JPS6246833A - ウエハ処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［分　野］ 本発明は、高密度集積回路製造用のウェハの処理即ち回
路焼付、表面検査、チップ動作試験等に用いるウェハ処
理方法に関する。

［従来技術］ 従来この種の、方法においては、その精密度、生産性及
び占有面積等に難点が存し、特にウェハの取出し及び収
納の際の処理速度が遅かった。

［目　的］ 本発明は上記難点を解消し、超精密性、高生産性及び小
型化等の特徴を備え、特にウェハの取出し及び収納の際
の処理速度を向上したウェハ処理方法を提供することを
目的とする。

［実施例コ 第１図は本発明の一実施例に係るウエハブローバの全体
概略図を示す。同図において、ＷＫ１〜ＷＫ４はウェハ
ＷＦを多数枚収納する４個のウェハカセットで、各々開
口部を対向させて２段に積層する。ＷＫＤｌ　、ＷＫＤ
２は各２段のウェハカセットを支持板ＫＳを介し連動し
て各々上下動させるための駆動部、ＦＧはウェハ搭載用
のフィンガ、八Ｍ１　、ＡＭ２はアームである。Ｇ１．
Ｇ２　。

Ｇ３は軸で、アーム八Ｍ１．ΔＭ２及びフィンガＦＧが
伸縮自在に移動可能の如く構成される。ＡＤは前記アー
ム及びフィンガを伸縮自在に移動づるための駆動部であ
る。また、この駆動部ＡＤは前記アーム及びフィンガを
搭載して上下移動及び回動自在に構成されている。ウェ
ハカセットＷＫからアームＡＭＩ　、ＡＭ２及びフィン
ガＦＧによって搬出されたウェハＷＦはセンタリングハ
ンドＣ１−１によって中心出しされＸＹステージＳＴ上
のウェハチャックＷＣ上に移される。移されたウェハＷ
Ｆは静電容１型センｔすＯ８によって再位置決めされる
。またこのときテレビ（ＴＶ）カメラＴＶＫ及びテレビ
モニタＴＶＤによって目視手動または自動位置決めされ
る。

センタリングハンドＣ）−１によりウニハチ１７ツクＷ
Ｃに正確に位置決めされたウェハＷＦｕＸＹステージＳ
Ｔの移動により顕微鏡ＯＰの真下に設定され、目視観察
または自動によるウェハＷＦ上のチップ端子と不図示の
プローブ端子との位置合せが行なわれる。その後所定の
チツブテス１〜ｆＩＪ作が行なわれ、テスト終了後ウェ
ハＷＦはフィンガ［二Ｇ、アームＡＭ１　、ＡＭ２によ
りウエハカセツ［〜ＷＫの元の位置に戻される。以上の
動作を繰り返すことによりウェハカセットＷＫ内の各ウ
ェハＷＦについて順次チップテスト動作が行なわれる。

第２．第３図は第１図の要部側面図及び上面図で、ウェ
ハカセットＷＫからのウェハＷＦの取出し及び収納の様
子を示す図である。但し、フィンガ「Ｇ及びアームＡＭ
１　、ＡＭ２は第１図に対し時計回り方向にＯ０゛回転
している。同図において、例えばウェハカセットＷＫ４
はウェハカセットＷＫ３と共にウェハカセット駆動部Ｗ
ＫＤ２により所定のウェハ引渡し及び回収位置まで上昇
される。

フィンガＦＧ及びアームΔＭｌ　、ＡＭ２はアーム伸縮
駆動部ＡＤに内臓されたパルスモータＳＭにより伸縮し
てウェハＷＦ１〜ＷＦ４等の取出しまたは収納を行なう
。アーム伸縮駆動部ＡＤは昇隣機構ＨＤの可動板ＥＢに
より基台ＫＤと共に上下動され、ウェハＷＦ１〜ＷＦ４
等の中から特定の「ウェハの選択を行なう。ＭＯはアー
ム伸縮駆動部ＡＤを基台ＫＤごと回転させるための回転
駆動部で、ウェハカセットＷＫとウエハブーヤツクＷＣ
間のウェハ搬送動作を行なう。

