JPH05217528A - Ｘ線影像増強管 - Google Patents
Ｘ線影像増強管Info
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- JPH05217528A JPH05217528A JP4270274A JP27027492A JPH05217528A JP H05217528 A JPH05217528 A JP H05217528A JP 4270274 A JP4270274 A JP 4270274A JP 27027492 A JP27027492 A JP 27027492A JP H05217528 A JPH05217528 A JP H05217528A
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/36—Photoelectric screens; Charge-storage screens
- H01J29/38—Photoelectric screens; Charge-storage screens not using charge storage, e.g. photo-emissive screen, extended cathode
- H01J29/385—Photocathodes comprising a layer which modified the wave length of impinging radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/50—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output
- H01J31/501—Image-conversion or image-amplification tubes, i.e. having optical, X-ray, or analogous input, and optical output with an electrostatic electron optic system
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
- G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50005—Imaging and conversion tubes characterised by form of illumination
- H01J2231/5001—Photons
- H01J2231/50031—High energy photons
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- H—ELECTRICITY
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- H01J2231/00—Cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2231/50—Imaging and conversion tubes
- H01J2231/50057—Imaging and conversion tubes characterised by form of output stage
- H01J2231/50063—Optical
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 像品質、光行差及び効率に関して最適化され
た入射部を有するＸ線影像増強管を提供することを目的
とする。 【構成】 これを達成する為、特に光電陰極充電現象を
避けるよう、適合横方向導電を有する分離層が設けられ
る。散乱放射線を減少するため、入射スクリーンの縁部
が関連する検査に対して不活性化される。効率を増すよ
う、異なるＸ線吸収特性を有する二重リン層が使用され
る。口径食を補償するため厚さ又は分離層の放射特性又
は発光層自体の半径方向変化が用いられる。
た入射部を有するＸ線影像増強管を提供することを目的
とする。 【構成】 これを達成する為、特に光電陰極充電現象を
避けるよう、適合横方向導電を有する分離層が設けられ
る。散乱放射線を減少するため、入射スクリーンの縁部
