JPS61232544A - 電位検出装置 - Google Patents

電位検出装置

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JPS61232544A
JPS61232544A JP7261485A JP7261485A JPS61232544A JP S61232544 A JPS61232544 A JP S61232544A JP 7261485 A JP7261485 A JP 7261485A JP 7261485 A JP7261485 A JP 7261485A JP S61232544 A JPS61232544 A JP S61232544A
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JP
Japan
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potential
grid
secondary electrons
sample
control grid
Prior art date
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Pending
Application number
JP7261485A
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English (en)
Inventor
Hideo Todokoro
秀男 戸所
Shozo Yoneda
米田 昇三
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61232544A publication Critical patent/JPS61232544A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の利用分野〕 本発明は、電子ビーム探針による試料の電位測定法に係
り、特に走査形電子顕微鏡を用いたLSIの電位測定に
好適な電位検出装置に関する。
〔発明の背景〕
走査形電子顕微鏡に2次電子のエネルギーを分析する装
置を付加すると、電子ビーム照射箇所の電位を測定でき
ることが知られている(特公昭47−51024号公報
参照)。
第1図の(a)にこの原理を示す。被測定試料1に対向
して置かれた2次電子検出器4の中間に制御電極Gが配
置されている。制御電極Gは、電子ビーム2の照射によ
り試料1から放出された2次電子′3のエネルギーを区
別するための電位障壁を形成する。第1図(b)はこの
電位障壁の動作を説明する図である。試料上に制御電極
Gが配置されていない場合には、すべての2次電子3が
2次電子検出器4で検出される。零電位の試料1から放
出される2次電子のエネルギー分布は、第1図(b)の
Aで示すような分布をしている。試料1の電位が一5v
であるとその分布はBのようになる。制御電極Gを設け
、これに−5vを印加すると、検出される2次電子は5
eV以上のものに制限されるので、試料1の電位によっ
て、2次電子検出量に変化が生じる。このように検出量
が試料電流に関係するので、逆に検出2次電子量から試
料1の電位を知ることができる。
しかし上記の制御電極Gの配置のみによる電位測定では
、試料1の電位と検出された2次電子量との関係は直線
的でなく、電位の定量的な測定は難しい、そこで、これ
に直線性をもたせるため検出2次電子量を常に一定に保
つように制御電極の電位を回路的に調整するフィードバ
ック法が知られている(参照:アイ・イー・イー・イー
、ジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サーキツツ
(IEEE Journal of 5olid 5t
ate circuits) 。
Vol、5C−13,431978)。
第2rj!Jは、このフィードバック法を説明するブロ
ック図である。2次電子検出器4の出力を基準電圧すと
比較し、その差を増幅器5で増幅し、その出力を制御電
極Gに与える。2次電子検出量が増加すると、制御m極
Gの電位が低下するように構成されているので、試料1
の電位がどのように変化しても、2次電子検出量は一定
に保たれる。
このとき、試料電位の変化量と制御電極Gの変化量は一
対一になるので、制御電極Gの電位を測定することで試
料1の電位変化を定量的に知ることができる。
第3図はフィードバック法を用いた電位測定の制御電極
部の具体的な例である。電子ビーム2が励磁コイル8と
磁路7で構成される対物レンズで試料(例えばLSI)
9上に絞られる。さらに走査像と任意の場所に電子ビー
ム2を動かすための偏向コイル20が設けられている。
電子ビーム2の励起によって発生した2次電子23は引
出電圧14(〜50V)の印加された引出電極10で引
出され、制御電極11(G)でエネルギー分析される。
前述したように、#御電極11は増幅W5で動作されて
いる。この例では、制御電極11はシールド電極12と
13でシールドし、制御電極11の電位変化で電子ビー
ム2が偏向されることを防いでいる。このシールド電極
12.13には。
シールド電圧15(〜50v)が接続されている。
シールド電極12を通過した2次電子21はシンチレー
タ18に印加された高電圧(〜10kV)19に吸引さ
れ、シンチレータ18をひからせる。
光信号はライトガイド16を介してホトマル17で検知
される。この信号出力が基準電圧b(第2図)と比較さ
れる。この例では、2次電子の検出効率を良くするため
、左右対称の位置に2次電子検出器を設けている。
ところが、本方式を用いても試料電位の変化が大きい場
合(例えば±IOVを越えるような場合)には、2次電
子の軌道が変化する。例えば試料9がOボルトのとき2
次電子は軌道21を通るが、例えば試料電位が一10ボ
ルトのときには軌道22を通り検出されなくなってしま
う。このため測定が低下してしまう問題が生じた。
