JPS61232544A - 電位検出装置 - Google Patents
電位検出装置Info
- Publication number
- JPS61232544A JPS61232544A JP7261485A JP7261485A JPS61232544A JP S61232544 A JPS61232544 A JP S61232544A JP 7261485 A JP7261485 A JP 7261485A JP 7261485 A JP7261485 A JP 7261485A JP S61232544 A JPS61232544 A JP S61232544A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- potential
- grid
- secondary electrons
- sample
- control grid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【発明の利用分野〕
本発明は、電子ビーム探針による試料の電位測定法に係
り、特に走査形電子顕微鏡を用いたLSIの電位測定に
好適な電位検出装置に関する。
り、特に走査形電子顕微鏡を用いたLSIの電位測定に
好適な電位検出装置に関する。
走査形電子顕微鏡に2次電子のエネルギーを分析する装
置を付加すると、電子ビーム照射箇所の電位を測定でき
ることが知られている(特公昭47−51024号公報
参照)。
置を付加すると、電子ビーム照射箇所の電位を測定でき
ることが知られている(特公昭47−51024号公報
参照)。
第1図の(a)にこの原理を示す。被測定試料1に対向
して置かれた2次電子検出器4の中間に制御電極Gが配
置されている。制御電極Gは、電子ビーム2の照射によ
り試料1から放出された2次電子′3のエネルギーを区
別するための電位障壁を形成する。第1図(b)はこの
電位障壁の動作を説明する図である。試料上に制御電極
Gが配置されていない場合には、すべての2次電子3が
2次電子検出器4で検出される。零電位の試料1から放
出される2次電子のエネルギー分布は、第1図(b)の
Aで示すような分布をしている。試料1の電位が一5v
であるとその分布はBのようになる。制御電極Gを設け
、これに−5vを印加すると、検出される2次電子は5
eV以上のものに制限されるので、試料1の電位によっ
て、2次電子検出量に変化が生じる。このように検出量
が試料電流に関係するので、逆に検出2次電子量から試
料1の電位を知ることができる。
して置かれた2次電子検出器4の中間に制御電極Gが配
置されている。制御電極Gは、電子ビーム2の照射によ
り試料1から放出された2次電子′3のエネルギーを区
別するための電位障壁を形成する。第1図(b)はこの
電位障壁の動作を説明する図である。試料上に制御電極
Gが配置されていない場合には、すべての2次電子3が
2次電子検出器4で検出される。零電位の試料1から放
出される2次電子のエネルギー分布は、第1図(b)の
Aで示すような分布をしている。試料1の電位が一5v
であるとその分布はBのようになる。制御電極Gを設け
、これに−5vを印加すると、検出される2次電子は5
eV以上のものに制限されるので、試料1の電位によっ
て、2次電子検出量に変化が生じる。このように検出量
が試料電流に関係するので、逆に検出2次電子量から試
料1の電位を知ることができる。
しかし上記の制御電極Gの配置のみによる電位測定では
、試料1の電位と検出された2次電子量との関係は直線
的でなく、電位の定量的な測定は難しい、そこで、これ
に直線性をもたせるため検出2次電子量を常に一定に保
つように制御電極の電位を回路的に調整するフィードバ
ック法が知られている(参照:アイ・イー・イー・イー
、ジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サーキツツ
(IEEE Journal of 5olid 5t
ate circuits) 。
、試料1の電位と検出された2次電子量との関係は直線
的でなく、電位の定量的な測定は難しい、そこで、これ
に直線性をもたせるため検出2次電子量を常に一定に保
つように制御電極の電位を回路的に調整するフィードバ
ック法が知られている(参照:アイ・イー・イー・イー
、ジャーナル・オブ・ソリッド・ステート・サーキツツ
(IEEE Journal of 5olid 5t
ate circuits) 。
Vol、5C−13,431978)。
第2rj!Jは、このフィードバック法を説明するブロ
ック図である。2次電子検出器4の出力を基準電圧すと
比較し、その差を増幅器5で増幅し、その出力を制御電
極Gに与える。2次電子検出量が増加すると、制御m極
Gの電位が低下するように構成されているので、試料1
の電位がどのように変化しても、2次電子検出量は一定
に保たれる。
ック図である。2次電子検出器4の出力を基準電圧すと
比較し、その差を増幅器5で増幅し、その出力を制御電
極Gに与える。2次電子検出量が増加すると、制御m極
Gの電位が低下するように構成されているので、試料1
の電位がどのように変化しても、2次電子検出量は一定
に保たれる。
このとき、試料電位の変化量と制御電極Gの変化量は一
対一になるので、制御電極Gの電位を測定することで試
料1の電位変化を定量的に知ることができる。
対一になるので、制御電極Gの電位を測定することで試
料1の電位変化を定量的に知ることができる。
第3図はフィードバック法を用いた電位測定の制御電極
部の具体的な例である。電子ビーム2が励磁コイル8と
磁路7で構成される対物レンズで試料(例えばLSI)
9上に絞られる。さらに走査像と任意の場所に電子ビー
ム2を動かすための偏向コイル20が設けられている。
部の具体的な例である。電子ビーム2が励磁コイル8と
磁路7で構成される対物レンズで試料(例えばLSI)