が関連する検査に対して不活性化される。効率を増すよ
う、異なるＸ線吸収特性を有する二重リン層が使用され
る。口径食を補償するため厚さ又は分離層の放射特性又
は発光層自体の半径方向変化が用いられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は入射窓と、入射発光層を
有する入射スクリーンと、光電陰極とを含む入射部と、
出射窓と、出射発光スクリーンとからなるＸ線影像増強
管に係る。
有する入射スクリーンと、光電陰極とを含む入射部と、
出射窓と、出射発光スクリーンとからなるＸ線影像増強
管に係る。
【０００２】
【従来の技術】この種のＸ線影像増強管は米国特許第４
８３１２４９号から知られている。発光量と光電陰極を
含む入射スクリーンの品質を改善する手段からなる公知
のＸ線影像増強管では、選択特性の改善、例えば効率又
は像情報伝送の改善は通常他の特性又は少なくとも１つ
の他の特性の犠牲である。例えば米国特許第４８３１２
４９号に示す如く発光層と光電陰極間の分離層は入射ス
クリーンからの像伝送を改善し、そこに述べられている
如く効率の損失を生ずる。
８３１２４９号から知られている。発光量と光電陰極を
含む入射スクリーンの品質を改善する手段からなる公知
のＸ線影像増強管では、選択特性の改善、例えば効率又
は像情報伝送の改善は通常他の特性又は少なくとも１つ
の他の特性の犠牲である。例えば米国特許第４８３１２
４９号に示す如く発光層と光電陰極間の分離層は入射ス
クリーンからの像伝送を改善し、そこに述べられている
如く効率の損失を生ずる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は複数の
制限を同時に緩和することであり；これを達成するの
に、本発明によるＸ線影像増強管は入射部が高量子効率
を大なる解像度と一体化することを特徴とする。本発明
によるＸ線影像増強管の入射スクリーンは例えば大なる
効率と、例えば解像度に関しての最適像情報伝送、変調
伝送関数及び像歪みの減少とを組合せる。光電陰極は、
充電現象がそこで、例えば高光電子密度（ハイライト）
を生じる領域で容易に生じるよう、極端に薄い層で通常
形成される。比較的低い導電率を有する分離層が設けら
れる場合、この効果は大きく生じうる。
制限を同時に緩和することであり；これを達成するの
に、本発明によるＸ線影像増強管は入射部が高量子効率
を大なる解像度と一体化することを特徴とする。本発明
によるＸ線影像増強管の入射スクリーンは例えば大なる
効率と、例えば解像度に関しての最適像情報伝送、変調
伝送関数及び像歪みの減少とを組合せる。光電陰極は、
充電現象がそこで、例えば高光電子密度（ハイライト）
を生じる領域で容易に生じるよう、極端に薄い層で通常
形成される。比較的低い導電率を有する分離層が設けら
れる場合、この効果は大きく生じうる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】望ましい実施例におい
て、化学的に分離層は光電陰極と、その下に位置する導
電層との間に設けられ、その化学的分離層は光電陰極と
導電層の間の過度に小さい伝導率の結果として光電陰極
の電位エクスカーションにより像アーティファクトを生
じることなく管の有効寿命を実質的に増加する。この結
果、本発明による望ましい実施例の分離層は、光電陰極
とその下の層、例えば発光層との間の適切な導電率を確
実にするよう開口が設けられる。光電陰極と発光層の間
の化学的相互作用は相互汚染を防ぐよう更に適度に減少
される。化学的分離層用キャリアは通常用いられるＡｌ
2 Ｏ3 層のように別々に折出された絶縁伝導層により、
例えば高密度パッキングを有する発光材の上部層による
と同様に、適切な電気伝導率がそれに亘って確保される
ように形成されうる。発光層は米国特許第３８２５７６
３号に記載の如く比較的厚い構成の層のＣｓＩからな
り、その上に米国特許第４８２０９２６号に記載の如
く、比較的薄い上部層のＣｓＩが設けられる。しかし、
開口は実際の開口である必要はなく、或いは関連領域
で、電気的接触が例えば電子トンネルを介して可能であ
るよう局部的に非常に薄い層部分により形成されてもよ
い。或いは折出技術の適用は絶縁化学バリヤー層より発
光層の凹部に伝導層及び光電陰極を更に延在させるのを
可能にする。穴又は開口は例えば面の１％以上を覆わな