〔発明の目的〕
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、かかる測定低下をもたらさない電位検出装置を提
供することを目的とする。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するために1本発明では、試料の電位の
変化に応じて、シンチレータの前面部の電界分布を変え
るように構成したものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第4図により説明する。対物
磁路7の下面に逆円錐状の反射グリッド24を設けてい
る0反射グリッド24には制御グリッド11と連動した
電圧を印加する。増幅器25は、K1 ・V、 +に、
の出を出す。ここでv6は制御グリッド11の電圧で、
K1は、例えば、0.1〜10 のような任意の係数、
K2は、−50〜+50ボルトのような任意の値である
K1.に2を選択することで2次電子の軌道21゜22
を第4図にように一致させることができる。
この結果、広い範囲の試料電位測定が可能となる。
上述のに□、に2の値は、反射グリッド24の構造、シ
ンチレータ18の位置、シンチレータ18に印加する電
圧値によって決まる。
K2 の値は、主に、シンチレータ18の位置とシンチ
レータに印加する電圧値できまり、シンチレータ18を
第4図に示すように対物レンズの下面で、水平に取付け
、10kVを印加した場合にぼ、K2の値は10ボルト
であった。
一方、K1の値は反射グリッドの傾斜角で主にきまる。
実施例では301で、K1の値は0.5であった。また
、第4図ではシールド電極12と反射グリッド24の間
隙は約15mであったが。
この間隔を40mm以上にした場合には、K、の値は零
ボルトでよい。
第5図は対物レンズ上方に本発明の電位検出器を設けた
例である。この実施例ではコイル8と磁路7で構成され
る対物レンズが試料9の上に、制御グリッド11.シー
ルド電極12,13、引出電極10、シンチレータ18
とライトガイド16゜ホトマル17で構成される2次電
子検出器、反射グリッド24が配置されている」この実
施例の引出電極は、第4図の実施例と異なり、対物レン
ズのギャップ内を貫通する・円筒をもち、試料9から放
出された2次電子を制御グリッド11にまで導くのに都
合のよい構造となっている。この実施例゛では、前実施
例と同形状の反射グリッド24が設けられているが、こ
の実施例では制御グリッド11の電圧lに直流電圧26
を加えた電圧を印加している(xt =l)、これは対
物レンズの磁場で2次電子が制御グリッド11の中心附
近に集中し、反射グリッド24の中心部分(平らな部分
)で、その効果がでているためである。
〔発明の効果〕
本発明を実施した結果、従来の方式では、試料電位が5
ボルトで0.5 ボルト、10ボルトで1.5ボルトの
低下が生じていたものが、10ボルトで0.2ボルトの
低下に改善できた。
【図面の簡単な説明】
第1図は、電子ビームによる電位測定を説明する図、第
2図はフィードバックによる定量測定を説明する図、第
3図は従来の方法と問題点を説明する図、第4図および
第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す図である。 1.9・・・試料、2・・・電子ビーム、7・・・対物
磁路、10・・・引出電極、11・・・制御電極、12
.13・・・シールド電極、16・・・ライトガイド、
17・・・ホトマル、18・・・シンチレータ、21.
22・・・2次電子軌道、23・・・2次電子、24・
・・反射グリッド。 −讐\ ンア・) −り′ 答 1 区 ″t、2国 茅4−因 ′450

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、電子ビーム等、粒子線を試料に照射し、該試料から
    放出される2次電子のエネルギーを分析して、該試料の
    電位を測定する電位検出装置において、前記2次電子を
    エネルギー分離する半球状制御グリッドの前面に、前記
    制御グリッドを通過した2次電子を、2次電子検出器の
    方向に反射させるロート状の反射電極を設けたことを特
    徴とする電位検出装置。 2、前記反射電極に、前記制御グリッドと同一電位を与
    えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電位
    検出装置。 3、前記制御グリッドの電位に一定の電位を加えた値を
    前記反射電極に印加したことを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の電位検出装置。 4、前記制御グリッドの電位を減衰あるいは増幅して前
    記反射電極に印加するようにしたことを特徴とする特許
    請求の範囲第2項または第3項記載の電位検出装置。
JP7261485A 1985-04-08 1985-04-08 電位検出装置 Pending JPS61232544A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4216730C2 (de) * 1992-05-20 2003-07-24 Advantest Corp Rasterelektronenstrahlgerät
JPWO2022065428A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JPWO2022065428A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31
WO2022065428A1 (ja) * 2020-09-25 2022-03-31 株式会社日立ハイテク 電子顕微鏡

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