ＬＺは半導体レーデ源、ＨＭは半導体レーザ源ＬＺから
のレーザ光ＬＷをウニバカヒツト側へ向けて照射するハ
ーフミラ−で、ウエハカセツＩ〜外端に設けられた全反
射ミラーＦＭ　（ＦＭＲまたはＦＭＬ）で反射したレー
ザ光ｍＷを透過させ半導体レーザセン＋）ＰＳに伝達す
る。保護ケースＳＢ内の半導体レー）アセンサＰＳはこ
の反射レーザ光を検出する。

この装置は、上記の如く構成されているため、ウェハＷ
Ｆの現在位置を確実に知ることができ、フィンガＦＧと
ウェハＷＦの衝突等の誤動作を防止することができる。

また、光源として半導体レーザ源を用いたので発光ダイ
オード等に比べてウェハ位置検出精度は格段に向上する
。さらに、駆動部ＡＤの回転に応じてレーザ光を遮断で
きるので安全に操作できる。即ちレーザ光遮断板ＬＳが
板ＩＥＢと一体化され、かつ板ＬＳには孔Ｌ　Ｈが設け
られ、第２図の位置でレーザ光は孔Ｌ　Ｈを貫通し、第
１図の位置では孔がないため遮断される。

これにより必要位置のみレーザ光が出射され、不要の位
置では出射しないので、保守点検時の安全性が確保され
好ましい。

ざらに、半導体レーザ源ＬＺは第２図の如く光の出射方
向を上方に向けるように配置したので、縦長形状の半導
体レーザ源及びレーザ有無検出機構ＬＤが駆動部ＡＤ内
に効率良く収納され、アーム伸縮用のパルス［−夕ＳＭ
との共存が可能になり好ましい。またハーフミラ−ＨＭ
、半導体レーザセンサＰＳは第２，３図の如くフィンガ
［Ｇの伸びる方向とは反対側の位置に配置づる。これに
よりセンサＰＳの光路がアームにより遮断されることな
くかつアームの伸縮にも妨害にならず好ましい。この伸
縮アームにはウェハ吸引用の真空デユープＴＵが貫通、
溝嵌入、接着等の方法により沿わせられる。これにより
移動範囲の大きいアームとチューブが連動して動き回る
のでチューブとアームがからみ合うこともなくまた全体
スペースも小型に構成することができる。

第２図においてＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌは各々ウェハの
最上（下）位置信号発生手段で例えば突起から成り、昇
降機構ＨＤ内のＬＥ、ＰＨは各々可動板ＥＢの位置を検
出し、ウェハ引渡しまたは回収位置を定める発受光素子
である。

フィンガＦＧは、第４図Ａ、Ｂ、Ｃに示す如く上下２枚
の板ＦＧＵ、ＦＧＬの張り合せの簡易な構成で成る。上
板ＦＧＵには貫通孔Ｕ１〜Ｕ１０ｈ（設けられ、下板Ｆ
ＧＬには溝１１．貫通孔し２〜Ｌ７が設【プられる。そ
して溝Ｌ１と孔ｕｉ　、Ｕ２゜Ｕ３とで真空吸引室が形
成される。即ち、溝Ｌ１は孔Ｕ１０、チューブホルダー
Ｔ　Ｈを介してチューブＴＵが接続され排気される。第
４図Ｂの如く形成される吸引至内の上部にウェハが載置
されるとウェハを吸引して密室となりウェハ吸着が行な
われる。また、孔Ｕ８　、Ｕ９．Ｌ６　、Ｌ７等には第
４図Ｃの如くビンＳＲ，ＳＬが嵌合される。ビン８１１
、ＳＬは第３図の如くウェハＷＦの端面を位置決めする
ための位置部材で、４インチ、６インチ、８インチ等の
直径の異なるウェハに対して孔Ｕ４．Ｕ６．Ｕ８のいず
れかを選択してビン８ｍを嵌合させる。ビンＳＲも同様
に孔ｕｓ　、　Ｕ７　。

