JPS61228610A - ウエハ処理装置 - Google Patents
ウエハ処理装置Info
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- JPS61228610A JPS61228610A JP60067909A JP6790985A JPS61228610A JP S61228610 A JPS61228610 A JP S61228610A JP 60067909 A JP60067909 A JP 60067909A JP 6790985 A JP6790985 A JP 6790985A JP S61228610 A JPS61228610 A JP S61228610A
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- Japan
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- wafer cassette
- cassette
- finger
- sensor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Warehouses Or Storage Devices (AREA)
- Sheets, Magazines, And Separation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔分 野〕
本発明は高密度集積回路部−造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。
従来この種の装置においては、その精密度、生産性、占
有面積等に難点が存し、特にウェハカセットの交換の際
にはウェハカセット識別情報を制御部に手動指示する必
要があった− 〔目 的〕 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性、小型
化等の特徴を備え、特にウニＩ＼カセットの交換が自動
的に行なわれ得るウェハ処理装置を提供することを目的
とする。
有面積等に難点が存し、特にウェハカセットの交換の際
にはウェハカセット識別情報を制御部に手動指示する必
要があった− 〔目 的〕 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性、小型
化等の特徴を備え、特にウニＩ＼カセットの交換が自動
的に行なわれ得るウェハ処理装置を提供することを目的
とする。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概観図にして、ＷＫ １−ＷＫ ４はウェハＷＦを多数
枚収納する４個のウェハカセットで、各々開口部を対向
させて２段に積層する。ＷＫＤ １ 、ＷＫＤ２は各２
段のウェハカセットを連動して各々上下動させるための
駆動部、ＦＧはウェハ載置用のフィンガ、ＡＭＩ。
概観図にして、ＷＫ １−ＷＫ ４はウェハＷＦを多数
枚収納する４個のウェハカセットで、各々開口部を対向
させて２段に積層する。ＷＫＤ １ 、ＷＫＤ２は各２
段のウェハカセットを連動して各々上下動させるための
駆動部、ＦＧはウェハ載置用のフィンガ、ＡＭＩ。
ＡＭ２はアーム、Ｇｌ、Ｇ２．Ｇ３は軸でフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを上下動及び回転自在に移動可能にす
るための駆動部である。ウェハカセットＷＫからアーム
ＡＭＩ。
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを上下動及び回転自在に移動可能にす
るための駆動部である。ウェハカセットＷＫからアーム
ＡＭＩ。
ＡＭ２及びフィンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦ
はセンタリングハンドＣＨによって中心出しが行なわれ
ＸＹステージＳＴ上のウェハチャックＷＣ上に移される
。移されたウェハＷＦは静電容量型センサＱＳによって
再位置決めされる。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラ
ＴＶＫ及びテレビモニタＴＶＤによって目視手動または
自動位置決めされる。
はセンタリングハンドＣＨによって中心出しが行なわれ
ＸＹステージＳＴ上のウェハチャックＷＣ上に移される
。移されたウェハＷＦは静電容量型センサＱＳによって
再位置決めされる。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラ
ＴＶＫ及びテレビモニタＴＶＤによって目視手動または
自動位置決めされる。
ウェハチャックＷＣにセンタリングハンドＣＨにより正
確に位置決めされたウェハＷＦはｘＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察による
ウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプローブ端子との
位置合せが行なわれる。その後所定のチップテスト動作
が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフィンガＦＧ、
アームＡＭＩ 、ＡＭ２によりウエハカセツ）ＷＫの元
の位置に戻され、以上の動作を繰り返すことによりチッ
プテスト動作が行なわれる。第２．第３図は第１図の要
部側面図及び上面図でウェハカセットＷＫからの取出し
。
確に位置決めされたウェハＷＦはｘＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察による
ウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプローブ端子との
位置合せが行なわれる。その後所定のチップテスト動作
が行なわれ、テスト終了後ウェハＷＦはフィンガＦＧ、
アームＡＭＩ 、ＡＭ２によりウエハカセツ）ＷＫの元
の位置に戻され、以上の動作を繰り返すことによりチッ
プテスト動作が行なわれる。第２．第３図は第１図の要
部側面図及び上面図でウェハカセットＷＫからの取出し
。
収納の様子を示す図である０例えばウェハカセットＷＫ
４はウエハカセツ）ＷＫ３と共にウェハカセット駆動部
ＷＫＤにより所定の位置まで上昇される。フィンガＦＧ
及びアームＡＭＩ。
４はウエハカセツ）ＷＫ３と共にウェハカセット駆動部
ＷＫＤにより所定の位置まで上昇される。フィンガＦＧ
及びアームＡＭＩ。
ＡＭ２はアーム伸縮駆動部ＡＤにより左右に移ＤＬウェ
ハＷＦ １−ＷＦ４等の取出し、収納を行なう、アーム
伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤにより上下動され、ウェ
ハＷＦＩ−ＷＦ４等の中から特定のウェハの選択を行な
う０ＭＯはアーム伸縮駆動部ＡＤに回転運動を与える駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう、ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭ
は半導体レーザ源ＬＺからのレーザ光ＬＷをウェハカセ
ット側へ向けて照射するハーフミラ−で、ウェハカセッ
ト外端に設けられた全反射ミラーＦＭで反射したレーザ
光ＬＷｔ−透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する
。半導体レーザセンサＰＳはこの反射レーザ光を検出す
ることによりウェハＷＦの現在位置を確実に知ることが
でき、フィンガＦＧとウェハＷＦの衝突等の誤動作を防
止することができる。また光源として半導体レーザ源を
用いたので発光ダイオード等に比べてウニ／入位置検出
精度は格段に向上する。またウェハ取出し及び収納を兼
用するウェハカセットを多数設定できるのでウェハ処理
速度が格段に向上する。ざら１＃ ＋ Ｈ，ｍ
ｆｆｉ （４１１Ｌ ＋Ｌ＋ −、−ふ ｗ ｍ
Ｌ ’ＭＡ ｔｌ＋ｌ −Ｉ Ｌ”
桃＃■ＫＣ３，ＫＣ４等も読取らせることができる
。
ハＷＦ １−ＷＦ４等の取出し、収納を行なう、アーム
伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤにより上下動され、ウェ
ハＷＦＩ−ＷＦ４等の中から特定のウェハの選択を行な
う０ＭＯはアーム伸縮駆動部ＡＤに回転運動を与える駆
動部で、ウェハカセットＷＫとウェハチャックＷＣ間の
ウェハ搬送動作を行なう、ＬＺは半導体レーザ源、ＨＭ
は半導体レーザ源ＬＺからのレーザ光ＬＷをウェハカセ
ット側へ向けて照射するハーフミラ−で、ウェハカセッ
ト外端に設けられた全反射ミラーＦＭで反射したレーザ
光ＬＷｔ−透過させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する
。半導体レーザセンサＰＳはこの反射レーザ光を検出す
ることによりウェハＷＦの現在位置を確実に知ることが
でき、フィンガＦＧとウェハＷＦの衝突等の誤動作を防
止することができる。また光源として半導体レーザ源を
用いたので発光ダイオード等に比べてウニ／入位置検出
