JPS61230961A - 薄膜サ−マルヘツド - Google Patents

薄膜サ−マルヘツド

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JPS61230961A
JPS61230961A JP60073918A JP7391885A JPS61230961A JP S61230961 A JPS61230961 A JP S61230961A JP 60073918 A JP60073918 A JP 60073918A JP 7391885 A JP7391885 A JP 7391885A JP S61230961 A JPS61230961 A JP S61230961A
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JP
Japan
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thin film
thermal head
conductor
wiring board
printed wiring
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JP60073918A
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Takashi Sakai
隆 酒井
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
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    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

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  • Electronic Switches (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜サーマルヘッドに関し、特に薄膜サーマ
ルヘッド基板の導体配線抵抗に起因する印字濃度ムラを
改良すると共に、薄膜導体構成を簡単化した薄膜サーマ
ルヘッドに関する。
〔従来の技術〕
従来、この撫の薄膜サーマルヘッド基板(以後ヘッド基
板と略記する)は、各発熱抵抗体の1端に共通配縁をし
て、記録電力を供給しているものが多い。しかし、記録
動作時には、共通配線に10〜20A相当の電流が流れ
るが、薄膜導体配線では導体膜厚は2〜3μmのため、
導体抵抗による途中の電圧降下が大きく、印字記録では
濃度ムラとなる。この導体抵抗を下げるための従来の技
術としては、共通配線へ直接に銅箔を半田付けする構成
、または、ヘッド基板1に而Km(Ag)、銀/プラチ
ナ(Ag/pt)、金(Au)等の厚膜印刷配線を設け
、表面の共通配線へは端面を介して接続させる構成、さ
らKは、共通配線を設けた7レキシプル印刷配線板(F
PC)との圧接による構成などで導体抵抗を下げている
この櫨の薄膜サーマルヘッドは、駆動用ICE信号電流
をブロック分割して、供給するため、少なくとも2層配
線を必要とする。従来の技術としては、ヘッド基板内に
2層配線をする構成、または% 1層導体配線のヘッド
基板と2層配線を設けた印刷配麿板とを、テープキャリ
アを用いて、金−錫(入u−8n)の共晶ボンディング
または半田付けで各端子間を接続する構成、あるいは、
2層配線を設は九FPCt−、1層導体配線のヘッド基
板に圧接する構成などがある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の薄膜サーマルヘッドの構成では、共通し
てヘッド基板の導体の膜構成が複雑またはコスト高にな
る欠点がある。
たとえば、半田付けをする場合は、導体膜としての銅(
Cu )は安価ではあるが% Cu膜膜体体は耐湿性が
悪く、またAuJ[は安定ではあるが高価である。さら
に部分的にCu1lにするとかAuメッキするのは製造
プロセスが複雑になシコスト高となる。
PPCを圧接する構成は、圧接面の接触抵抗を安定化さ
せるために、導体は人U膜にする必要がある。Au−a
nの共晶ボンディングをする構成も同様である。
また、裏面に厚膜導体を設ける構成にしても、裏面およ
び端面の厚層ペースト印刷〜焼成工程はコスト高となる
また、半田付けを用いる構成法は、大気中で230℃以
上の高温にサーマルヘッドを加熱することが必要なため
に製造されるサーマルヘッドは熱ストレス中熱歪の影響
を受ける欠点がある。
また、FPCを圧接する構成は、ヘッド基板と。
FPCとを全長にわたって均一な圧力で押える必要があ
る九め、押える部品の機構強度および精度を上けるため
、部品寸法が大きく、高精度加工部品を要する欠点があ
る。
本発明の薄膜サーマルヘッドは、ヘッド基板の導体構成
をλ!膜の一層導体に簡略化し、印刷配線基板による導
体抵抗をさげ、かつ2層導体配線部を容易に形成するこ
とが出来る薄膜サーマルヘッドを提供することを目的と
する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜サーマルヘッドは、導体配線とグレーズ層
上の薄膜発熱抵抗体列とが少なくとも形成された薄膜サ
ーマルヘッド基板と、駆動用ICと、配mi板とを放熱
板に配置して固定したことからなるllj膜サーマルヘ
ッドにシいて、アルミニウム薄膜の1層導体配線を含む
前記薄膜サーマルヘッド基板と、記録電力供給のための
第1の印刷配線基板と、信号’[流供給のための2層導
体配線からなる第2の印刷配線基板とが放熱板に配置。
固定され、前記薄膜サーマルヘッド基板と第1および第
2の印刷配線基板の接続部が50〜200μm径のA!
線によシボンディング接続されることによ膜構成される
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例の斜視図である。第1図に