Ｕ９を選択して嵌合させる。これにより直径の異なるウ
ェハに対して最適にビン位置を定めることができ好まし
い。

上段のウェハカセットＷＫ１　、ＷＫ３は第２図の如く
例えば支持板ＫＳ３　、ＫＳ３　Ｂが蝶番機構ＣＴによ
り外方に折曲げ自在に構成される。゛これにより下段の
カセットＷＫ２　、ＷＫ４の交換動作が容易となり好ま
しい。なお、カセット後方のミラーＦＭは上下２枚設け
る必要はなく、ウェハ取出し及び収納位置（第１図カセ
ット上段の位置）に対応した位置に単一カセットに対応
した長さのミラーを１枚だけ備えれば良い。

前述のセンサＰＳはウェハカセット識別コード情報ＫＣ
３，ＫＯ２等も読取らせることができる。

即らＫＯ２、ＫＯ２等は論理ｒｌＪ、ｒＯＪを表わすコ
ードから成り、これをセンサＳＰが上下及びまたは水平
方向に移動してＫＯ２等のコード情報を読取り、これに
よりカセット識別番号を知ることができる。

第５図は回路焼付、検査等に用いられるウェハＷＦの一
例を示す。同図において、ＷＣＮはウェハを識別するコ
ード情報で、ウェハ番号、ウェハカセット番号、ロット
番号等が準備される。この情報の書込にはレチクル原板
からの露光焼付、レーザ焼付、インク等種々用いられ、
この情報の読取りには第１図のテレビｈメラＴＶＫが用
いられる。ＣＨＰは検査される回路チップ領域を示す。

第６図はウェハカセットＷＫの開口部を見た正面図で、
第５図のウェハＷＦが例えば２５枚収納される様子を示
す。ここでウェハＷＦ２　、ＷＦ３はウェハの種々の処
理により弧状に変形した場合を強調して示しである。こ
のようにウェハは厳密には平面性を失なっているのが一
般的と見なされるので、ウェハの取出し等の際フィンガ
ＦＧの突入位置には細心の注意を払う必要がある。そこ
でフィンガの出入動作の前に予め各ウェハの位置を正確
に検出し、かつフィンガＦＧの最安全突入位置即ら各ウ
ェハ間の中心位置Ｐ１〜Ｐ２６等を算出しておけば良い
。

第７図Ａはそのための制御ブロック図、第８図はその制
御手順を示すフローチャートで第１．７図のリードオン
リーメモリＲＯＭにマイクロ命令として格納されている
もので、以下この手順に従って動作を説明する。ステッ
プＳＡＩではまずウェハ位置検出手段例えばレーザセン
サＰＳが下降を始め、例えば第６図の最上位置信号発生
手段ＫＳ４Ｕを検出したときからウェハ位置検出を開始
する。セン’Ｊ−ＰＳが最初のウェハＷＦ２５を検出し
た段階で最初の距離ｄ２６が決定され、同様に２枚目の
ウェハＷＦ２４を検出した段階で距離ｄ２５が決定され
、以下同様に最下部のｄｌまで検出する。