く、面に亘って適度に均一に分布されることが望まし
い。
て、化学的に分離層は光電陰極と、その下に位置する導
電層との間に設けられ、その化学的分離層は光電陰極と
導電層の間の過度に小さい伝導率の結果として光電陰極
の電位エクスカーションにより像アーティファクトを生
じることなく管の有効寿命を実質的に増加する。この結
果、本発明による望ましい実施例の分離層は、光電陰極
とその下の層、例えば発光層との間の適切な導電率を確
実にするよう開口が設けられる。光電陰極と発光層の間
の化学的相互作用は相互汚染を防ぐよう更に適度に減少
される。化学的分離層用キャリアは通常用いられるＡｌ
2 Ｏ3 層のように別々に折出された絶縁伝導層により、
例えば高密度パッキングを有する発光材の上部層による
と同様に、適切な電気伝導率がそれに亘って確保される
ように形成されうる。発光層は米国特許第３８２５７６
３号に記載の如く比較的厚い構成の層のＣｓＩからな
り、その上に米国特許第４８２０９２６号に記載の如
く、比較的薄い上部層のＣｓＩが設けられる。しかし、
開口は実際の開口である必要はなく、或いは関連領域
で、電気的接触が例えば電子トンネルを介して可能であ
るよう局部的に非常に薄い層部分により形成されてもよ
い。或いは折出技術の適用は絶縁化学バリヤー層より発
光層の凹部に伝導層及び光電陰極を更に延在させるのを
可能にする。穴又は開口は例えば面の１％以上を覆わな
く、面に亘って適度に均一に分布されることが望まし
い。
【０００５】キャリアから離れた発光層の面は望ましい
実施例で機械的に平滑化される。これは例えば摩擦し、
研磨し又は押圧することで達成されうる；特にそのよう
な平滑面に発光層を回転押圧する場合に、それは光電陰
極用キャリア及び光電陰極自体が均一に、大なる導電率
で折出されうるよう比較的に分離層を用いることで十分
である。従って、像品質は分離層の散乱及び又層厚さに
関しては光電陰極の改善均一性の低Ｘ線吸収の結果とし
て高められうる。
実施例で機械的に平滑化される。これは例えば摩擦し、
研磨し又は押圧することで達成されうる；特にそのよう
な平滑面に発光層を回転押圧する場合に、それは光電陰
極用キャリア及び光電陰極自体が均一に、大なる導電率
で折出されうるよう比較的に分離層を用いることで十分
である。従って、像品質は分離層の散乱及び又層厚さに
関しては光電陰極の改善均一性の低Ｘ線吸収の結果とし
て高められうる。
【０００６】例えば、発光層の蒸着の場合に、表面形状
は局部的に異なってもよく、例えばスクリーン上の半径
方向位置が変化してよい。これらの差は機械的平滑化に
より軽減されえ、光電子ビームの局部均一性を改善す
る。望ましい実施例では、光電子ビームの均一性又は所
望の変化は分離層に半径方向に変わる厚さをつけること
で適用される。従って、口径食を前もって補償する光電
子ビームは例えば電流密度を像周辺部に向って増加させ
ることで実現されうる。かかる層は平滑キャリア面の為
特に本発明によるスクリーンの高精度で形成されうる。
かかる中間層に対する材料の選択に対して、米国特許第
４８３１２４９号が参照されるが、公知のＩＴＯ酸化ア
ルミニウム層も用いられうる。
は局部的に異なってもよく、例えばスクリーン上の半径
方向位置が変化してよい。これらの差は機械的平滑化に
より軽減されえ、光電子ビームの局部均一性を改善す
る。望ましい実施例では、光電子ビームの均一性又は所
望の変化は分離層に半径方向に変わる厚さをつけること
で適用される。従って、口径食を前もって補償する光電
子ビームは例えば電流密度を像周辺部に向って増加させ
ることで実現されうる。かかる層は平滑キャリア面の為
特に本発明によるスクリーンの高精度で形成されうる。
かかる中間層に対する材料の選択に対して、米国特許第
４８３１２４９号が参照されるが、公知のＩＴＯ酸化ア
ルミニウム層も用いられうる。
【０００７】更に望ましい実施例において、局部強度適
合は半径方向に変化するドーピングの度合を有する発光
層を用いることで実現される。公知の如く、蒸着ＣｓＩ
（Ｎａ）は望ましくはＸ線影像増強管の入射スクリーン
に用いられる。半径方向変化、例えば半径と共に増す濃
度は例えば適合蒸着技術を用いることで比較的容易にＮ
ａ濃度に付与されうる。従って、像周辺部に向って増す
電流密度を示す光電子ビームは再び実現されうる。欧州
特許第２８２．０８９号に記載の如く発光層の公知の局
