JPS6236229A - ウエハ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハのα理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理装置に関する。

［従来技術］ 従来この種の装置においては、そのｆｉ密度、生産性及
び占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収
納の際の処理速度が遅かった。

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上させたウェハ処理装置を提供すること
を目的とする。

［実施例］ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハプローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫｌ　。

ＷＫ４はウェハＷＦを多数枚収納する４個のウエハカセ
ッ１〜で、各々開口部を対向させて２段に積層する。Ｗ
ＫＤｌ、ＷＫＤ２は各２段のウェハカセットを支持板Ｋ
Ｓを介し連動して各々上下動させるための駆動部、ＦＧ
はウェハ搭載用のフィンガ、ＡＭｌ　、ＡＭ２はアーム
である。Ｇ１　、　Ｇ２　。

Ｇ３は軸で、アームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィンガＦＧ
が伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記ア
ーム及びフィンガを伸縮自在に移動するための駆動部で
ある。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガ
を搭載して上下移動及び回ＵＪ自在に構成されている。

ウェハカセットＷＫからアームΔＭｌ　、ＡＭ２及びフ
ィンガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリン
グハンドＣＨによって中心出しされＸＹステージＳＴ上
のウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷ
Ｆは静電容】型センサＱＳに、よって再位置決めされる
。またこのときテレビ（丁ｖ）゛カメラＴＶＫ及びテレ
ビモニタＴＶＤに゛よって目視手動または自動位置決め
される。

センタリングハンドＣＨによりウェハチャックＷＣに正
確に位置決めされたウェハＷＦはＸＹステージＳＴの移
動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察または
自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示のプロー
ブ端子との位置合じが行なわれる。その後所定の・チッ
プテスト動作が行なわれ、テ・スト終了後ウェハＷＦは
フィンガＦＧ１アームＡＭ１　、ＡＭ２によりウェハカ
レットＷＫの元の位置に戻される。以・上の動作を繰り
返すことににリウエハカセットＷＫ内の各ウニ［八！Ｆ
について順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガＦＧ及びアームＡＭ
１．ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向に９０°回転し
ている。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４は
ウェハカセットＷ１１と共にウニ八カセット駆動部ＷＫ
Ｄ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上界さ
れる。

フィンガＦＧ及びアームＡＭ１　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷ１：１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行な
う。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇降機構ＨＤの可動板ＥＢ
により基台ＫＯと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ
４等の中から特定のウェハの選択を行なう。ＭＯはアー
ム伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転
駆動部で、ウェハカセットＷＫとウニ゛ハチャックＷＣ
間のウェハ搬送動作を行なう。　　　　　□ＬＺは半導
体レーザ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺからのレーザ光
しＷをウェハカセット側へ向けて照射するハーフミラ−
°で、ウェハカセット外端に設けられた全反射ミラーＦ
Ｍ（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレーザ光［Ｗを透
痛させ半導体レーザセンサＰＳに伝達する。保護ケース
ＳＢ内の半導体レーザセンサＰＳはこの反射レーザ光を
検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じｔレーデ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板しＳが
板ＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔Ｌ１−１が設け
られ、第２図の位置でシー１ア光は孔ＬＨを貫通し、第
１図の位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

さらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、＠長形状の半導
□体し−ザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ
内に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルスモータＳ
Ｍどの共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−Ｈ
Ｍ、半導体装置ザセンサＰＳは第２，３図の如くフィン
ガＦＧの伸びる方向とは反対側の位置に配置する。これ
によりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されること
なくかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この
伸縮アームにはウェハ吸引用の真空チューブＴＵが貫通
、溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これによ
り移動範囲の大ぎいアームとチューブが連動して動き回
るのでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全
体スペースも小型に構成づることができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置情報発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、Ｐｉ−１は各々可動板ＥＢの位置
を検出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光
素子である。