このときセンサＰＳを一定の速度即ちヒンサＰＳの応答
速度以下の一定速度で上昇させても良いが、これにより
仝体検出速度の低下は免れ得ない。

そこで第６図及び第７図Ｂの波形Ａとして示す如くウェ
ハの存在しない位置ではセンサＰＳを高速に下降させ、
ウェハの存在する位置では低速で移動させれば良い。そ
のため、第７図への（（ＯＭの一部に標準的ウェハカセ
ットにおける各ウニＡの位２Ｄ１〜［］２６を予め記憶
させておき、この記憶内容に従って動作制御させれば良
い。即ち、まず、ＲＯＭのアドレスＡＤ１から標準の位
置情報０２６をマイクロプロセッサＭＰＵが取り込み、
この情報を基に例えば第７図Ｂのパルス列ＤＭを決定す
る。この駆動パルス列ＤＭの各パルスのパルス幅Ｔ１〜
Ｔ１０はＲＯＭの不図示の部分にテーブル形式で記憶さ
れており、まずＴ１に対応する２進化された時間情報が
ＭＰＵの制御によってダウンカウンタＤＫに格納される
。同時にフリツブフ［１ツブＦＦがセットされ、またモ
ータドライブ回路ＭＤが動作する。モータドライブ回路
ＭＤ内には４進カウンタが内蔵されており、その最初の
出力によりアンドゲートＡ１が開き、最初の駆動パルス
（Ｔ１）によりパルスモータＰＭが起動を始める。

ダウンカウンタＤＫは発振器Ｏ８Ｃの発振パルスに応答
して減算を始め、その値が特定値例えば０になると特定
値デコーダ例えばＯデコーダＤＣがこれを検出してフリ
ツプフＤツブＦＦをリセットする。これにより駆動パル
スＴ１が終了する。以下同様にアンドゲートＡ２．Δ３
．Ａ４が順次間いてパルス幅Ｔ１による駆動が終了する
。

次にパルス幅Ｔ２に対応する時間情報がダウンカウンタ
ＤＫに格納され上記と同様の作動を行なう。以下第７図
Ｂに示す如＜Ｔ３．Ｔ４と次第にパルス幅は短かくなっ
ていきセンサＰＳの下降速度は次第に増し、パルス幅Ｔ
４の繰り返し駆動時期になると一定の高速度で下部する
。ざらに、第６図に示す最初のウェハＷ「２５の近辺に
近づくと第７図Ｂに示すパルス幅がＴ５　、Ｔ６と次第
に良くなり、センサＰＳは減速されながら下降を続け、
ウェハＷＦ２５の存在位置付近にセンサＰＳが到達する
とけンサＰＳがレーザ反射光を検出するに十分な一定の
低速度で下降する。このときはパルス幅Ｔ７の駆動パル
スでパルスモータｆ）　Ｍが駆動される。ウェハＷＦ１
の位置検出が終了するとパルス幅Ｔ８　、　Ｔ９　、　
ＴＩＯのように次第に短かくなり、センサＰＳの下降速
度は次第に増し、前同様に一定の高速で下降を続け、所
定量下降したら第７図ＡのＲＯＭの第２のアドレスＡＤ
２を指定し、位置情報Ｄｍを取り出す。この位置情報Ｏ
ｍはウェハの間隔で表わすと標準位置情報［）２５〜Ｄ
２が共通となり、位置情報［］ｍのデータ領域はアドレ
スΔ１〕２の１番地だけで十分でおる。以下、Ｄ２まで
前記同様の作動を位置情報Ｄｍに従って繰り返し、最後
にＲＯＭのアドレスＡＤ３を指定し、最下辺の位置情報
Ｄ１に従って前記同様の作動を行ない、センサＰＳが最
下位置信号発生手段ＫＳ４Ｌを検出して下降を停止する
。このようにして各ウェハの実際の位置を検出するので
次からの本格的なウェハ取出し及び収納が極めて正確と
なる。

また、このウェハ位置検出時に実際にウェハが存在して
いないことを検出したらＲＡＭにその旨を書き込んでお
く、このウェハ有無情報（１，Ｏ）をウェハ位置情報と
共にＲＡＭに書き込んでおくとウェハの存在しない位置
を高速にスキップさせ得るので便利である。また大ぎざ
の異なる他のウェハカセットの標準位置情報もＲＯＭの
アドレスＡＤ４〜ＡＤ６に格納してＪ３き、選択使用す
ればざらに好ましい。