部的により厚い構成により像周辺部での像解像度の損失
が避けられる実値的利点が得られる。
合は半径方向に変化するドーピングの度合を有する発光
層を用いることで実現される。公知の如く、蒸着ＣｓＩ
（Ｎａ）は望ましくはＸ線影像増強管の入射スクリーン
に用いられる。半径方向変化、例えば半径と共に増す濃
度は例えば適合蒸着技術を用いることで比較的容易にＮ
ａ濃度に付与されうる。従って、像周辺部に向って増す
電流密度を示す光電子ビームは再び実現されうる。欧州
特許第２８２．０８９号に記載の如く発光層の公知の局
部的により厚い構成により像周辺部での像解像度の損失
が避けられる実値的利点が得られる。
【０００８】更に望ましい実施例において、Ｘ線影像増
強管は管の電子光装置が考えられる面領域より遮蔽によ
り更に小さい有効入射面領域を有する。その結果、出射
スクリーン上の光電子ビームの改善電子光像は入射スク
リーンの効率の損失なしに実現されうる。特に円形入射
スクリーンは略２５ｃｍから略１５乃至２０ｃｍに減少
される。後者の寸法は望ましくは特別な診断検査に対し
て所望の出射面領域に適合される。従って得られた有効
入射スクリーン面の外の蒸着リンを省くことで、妨害の
ない散乱放射線がその領域で発生されないことが外部遮
断の場合よりよく確実にされうる。
強管は管の電子光装置が考えられる面領域より遮蔽によ
り更に小さい有効入射面領域を有する。その結果、出射
スクリーン上の光電子ビームの改善電子光像は入射スク
リーンの効率の損失なしに実現されうる。特に円形入射
スクリーンは略２５ｃｍから略１５乃至２０ｃｍに減少
される。後者の寸法は望ましくは特別な診断検査に対し
て所望の出射面領域に適合される。従って得られた有効
入射スクリーン面の外の蒸着リンを省くことで、妨害の
ない散乱放射線がその領域で発生されないことが外部遮
断の場合よりよく確実にされうる。
【０００９】更に望ましい実施例において、例えば２５
ｃｍの丸い入射スクリーンは例えば１５×２０の長方形
まで減少される。従って入射像フォーマットは例えば順
次テレビジョンチェーンに対して通常のフォーマットに
対して単純に適合されうる。他の望ましい実施例におい
て、入射発光層は２つのサブ層からなり、光電陰極から
遠い第１のサブ層は医療Ｘ線（例えば６０ＫｅＶまでの
放射線）に対して比較的低い吸収を示すが、光電陰極の
近くに位置する第２の層で発生さるべき二次放射線に対
して比較的高い吸収を示す。従って一方で、望ましくは
ＣｓＩ（Ｋ縁部略３５ＫｅＶ）からなる第２の層からの
Ｋ放射線が効果的に用いられる発光に第１の層で少なく
とも一部が変換されるので、効率が増す。他方で、一次
Ｘ線の比較的大きい部分が２次層の発光に変換され、従
って光分散を減少するので、解像度が改善される。
ｃｍの丸い入射スクリーンは例えば１５×２０の長方形
まで減少される。従って入射像フォーマットは例えば順
次テレビジョンチェーンに対して通常のフォーマットに
対して単純に適合されうる。他の望ましい実施例におい
て、入射発光層は２つのサブ層からなり、光電陰極から
遠い第１のサブ層は医療Ｘ線（例えば６０ＫｅＶまでの
放射線）に対して比較的低い吸収を示すが、光電陰極の
近くに位置する第２の層で発生さるべき二次放射線に対
して比較的高い吸収を示す。従って一方で、望ましくは
ＣｓＩ（Ｋ縁部略３５ＫｅＶ）からなる第２の層からの
Ｋ放射線が効果的に用いられる発光に第１の層で少なく
とも一部が変換されるので、効率が増す。他方で、一次
Ｘ線の比較的大きい部分が２次層の発光に変換され、従
って光分散を減少するので、解像度が改善される。
【００１０】２つの異なるリンからなる発光スクリーン
は米国特許第４７１２０１１号からそれ自体公知である
が、そこでリンが混合されるか、層厚さの横方向に異な
る容積部分で設けられ、これにより解像度の損失が生じ
がちである。第２の層は特にＣｓＩからなり、第１の層
はＣａＷＯ4 のようなＣｓＩの３５ＫｅＶＫ放射線に対
し比較的に高吸収を有するリンと、ゲルマニウム化ビス
マス又はその組合せからなる。
は米国特許第４７１２０１１号からそれ自体公知である
が、そこでリンが混合されるか、層厚さの横方向に異な
る容積部分で設けられ、これにより解像度の損失が生じ
がちである。第２の層は特にＣｓＩからなり、第１の層
はＣａＷＯ4 のようなＣｓＩの３５ＫｅＶＫ放射線に対
し比較的に高吸収を有するリンと、ゲルマニウム化ビス
マス又はその組合せからなる。