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜Ｕ１０が設（プられ、下板Ｆ
ＧＬには溝１１．貫通孔Ｌ２〜Ｌ７が設けられる。そし
て溝Ｌ１と孔Ｕｌ、、Ｕ２Ｕ３とで真空吸引室が形成さ
れる。即ち、溝Ｌ１は孔ＩＪ１０、チューブホルダーＴ
Ｈを介してチューブＴＵが接続され排気される。第４図
Ｂの如く形成される吸引室内の上部にウェハが載置され
るとウェハを吸引して密室となりウェハ吸着が行なわれ
る。また、孔Ｕ８．Ｕ９．Ｌ６．Ｌ７等には第４図Ｃの
如くビンＳＲ，ＳＬが嵌合される。ビンＳＲ，ＳＬは第
３図の如くウェハＷＦの端面を位貿決めするための位置
部材で、４インチ、６インチ、８インチ等の直径の異な
るウェハに対して孔ｔＪ４　、　Ｕ６　、　ＬＪ８の、
いずれかを選択してビンＳ　ｌ−を嵌合させる。ビンＳ
Ｒも同様に孔ｕｓ　、　ＬＪ７　。

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。

上段のウェハカレットＷＫ１　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、に３３　Ｂが外方に折曲げ自在
に構成される。これにより下段のカセットＷＫ２　、Ｗ
Ｋ４の交換動作が容易となり好ましい。なお、カセット
後方のミラーＦＭは上下２枚設ける必要はなく、ウェハ
取出し及び収納位置（第１図カセット上段の位置）に対
応した位置に中−カセットに対応した長さのミラーを１
枚だけ備えれば良い。

前ｉｆｆのセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報
ＫＣ３、に０４等も読取らせることができる。

即ちＫＯ２、ＫＯ２等は論理ｒＩＪ、ｒＯＪを表わすシ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してに０３等のコード情報を読取り、これに
Ｊ：リカセット識別番号を知ることができる。

第一５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷ「の
−例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別ず、
るコード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロ
ット番号等°が準備される。この情報の♂込にはレチク
ル原板からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用い
られ、この情報の読取りには第１図のテレビカメラＴＶ
Ｋが用いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を
示す。

第６図はウェハカセットＷＫの開口・部を見た正面図で
、第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を
示す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の
処理により弧状に変形した場合を強調して示しである。

このようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが
一般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィン
ガＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そ
こでフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正
確に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ち各
ウェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良
い。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１，７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡ１ではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが工時を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
器ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始す
る。センサＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出した段階
で最初の距離ｄ２Ｂが決定され、°同様に２枚目のウェ
ハＷＦ２４を検出した段階で距ｌ１１ｄ２５が、決定さ
れ、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即ちセンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
全体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如（ウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図ＡのＲＯＭの一部に標準的ウェハカセッ
トにおける各ウェハの位置Ｄ１〜Ｄ２６を予め記憶させ
ておき、この記憶内容に従って動作ＩＩＩ御させれば良
い。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位
置情報Ｄ２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、
この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定す
る。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜
Ｔ１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶さ
れており、まずＴ１に対応する２進化された時間情報が
ＭＰＵの１ＩｌＩＩＩｌによってダウンカウンタＤＫに
格納される。同時に７リツプフロツプＦＦがセットされ
、またモータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドラ
イブ回路ＭＤ内には４進カウンタが内蔵さりており、そ
の最初の出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆
動パルス（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始め
るダウンカウンタＤＫは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応
答して減算を始め、その値が特定値例えばＯになると特
定値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフ
リップ７０ツブＦＦをリセットする。これに゛より駆−
動バルスＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２
　、Ａ３　、Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動
が終了する。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
８に示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下降する
。さらに、第６図に示す最初のウェハＷＦ２５の近辺に
近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次第
に長くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け、
ウェハＷ　Ｆ　２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達
するとセンサＰＳがレニザ反射光を検出するに十分な一
定の低速度で下降する。このときはパルス幅Ｔ７の駆動
パルスでパルスモータＰＭが駆動される。ウェハＷＦ１
の位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　
ＴＩＯのように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定凶下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ
２を指定し、位ｌ！！青報［）ｍを取り出す。この位置
情報Ｄｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報Ｄ２５
〜Ｄ２が共通となり、位置情報Ｄｍのデータ領域はアド
レスＡＤ２の１１地だけで十分である。以下、Ｄ２まで
前記同様の作動を位置情報［）ｍに従うて繰り返し、最
後にＲＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下部の位置情
報Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが
最下位置信号発生器ＫＳ４　Ｌを検出して下降を停止す
る。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するの
で次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確
となる。また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが
存在していないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き
込んでおく、このウェハ有無情報（１，０＞をウェハ位
置情報と共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在し
ない位置を高速にスキップさせ得るので便利である。ま
た大きさの異なる他のウェハカセットの標準位置情報も
ＲＯＭのアドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納しておき、選択
使用すればさらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位［ｄ１／２〜ｄ　２Ｇ／　２をマイクロプロセッサＭ
ｒ’ＬＪが惇出し、８値を第７図ＡのＲＡＭに図示の如
く記憶させる。次いでウェハＷＦ１の取出しのためにフ
ィンガＦＧを現在位置（最下位点）からステップＳＡ２
で算出したｄ１／２の位置まで上昇させる（ステップＳ
Ａ３　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフィンガ
ＦＧを位置させることができる。この位置での停止には
第７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ、アップカウンタＵ
Ｋ１両者の一致回路ＣＯが用いられる。第６図の波形Ｂ
は、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す。