精度は格段に向上する。またウェハ取出し及び収納を兼
用するウェハカセットを多数設定できるのでウェハ処理
速度が格段に向上する。ざら１＃ ＋ Ｈ，ｍ
ｆｆｉ （４１１Ｌ ＋Ｌ＋ −、−ふ ｗ ｍ
Ｌ ’ＭＡ ｔｌ＋ｌ −Ｉ Ｌ”
桃＃■ＫＣ３，ＫＣ４等も読取らせることができる
。
即ちＫＯ２，ＫＯ４等は論理ｒｌＪ 、ｒＱＪを表わす
コードから成り、これをセンサＰＳが上下及びまたは水
平方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取リカセッ
トＮＯ等を知ることができる。
コードから成り、これをセンサＰＳが上下及びまたは水
平方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取リカセッ
トＮＯ等を知ることができる。
第４図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す図で、ＷＣＮはウェハを識別するコード情報で
、ウニ八番号、ウェハカセット番号、ロフト番号等が準
備される。この情報の書込にはレクチル原板からの露光
焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、この情報の
読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用いられる。
例を示す図で、ＷＣＮはウェハを識別するコード情報で
、ウニ八番号、ウェハカセット番号、ロフト番号等が準
備される。この情報の書込にはレクチル原板からの露光
焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、この情報の
読取りには第１図のテレビカメラＴＶＫが用いられる。
ＣＨＰは検査される９回路チップ領域を示す。
第５図はウエハカセツ１−ＷＫの開口部を見た正面図で
、第４図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を
示す、ここでウェハＷＦ２゜ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにつエバは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前にあらかじめ各ウェハの位置
を正確に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即
ち各ウェハ間の中心位置ＰＩ−Ｐ２６等を算出しておけ
ば良１、％。
、第４図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を
示す、ここでウェハＷＦ２゜ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにつエバは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前にあらかじめ各ウェハの位置
を正確に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即
ち各ウェハ間の中心位置ＰＩ−Ｐ２６等を算出しておけ
ば良１、％。
第６図はフィンガ出入制御手順を示すフローチャートで
第１図のリードオンリーメモリＲＯＭにマイクロ命令と
して格納されているもので、以下この手順に従って動作
を説明する。
第１図のリードオンリーメモリＲＯＭにマイクロ命令と
して格納されているもので、以下この手順に従って動作
を説明する。
ステップＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレー
ザセンサＰＳを所定の原点位置例えば第５図の最下辺位
置から上昇を始め、ウェハ位置検出を開始する。センサ
ＰＳが最初のウニノーＦ１を検出した段階で最初の距離
ｄｌが決定され、同様に２枚目のウェハＷＦ２の最低部
を検出した段階で距離ｄ２が決定され、ステップＳＡ２
にてｄｉ、ｄ２を第１図のランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍに記憶させる。
ザセンサＰＳを所定の原点位置例えば第５図の最下辺位
置から上昇を始め、ウェハ位置検出を開始する。センサ
ＰＳが最初のウニノーＦ１を検出した段階で最初の距離
ｄｌが決定され、同様に２枚目のウェハＷＦ２の最低部
を検出した段階で距離ｄ２が決定され、ステップＳＡ２
にてｄｉ、ｄ２を第１図のランダムアクセスメモリＲＡ
Ｍに記憶させる。
次いでステップＳＡ３で各ウェハ間の中心位置を求ａ’