【００１１】
【実施例】本発明によるいくつかの望ましい実施例を以
下図面を参照して詳細に説明する。図１に示す如くＸ線
影像増強管１はこの場合遮蔽電極４と、集束電極６とア
ノード８とからなる電子−光装置２からなる。この管に
は入射スクリーン１０及び出射スクリーン１２も設けら
れている。本例では、入射スクリーン１０はキャリア１
４と、発光層１６と、分離層１８と、光電陰極２０とか
らなる。光電陰極２０から生じる影像搬送光電子ビーム
２２は電子光装置２を介して出射スクリーン上に画像さ
れる。出射スクリーン１２で、学習され、写真化され、
映像信号に変換等されうる発光像が出射窓２４を介して
形成される。管外囲器は出射窓２４に加えて望ましくは
金属入射窓２６と、金属壁部分２８と絶縁リング３０と
からなる。入射スクリーンは本実施例で管内の別成分と
して収容されるが、或いはキャリア１４での代わりに入
射窓２６に直接に設けられてもよい。真空窓と入射窓用
基体の分離は基体が電子光要求等に関して最適化されう
るが、真空大気圧遷移を考慮する必要がないという利点
を提供する。実際の場合、キャリア１４はアルミニウム
箔で形成され、発光層１６は略３００乃至５００μｍの
厚さを有するＣｓＩ．Ｎａの層であり、光電陰極は略
０．０１μｍの層厚さを有するＳ９又はＳ２０光電陰極
である。分離層１８は特に発光層と光電陰極の相互汚染
を防ぎ、比較的薄い光電陰極層用に適切に決められた支
持面を構成するのに役立つ。
下図面を参照して詳細に説明する。図１に示す如くＸ線
影像増強管１はこの場合遮蔽電極４と、集束電極６とア
ノード８とからなる電子−光装置２からなる。この管に
は入射スクリーン１０及び出射スクリーン１２も設けら
れている。本例では、入射スクリーン１０はキャリア１
４と、発光層１６と、分離層１８と、光電陰極２０とか
らなる。光電陰極２０から生じる影像搬送光電子ビーム
２２は電子光装置２を介して出射スクリーン上に画像さ
れる。出射スクリーン１２で、学習され、写真化され、
映像信号に変換等されうる発光像が出射窓２４を介して
形成される。管外囲器は出射窓２４に加えて望ましくは
金属入射窓２６と、金属壁部分２８と絶縁リング３０と
からなる。入射スクリーンは本実施例で管内の別成分と
して収容されるが、或いはキャリア１４での代わりに入
射窓２６に直接に設けられてもよい。真空窓と入射窓用
基体の分離は基体が電子光要求等に関して最適化されう
るが、真空大気圧遷移を考慮する必要がないという利点
を提供する。実際の場合、キャリア１４はアルミニウム
箔で形成され、発光層１６は略３００乃至５００μｍの
厚さを有するＣｓＩ．Ｎａの層であり、光電陰極は略
０．０１μｍの層厚さを有するＳ９又はＳ２０光電陰極
である。分離層１８は特に発光層と光電陰極の相互汚染
を防ぎ、比較的薄い光電陰極層用に適切に決められた支
持面を構成するのに役立つ。
【００１２】入射窓２６と、基体１４を有する入射スク
リーン１０と、発光層１６と、中間層１８と、光電陰極
２０と、本実施例での入射スクリーンの入射窓への可能
な追加物とからなると考えれるＸ線影像増強管の入射部
３０は、入射像搬送Ｘ線ビーム２１を高発生量と高解像
度を有する光電子ビーム２２と、電子光装置により出射
スクリーン１２上に画像する最適形状及び構造を有する
該光電子ビーム２２とに変換することを要求される。分
離層１８によりそれに課せられた負の効果は、光電陰極
上の充電現象を防ぐため光電陰極と実質的に均一な層に
亘る分離層用キャリア間の適切な導電率が確保されたま
まであるような方法で、例えばＡｌ2 Ｏ 3 からなる通常
の電気的な絶縁層を蒸着することで示されるスクリーン
で避けられる。分離層用キャリアは発光層の上層と共に
例えば発光層スムーザの面を作るか、発光層と光電陰極
間の改良光整合によりその上に設けられた導電的追加層
で形成されうる。適用スパッタリング技術は例えば分離
層が基体での空調をより浅く覆うが、比較的均一に分散
した開口又は薄い位置が分離層の面に亘って生じること
を確実にするよう用いられうる。従って、充電現象の発
生は化学的分離の妨害減少を生じることなく避けられう
る。
リーン１０と、発光層１６と、中間層１８と、光電陰極
２０と、本実施例での入射スクリーンの入射窓への可能
な追加物とからなると考えれるＸ線影像増強管の入射部
３０は、入射像搬送Ｘ線ビーム２１を高発生量と高解像
