JPS61230241A - Ｘ線像増倍管 - Google Patents
Ｘ線像増倍管Info
- Publication number
- JPS61230241A JPS61230241A JP61074376A JP7437686A JPS61230241A JP S61230241 A JPS61230241 A JP S61230241A JP 61074376 A JP61074376 A JP 61074376A JP 7437686 A JP7437686 A JP 7437686A JP S61230241 A JPS61230241 A JP S61230241A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- luminescent
- image intensifier
- layer
- absorbing material
- ray image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板及び光電陰極間にルミネセント材料層を
設けた入口スクリーンと、この光電陰極から放出された
光電子を出口スクリーン上に結像する電子−光学系とを
具えるＸ線映像増倍管に関するものである。
設けた入口スクリーンと、この光電陰極から放出された
光電子を出口スクリーン上に結像する電子−光学系とを
具えるＸ線映像増倍管に関するものである。
この種類のＸ線映像増倍管は米国特許第３，８２５．７
６３号から既知である。而してここに記載されているＸ
線映像増倍管の入口スクリーンは、主としてＣｓ Ｉか
ら成り、ここに活性剤として、例えば、０．１ないし１
．０重量％のＮａ又はＴｉを加えたルミネセント層を具
える。
６３号から既知である。而してここに記載されているＸ
線映像増倍管の入口スクリーンは、主としてＣｓ Ｉか
ら成り、ここに活性剤として、例えば、０．１ないし１
．０重量％のＮａ又はＴｉを加えたルミネセント層を具
える。
このルミネセント層により遮断されたＸ線は、少なくと
も一部、ルミネセント光に変換される。
も一部、ルミネセント光に変換される。
そしてこのルミネセント光が光電陰極から光電子を放出
せしめる。これらの光電子は加速され、出口窓上に結像
し、そこで通常の態様で光の像を形成する。光電子を、
例えば、２５ないし３０ｋ Ｖで加速すると特に明かる
い像が形成される。他のタイプのＸ線映像増倍管では、
例えば、チャネル板増倍器を用いることにより光電子を
増倍して明かるい像を得ている。
せしめる。これらの光電子は加速され、出口窓上に結像
し、そこで通常の態様で光の像を形成する。光電子を、
例えば、２５ないし３０ｋ Ｖで加速すると特に明かる
い像が形成される。他のタイプのＸ線映像増倍管では、
例えば、チャネル板増倍器を用いることにより光電子を
増倍して明かるい像を得ている。
これらの既知のＸ線映像増倍管では、ルミネセント材料
から二次Ｘ線が放出され、これがルミネセント材料に吸
収されず、ルミネセント材料層の可成り大きい部分に拡
散し、これまたルミネセント光を発するため霧がかかっ
たような像が形成される。他方、二次Ｘ線がルミネセン
ト材料により遮断される確率が小さいため、この二次放
射線は光電陰極が感応するルミネセント光の発生にはほ
とんど寄与しない。この結果、映像プロセスにおいて、
放射線エネルギーの一部が失なわれる。
から二次Ｘ線が放出され、これがルミネセント材料に吸
収されず、ルミネセント材料層の可成り大きい部分に拡
散し、これまたルミネセント光を発するため霧がかかっ
たような像が形成される。他方、二次Ｘ線がルミネセン
ト材料により遮断される確率が小さいため、この二次放
射線は光電陰極が感応するルミネセント光の発生にはほ
とんど寄与しない。この結果、映像プロセスにおいて、
放射線エネルギーの一部が失なわれる。
本発明の目的はこれらの欠点を少なくとも部分的に除く
にある。
にある。
この目的を達成するため、本発明によれば、冒頭に述べ
た種類のＸ線映像増倍管において、ルミネセント材料層
がこのルミネセント材料により放出される特性Ｘ線を比
較的高度に吸収する元素を含む吸収材料を具えているこ
とを特徴とする。
た種類のＸ線映像増倍管において、ルミネセント材料層
がこのルミネセント材料により放出される特性Ｘ線を比
較的高度に吸収する元素を含む吸収材料を具えているこ
とを特徴とする。
本発明に係るルミネセント層は、二次放射線を相当に吸
収する材料を含むため、霧がかかったような像ができる
のは減る。好適な実施例での吸収材料は二次Ｘ線に感応
し、これらの二次Ｘ線を元のルミネセント材料が感応す
る放射線に変換するルミネセント材料を含む。こうすれ
ば、霧が減るだけでなく、ルミネセント層の発光効率も
