JPS61233937A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS61233937A JPS61233937A JP60074287A JP7428785A JPS61233937A JP S61233937 A JPS61233937 A JP S61233937A JP 60074287 A JP60074287 A JP 60074287A JP 7428785 A JP7428785 A JP 7428785A JP S61233937 A JPS61233937 A JP S61233937A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- focusing
- focusing coil
- image pickup
- tube
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/26—Image pick-up tubes having an input of visible light and electric output
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/465—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement for simultaneous focalisation and deflection of ray or beam
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、電磁集束・静電偏向型撮像管に係シ、特にそ
の特性改善を図った撮像管に関する。
の特性改善を図った撮像管に関する。
撮像管の集束偏向方式の一つとして、集束を磁界で行い
、偏向を電界で行う、いわゆるＭＳ型が知られている。
、偏向を電界で行う、いわゆるＭＳ型が知られている。
その構造に関しては、例えば、ケーシュレジンガ一二ブ
ロック・アイ・アール・イ−，４４，第６５９頁〜６６
７頁（１９５６年５月）（Ｋ、 ８ＣｈｌｅｓＬｎｇ
ｅｒ：ＰｒｏＣｌＩｌ、 ４４． ｐｐ、 ６５９−６
６７、 Ｍａ）’ １９５６）ま次は、イー・エフ・リ
ッツ。
ロック・アイ・アール・イ−，４４，第６５９頁〜６６
７頁（１９５６年５月）（Ｋ、 ８ＣｈｌｅｓＬｎｇ
ｅｒ：ＰｒｏＣｌＩｌ、 ４４． ｐｐ、 ６５９−６
６７、 Ｍａ）’ １９５６）ま次は、イー・エフ・リ
ッツ。
ジュニア：アトパンシス・イン・エレクトロニクス−ア
ンド拳エレクトロン・フィジックス、４９゜第２９９頁
〜第３５７頁（１９７９年） （Ｅ、 Ｆ。
ンド拳エレクトロン・フィジックス、４９゜第２９９頁
〜第３５７頁（１９７９年） （Ｅ、 Ｆ。
Ｒｉｔ’Ｚ、Ｊｒ、 ：ＡｄｙａＨＣｅｇ １ｎＥｌｅ
ＣｔｒｏｎｉＣｓ ａｄｄＥｌｅｃｔｒｏｎ ＰｈＹｓ
ｉＣｓ 、 ４９． ｐｐ、 ２９９−３５７゜１９７
９）に詳しく説明されている。
ＣｔｒｏｎｉＣｓ ａｄｄＥｌｅｃｔｒｏｎ ＰｈＹｓ
ｉＣｓ 、 ４９． ｐｐ、 ２９９−３５７゜１９７
９）に詳しく説明されている。
このようなＭＳを撮像管の具体的な構成例を第１図に示
す。第１図において、１は静電偏向電極を示し、この静
電偏向電極１は水平、垂直方向に均一な偏向電界をつく
る４極の電極からなる。静電偏向電極１は外管２の内面
に密着して配置されている。撮像管の端面の一方には、
電子ビームを発生させる電子銃３、他方の端面にはメツ
シュ電極４と光導電膜ターゲット５を配置し、これら全
体を外管２に収容している。さらに、外管２の外側に電
子ビームを集束する集束コイル７が配置される。かかる
ＭＳ型撮像管は、その集束偏向方式から、理論的には走
査画面内で一様な解像度が得られ、かつ図形歪も少い特