9上に絞られる。さらに走査像と任意の場所に電子ビー
ム2を動かすための偏向コイル20が設けられている。
電子ビーム2の励起によって発生した2次電子23は引
出電圧14(〜50V)の印加された引出電極10で引
出され、制御電極11(G)でエネルギー分析される。
出電圧14(〜50V)の印加された引出電極10で引
出され、制御電極11(G)でエネルギー分析される。
前述したように、#御電極11は増幅W5で動作されて
いる。この例では、制御電極11はシールド電極12と
13でシールドし、制御電極11の電位変化で電子ビー
ム2が偏向されることを防いでいる。このシールド電極
12.13には。
いる。この例では、制御電極11はシールド電極12と
13でシールドし、制御電極11の電位変化で電子ビー
ム2が偏向されることを防いでいる。このシールド電極
12.13には。
シールド電圧15(〜50v)が接続されている。
シールド電極12を通過した2次電子21はシンチレー
タ18に印加された高電圧(〜10kV)19に吸引さ
れ、シンチレータ18をひからせる。
タ18に印加された高電圧(〜10kV)19に吸引さ
れ、シンチレータ18をひからせる。
光信号はライトガイド16を介してホトマル17で検知
される。この信号出力が基準電圧b(第2図)と比較さ
れる。この例では、2次電子の検出効率を良くするため
、左右対称の位置に2次電子検出器を設けている。
される。この信号出力が基準電圧b(第2図)と比較さ
れる。この例では、2次電子の検出効率を良くするため
、左右対称の位置に2次電子検出器を設けている。
ところが、本方式を用いても試料電位の変化が大きい場
合(例えば±IOVを越えるような場合)には、2次電
子の軌道が変化する。例えば試料9がOボルトのとき2
次電子は軌道21を通るが、例えば試料電位が一10ボ
ルトのときには軌道22を通り検出されなくなってしま
う。このため測定が低下してしまう問題が生じた。
合(例えば±IOVを越えるような場合)には、2次電
子の軌道が変化する。例えば試料9がOボルトのとき2
次電子は軌道21を通るが、例えば試料電位が一10ボ
ルトのときには軌道22を通り検出されなくなってしま
う。このため測定が低下してしまう問題が生じた。
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
あり、かかる測定低下をもたらさない電位検出装置を提
供することを目的とする。
あり、かかる測定低下をもたらさない電位検出装置を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するために1本発明では、試料の電位の
変化に応じて、シンチレータの前面部の電界分布を変え
るように構成したものである。
変化に応じて、シンチレータの前面部の電界分布を変え
るように構成したものである。
以下、本発明の一実施例を第4図により説明する。対物
磁路7の下面に逆円錐状の反射グリッド24を設けてい
る0反射グリッド24には制御グリッド11と連動した
電圧を印加する。増幅器25は、K1 ・V、 +に、
の出を出す。ここでv6は制御グリッド11の電圧で、
K1は、例えば、0.1〜10 のような任意の係数、
K2は、−50〜+50ボルトのような任意の値である
。
磁路7の下面に逆円錐状の反射グリッド24を設けてい
る0反射グリッド24には制御グリッド11と連動した
電圧を印加する。増幅器25は、K1 ・V、 +に、
の出を出す。ここでv6は制御グリッド11の電圧で、
K1は、例えば、0.1〜10 のような任意の係数、
K2は、−50〜+50ボルトのような任意の値である
。
K1.に2を選択することで2次電子の軌道21゜22
を第4図にように一致させることができる。
を第4図にように一致させることができる。
この結果、広い範囲の試料電位測定が可能となる。
上述のに□、に2の値は、反射グリッド24の構造、シ
ンチレータ18の位置、シンチレータ18に印加する電
圧値によって決まる。
ンチレータ18の位置、シンチレータ18に印加する電
圧値によって決まる。
K2 の値は、主に、シンチレータ18の位置とシンチ
レータに印加する電圧値できまり、シンチレータ18を
第4図に示すように対物レンズの下面で、水平に取付け
、10kVを印加した場合にぼ、K2の値は10ボルト
であった。
レータに印加する電圧値できまり、シンチレータ18を
第4図に示すように対物レンズの下面で、水平に取付け
、10kVを印加した場合にぼ、K2の値は10ボルト
であった。
一方、K1の値は反射グリッドの傾斜角で主にきまる。
実施例では301で、K1の値は0.5であった。また
、第4図ではシールド電極12と反射グリッド24の間
隙は約15mであったが。
、第4図ではシールド電極12と反射グリッド24の間
隙は約15mであったが。
この間隔を40mm以上にした場合には、K、の値は零
ボルトでよい。
ボルトでよい。
第5図は対物レンズ上方に本発明の電位検出器を設けた
例である。この実施例ではコイル8と磁路7で構成され
る対物レンズが試料9の上に、制御グリッド11.シー
ルド電極12,13、引出電極10、シンチレータ18
とライトガイド16゜ホトマル17で構成される2次電
子検出器、反射グリッド24が配置されている」この実
施例の引出電極は、第4図の実施例と異なり、対物レン
ズのギャップ内を貫通する・円筒をもち、試料9から放
出された2次電子を制御グリッド11にまで導くのに都
合のよい構造となっている。この実施例゛では、前実施
例と同形状の反射グリッド24が設けられているが、こ
の実施例では制御グリッド11の電圧lに直流電圧26
を加えた電圧を印加している(xt =l)、これは対
物レンズの磁場で2次電子が制御グリッド11の中心附
近に集中し、反射グリッド24の中心部分(平らな部分
)で、その効果がでているためである。
例である。この実施例ではコイル8と磁路7で構成され
る対物レンズが試料9の上に、制御グリッド11.シー