高くなる。
収する材料を含むため、霧がかかったような像ができる
のは減る。好適な実施例での吸収材料は二次Ｘ線に感応
し、これらの二次Ｘ線を元のルミネセント材料が感応す
る放射線に変換するルミネセント材料を含む。こうすれ
ば、霧が減るだけでなく、ルミネセント層の発光効率も
高くなる。
好適な一実施例は、吸収材料がルミネセント材料の最低
の原子番号の元素の特性放射線の波長より僅かに長いだ
けの波長に吸収縁を有する元素を含むことを特徴とする
。ルミネセント層がＣｓ １から成る場合は、例えば
、テルル（５２）、アンチモン（５１）又はスズ（５０
）をヨウ素（５３）放射線に対して用いる。
の原子番号の元素の特性放射線の波長より僅かに長いだ
けの波長に吸収縁を有する元素を含むことを特徴とする
。ルミネセント層がＣｓ １から成る場合は、例えば
、テルル（５２）、アンチモン（５１）又はスズ（５０
）をヨウ素（５３）放射線に対して用いる。
もう一つの好適な実施例では、吸収材料が元のルミネセ
ント材料により遮断されない特性Ｘ線を放出するルミネ
セント材料の元素の原子番号より相当に高い原子番号を
有する元素を含むことを特徴とする。ルミネセント材料
がＯｓ Ｉの場合は、例えば、タリウム（８１） 、鉛
（８２）又はビスマス（８３）を５重量％まで加える。
ント材料により遮断されない特性Ｘ線を放出するルミネ
セント材料の元素の原子番号より相当に高い原子番号を
有する元素を含むことを特徴とする。ルミネセント材料
がＯｓ Ｉの場合は、例えば、タリウム（８１） 、鉛
（８２）又はビスマス（８３）を５重量％まで加える。
例えば、ＴβＩの形でタリウムを付加すると、この材料
が活性剤としても働くという利点が与えられる。一般に
、ヨウ化物の形で所望の元素を付加するとそのようにな
る。蓋し、ＣｓＩはこれによりほとんど乱されないから
である。それ故、ヨウ化物を作ることができ且つＣｓ
Ｉを汚染しない全ての元素は添加するのに適している
。これは原子番号が高い元素について云えるだけでなく
、低い元素についても云える。
が活性剤としても働くという利点が与えられる。一般に
、ヨウ化物の形で所望の元素を付加するとそのようにな
る。蓋し、ＣｓＩはこれによりほとんど乱されないから
である。それ故、ヨウ化物を作ることができ且つＣｓ
Ｉを汚染しない全ての元素は添加するのに適している
。これは原子番号が高い元素について云えるだけでなく
、低い元素についても云える。
二次放射線に適合し且つそれ自体ルミネセントであるか
又はない元素を上述したように添加することに代えて、
好適な実施例では、吸収材料を、約３０ＫｅＶの関連す
る二次放射線に少なくとも合理的に感応するルミネセン
ト材料の形で付加する。
又はない元素を上述したように添加することに代えて、
好適な実施例では、吸収材料を、約３０ＫｅＶの関連す
る二次放射線に少なくとも合理的に感応するルミネセン
ト材料の形で付加する。
この点で、就中、Ｇｄ ｚ ０２ Ｓ、 Ｙ２０２ Ｓ
、 Ｌａ ２０２ Ｓ、Ｃａ ｗｏ、Ｑｓ Ｓｒ 、Ｂ
ａ ＦＣＪ！。
、 Ｌａ ２０２ Ｓ、Ｃａ ｗｏ、Ｑｓ Ｓｒ 、Ｂ
ａ ＦＣＪ！。
Ｂａ５Ｏ＊及びＩｎＣｄ５の中から選択できる。
これらの材料は５モル％までの量加える。
柱状構造を有するルミネセント材料層を具える別の好適
な実施例では、主として柱と柱の間の間隙に吸収材料を
入れる。基板を用いる好適な実施例では主として基板の
上の突起部を吸収材料で作ることができる。ルミネセン
ト層と光電陰極との間にある中間層を用いる場合は、こ
の中間層から突出するルミネセント層の突起部を主とし
て吸収材料で作ることができる。
な実施例では、主として柱と柱の間の間隙に吸収材料を
入れる。基板を用いる好適な実施例では主として基板の
上の突起部を吸収材料で作ることができる。ルミネセン
ト層と光電陰極との間にある中間層を用いる場合は、こ
の中間層から突出するルミネセント層の突起部を主とし
て吸収材料で作ることができる。
ルミネセント層又は光電陰極の汚染を防ぐために、容器
内に吸収材霧粒を入れる。この容器はパリレンのような
プラスチックで作る。このようなカプセルは薄くすると
好適である。蓋し、さもないと層の吸収が劣化するから
である。吸収材料を主として層内の空間に入れる場合は
、この制約は厳しいものではない。
内に吸収材霧粒を入れる。この容器はパリレンのような
プラスチックで作る。このようなカプセルは薄くすると
好適である。蓋し、さもないと層の吸収が劣化するから
である。吸収材料を主として層内の空間に入れる場合は
、この制約は厳しいものではない。
本発明のいくつかの好適な実施例は図面につき後述する
ところから明らかとなろう。
ところから明らかとなろう。
図面につき本発明の詳細な説明する。
第１図に示したＸ線映像増倍管は、適当な材料、例えば