次いでステップＳＡ２では、検出した各ウェハ間の中心
位Ｉｆｆｄ、１／２〜ｄ　２６／　２をマイクロブ〔」
セラーすＭＰＵが鋒出し、８値を第７図ＡのＲＡＭに図
示の如く記憶させる。次いでウェハＷＦＩの取出しのた
めにフィンガＦＧを現在位置く最下位点）からステップ
ＳＡ２で算出したｄ１／２の位置まで上昇さゼる（ステ
ップＳＡ３　）。これにより第６図の最安全点Ｐ１にフ
ィンガＦＧを位置させることができる。この位置での停
止には第７図Ａの目標値格納レジスタＯＲ，アップカウ
ンタＵＫ１両者の一致回路ｃｏが用いられる。第６図の
波形Ｂは、この時のフィンガＦＧの上昇速度曲線を示す
。

この地点Ｐ１でアームＡＭ１．ＡＭ２を伸長させてフィ
ンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳＡ４
　）させ、さらに昇降機構１−Ｉ　Ｏを駆動してフィン
ガＦＧをｄ１／２だけ上昇（ステップＳＡ５　）させる
。これでフィンガＦＧの上面がウェハＷＦ１の下面に接
触することができるので、前述の真空吸引機構がオンと
なって作動し、フィンガＦＧがウェハＷＦ１を吸着（ス
デップＳへ〇）する。その後フィンガＦＧを、さらにｄ
２／２だ（プ上昇（ステップＳＡ７　）　Ｌ、、次いで
ウェハＷＦＩを吸着したままウエハカセッｌ−Ｗ　Ｋか
ら引抜（ステップ５Ａ８）＜。続いてアーム伸縮駆動部
ＡＤを駆動部ＭＯにより９０°回転してフィンガＦＧを
ＸＹステージＳＴに正対させ、アームＡＭ１．ＡＭ２を
伸長してウェハＷＦ１をフィンガＦＧからセンタリング
ハンドＣＨに引渡（ステップＳＡ９　）す。ウェハＷＦ
Ｉは、センタリングハンドＣト１からざらにＸＹステー
ジＳＴに引渡（ステップＳ　Ａ　１０）され、回路焼付
、検査等の処理（ステップ５Ａ１１）が行なわれる。

処理が終了すると処理済みウェハＷＦＩはＸＹステージ
ＳＴからセンタリングハンドＣＩ−１を介してフィンが
ＦＧに回収され、再び吸着（ステップＳΔ１２．１３）
される。次にアームＡＭ１．ＡＭ２を収縮及び回動し、
ウェハＷＦ１の収納のためにフィンガＦＧを現在位置（
最上位点）から第６図の（’ｊｌ　＋ｄ２　／２の位置
即ら安全点Ｐ２まで下降（ステップＳ　Ａ　１４）させ
る。この位ＩＰ２にてアームΔＭｌ　、ＡＭ２を伸長し
フィンガＦＧをウェハカセットＷＫに挿入（ステップＳ
△１５）スる。

次いでフィンガＦＧをｄ２／２だけ下ｉ＜ステップＳ　
Ａ　１６）させる。これによりウェハＷＦ１は元の位置
の突起ＫＲ，ＫＬに乗り１次いで真空吸引機構がオフと
されるのでウェハＷＦ１はフィンガＦＧから離脱（ステ
ップＳ　Ａ　１７）され、その後フィンガＦＧがさらに
ｄ２／２だけ下降（ステップＳΔ１８）されフィンガＦ
ＧだけがカセットＷＫから引抜（ステップＳ　Ａ　１９
）かれる。以上の制御によりウェハＷＦ１の取出し及び
収納が正確、安全に行なわれる。次いでウェハＷＦ２の
取出し及び収納の制御を今度はｄ２　／２．ｄ３　／２
の値に基いて上記と同様に行ない、以下同様にｎ＝２６
になるまで行なう。