徴をもつと言われてき友。しかし、これらの特性は、第
２図に示し友ごとく、電子の出射源位置をＺ＝Ｏとし九
所からターゲツト面（Ｚ＝Ｌ）までの区間の偏向電界が
一定であり、かつ集束コイルによる集束磁界が一定で一
様な場合に、電子源から出射し九電子ビームはいかなる
偏向を受けてもＺ＝Ｌのターゲツト面上に垂直かつ無収
差にランディングするという理論に基づいているもので
ある。
す。第１図において、１は静電偏向電極を示し、この静
電偏向電極１は水平、垂直方向に均一な偏向電界をつく
る４極の電極からなる。静電偏向電極１は外管２の内面
に密着して配置されている。撮像管の端面の一方には、
電子ビームを発生させる電子銃３、他方の端面にはメツ
シュ電極４と光導電膜ターゲット５を配置し、これら全
体を外管２に収容している。さらに、外管２の外側に電
子ビームを集束する集束コイル７が配置される。かかる
ＭＳ型撮像管は、その集束偏向方式から、理論的には走
査画面内で一様な解像度が得られ、かつ図形歪も少い特
徴をもつと言われてき友。しかし、これらの特性は、第
２図に示し友ごとく、電子の出射源位置をＺ＝Ｏとし九
所からターゲツト面（Ｚ＝Ｌ）までの区間の偏向電界が
一定であり、かつ集束コイルによる集束磁界が一定で一
様な場合に、電子源から出射し九電子ビームはいかなる
偏向を受けてもＺ＝Ｌのターゲツト面上に垂直かつ無収
差にランディングするという理論に基づいているもので
ある。
しかし、実際の撮像管では、第１図に示したごと＜゛電
子銃３の電極構成上アパーチャ６から電子銃電極端まで
の区間Ｌ１は静電偏向電極がシールドされてほとんど零
でアリ、静電偏向電極１の終端部ではメツシュ電極４と
の間にも同様に偏向電界がほとんどない部分Ｌ３があシ
、メツシュ電極４と光導電膜ターゲット５０間には強い
減速電界Ｅｘのみで、偏向電界が全くない部分Ｌ４があ
シ、また集束コイルの長さも有限でアシ、その管軸上の
磁界は第３図に示したごとく一定一様でないガウス分布
に近い分布をなしている几め、前述の集束・ランディン
グの理論は成立しなくなる。
子銃３の電極構成上アパーチャ６から電子銃電極端まで
の区間Ｌ１は静電偏向電極がシールドされてほとんど零
でアリ、静電偏向電極１の終端部ではメツシュ電極４と
の間にも同様に偏向電界がほとんどない部分Ｌ３があシ
、メツシュ電極４と光導電膜ターゲット５０間には強い
減速電界Ｅｘのみで、偏向電界が全くない部分Ｌ４があ
シ、また集束コイルの長さも有限でアシ、その管軸上の
磁界は第３図に示したごとく一定一様でないガウス分布
に近い分布をなしている几め、前述の集束・ランディン
グの理論は成立しなくなる。
従って、実際の撮像管では、電子ビームを偏向したとき
のビームスポット径も大きくなり、図形歪も増大する。
のビームスポット径も大きくなり、図形歪も増大する。
本発明の目的は、偏向時の電子ビームスポット径が小さ
く、なおかつ図形歪の小さい撮像管を提供することにあ
る。
く、なおかつ図形歪の小さい撮像管を提供することにあ
る。
本発明は、ＭＳ型撮像管の集束コイルの発生する集束磁
界の強度分布を管軸方向で非対称にし、電子銃側をよシ
強くすることによシ、電子ビーム偏向時のスポット径を
小さくかつ図形歪を小さくしようとするものである。
界の強度分布を管軸方向で非対称にし、電子銃側をよシ
強くすることによシ、電子ビーム偏向時のスポット径を
小さくかつ図形歪を小さくしようとするものである。
以下、本発明の一実施例を第４図によシ説明する。第１
図と同一部には同一符号を用い、説明は省略する。静電
偏向電極１の軸方向長さは６０．０■で、内側直径は２
３．９ｍで、電子銃３のアパーチャ６から電子銃電極端
までの区間Ｌｌは２．２ｍ電極とメツシュ電極４との間
のギャップはＬｏｗである。また、メツシュ電極４のタ
ーゲット側の端面とターゲット５との間の距離はλ５１
である。
図と同一部には同一符号を用い、説明は省略する。静電