、チタンの真空分離箔２を有する入口窓を具える。例え
ば、アルミニウムの基板６にルミネセント層４を設け、
このルミネセント層４の上に、多くは中間分離層８を介
して光電陰極層１０を設ける。こうして作られる入口ス
クリーンを真空管の中に取り付ける。この真空管は、入
口窓と、円筒面１２と、テーバ部１４と、中間陽極担体
１６と、端陽極担体１８と、出口窓２０とを具える。こ
の真空管の入口側に取付はリング２２を設け、この取付
はリング２２に入口筋及び入口スクリーン担体２４を連
結する。入口電極２６並びに電極２８．３０及び３２を
介して、光電陰極１０から出た光電子３４を螢光層３６
の上に結像する。螢光層３６は、例えば、光フアイバ板
から成る出口窓２０の上に設けると好適である。こうし
て出口窓に投射される電子像は螢光層で光の像に変換さ
れる。この光の像が外部から観察・記録されるが、この
目的でテレビジョン撮像管を通常の態様で出口窓に連結
する。
、チタンの真空分離箔２を有する入口窓を具える。例え
ば、アルミニウムの基板６にルミネセント層４を設け、
このルミネセント層４の上に、多くは中間分離層８を介
して光電陰極層１０を設ける。こうして作られる入口ス
クリーンを真空管の中に取り付ける。この真空管は、入
口窓と、円筒面１２と、テーバ部１４と、中間陽極担体
１６と、端陽極担体１８と、出口窓２０とを具える。こ
の真空管の入口側に取付はリング２２を設け、この取付
はリング２２に入口筋及び入口スクリーン担体２４を連
結する。入口電極２６並びに電極２８．３０及び３２を
介して、光電陰極１０から出た光電子３４を螢光層３６
の上に結像する。螢光層３６は、例えば、光フアイバ板
から成る出口窓２０の上に設けると好適である。こうし
て出口窓に投射される電子像は螢光層で光の像に変換さ
れる。この光の像が外部から観察・記録されるが、この
目的でテレビジョン撮像管を通常の態様で出口窓に連結
する。
本発明によれば入口スクリーンのルミネセント層に吸収
材料を入れるが、その詳細を拡大したスケールで第２図
に示す。このような吸収材料はルミネセント材料（通常
はＣ５Ｉ）と同時に、例えば、真空蒸着することができ
る。この目的で、例えば、既に吸収材料を含有するルミ
ネセント材料を用いることができる。これは、例えば、
ＴＪ２Ｉのような吸収材料に対する活性剤を用いて行な
うことができる。蓋し、この吸収材料に対し、融点、蒸
気圧等のような真空蒸着パラメータが十分近いからであ
る。この点で類似度が低い材料の場合は、別に設けたホ
ルダから材料を真空蒸着できる。この場合、所望とあら
ば、層の厚さ方向に吸収材料の相対量を変えることがで
きる。米国特許第３．８２５．７６３号に記載されてい
るような光を通しやすい構造を有するルミネセント層の
場合は、モザイク状の要素中の空間３８に吸収材料を入
れると好適である。この点で好適な方法は、例えば、蒸
着すべき材料粒子を帯電させることにより複数個の副層
に分けて真空蒸着する際副層にクラック構造を形成した
後そのクランクに吸収材料を入れるものである。こうす
れば、厚さ方向においてルミネセント材料層が光学的に
途切れることが防がれる。このような吸収材料は、それ
を入れることにより、特に反射が強まって、光の導通が
良くなるように選ぶと有利である。米国特許第３，８２
５，７６３号に記載されているようなスクリーンでは、
ルミネセント層の密度が約８５％から９０％に達する。
材料を入れるが、その詳細を拡大したスケールで第２図
に示す。このような吸収材料はルミネセント材料（通常
はＣ５Ｉ）と同時に、例えば、真空蒸着することができ
る。この目的で、例えば、既に吸収材料を含有するルミ
ネセント材料を用いることができる。これは、例えば、
ＴＪ２Ｉのような吸収材料に対する活性剤を用いて行な
うことができる。蓋し、この吸収材料に対し、融点、蒸
気圧等のような真空蒸着パラメータが十分近いからであ
る。この点で類似度が低い材料の場合は、別に設けたホ
ルダから材料を真空蒸着できる。この場合、所望とあら
ば、層の厚さ方向に吸収材料の相対量を変えることがで
きる。米国特許第３．８２５．７６３号に記載されてい
るような光を通しやすい構造を有するルミネセント層の
場合は、モザイク状の要素中の空間３８に吸収材料を入
れると好適である。この点で好適な方法は、例えば、蒸
着すべき材料粒子を帯電させることにより複数個の副層
に分けて真空蒸着する際副層にクラック構造を形成した
後そのクランクに吸収材料を入れるものである。こうす
れば、厚さ方向においてルミネセント材料層が光学的に
途切れることが防がれる。このような吸収材料は、それ
を入れることにより、特に反射が強まって、光の導通が
良くなるように選ぶと有利である。米国特許第３，８２
５，７６３号に記載されているようなスクリーンでは、