おいて、1は薄膜抵抗体8とAI!膜の1層導体7.9
を形成し、駆動用工C6を搭載した薄膜サーマルヘッド
基板であシ、記録電力供給用の第1の印刷配線基板2と
、信号電流供給用の2層導体配線からなる第2の印刷配
線基板3と共に、放熱板4に位置調整して配置後、接着
剤で固定し、続いてヘッド基板1の1層導体部のAJ薄
膜導体7と#!1の印刷配線基板2.および1層導体部
のAノ薄膜導体9と第2の印刷配線基板3を各接続部を
100μmφのA!線を用いて、超祈波ボンディング法
によ)接続した。第2図は第1図に示した一実施例の断
面図でちる。第2図に示すように、ヘッド基板は、簡単
な構成となっている。つまシ、部分グレーズ12を形成
したセラミック基板11にTa−8i糸糸膜膜抵抗と人
ノの導体層を連続スパッタで成膜し、続いて写真食刻法
で薄膜抵抗体8と1層Al薄膜i体7.9を形成し、さ
らに抵抗保護層13をスパッタ成膜した。続いて、駆動
用IC6を搭載し、金細線10を用いて、ネールヘッド
熱圧着ボンディング法(NTCボンディング)でAI薄
膜導体9と接続したことからなる構成である。記録電力
供給配線の導体抵抗に関しては、厚さ35μmの通常の
銅箔を用いた第1の印刷配線基板2を用いることで、導
体抵抗は十分小さくな)、印字の濃度ムラも認められな
い。
なお、本実施例では、硬度および耐熱性の優れたBT樹
脂をガラス布材に含浸させたプリプレグからなる印刷配
線基板を用いたが、超音波ボンディング性が曳けれは、
特に材料にこだわる必l!線ない。
また、本実施例においては作業性を考慮して第1と第2
の印刷基板が1体となったものを用いたが、これらの第
1と第2の印刷基板は別々に用意して、後で半田付けで
接続してもよい。Al線を用いた超音波ボンディングに
ついては、ヘッド基板はAI膜導体のためにボンディン
グワイヤとの接着性がよくまた、印刷基板側については
、ボンディング部分の小面積のみ人Uメッキすることで
、良好なAl線とのボンディング性が得られた。さらに
、実使用時の環境においては本発明の薄膜サーマルヘッ
ドは100μm径程度のアルミ線で、十分な機械的強度
があるということも認められた。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、記録電力供給のための第
1の印刷配線基板と、信号電流供給の丸めの第2の印刷
配線基板とを、1層のAlt薄膜導体を含む駆動用IC
搭載の薄膜サーマルヘッド基板に、50〜200μm径
の人1Bを用いて、超音波ボンディング法で接続した構
成にすることによプ、ヘッド基板の導体構成をAl膜の
1層導体に簡単化する効果と、印刷配線基板による導体
抵抗を下げる効果、および2層導体配線部を容易に形成
する効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の斜視図。 第2図は第1図の実施例の断面図である。 l・・・・・・薄膜サーマルヘッド基板、2・・・・・
・第1の印刷配線基板、3・・・・・・第2の印刷配線
基板、4・・・・・・放熱板、5・・・・・・Aj@、
6・・・・・・駆動用IC,7゜9・・・・・・AJ薄
膜導体、8・・・・・・薄膜抵抗体、10・・・・・・
Au線、11・・・・・・セラミック基板、12・・・
・・・グレーズ鵬、13・・・・・・保@N、14・・
・・・・コネクタ。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導体配線とグレーズ層上の薄膜発熱抵抗体列とが
    少なくとも形成された薄膜サーマルヘッド基板と、駆動
    用ICと、配線基板とを放熱板に配置して固定したこと
    からなる薄膜サーマルヘッドにおいて、アルミニウム薄
    膜の1層導体配線を含む前記薄膜サーマルヘッド基板と
    、記録電力供給のための第1の印刷配線基板と、信号電
    流供給のための2層導体配線からなる第2の印刷配線基
    板とが放熱板に配置、固定され、前記薄膜サーマルヘッ
    ド基板と第1および第2の印刷配線基板の接続部が50
    〜200μm径のAl線によりボンディング接続されて
    いることを特徴とする薄膜サーマルヘッド。
  2. (2)第1および第2の印刷配線基板は、ガラス布基材
    にビスマレイミド・トリアジン樹脂(BT樹脂)を含浸
    させたプリプレグを用いた積層板または銅張積層板から
    なる特許請求の範囲第(1)項記載の薄膜サーマルヘッ
    ド。
  3. (3)第1および第2の印刷配線基板を1つの基板で形
    成した特許請求の範囲第(1)項又は第(2)項記載の
    薄膜サーマルヘッド。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237663A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Toshiba Corp サ−マルプリントヘツド
JPH0471257U (ja) * 1990-10-31 1992-06-24
JPH05138913A (ja) * 1991-11-22 1993-06-08 Aoi Denshi Kk サーマルプリントヘツド及びその検査方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237663A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Toshiba Corp サ−マルプリントヘツド
JPH0471257U (ja) * 1990-10-31 1992-06-24
JPH05138913A (ja) * 1991-11-22 1993-06-08 Aoi Denshi Kk サーマルプリントヘツド及びその検査方法

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