ルド電極12,13、引出電極10、シンチレータ18
とライトガイド16゜ホトマル17で構成される2次電
子検出器、反射グリッド24が配置されている」この実
施例の引出電極は、第4図の実施例と異なり、対物レン
ズのギャップ内を貫通する・円筒をもち、試料9から放
出された2次電子を制御グリッド11にまで導くのに都
合のよい構造となっている。この実施例゛では、前実施
例と同形状の反射グリッド24が設けられているが、こ
の実施例では制御グリッド11の電圧lに直流電圧26
を加えた電圧を印加している(xt =l)、これは対
物レンズの磁場で2次電子が制御グリッド11の中心附
近に集中し、反射グリッド24の中心部分(平らな部分
)で、その効果がでているためである。
本発明を実施した結果、従来の方式では、試料電位が5
ボルトで0.5 ボルト、10ボルトで1.5ボルトの
低下が生じていたものが、10ボルトで0.2ボルトの
低下に改善できた。
ボルトで0.5 ボルト、10ボルトで1.5ボルトの
低下が生じていたものが、10ボルトで0.2ボルトの
低下に改善できた。
第1図は、電子ビームによる電位測定を説明する図、第
2図はフィードバックによる定量測定を説明する図、第
3図は従来の方法と問題点を説明する図、第4図および
第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す図である。 1.9・・・試料、2・・・電子ビーム、7・・・対物
磁路、10・・・引出電極、11・・・制御電極、12
.13・・・シールド電極、16・・・ライトガイド、
17・・・ホトマル、18・・・シンチレータ、21.
22・・・2次電子軌道、23・・・2次電子、24・
・・反射グリッド。 −讐\ ンア・) −り′ 答 1 区 ″t、2国 茅4−因 ′450
2図はフィードバックによる定量測定を説明する図、第
3図は従来の方法と問題点を説明する図、第4図および
第5図はそれぞれ本発明の実施例を示す図である。 1.9・・・試料、2・・・電子ビーム、7・・・対物
磁路、10・・・引出電極、11・・・制御電極、12
.13・・・シールド電極、16・・・ライトガイド、
17・・・ホトマル、18・・・シンチレータ、21.
22・・・2次電子軌道、23・・・2次電子、24・
・・反射グリッド。 −讐\ ンア・) −り′ 答 1 区 ″t、2国 茅4−因 ′450
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電子ビーム等、粒子線を試料に照射し、該試料から
放出される2次電子のエネルギーを分析して、該試料の
電位を測定する電位検出装置において、前記2次電子を
エネルギー分離する半球状制御グリッドの前面に、前記
制御グリッドを通過した2次電子を、2次電子検出器の
方向に反射させるロート状の反射電極を設けたことを特
徴とする電位検出装置。 2、前記反射電極に、前記制御グリッドと同一電位を与
えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電位
検出装置。 3、前記制御グリッドの電位に一定の電位を加えた値を
前記反射電極に印加したことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の電位検出装置。 4、前記制御グリッドの電位を減衰あるいは増幅して前
記反射電極に印加するようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第2項または第3項記載の電位検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7261485A JPS61232544A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電位検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7261485A JPS61232544A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電位検出装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61232544A true JPS61232544A (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=13494441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7261485A Pending JPS61232544A (ja) | 1985-04-08 | 1985-04-08 | 電位検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61232544A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
JPWO2022065428A1 (ja) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 |
-
1985
- 1985-04-08 JP JP7261485A patent/JPS61232544A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
JPWO2022065428A1 (ja) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | ||
WO2022065428A1 (ja) * | 2020-09-25 | 2022-03-31 | 株式会社日立ハイテク | 電子顕微鏡 |
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