度を有する光電子ビーム２２と、電子光装置により出射
スクリーン１２上に画像する最適形状及び構造を有する
該光電子ビーム２２とに変換することを要求される。分
離層１８によりそれに課せられた負の効果は、光電陰極
上の充電現象を防ぐため光電陰極と実質的に均一な層に
亘る分離層用キャリア間の適切な導電率が確保されたま
まであるような方法で、例えばＡｌ2 Ｏ 3 からなる通常
の電気的な絶縁層を蒸着することで示されるスクリーン
で避けられる。分離層用キャリアは発光層の上層と共に
例えば発光層スムーザの面を作るか、発光層と光電陰極
間の改良光整合によりその上に設けられた導電的追加層
で形成されうる。適用スパッタリング技術は例えば分離
層が基体での空調をより浅く覆うが、比較的均一に分散
した開口又は薄い位置が分離層の面に亘って生じること
を確実にするよう用いられうる。従って、充電現象の発
生は化学的分離の妨害減少を生じることなく避けられう
る。
【００１３】図２に示す如くＸ線影像増強管は交換可能
か交換可能でなくダイヤフラム４０からなり、入射スク
リーンの縁部分が散乱放射による妨害のより少ない像を
得るように放射線に露出されないことを確実にする。こ
れは特に例えば比較的小さい対象の最適な、妨害のない
影像が望まれる血管検査にとって魅力的である。ダイヤ
フラム４０は寸法φ＝２５ｃｍを有する入射スクリーン
から寸法φ＝１５乃至２０ｃｍを有する能動入射スクリ
ーンを形成するか、又は例えば２０×２０ｃｍ 2 が、例
えば２５×１７ｃｍ2 （モニター像形状）の寸法とされ
た映像チェーン又は長方形像（テレビジョン影像管）に
用いられる正方形像（ＣＣＤカメラ）を形成する。管が
もっぱら該特別な検査を目的とする場合、散乱放射線減
少の見地から、ダイヤフラムは望ましくは省かれ、入射
スクリーンそれ自体、即ち発光層及び光電陰極は減少し
た形状とされる。環境へのＸ線散乱又はその領域での光
電陰極への光散乱による散乱放射線も避けられる。効率
の利得はその第２の層１６−ｂで発生さるべき２次Ｘ線
に対して高吸収を有する第１の層１６−ａとして発光層
１６を構成することで達成される。次に第１の層は望ま
しくは例えば６０ＫｅＶの一次Ｘ線に対して比較的低い
吸収を有する。ＣｓＩの二次放射は略３５ＫｅＶであ
る。
か交換可能でなくダイヤフラム４０からなり、入射スク
リーンの縁部分が散乱放射による妨害のより少ない像を
得るように放射線に露出されないことを確実にする。こ
れは特に例えば比較的小さい対象の最適な、妨害のない
影像が望まれる血管検査にとって魅力的である。ダイヤ
フラム４０は寸法φ＝２５ｃｍを有する入射スクリーン
から寸法φ＝１５乃至２０ｃｍを有する能動入射スクリ
ーンを形成するか、又は例えば２０×２０ｃｍ 2 が、例
えば２５×１７ｃｍ2 （モニター像形状）の寸法とされ
た映像チェーン又は長方形像（テレビジョン影像管）に
用いられる正方形像（ＣＣＤカメラ）を形成する。管が
もっぱら該特別な検査を目的とする場合、散乱放射線減
少の見地から、ダイヤフラムは望ましくは省かれ、入射
スクリーンそれ自体、即ち発光層及び光電陰極は減少し
た形状とされる。環境へのＸ線散乱又はその領域での光
電陰極への光散乱による散乱放射線も避けられる。効率
の利得はその第２の層１６−ｂで発生さるべき２次Ｘ線
に対して高吸収を有する第１の層１６−ａとして発光層
１６を構成することで達成される。次に第１の層は望ま
しくは例えば６０ＫｅＶの一次Ｘ線に対して比較的低い
吸収を有する。ＣｓＩの二次放射は略３５ＫｅＶであ
る。
【図１】本発明によるＸ線影像増強管を示す図である。
【図２】縮小された入射スクリーンを有するかかる管を
示す図である。
示す図である。
１ Ｘ線影像増強管 ２ 電子光装置 ４ 遮蔽電極 ６ 集束電極 ８ アノード １０ 入射スクリーン １２ 出射スクリーン １４ キャリア １６ 発光層 １８ 分離層 ２０ 光電陰極 ２２ 像搬送光電子ビーム ２４ 出射窓 ２６ 入射窓 ２８ 金属壁部分 ３０ 絶縁リング ４０ ダイアフラム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヘンリク フランシスカ コルネリス デ ィーベル オランダ国 5621 ベーアー アインド− フェン フルーネヴァウツウェッハ １番 地 (72)発明者 ティエメン プールター オランダ国 ヒールレン ヤン カンペル ストラート ５番地 (72)発明者 アウグストゥ レオナルト ヘルマン シ モン オランダ国 ヒールレン ヤン カンペル ストラート ５番地 (72)発明者 ヨーニー ヴィルヘルム ファン デル ベルデン オランダ国 ヒールレン ヤン カンペル ストラート ５番地