偏向電極１の軸方向長さは６０．０■で、内側直径は２
３．９ｍで、電子銃３のアパーチャ６から電子銃電極端
までの区間Ｌｌは２．２ｍ電極とメツシュ電極４との間
のギャップはＬｏｗである。また、メツシュ電極４のタ
ーゲット側の端面とターゲット５との間の距離はλ５１
である。
例えば電子銃３には２０ｖ１光導電膜ターゲツト５には
５０Ｖの電圧が印加される。静電偏向電極１には３００
ｖの直流電圧が印加され、さらに垂直偏向電極、水平偏
向電極にそれぞれ垂直偏向電圧および水平偏向電圧が印
加され、この電圧とメツシュ電極４に印加される電圧と
の電位差によ ′る・電界でコリメーションレンズを形
成し、偏向されたビームがターゲットに対して垂直に入
射するようにしている。ま九、ビームは集束磁界によっ
て回転するが、その回転方向でもターゲットに垂直に入
射するように、第１図に示し九ごとく静電偏向電極ｌに
軸を中心としたひねシを加え、偏向電界を回転させてい
る。以上のように、メツシュ電極電圧および静電偏向電
極のひねシによシビームは偏向時ターゲットへ垂直にラ
ンディングするように調節できる。
５０Ｖの電圧が印加される。静電偏向電極１には３００
ｖの直流電圧が印加され、さらに垂直偏向電極、水平偏
向電極にそれぞれ垂直偏向電圧および水平偏向電圧が印
加され、この電圧とメツシュ電極４に印加される電圧と
の電位差によ ′る・電界でコリメーションレンズを形
成し、偏向されたビームがターゲットに対して垂直に入
射するようにしている。ま九、ビームは集束磁界によっ
て回転するが、その回転方向でもターゲットに垂直に入
射するように、第１図に示し九ごとく静電偏向電極ｌに
軸を中心としたひねシを加え、偏向電界を回転させてい
る。以上のように、メツシュ電極電圧および静電偏向電
極のひねシによシビームは偏向時ターゲットへ垂直にラ
ンディングするように調節できる。
集束コイル７の中心位置はアパーチャ６から４１０ｍの
ところで、集束コイル７の全長は５６．０■である。
ところで、集束コイル７の全長は５６．０■である。
集束コイル７の全長を一定にし、管軸の方向に分割して
いる。光導電膜ターゲット５側の第１コイル７１と電子
銃３側の１ｇ２コイル７２のそれぞれの長さｔｌ ＊
ｔ、の比ｔｚ ／ ｔｌおよびそれぞれのアンペアター
ン１直ＡＴｔ 、 Ａ’ｒ雪の比ＡＴｓ／ＡＴ、を考え
る。
いる。光導電膜ターゲット５側の第１コイル７１と電子
銃３側の１ｇ２コイル７２のそれぞれの長さｔｌ ＊
ｔ、の比ｔｚ ／ ｔｌおよびそれぞれのアンペアター
ン１直ＡＴｔ 、 Ａ’ｒ雪の比ＡＴｓ／ＡＴ、を考え
る。
第５図はＡｓ／１１およびＡＴＩ／ＡＴＩ変化による集
束コイルによる軸上磁界分布の様子を示し九ものである
。Ｌｍ／Ｌ凰＝１／２でＡＴ、／ＡＴｔ＝＆０にしたと
きに、Ａ Ｔ 虞／ Ａ Ｔ ｔ ＝１−０すなわちコ
イルを分割しないとき（実線で示し九分布）に比べて磁
界分布が電子銃よりにかなシ偏っていることが分る。軸
上磁界分布のピーク位置は、集束コイル７の全長を１と
し九とき、集束コイル７の中心位置から電子銃３側に、
ｔｚ−／ｌ ｔｍ：８１でＡＴ２ ／ＡＴ’ｌ ＝１．
５の場合１／６、を鵞／ｌ、＝１／２でｘＴｚ ／入’
ｌ’ｔ＝３．９の場合１／３のところにある。
束コイルによる軸上磁界分布の様子を示し九ものである
。Ｌｍ／Ｌ凰＝１／２でＡＴ、／ＡＴｔ＝＆０にしたと
きに、Ａ Ｔ 虞／ Ａ Ｔ ｔ ＝１−０すなわちコ
イルを分割しないとき（実線で示し九分布）に比べて磁
界分布が電子銃よりにかなシ偏っていることが分る。軸
上磁界分布のピーク位置は、集束コイル７の全長を１と
し九とき、集束コイル７の中心位置から電子銃３側に、
ｔｚ−／ｌ ｔｍ：８１でＡＴ２ ／ＡＴ’ｌ ＝１．
５の場合１／６、を鵞／ｌ、＝１／２でｘＴｚ ／入’
ｌ’ｔ＝３．９の場合１／３のところにある。
