder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61234168A true JPS61234168A (ja) | 1986-10-18 |
| JPS6259508B2 JPS6259508B2 (ja) | 1987-12-11 |
Family
ID=13669144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61078700A Granted JPS61234168A (ja) | 1986-04-04 | 1986-04-04 | 記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61234168A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0367994A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-05-16 | Hitachi, Ltd. | Binary video signal processing apparatus and semiconductor laser printer using such apparatus |
-
1986
- 1986-04-04 JP JP61078700A patent/JPS61234168A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0367994A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-05-16 | Hitachi, Ltd. | Binary video signal processing apparatus and semiconductor laser printer using such apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6259508B2 (ja) | 1987-12-11 |
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