）６１／） ｄ ｌ／２ 、 ｄ ２／２ ヲＭ １図
のマイクロプロセッサＭＰＵが算出し、６値をＲＡＭに
記憶させる。この高々２箇所の距離ｄｌ、ｄ２を計測す
るのみで最初のウェハＷＦｌの正確な取出し、収納は可
能なのでセンサＰＳをステップＳＡ４にて原点まで下降
させる０次いでウェハＷＦＩの取出しのためにフィンガ
ＦＧをステップＳＡ３で算出したｄ １／２の位置まで
上昇させる。これにより第５図の最安全点ＰＩにフィン
ガＦＧを位置させることができる。この地点ｐ１でフィ
ンガＦＧをアームＡＭＩ、ＡＭ２により伸長させウェハ
カセットＷＫに挿入（ステップ５ＡＤ）させ、次いで更
にｄ１／２だけフィンガＦＧを上昇（ステップ５Ａ７）
させる、これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下
面に接触することができるので、不図示の真空吸引機構
がオンとな□って作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦＩ
を吸着（ステップ５Ａ８）Ｌ、その後ざらにｄ２／２だ
け上昇（ステップ５Ａ９）させる０次いでフィンガＦＧ
はウェハＷＦ２を吸着したままウェハカセットＷＫから
引抜（ステップＳＡ １０）かれ、’） ｚ ハＷ Ｆ
ｌ ｔ−Ｘ Ｙ スｆ−ジＳＴに７一ムＡＭ１ 、Ａ
Ｍ２により移送（ステップ５ＡＩＩ）され、回路焼付、
検査等の処理（ステップ５Ａ１２）が行なわれ、処理が
終了すると処理済みウェハＷＦＩはＸＹステージＳＴか
らフィンガＦＧに回収、再び吸着（ステップＳＡ ｌ
３）されて第５図の原点（最下辺位置）に回動して対向
待機する。ウェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを
今度は第５図のｄ １ ＋ ｄ ２／２の位置即ち安全
点Ｐ２まで上昇（ステップ５Ａ１４）させる、この位置
Ｐ２にてフィンガＦＧをウェハカセットＷＫにアームＡ
ＭＩ、ＡＭ２により挿入（ステップ５Ａ１５）する０次
いでフィンガＦＧＩ）ｄ ２／２だけ下降（ステップ５
Ａ１６）させる、これによりウェハＷＦＩは元の位置の
突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフとさ
れるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステッ
プ５Ａ１７）され、その後フィンガＦＧをさらにｄ２／
２だけ下降（ステップＳ Ａ ｌ ８）され、次いでフ
ィンガＦＧだけがカセツ）ＷＫから引抜（ステップ５Ａ
１９）かれる０以上の制御によりウェハＷＦＩの取出し
、収納が正確、安全に行なわれる０次いでウェハＷＦ２
の取出し、収納時には今度はセンサＰＳがｄ２ 、ｄ３
を計測、ｄ２／２、ｄ３／２を算出、記憶させて上記と
同様の制御を行なう、したがって各ウェハの全ての位置
ｄｌ−ｄ２Ｂを記憶させる必要がなく高々２個所ｄｎ、
ｄｎ＋１の記憶番地があれば良いのでメモリ節約効果が
大となるものである。しかし各ウェハの全ての位置を記
憶させても良い。
）６１／） ｄ ｌ／２ 、 ｄ ２／２ ヲＭ １図
のマイクロプロセッサＭＰＵが算出し、６値をＲＡＭに
記憶させる。この高々２箇所の距離ｄｌ、ｄ２を計測す
るのみで最初のウェハＷＦｌの正確な取出し、収納は可
能なのでセンサＰＳをステップＳＡ４にて原点まで下降
させる０次いでウェハＷＦＩの取出しのためにフィンガ
ＦＧをステップＳＡ３で算出したｄ １／２の位置まで
上昇させる。これにより第５図の最安全点ＰＩにフィン
ガＦＧを位置させることができる。この地点ｐ１でフィ
ンガＦＧをアームＡＭＩ、ＡＭ２により伸長させウェハ
カセットＷＫに挿入（ステップ５ＡＤ）させ、次いで更
にｄ１／２だけフィンガＦＧを上昇（ステップ５Ａ７）
させる、これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下
面に接触することができるので、不図示の真空吸引機構
がオンとな□って作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦＩ
を吸着（ステップ５Ａ８）Ｌ、その後ざらにｄ２／２だ
け上昇（ステップ５Ａ９）させる０次いでフィンガＦＧ
はウェハＷＦ２を吸着したままウェハカセットＷＫから
引抜（ステップＳＡ １０）かれ、’） ｚ ハＷ Ｆ
ｌ ｔ−Ｘ Ｙ スｆ−ジＳＴに７一ムＡＭ１ 、Ａ
Ｍ２により移送（ステップ５ＡＩＩ）され、回路焼付、
検査等の処理（ステップ５Ａ１２）が行なわれ、処理が
終了すると処理済みウェハＷＦＩはＸＹステージＳＴか