以上の様子を模式的に表わしたのが第９Ａ図である。図
において、ＸはフィンガＦＧの待機位置を示し、この点
を始点としてＹ点（終了点）まで下降するときにウェハ
の位置を検出し、次いでその位置から最も近い位置にあ
る・ウェハＷＦ１の取出しのためにΔ点でフィンガＦＧ
のカセットＷＫへの挿入が開始され、Ｂ点で取出しが終
了し、０点でセンタリングハンドＣ＋−＋への引渡しが
行なわれ、Ｄ点でセンタリングハンドＣＨからの回収が
行なわれ、Ｂ点でウェハの収納のためにフィンガＦＧの
カセットＷＫへの挿入が開始され、Ｂ点でその収納が終
了し、その位置から２枚目のウェハＷ「の取出し、収納
が始まることを示している。

図では分り易くするためつ１ハをＷＦＩ〜ＷＦ３の全３
枚として示した。またＡ−Ｆの各点に対応する処理を第
８図のフローチャートに同一の符号で示した。またフィ
ンガ「Ｇの待機位置ＸはセンタリングハンドＣＨとほぼ
同じ高さとし、かつ最上部ウェハＷＦ３の近辺に設定し
である。このため第９Ｂ図の例に比べて上下動の移動距
離の合計が短かく好ましい。これは第９Ｄ図も同様であ
る。

第９Ｂ図はセンタリングハンドＣＩ−１の位置即ちウェ
ハ引き渡しまたは回収の位置と最下位のウニ［ハＷＦ１
の位置がほぼ同一線上に来るように設定され、かつフィ
ンガの待機位置も同一線上に設定した例を示し、この場
合は図示の如くフィンガの上下動の移動距離の合計が長
くなる。第９Ｂ図のフィンガ待機位置Ｘを最上位ウェハ
ＷＦ３の近辺位置即ち第９Ｂ図のＹの位置に設定した場
合でもフィンガの上下方向全体移動債（ま第９Ｂ図と（
Ｊぼ同様に第９Ａ、９０図の場合に比べて長くなること
は第９Ｅ図を見れば明らかである。しかし前記各測具に
ウェハ位置検出のための全走査が終了した位置から最も
近いウェハから取出し、収納が始まることは好ましい。

またウェハは下から上に向って処理すれば上方のウェハ
の汚れが少なく好ましい。第９Ｃ図の例はウェハ引渡し
または回収位置（センタリングハンドＣＨの位置）をウ
ェハカセットのほぼ中心位置即ち中間のウェハＷＦ２の
近辺に設定した様子を示し、この場合はフィンガＦＧの
上下移動の合計距離がＢも少なく最もＱＹましい。これ
は全てのウェハは所定の定点即ちつ工ハ引渡しまたは回
収位置に運ばなければならないことからして明らかであ
る。この利点はｆｆ１９Ｆ図の揚台も同様にｌ！１′１
持できる。このように無駄な時間を少しでも節約するこ
とはこの種装置にＪ３いてウェハ処理のための仝体速度
の向上に貢献でき極めＣ好ましい。

ざらにウェハカセットには常に全数のウェハが収納され
ているとは限らず、前工程においＣ不良つ■ハが予め除
去された状態ぐ木ブローバに移送されて来る場合もあり
、この場合、ウェハが存在しない位置においてはフィン
ガ「Ｇのつ１ハ取出し及び収納に関連７る動作をスキッ
プさせれば仝体処理速度の向上となる。以下これについ
て説明づる。第６図にＪ３いて今ウェハＷＦ２が欠落し
ている場合を想定する。前述の動作説明のように各ウェ
ハが所定の位置に存在することを検出したら第７図への
ＲＡＭに示す如く論理「１」を書き込み、ざらに各ウェ
ハの位置情報の半分の値をｄ２６／２．ｄ２５／２のよ
うにＲＡＭに古き込む。欠落ウェハＷＦ２が存在しない
ことをセンサＰＳが検出したら１くＡＭのｊノドレスＡ
ｄ２に論理［０１を古き込み、さらに右隣りに位置情報
として［）ｍを古き込む。ｌ）　ｍは前述したようにつ
■ハの標準位置情報（゛ある。このように処理づればつ
１ハＷ「２が存在しないことによるセンサＰＳの計測ミ
ス即らウェハＷＦＩを検出したときこれをつ■ハＷＦ２
であると誤認する危険を避けることができる。