Claims (17)
- 【請求項１】 入射窓と、入射発光層を有する入射スク
リーンと、光電陰極とを含む入射部と、出射窓と、出射
発光スクリーンとからなるＸ線増強管であって、入射部
は高量子効率を増加解像度と一体化することを特徴とす
るＸ線影像増強管。 - 【請求項２】 発光層と光電陰極間に設けられる化学的
分離層は光電陰極と、光電陰極の妨害充電現象を防ぐよ
う分離層に対する導電キャリア層との間に導電接触を示
すことを特徴とする請求項１記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項３】 分離層は面に亘って適度に均一に分布し
た穴のパターンからなる請求項２記載のＸ線影像増強
管。 - 【請求項４】 分離層は面に亘って適度に均一に分布さ
れ、電子トンネルを可能にする薄い部分のパターンを示
すことを特徴とする請求項２又は３記載のＸ線影像増強
管。 - 【請求項５】 穴と又は薄い部分の結合面領域は層の全
体面領域の最大で略１％になることを特徴とする請求項
２乃至５のうちいずれか一項記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項６】 キャリア層は高密度パッキングの比較的
薄いＣｓＩ層により形成されることを特徴とする請求項
２乃至５のうちいずれか一項記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項７】 分離層は散乱インジウム酸化スズと、Ａ
ｌ2 Ｏ3 とからなることを特徴とする請求項２乃至６の
うちいずれか一項記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項８】 遮蔽は効果的入射スクリーンが管の電子
光装置が考える面より小さいように用いられることを特
徴とする請求項１乃至７のうちいずれか一項記載のＸ線
影像増強管。 - 【請求項９】 遮蔽はＸ線を吸収する材料からなること
を特徴とする請求項８記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項１０】 略２５ｃｍの直径を有する丸い入射ス
クリーンは略１５乃至２０ｃｍの直径を有するスクリー
ンに減少されることを特徴とする請求項８又は９のうち
一項記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項１１】 丸い入射スクリーンはそれにより囲ま
れた長方形有効スクリーンに減少されたことを特徴とす
る請求項８乃至１０のうちいずれか一項記載のＸ線影像
増強管。 - 【請求項１２】 入射発光層は２つのサブ層からなり、
光電陰極から離間する第１のサブ層は光電陰極の近くの
第２のサブ層から二次放射線に対して高吸収を示すこと
を特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか一項記載
のＸ線影像増強管。 - 【請求項１３】 第２のサブ層は第１のサブ層より高い
一次Ｘ線に対する吸収を示すことを特徴とする請求項１
２記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項１４】 第２のサブ層はＣｓＩからなり、第１
のサブ層はＣｓＩのＫアルファ放射線に対して高吸収を
有する発光材料からなる請求項１２又は１３記載のＸ線
影像増強管。 - 【請求項１５】 第１のサブ層はＣｓＩからなり、第２
の層はＣａＷＯ4 とゲルマニウム化ビスマス又はその組
合せから選択されることを特徴とする請求項１２，１３
及び１４のうちいずれか一項記載のＸ線影像増強管。 - 【請求項１６】 化学分離層はスクリーン半径が変化す
る厚さを有することを特徴とする請求項１乃至１５のう
ちいずれか一項記載のＸ線影像Ｘ線管。 - 【請求項１７】 入射発光層はスクリーン半径が変化す
るドーピング密度を有することを特徴とする請求項１乃
至１７のうちいずれか一項記載のＸ線影像増強管。
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