ルミネセント層の密度が約８５％から９０％に達する。
従って層の隙間に約５％まで吸収材料を入れることがで
きる。
きる。
第２図のｂに示したような構造の基板を用いる場合は、
基板の突起部４０を成すように吸収材料を入れることが
できる。このような突起は著しいから、少なくとも部分
的に吸収材料で充たされる。
基板の突起部４０を成すように吸収材料を入れることが
できる。このような突起は著しいから、少なくとも部分
的に吸収材料で充たされる。
他方、ルミネセント層と光電陰極１０との間の中間層４
４から突出するルミネセント層の局所的突起４２をなす
ように吸収材料を入れることもできる。
４から突出するルミネセント層の局所的突起４２をなす
ように吸収材料を入れることもできる。
第３図のカーブは、Ｘ軸に沿って光子のエネルギーをと
り、Ｙ軸に沿って放射線の吸収をとったものであるが、
元素Ｔｅ 、Ｓｂ 、Ｓｎから成る群の一つのような吸
収材料が吸収縁の点で適当であることを示している。
り、Ｙ軸に沿って放射線の吸収をとったものであるが、
元素Ｔｅ 、Ｓｂ 、Ｓｎから成る群の一つのような吸
収材料が吸収縁の点で適当であることを示している。
吸収を曲線５０で示したＯ３が発する特性放射線はＣｓ
Ｉの■により相当に途切れる。吸収を曲線５２で示す
Ｉが発生する特性放射線はＯ３で途切れることはないが
、テルル、アンチモンまたはスズのような元素を含゛み
、吸収曲線５４で示される吸収材料により大きく途切れ
る。軽い元素として、例えば、銀、カドミウム、インジ
ウム、ヒ素、カルシウムを、ヨウ化物の形態で付は加え
、重い元素としてサマリウム、ガドリニウム、ジスプロ
シウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウムを付は加え
ると相当な改良が得られる。
Ｉの■により相当に途切れる。吸収を曲線５２で示す
Ｉが発生する特性放射線はＯ３で途切れることはないが
、テルル、アンチモンまたはスズのような元素を含゛み
、吸収曲線５４で示される吸収材料により大きく途切れ
る。軽い元素として、例えば、銀、カドミウム、インジ
ウム、ヒ素、カルシウムを、ヨウ化物の形態で付は加え
、重い元素としてサマリウム、ガドリニウム、ジスプロ
シウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウムを付は加え
ると相当な改良が得られる。
第１図は、Ｘ線映像倍増管の断面図、
第２図は、本発明に係る吸収材料を入れたルミネセント
層の断面図、 第３図は、光子のエネルギーの関数として示した吸収曲
線の説明図である。
層の断面図、 第３図は、光子のエネルギーの関数として示した吸収曲
線の説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板及び光電陰極間にルミネセント材料層を設けた
入口スクリーンと、この光電陰極から放出された光電子
を出口スクリーン上に結像する電子−光学系とを具える
Ｘ線映像倍増管において、ルミネセント材料層がこのル
ミネセント材料により放出される特性Ｘ線を比較的高度
に吸収する元素を含む吸収材料を具えていることを特徴
とするＸ線映像増倍管。 ２、吸収材料がルミネセント材料の最低の原子番号の元
素の特性放射線の波長より僅かに長いだけの波長に吸収
縁を有する元素を含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のＸ線映像増倍管。 ３、吸収材料が元のルミネセント材料により遮断されな
い特性Ｘ線を放出するルミネセント材料の元素の原子番
号より相当に高い原子番号を有する元素を含むことを特
徴とする特許請求の範囲１項記載のＸ線映像増倍管。 ４、ルミネセント材料が主としてＣｓ Ｉから成り、吸
収材料がタリウム（８１）、鉛（８２）及びビスマス（
８３）から成る群の一個又は複数個の元素を含み、この
吸収材料がルミネセント材料層の約１ないし５重量％に
達することを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいず
れか一項に記載のＸ線映像増倍管。 ５、ルミネセント材料が主としてＣｓ Ｉから成り、吸
収材料がテルル（５２）、アンチモン（５１）及びスズ
（５０）から成る群の一個又は複数個の元素を含むこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＸ
線映像増倍管。 ６、吸収材料を、Ｃｓ Ｉの好適なルミネセント特性を
乱さないヨウ化物とすることを特徴とする特許請求の範
囲前記各項のいずれか一項に記載のＸ線映像増倍管。 ７、吸収材料が主として関連する二次Ｘ線に感応するル
ミネセント材料から成ることを特徴とする特許請求の範