この地点ＰＩＦアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長させてフ
ィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ
４　）させ、ざらに昇降機構１−１０を駆動してフィン
ガＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）さける
。これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦＩの下面に接
触することができるので、前述の真空吸引ｉ構がオンと
なって作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ス
テップ５Ａ６）する。その後フィンガＦＧを、ざらにｄ
２／２だけ上界（ステップＳＡ７　）Ｌ、次いでウェハ
ＷＦ１を吸着したままウェハカセットＷＫから用法（ス
テップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部ＡＤを駆動
部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧをＸＹステー
ジＳＴに正対させ、アームＡＭｌ、ΔＭ２を伸長してウ
ェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリングハンドＣＨ
に引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦ１は、セン
タリングハンドＣＨからさらにＸＹステージＳＴに引渡
（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付、検査等の処
理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦ１はＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＨを介してフィンガＦＧ
に回収され、再び吸着（ステップ５Ａ１２．１３）され
る。次にアームＡＭ１　、ＡＭ２を収縮及び回動し、ウ
ェハＷＦＩの収納のためにフィンガＦＧを現在位置（最
上位点）から第６図のｄｌ　＋ｄ２°／２の一位置即ち
安全点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させる。

この位置Ｐ２にてアームＡＭ１　、ＡＭ２を伸長しフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ　Ａ
　１５）する。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下降（ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦＩは元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り、次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦＩはフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳ　Ａ　１８）されフィン
ガＦＧだけがカセットＷＫから用法（ステップＳ　Ａ　
１９）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取出し
及び収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ
２の取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ３　
／２の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ−
２６になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位装置から最も近い位置に
あるウェハＷＦ１の取出しのためにＡ点でフィンガＦＧ
のカセットＷＫへの挿入が開始され、８点で取出しが終
了し、０点でセンタリングハンドＣＨへの引渡しが行な
われ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が行な
われ、Ｆ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧのカセ
ットＷＫへの挿入が開始され、Ｆ点でその収納が終了し
、その位置から２枚目のウェハＷＦの取出し、収納が始
まることを示している。

図では分り易くするためウェハをＷＦＩ〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ〜Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガＦＧの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様ぐあ
る。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＨの位置即ちウェハ引
き渡しまたは回収の位置と最下位のウェハＷＦ１の位置
がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィンガの
待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場合は図
示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が良くなる
。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘ＠最上位ウェハＷＦ３
の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場合でも
フィンガの上下方向全体移＃１円は第９Ｂ図とほぼ同様
に第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなることは第９Ｅ
図を見れば明らかである。しかし前記各個共にウェハ位
置検出のための全走査が終了した位置から最も近いウェ
ハから取出し、収納が始・　　まることは好ましい。ま
たウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハの
汚れが少なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡しま
たは回収位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウェ
ハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の近
辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの上
下移動の合計距離が最も少なく最も好ましい。これは全
てのウェハは所定の定点即ちウェハ引渡しまたは回収位
置に運ばなければならないことからして明らかである。