らフィンガＦＧに回収、再び吸着（ステップＳＡ ｌ
３）されて第５図の原点（最下辺位置）に回動して対向
待機する。ウェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを
今度は第５図のｄ １ ＋ ｄ ２／２の位置即ち安全
点Ｐ２まで上昇（ステップ５Ａ１４）させる、この位置
Ｐ２にてフィンガＦＧをウェハカセットＷＫにアームＡ
ＭＩ、ＡＭ２により挿入（ステップ５Ａ１５）する０次
いでフィンガＦＧＩ）ｄ ２／２だけ下降（ステップ５
Ａ１６）させる、これによりウェハＷＦＩは元の位置の
突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフとさ
れるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステッ
プ５Ａ１７）され、その後フィンガＦＧをさらにｄ２／
２だけ下降（ステップＳ Ａ ｌ ８）され、次いでフ
ィンガＦＧだけがカセツ）ＷＫから引抜（ステップ５Ａ
１９）かれる０以上の制御によりウェハＷＦＩの取出し
、収納が正確、安全に行なわれる０次いでウェハＷＦ２
の取出し、収納時には今度はセンサＰＳがｄ２ 、ｄ３
を計測、ｄ２／２、ｄ３／２を算出、記憶させて上記と
同様の制御を行なう、したがって各ウェハの全ての位置
ｄｌ−ｄ２Ｂを記憶させる必要がなく高々２個所ｄｎ、
ｄｎ＋１の記憶番地があれば良いのでメモリ節約効果が
大となるものである。しかし各ウェハの全ての位置を記
憶させても良い。
第７図は第１図の４個のウェハカセットの処理方式の複
数モードを示すフローチャートで、前例同様にその命令
がＲＯＭに格納されている。即ち互いに開口部が対向し
ている２対のウェハカセットＷＫ ｌ ＋ＷＫ ３ 、
ＷＫ ２ ＋ＷＫ ４を利用して各カセットをウェハ
の取出し、収納の両面に用いるモードかまたは取出し、
収納各専用に用いるモードかを選択できるようにした制
御例を示すものである０例えば検査したウェハが不良品
であることが判明した場合、取出したときと同じ元の位
置に戻さないでエラーウェハをまとめて専用カセットに
収納したい場合がある。またウェハの処理速度向上即ち
ウェハカセットの交換時間を節約したい場合もある。し
たがって上記両モードを好適に選択できるようにすれば
使い勝手が向上し好ましい、第７図のステップＳＢＩで
はまずどちらのモードで動作させるかを判別する。これ
には第１図のＲＡＭ内の特定フラグを調べ、特定フラグ
が例えば「ｌ」であればステップ５Ｂ２１即ち取出し、
収納の両用モードに、ｒＯ」であればステップＳＢ７即
ち取出し、収納専用モードに各々進む、ステップ５Ｂ２
１に進んだときはウェハカセットＷＫＩ、ＷＫ２の各ウ
ェハを順に取出し、検査等の処理終了後、元の場所に収
納する。この動作制御前述の第６図の制御手順に従って
進められる。ウエハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２を処理して
いる時間中にステップ５Ｂ２２によりウェハカセットＷ
Ｋ３．ＷＫ４を処理予定のウェハが収納されている新し
いものと交換する。ウエハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の全
てのウェハの処理が終了するとステップ５Ｂ４１．５Ｒ
４２に進む、ステップ５Ｂ４１ではステップ５Ｂ２１と
同様にウェハカセットＷＫ３．ＷＫ４の各ウェハを順に
取出し、処理した後、元の場所トルに収納する動作を行
なう、同時にクエへカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の新旧交換
を行なう、ウエハカセツ）ＷＫ３の処理前にウェハカセ
ット識別用コード情報をマーク板ＫＣ３からセンサＰＳ
により読取らせＲＡＭに記憶させても良い、このように
構成すればウェハカセットの供給管理の際の無人化が促
進され、また環境のクリーン度の維持も容易となる。ま
たウェハカセットの識別用の専門のセンサも省略される
ので小型に構成でキ、シたがって広いクリーンルームが
不要となり、クリーンルームの維持費用も安価となる。
数モードを示すフローチャートで、前例同様にその命令
がＲＯＭに格納されている。即ち互いに開口部が対向し
ている２対のウェハカセットＷＫ ｌ ＋ＷＫ ３ 、
ＷＫ ２ ＋ＷＫ ４を利用して各カセットをウェハ
の取出し、収納の両面に用いるモードかまたは取出し、
収納各専用に用いるモードかを選択できるようにした制
御例を示すものである０例えば検査したウェハが不良品
であることが判明した場合、取出したときと同じ元の位