第６図および第７図は、前述のごと＜、ＡＴｚ／ Ａ
Ｔ ｔを変化させたとき、ビーム偏向時、ビームがター
ゲットへ垂直に入射するようにメツシュ電極４の電圧お
よび静電偏向電極１の管軸を中心として周に沿つ穴ひね
υ角を変化させている様子を示し次ものである。パラメ
ータはｔｓ／ｌｘである。
Ｔ ｔを変化させたとき、ビーム偏向時、ビームがター
ゲットへ垂直に入射するようにメツシュ電極４の電圧お
よび静電偏向電極１の管軸を中心として周に沿つ穴ひね
υ角を変化させている様子を示し次ものである。パラメ
ータはｔｓ／ｌｘである。
第６図、第７図からＬｍ／Ａｔ及びＡＴｓ／Ａ Ｔ ｔ
の値が１．０からはなれるほど、高いメツシュ電極圧と
大きなひねシ角が必要になることが分る。
の値が１．０からはなれるほど、高いメツシュ電極圧と
大きなひねシ角が必要になることが分る。
ＡＴｓ ／ＡＴｔ ＝１．５からＡＴ鵞／ＡＴ１＝ｌＯ
の範囲ではひねｐ角が５４度から９５度まで変化させて
いる。
の範囲ではひねｐ角が５４度から９５度まで変化させて
いる。
第８図から第１０図に計算機によるシミュレーションで
求めたＡＴ、／ＡＴ、と各特性の関係を、パラメータに
７．！ ７ｔ、をとって示し几。Ａｓ／１１がどんな値
でもＡＴｔ ／ＡＴｔ ＝１．０のときは集束コイルを
分割しない場合、すなわち軸上の磁界分布が偏りをも九
ない分布（第５図の実線の分布）を成している。場合と
同じである。
求めたＡＴ、／ＡＴ、と各特性の関係を、パラメータに
７．！ ７ｔ、をとって示し几。Ａｓ／１１がどんな値
でもＡＴｔ ／ＡＴｔ ＝１．０のときは集束コイルを
分割しない場合、すなわち軸上の磁界分布が偏りをも九
ない分布（第５図の実線の分布）を成している。場合と
同じである。
第８図はＡ Ｔ ＊ ／ Ａ Ｔ ｔ と図形歪との関
係を示し次ものであるが、コイルを分割しない場合（Ａ
Ｔ ＠ ／ Ａ Ｔ ｔｍ１．０）に比べて、ｌ−＊
／ ｔｔ＝１およびＡｓ／４ｔ＝１／２ではＡＴ、／
ＡＴ。
係を示し次ものであるが、コイルを分割しない場合（Ａ
Ｔ ＠ ／ Ａ Ｔ ｔｍ１．０）に比べて、ｌ−＊
／ ｔｔ＝１およびＡｓ／４ｔ＝１／２ではＡＴ、／
ＡＴ。
；１．５からＡＴｚ ／ＡＴｔ ＝ｌＯの範囲で図形歪
を半分以下にできることが分る。ｔ２／１ｔ＝１／３に
なるとＡＴＩ／ＡＴＩを変化させても、コイルを分割し
ないときに比べ図形歪は減少しない。
を半分以下にできることが分る。ｔ２／１ｔ＝１／３に
なるとＡＴＩ／ＡＴＩを変化させても、コイルを分割し
ないときに比べ図形歪は減少しない。
第９図には像倍率を示し友。像倍率はＡＴＥ／ＡＴ、を
変化させても８６図に示したようにメツシュ電極電圧を
変化させている九めほとんど変化しない。しかし、Ｌｘ
／４１＝１／３になると、コイルを分割しない場合（
ＡＴｓ／人Ｔｔ ＝ Ｌ Ｏ）Ｋ比し、ＡＴ！／ＡＴＬ
が増加すると像倍率が大きくなり、画面中心のスポット
径が増加する。
変化させても８６図に示したようにメツシュ電極電圧を
変化させている九めほとんど変化しない。しかし、Ｌｘ
／４１＝１／３になると、コイルを分割しない場合（
ＡＴｓ／人Ｔｔ ＝ Ｌ Ｏ）Ｋ比し、ＡＴ！／ＡＴＬ
が増加すると像倍率が大きくなり、画面中心のスポット
径が増加する。
第１０図は、ビーム偏向時（画面周辺）のスポットの最
大径を示したもので、ｔ、７ｔｌ ＝ｔおよびｔ雪／
ｔｌ ＝ １ ／ ２のときは、ＡＴり／ＡＴ１＝Ｌ５
からＡ Ｔ ＊ ／ Ａ Ｔ １ ＝ ３．０の間で、
コイルを分割しない場合（ＡＴｇ ／ＡＴｔ ＝ １．
０ ）に比べてスポット径を約１／２にすることができ
る。
大径を示したもので、ｔ、７ｔｌ ＝ｔおよびｔ雪／
ｔｌ ＝ １ ／ ２のときは、ＡＴり／ＡＴ１＝Ｌ５
からＡ Ｔ ＊ ／ Ａ Ｔ １ ＝ ３．０の間で、
コイルを分割しない場合（ＡＴｇ ／ＡＴｔ ＝ １．
０ ）に比べてスポット径を約１／２にすることができ
る。