またウェハ取出し処理の際にも存在しないウェハＷＦ２
を取出づ無駄な動作を省略して高速化を６することかで
きる。即＃）前述のウェハ取出し七−ドにおいて、ウェ
ハＷＦＩの取出しまたは収納の後、ＲＡＭのアドレスＡ
ｄ２のウェハ無し情？［ＯＪを検出したらｄｌ　／２＋
ｌ）ｍ＋ｄ３　／２の演ｐを行なえば第６図の１３点の
近辺を求めることができる。したがって１２点をスキッ
プして１Ｄ１点から１３点にフィンガＦＧを高速に」二
Ｒさせることができ好ましい。

上図例にＪ３いて基準位置Ｘ、Ｙ、Ｚは第２図の始点信
号発生手段ＫＳ４　Ｕ、ＫＳ４　Ｌ、ＥＢ　＜ｆｌ：た
はＬＥ、ＰＩ−１）等の位置を選択的に対応させれば良
い。例えば第９Ａ図の例ではＸ＝ＫＳ４　Ｕ。

Ｙ＝ＫＳ４Ｌとし、第９「図の例ではＸ＝ＬＥ（または
Ｉｌｌ、ＥＢ）、Ｙ＝ＫＳ４　Ｌとずれば良い。

また・ウエハカセツ１゛の姿勢は垂直に限らず斜めや水
平（第９Ｃ図、９Ｆ図）に設定しても良いことは明らか
である。また、ウェハは４インチ。

８インチ等直径が異なるときウェハカセットの高さｔ）
異なる（各・クエハ間の距離がｊ″シ４Ｔ）ため、第９
Ｂ、９Ｄ、９Ｆ図の例の如く下側（共通端部）のＸまた
はＹを共用できる形式の装置が種々のウェハサイズに対
処し得る点で好ましい。

Ｉ効　果］ 以上の如く本発明はその高生産性に極めて多大に寄与し
得るものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の概観斜視図、第２図はその
一部拡大側面図、第３図はその一部拡大上面図、第４Ａ
図、第４Ｂ図、第４Ｃ図はフィンガの構成例図、第５図
はウェハの正面部、第６図はウェハカセットの開口正面
図、第４は本発明の制御ブロック図、第７Ｂ図はそのあ
り即用波形図、第８図はその制御用フローヂャート図、
第９Δ〜第９Ｆ図はフィンガの動作説明図である。 ＦＧ・・・フィンガ ＡＭ・・・アーム ＰＳ・・・ヒンＶ ＷＫ・・・ウェハカセット

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ウエハ取出し手段に備えられたウエハ位置検出手段
   を該ウエハ取出し手段とともに移動することにより複数
   個の各ウエハの位置を検出した後、該ウエハ位置情報に
   基づいて各ウエハを１つずつ取出して処理するウエハ処
   理方法であつて、上記ウェハ位置検出動作終了後、上記
   ウエハ取出し手段に最も近い位置のウエハから取出しを
   開始することを特徴とするウエハ処理方法。 ２、ウエハカセット内に収納された前記複数個の各ウエ
   ハの位置を上から下へ順に検出した後、該ウエハカセッ
   ト内の各ウエハを下から上へ順に取出す特許請求の範囲
   第１項記載のウエハ処理方法。