置に戻さないでエラーウェハをまとめて専用カセットに
収納したい場合がある。またウェハの処理速度向上即ち
ウェハカセットの交換時間を節約したい場合もある。し
たがって上記両モードを好適に選択できるようにすれば
使い勝手が向上し好ましい、第７図のステップＳＢＩで
はまずどちらのモードで動作させるかを判別する。これ
には第１図のＲＡＭ内の特定フラグを調べ、特定フラグ
が例えば「ｌ」であればステップ５Ｂ２１即ち取出し、
収納の両用モードに、ｒＯ」であればステップＳＢ７即
ち取出し、収納専用モードに各々進む、ステップ５Ｂ２
１に進んだときはウェハカセットＷＫＩ、ＷＫ２の各ウ
ェハを順に取出し、検査等の処理終了後、元の場所に収
納する。この動作制御前述の第６図の制御手順に従って
進められる。ウエハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２を処理して
いる時間中にステップ５Ｂ２２によりウェハカセットＷ
Ｋ３．ＷＫ４を処理予定のウェハが収納されている新し
いものと交換する。ウエハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の全
てのウェハの処理が終了するとステップ５Ｂ４１．５Ｒ
４２に進む、ステップ５Ｂ４１ではステップ５Ｂ２１と
同様にウェハカセットＷＫ３．ＷＫ４の各ウェハを順に
取出し、処理した後、元の場所トルに収納する動作を行
なう、同時にクエへカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の新旧交換
を行なう、ウエハカセツ）ＷＫ３の処理前にウェハカセ
ット識別用コード情報をマーク板ＫＣ３からセンサＰＳ
により読取らせＲＡＭに記憶させても良い、このように
構成すればウェハカセットの供給管理の際の無人化が促
進され、また環境のクリーン度の維持も容易となる。ま
たウェハカセットの識別用の専門のセンサも省略される
ので小型に構成でキ、シたがって広いクリーンルームが
不要となり、クリーンルームの維持費用も安価となる。
以上の手順をくり返し全カセットが終了したことをセン
サＰＳ及びＭＰＵが判別すると停止する。ステップＳＤ
Ｉで取出し、収納各専用モードであると判別されたとき
はステップＳＢ７に進む、ステップＳＢ７ではウェハカ
セットＷＫＩからウェハを取出し、処理した後、正常な
ウェハはウェハカセットＷＫＩに戻し、エラーウェハは
対向するウェハカセッ）ＷＫ３に収納する。このときの
収納方法は標準のウェハカセツ）ＷＫのウェハ支持用突
起ＫＲ，ＫＬの位置があらかじめＲＯＭまたはＲＡＭに
記′憶されているので、それを読出すことによりフィン
ガＦＧの位置制御が行なわれる。ウェハヵセッ）ＷＫＩ
が終了するとウェハカセットＷＫ２に移行し、前述同様
にエラーウェハは対向するウェハカセットＷＫ４に収納
される。ウェハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の全ウェハの処
理が終了するとステップＳＢ９に進み、ウェハカセット
ＷＫ ｌ −ＷＫ ４の全てが新カセットと交換される
。当然の如く新カセッ）ＷＫＩ、ＷＫ２には処理前のウ
ェハが収納されており、新カセットＷＫ３．ＷＫ４は空
とされる。所定の全カセットが終了したことをセンサＰ
Ｓ及びＭＰＵが判別すると停止する。
サＰＳ及びＭＰＵが判別すると停止する。ステップＳＤ
Ｉで取出し、収納各専用モードであると判別されたとき
はステップＳＢ７に進む、ステップＳＢ７ではウェハカ
セットＷＫＩからウェハを取出し、処理した後、正常な
ウェハはウェハカセットＷＫＩに戻し、エラーウェハは
対向するウェハカセッ）ＷＫ３に収納する。このときの
収納方法は標準のウェハカセツ）ＷＫのウェハ支持用突
起ＫＲ，ＫＬの位置があらかじめＲＯＭまたはＲＡＭに
記′憶されているので、それを読出すことによりフィン
ガＦＧの位置制御が行なわれる。ウェハヵセッ）ＷＫＩ
が終了するとウェハカセットＷＫ２に移行し、前述同様
にエラーウェハは対向するウェハカセットＷＫ４に収納
される。ウェハカセツ）ＷＫＩ、ＷＫ２の全ウェハの処
理が終了するとステップＳＢ９に進み、ウェハカセット
ＷＫ ｌ −ＷＫ ４の全てが新カセットと交換される
。当然の如く新カセッ）ＷＫＩ、ＷＫ２には処理前のウ
ェハが収納されており、新カセットＷＫ３．ＷＫ４は空
とされる。所定の全カセットが終了したことをセンサＰ
Ｓ及びＭＰＵが判別すると停止する。
以上の如く本発明はその高生産性、小型化、自動化に極
めて多大に寄与し得るものである。
めて多大に寄与し得るものである。