ｔｍ ／ｌｔ ＝１／３では、ＡＴｘ ／ＡＴｔ ＝１
．５で、コイルを分割しない場合（ＡＴ雪／ＡＴｔ ＝
１．０）に比べてやはりスポット径を約１７２にできる
が、ＡＴ鵞／ＡＴｓの増加とともにスポット径は急激に
増加する。
．５で、コイルを分割しない場合（ＡＴ雪／ＡＴｔ ＝
１．０）に比べてやはりスポット径を約１７２にできる
が、ＡＴ鵞／ＡＴｓの増加とともにスポット径は急激に
増加する。
第１１図は、電子ビームを画面周辺に偏向したときのス
ポット形状を示したものであるが、コイルを分割しない
場合（ＡＴｚ ／ＡＴｔ ＝ｌ、Ｑ ）に比べて、を鵞
／ｌ １＝１およびｔｓ ／Ｌ＊ ＝ｔ／２で、Ａ Ｔ
ｚ ／ Ａ Ｔ ＠ ＝ １．５からＡＴ冨／ＡＴ。
ポット形状を示したものであるが、コイルを分割しない
場合（ＡＴｚ ／ＡＴｔ ＝ｌ、Ｑ ）に比べて、を鵞
／ｌ １＝１およびｔｓ ／Ｌ＊ ＝ｔ／２で、Ａ Ｔ
ｚ ／ Ａ Ｔ ＠ ＝ １．５からＡＴ冨／ＡＴ。
＝３．０で形状が小さくなっていることが分る。特に、
ｔ！／石＝１．ＡＴ！ ／ＡＴＬ ＝１．５でスポット
形状は小さくなおかつ丸くなシ、このとき画面内解像度
一様性は非常に向上する。
ｔ！／石＝１．ＡＴ！ ／ＡＴＬ ＝１．５でスポット
形状は小さくなおかつ丸くなシ、このとき画面内解像度
一様性は非常に向上する。
以上から、図形歪を小さく抑え、なおかつビーム偏向時
のスポット径を小さくする友めにはｔ２／１１＝１から
ｔｘ／ＬＨ＝１／２で、ＡＴ、／ＡＴ１を１．５から３
．０の範囲に設定することが適切である。なおこのとき
軸上の集束磁界の強度分布のピーク位置は、第５図をり
がって前述したごとく、集束コイル７の全長を１とした
とき、集束コイルの管軸方向の中心位置から電子銃３側
に１／６から１７３の範囲にある。ま九、このとき静電
偏向′電極１の管軸を中心としたひね９角は、第７図か
ら、５４度から９５度まで変化している。
のスポット径を小さくする友めにはｔ２／１１＝１から
ｔｘ／ＬＨ＝１／２で、ＡＴ、／ＡＴ１を１．５から３
．０の範囲に設定することが適切である。なおこのとき
軸上の集束磁界の強度分布のピーク位置は、第５図をり
がって前述したごとく、集束コイル７の全長を１とした
とき、集束コイルの管軸方向の中心位置から電子銃３側
に１／６から１７３の範囲にある。ま九、このとき静電
偏向′電極１の管軸を中心としたひね９角は、第７図か
ら、５４度から９５度まで変化している。
以上説明してきたごとく、本発明の実施例によれば、集
束コイルを分割し、電子銃よシのコイルの長さを光導電
膜よシのコイルの長さに対して０、５倍から１．０倍に
設定し、電子銃よシのコイルのアンペアターン値を、光
導’、ｔａよりのコイルのそれの１．５倍から３．０倍
にすることにより、軸上の集束磁界分布に偏シをもたせ
、コイルを分割しない従来の撮像管に比べ、図形歪を半
分以下に、ビーム偏向時のスポット径を約１／２に減少
させることができ、歪の少い、画面内房像度の一様性を
向上させた撮像管を得ることができる。
束コイルを分割し、電子銃よシのコイルの長さを光導電
膜よシのコイルの長さに対して０、５倍から１．０倍に
設定し、電子銃よシのコイルのアンペアターン値を、光
導’、ｔａよりのコイルのそれの１．５倍から３．０倍
にすることにより、軸上の集束磁界分布に偏シをもたせ
、コイルを分割しない従来の撮像管に比べ、図形歪を半
分以下に、ビーム偏向時のスポット径を約１／２に減少
させることができ、歪の少い、画面内房像度の一様性を
向上させた撮像管を得ることができる。
なお、以上説明してきた実施例は集束コイルを分割する
ことで集束磁界分布を非対称にしたが、管軸方向単位長
当シの巻数を変えることで、単一のコイルでもこの集束
磁界分布を実現できることは言うまでもない。
ことで集束磁界分布を非対称にしたが、管軸方向単位長
当シの巻数を変えることで、単一のコイルでもこの集束