この利点は第９Ｆ図の縦合も同様に期待できる。このよ
うに無駄な時開を少しでも節約することはこの種装置に
おいてウニへ処理のための全体速度の向上に貢献でき極
めて好ましい。

さらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程において不良ウェハが予め除
去された状態で本プローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、６エハが存在しない位置においてはフィン
ガＦＧのウェハ取出し及び収納に関連する動作をスキッ
プさせれば全体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明する。第６図において今ウェハＷＦ２が欠落して
いる場合を想定する。、前述の動作説明のように各ウェ
ハが所定の位置に存在することを検出したら第７図Ａの
ＲＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、さらに各ウェ
ハの位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよ
うにＲＡＭ１．：書き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在し
ないことをセンサＰＳが検出したらＲＡＭのアドレスＡ
ｄ２に論理「Ｏ」を書き込み、さ゛らに右−隣りに位置
情報として［）ｍを書き込む。Ｄｍは前述したようにウ
ェハの標準位置情報である。このように処理すればウェ
ハＷＦ２が存在しないことによるセンサＰＳの計画ミス
即ちウェハＷＦ１を検出したときこれをウェハＷＦ２で
あると誤認する危険を避けることができる。

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出す無駄な動作を省略して高速化を計ることができ
る。即ち前述のウェハ取出しモードにおいて、ウェハＷ
Ｆ１の取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡｄ２
のウェハ無し情報「０」を検出したらｄｉ　／２＋Ｄｍ
＋ｄ３　／２の演算を行なえば第６図の８３点の近辺を
求めることができる。したがって８２点をスキップして
８１点から８３点にフィンガＦＧを高速に上昇させるこ
とができ好ましい。

上図例において基準位ｆｆＸ、Ｙ、Ｚは第２図０始点情
報発生器ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、Ｅ８　（またはＬＥ
、ＰＨ）等の位置を選択的に対応させれば良い。例えば
第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ、Ｙ−ＫＳ４　Ｌとし
、第９Ｆ図の例ではＸ−ＬＥ　（または°Ｐｕｎ、ＥＢ
）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとすれば良い。

また、ウェハカセットの姿勢は垂直に限らず斜めや水平
（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らかで
ある。また、ウェハは４インブ。

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さも異
なる（各ウェハ間の距離が異なる）ため、第９８．９Ｄ
、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまたはＹを共
用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対処し得る
点で好ましい。

［効　果］ 以上の如く本発明はその高生産性に極めて多大に寄与し
得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第７図は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はその
＆ｌ制御用波形図、第８図はその制御用フローチャート
図、第９Ａ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・センサ ＷＫ・・・ウェハカセット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、処理前のウェハをウエハカセットから取出して所定
   のウェハ受渡し位置まで搬送し、かつ処理済みのウェハ
   を上記受渡し位置で回収して上記ウェハカセットの所定
   の収納位置へ搬送し収納するウェハ搬送手段を有するウ
   ェハ処理装置において、上記ウェハ受渡し位置を上記ウ
   ェハカセットの最上部とほぼ同一の高さに設定したこと
   を特徴とするウェハ処理装置。 ２、前記処理後のウェハが、処理前の該ウェハが取出さ
   、れた元の位置に収納される特許請求の範囲第１項記載
   のウェハ処理装置。 ３、処理前のウェハをウェハカセットから取出して所定
   のウェハ受渡し位置まで搬送し、かつ処理済みのウェハ
   を上記受渡し位置で回収して上記ウェハカセットの所定
   の収納位置へ搬送し収納するウェハ搬送手段を有するウ
   ェハ処理装置において、上記ウェハ受渡し位置を上記ウ
   ェハカセットのほぼ中間の高さに設定したことを特徴と
   するウェハ処理装置。 ４、前記処理後のウェハが、処理前の該ウェハが取出さ
   れた元の位置に収納される特許請求の範囲第３項記載の
   ウェハ処理装置。