囲第１項、第２項又は第３項のいずれか一項に記載のＸ
線映像増倍管。 ８、ルミネセント層がこの層の厚さ方向を向き且つ少な
くとも部分的に光学的に互に分離されている列の構造を
有し、吸収材料を主としてこれらの列の間の空間に入れ
ることを特徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれか
一項に記載のＸ線映像増倍管。 ９、吸収材料を粒状にし、遮蔽容器内に入れることを特
徴とする特許請求の範囲前記各項のいずれか一項に記載
のＸ線映像増倍管。 １０、粒を主として列構造のルミネセント層の列と列の
間の間隙におき、遮蔽容器がルミネセント層内で発生し
たルミネセント光に対し良好な反射を呈するようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第９項記載のＸ線映像
増倍管。 １１、ルミネセント材料に対する基板がルミネセント層
に対向して突起部を具える構造を有し、この突起を少な
くとも部分的に吸収材料で形成したことを特徴とする特
許請求の範囲前記各項のいずれか一項に記載のＸ線映像
増倍管。 １２、ルミネセント材料層と光電陰極との間に、中間層
を設け、列と列の間の空間に突入する突出部に主として
吸収材料を入れることを特徴とする特許請求の範囲第８
項記載のＸ線映像増倍管。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8500981 | 1985-04-03 | ||
| NL8500981A NL8500981A (nl) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | Roentgenbeeldversterkerbuis met een secundaire stralings absorberende luminescentielaag. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230241A true JPS61230241A (ja) | 1986-10-14 |
| JPH0690910B2 JPH0690910B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=19845783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61074376A Expired - Lifetime JPH0690910B2 (ja) | 1985-04-03 | 1986-04-02 | Ｘ線像増倍管 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4712011A (ja) |
| EP (1) | EP0197597B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0690910B2 (ja) |
| DE (1) | DE3664399D1 (ja) |
| NL (1) | NL8500981A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8602629A (nl) * | 1986-10-21 | 1988-05-16 | Philips Nv | Roentgenbeeldversterkerbuis met een scheidingslaag tussen de luminescentielaag en de photocathode. |
| FR2625838B1 (fr) * | 1988-01-13 | 1996-01-26 | Thomson Csf | Scintillateur d'ecran d'entree de tube intensificateur d'images radiologiques et procede de fabrication d'un tel scintillateur |
| US5171996A (en) * | 1991-07-31 | 1992-12-15 | Regents Of The University Of California | Particle detector spatial resolution |
| DE69213149T2 (de) * | 1991-10-10 | 1997-03-06 | Philips Electronics Nv | Röntgenbildverstärkerröhre |
| WO1997001861A2 (en) * | 1995-06-27 | 1997-01-16 | Philips Electronics N.V. | X-ray detector |