磁界分布を実現できることは言うまでもない。
本発明によれば、撮像管の電子ビームスポット径及び図
形歪を小さくすることができるという効果がある。
形歪を小さくすることができるという効果がある。
第１図は従来のＭＳ型撮像管の断面図、第２図は実際の
撮像管内部の電界分布を示す図、第３図は実際の撮像管
内部の軸上磁界分布を示す図、第４図は本発明による撮
像管の断面図、第５図は本発明による撮像管内部の軸上
集束磁界分布を示す図、第６図、第７図は偏向時ビーム
がターゲットへ垂直にランディングするためのそれぞれ
メツシュ電極電圧、ひねシ角の条件を示す図、第８図〜
第１０図は本発明による撮像管の特性解析結果を示す図
、第１１図は本発明、による撮像管のスポット形状を示
しｔ図である。 １・・・静電偏向電極、３・・・電子銃、４・・・メツ
シュ電極、５・・・光導電膜ターゲット、６・・・アパ
ーチャ、７・・・集束コイル、Ｌ・・・ターゲツト面、
７１・・・光導電膜ターゲットよりコイル、７２・・・
電子銃よシコイル。 ＼＋ 硝 冨 ２ 図 り 第 ３ 図 ｚ ５随 １ＪＴｚ／ＡＴｔ ＩＴｚ／ＩＴｔ 茗 ８ 図 石 ｑ 図 ＡちりＴ＋
撮像管内部の電界分布を示す図、第３図は実際の撮像管
内部の軸上磁界分布を示す図、第４図は本発明による撮
像管の断面図、第５図は本発明による撮像管内部の軸上
集束磁界分布を示す図、第６図、第７図は偏向時ビーム
がターゲットへ垂直にランディングするためのそれぞれ
メツシュ電極電圧、ひねシ角の条件を示す図、第８図〜
第１０図は本発明による撮像管の特性解析結果を示す図
、第１１図は本発明、による撮像管のスポット形状を示
しｔ図である。 １・・・静電偏向電極、３・・・電子銃、４・・・メツ
シュ電極、５・・・光導電膜ターゲット、６・・・アパ
ーチャ、７・・・集束コイル、Ｌ・・・ターゲツト面、
７１・・・光導電膜ターゲットよりコイル、７２・・・
電子銃よシコイル。 ＼＋ 硝 冨 ２ 図 り 第 ３ 図 ｚ ５随 １ＪＴｚ／ＡＴｔ ＩＴｚ／ＩＴｔ 茗 ８ 図 石 ｑ 図 ＡちりＴ＋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導電膜ターゲットと、この光導電膜ターゲットに
対向するメッシュ電極と、電子ビームを発生する電子銃
部と、電子ビームを偏向するための管軸を中心にひねり
を加えた静電偏向電極と電子ビームを集束するための集
束コイルを具備し、上記集束コイルの発生する磁界の管
軸上の強度分布が非対称をなし、上記強度分布のピーク
位置が上記集束コイルの管軸方向の中心位置よりも上記
電子銃側に偏つていることを特徴とする撮像管。 ２、特許請求の範囲第１項において、上記集束コイルの
発生する磁界の管軸上の強度分布のピーク位置は、上記
集束コイルの管軸方向の中心位置から上記電子銃側に、
上記集束コイルの全長に対して１／６から１／３の範囲
にあることを特徴とする撮像管。 ３、特許請求の範囲第１項において、上記集束コイルは
少くとも２つの集束コイルで構成され、上記ターゲット
側に設けた第１の集束コイルと、上記電子銃側に設けた
第２の集束コイルとの管軸方向の長さの比ｌ＿２／ｌ＿
１を１．０〜０．５とし、かつ、両コイルに同一極性の
磁界を発生させ、そのアンペアターン比ＡＴ＿２／ＡＴ
＿１を１．５〜３．０としたことを特徴とする撮像管。 ４、特許請求の範囲第１項において、上記静電偏向電極
の管軸を中心としたひねり角が、５４度から９５度の範
囲にあることを特徴とした撮像管。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074287A JPS61233937A (ja) | 1985-04-10 | 1985-04-10 | 撮像管 |
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