第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４図
はウェハの正面図、第５図はウェハカセットの開口正面
図、第６図、第７図は制御用フローチャート図である。 Ｆ Ｇ−−一−フィンガ ＡＭ−−−−アーム ｐ ５−−−−センサ Ｗ Ｋ−−−−ウェハカセット Ｗ Ｋ Ｄ−−−−ウェハカセット駆動部Ｍ Ｐ Ｕ−
−−−マイクａプロセッサＲＯＭ−−−−リードオンリ
メモリ
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４図
はウェハの正面図、第５図はウェハカセットの開口正面
図、第６図、第７図は制御用フローチャート図である。 Ｆ Ｇ−−一−フィンガ ＡＭ−−−−アーム ｐ ５−−−−センサ Ｗ Ｋ−−−−ウェハカセット Ｗ Ｋ Ｄ−−−−ウェハカセット駆動部Ｍ Ｐ Ｕ−
−−−マイクａプロセッサＲＯＭ−−−−リードオンリ
メモリ
Claims (2)
- （１）ウェハカセットの識別情報を読取るウェハカセッ
ト識別情報読取り手段を備えたことを特徴とするウェハ
処理装置。 - （２）前記読取り手段はウェハ位置の検出機能を兼備す
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のウ
ェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067909A JPS61228610A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60067909A JPS61228610A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61228610A true JPS61228610A (ja) | 1986-10-11 |
Family
ID=13358499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60067909A Pending JPS61228610A (ja) | 1985-04-03 | 1985-04-03 | ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61228610A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63267601A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | マスク管理設備 |
| JPH0677305A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体処理装置及び方法並びに半導体処理装置モジュール |
| JP2011025378A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Oji Paper Co Ltd | Ｉｃチップ内蔵紙の断裁方法 |
| CN110382169A (zh) * | 2017-03-08 | 2019-10-25 | 梵尼克斯有限公司 | 用于印刷网板单元的保管箱 |
-
1985
- 1985-04-03 JP JP60067909A patent/JPS61228610A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63267601A (ja) * | 1987-04-24 | 1988-11-04 | Mitsubishi Electric Corp | マスク管理設備 |
| JPH0677305A (ja) * | 1992-07-30 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体処理装置及び方法並びに半導体処理装置モジュール |
| JP2011025378A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Oji Paper Co Ltd | Ｉｃチップ内蔵紙の断裁方法 |
| CN110382169A (zh) * | 2017-03-08 | 2019-10-25 | 梵尼克斯有限公司 | 用于印刷网板单元的保管箱 |
| CN110382169B (zh) * | 2017-03-08 | 2022-09-02 | 梵尼克斯有限公司 | 用于印刷网板单元的保管箱 |
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