| DE19859995A1 (de) * | 1998-12-23 | 2000-07-06 | Siemens Ag | Strahlungsdetektor mit einem segmentierten Leuchtstoffkörper, Verwendung des Strahlungsdetektors und Verfahren zur Herstellung des Leuchstoffkörpers |
| US9110175B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-18 | Ciena Corporation | Computed radiography imaging plates and associated methods of manufacture |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2882413A (en) * | 1953-12-04 | 1959-04-14 | Vingerhoets Antonius Wilhelmus | Luminescent screen |
| BE786084A (fr) * | 1971-07-10 | 1973-01-10 | Philips Nv | Ecran luminescent a structure en mosaique |
| BE792387A (nl) * | 1971-12-31 | 1973-06-07 | Agfa Gevaert Nv | Versterkingsschermen voor rontgenfotografie |
| DE2461260C3 (de) * | 1974-12-23 | 1986-07-10 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Leuchtstoff |
| US4054799A (en) * | 1975-10-23 | 1977-10-18 | Gte Sylvania Incorporated | X-ray phosphor composition and x-ray intensifying screen employing same |
| US4393512A (en) * | 1981-07-07 | 1983-07-12 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Hyper-filter-fluorescer spectrometer for x-rays above 120 keV |
| JPS5871536A (ja) * | 1981-10-22 | 1983-04-28 | Toshiba Corp | Ｘ線像増倍管の入力面及びその製造方法 |
| US4490615A (en) * | 1981-10-30 | 1984-12-25 | Radiographic Screen Oy | X-ray intensifying screen |
| FR2530367A1 (fr) * | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Thomson Csf | Ecran scintillateur convertisseur de rayonnement et procede de fabrication d'un tel ecran |
| FR2530368A1 (fr) * | 1982-07-13 | 1984-01-20 | Thomson Csf | Ecran scintillateur convertisseur de rayonnement |
-
1985
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1986
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008051793A (ja) * | 2006-03-02 | 2008-03-06 | Canon Inc | 放射線検出装置及びシンチレータパネル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690910B2 (ja) | 1994-11-14 |
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| NL8500981A (nl) | 1986-11-03 |
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