JPS612253A - 入射位置検出装置 - Google Patents
入射位置検出装置Info
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- JPS612253A JPS612253A JP12263984A JP12263984A JPS612253A JP S612253 A JPS612253 A JP S612253A JP 12263984 A JP12263984 A JP 12263984A JP 12263984 A JP12263984 A JP 12263984A JP S612253 A JPS612253 A JP S612253A
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- dynode
- final stage
- incident
- stage dynode
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/045—Position sensitive electron multipliers
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光電子増倍装置、さらに詳しく言えば光電面に
入射した微弱な入射光の光電面への入射位置を測定する
ことができる入射位置検出装置に関する。
入射した微弱な入射光の光電面への入射位置を測定する
ことができる入射位置検出装置に関する。
（従来の技術）
光電子増倍管の光電面の前面にンンチレーク等を配置し
、微弱な放射線を検出する装置を形成することができる
。
、微弱な放射線を検出する装置を形成することができる
。
光電子増倍管は固体の光電変換装置では得られない優れ
た特性をもっているが、それ自体を小形にすることは困
難である。
た特性をもっているが、それ自体を小形にすることは困
難である。
そのためこのような装置において、光電子増倍管の単一
の光電面に入射したパルス性の光が前記光電面のどの位
置に入射したかを知りたいと言う要請がある。
の光電面に入射したパルス性の光が前記光電面のどの位
置に入射したかを知りたいと言う要請がある。
この要請に応えるため、本件出願人は、単一の光電面に
対して、複数組のダイノードとアノードを対応させ、ど
のダイノードから出力が得られたかにより光電面のどの
領域に入射光があったか判別することができる装置を特
願昭５９−７７２９４号としてすでに提案している。
対して、複数組のダイノードとアノードを対応させ、ど
のダイノードから出力が得られたかにより光電面のどの
領域に入射光があったか判別することができる装置を特
願昭５９−７７２９４号としてすでに提案している。
（発明の目的）
本発明の目的は前述の装置と同様に光電子増倍管を使用
してより高い精度で入射位置を知ることができる入射位
置検出装置を提供することにある。
してより高い精度で入射位置を知ることができる入射位
置検出装置を提供することにある。
（発明の構成および作用）
前記目的を達するために、本発明による入射位置検出装
置は、真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノード、網状のアノードおよび板状の最終段ダイ
ノードが配置されている光電子増倍管を用いた入射位置
検出装置において、前記最終段ダイノードの２次電子放
出面を均一な面積抵抗をもつように形成し、前記最終段
ダイノー１′に電流を供給する電極を前記ダイノード周
縁に対向するように接続して位置信号取り出し電極を形
成し、前記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面
に入射したパルス光の入射位置を演算する演算回路を設
けて構成されている。
置は、真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノード、網状のアノードおよび板状の最終段ダイ
ノードが配置されている光電子増倍管を用いた入射位置
検出装置において、前記最終段ダイノードの２次電子放
出面を均一な面積抵抗をもつように形成し、前記最終段
ダイノー１′に電流を供給する電極を前記ダイノード周
縁に対向するように接続して位置信号取り出し電極を形
成し、前記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面
に入射したパルス光の入射位置を演算する演算回路を設
けて構成されている。
光電面に入射したホトンによって発生する光電子の位置
とその光電子に原因する増倍された電子の最終段ダイノ
ード到達位置間および入射したホトン数と光電変換され
増倍された電子の数との間には相関があるので、前記最
終段ダイノードに設けられた位置信号取り出し電極の出
力を演算することにより、前記光電面へのホトンの入射
位置を検出することができ、アノードの出力よりホトン
の入射量を検出することができる。
とその光電子に原因する増倍された電子の最終段ダイノ
ード到達位置間および入射したホトン数と光電変換され
増倍された電子の数との間には相関があるので、前記最
終段ダイノードに設けられた位置信号取り出し電極の出
力を演算することにより、前記光電面へのホトンの入射
位置を検出することができ、アノードの出力よりホトン
の入射量を検出することができる。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は本発明による入射位置検出装置で使用する光電
子増倍管の管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。
子増倍管の管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。
真空気密容器１は円筒状であって第１図の上側の面の内
面に光電面２が形成されている。
面に光電面２が形成されている。
この光電面２から放出された光電子は、面状で均一な微
細な透過領域の分布を持つ透過形ダイノード群３で増倍
され網状のアノード４を透過したのち最終段ダイノード
５により増倍されて、前記網状のアノード４により薄酸
される。
細な透過領域の分布を持つ透過形ダイノード群３で増倍
され網状のアノード４を透過したのち最終段ダイノード
５により増倍されて、前記網状のアノード４により薄酸
される。
第８図に種々の透過形ダイノードの部分を拡大して示し
である。
である。
この実施例は第８図（Ａ）に示すトライアングル形ダイ
ノードを使っている。
ノードを使っている。
透過形のダイノード群３、アノード４．最終段のダイノ
ード５は管軸に垂直な平面上で真空気密容器１の内径全
体にわたって拡がるように配置されている。
ード５は管軸に垂直な平面上で真空気密容器１の内径全
体にわたって拡がるように配置されている。
最終段のダイノード５の構造を第２図を参照して説明す
る。
る。
最終段のダイノード５は第２図に示すような円形のガラ
ス板７の一面に２次電子放出面８を形成し周囲に半月状
のアルミニウム電極１１，１２，１３．１４を配置して
構成されている。
ス板７の一面に２次電子放出面８を形成し周囲に半月状
のアルミニウム電極１１，１２，１３．１４を配置して
構成されている。
アルミニウムの電極１１，１２，１３．１４は位置信号
取り出し電極である。これらの電極は電極１１と１２の
弦が互いに平行で対向し、電極Ｉ３と１４の弦が互いに
平行で対向するように配置され、前記２次電子放出面８
をガラス坂７上に形成する前に形成される。
取り出し電極である。これらの電極は電極１１と１２の
弦が互いに平行で対向し、電極Ｉ３と１４の弦が互いに
平行で対向するように配置され、前記２次電子放出面８
をガラス坂７上に形成する前に形成される。
２次電子放出面８は均一な面積抵抗が得られ、前記位置
信号取り出し電極１１．１２，１３．１４に接続される
ようにカリウム・アンチモン・セシウムの２次電子放出
層により形成されている。
信号取り出し電極１１．１２，１３．１４に接続される
ようにカリウム・アンチモン・セシウムの２次電子放出
層により形成されている。
半月状のアルミニウム電極１１．１２，１３．１４の各
中心部には第３図および第４図に示されているように貫
通孔が設けられている。板ばね９ａ。
中心部には第３図および第４図に示されているように貫
通孔が設けられている。板ばね９ａ。
９ｂ、９ｃおよび９ｄに固定された導体棒が前記各板ば
ねをアルミニウム電極１１，１２，１３゜ｌ４を電気的
に接続させるように前記各貫通孔に挿入されている。
ねをアルミニウム電極１１，１２，１３゜ｌ４を電気的
に接続させるように前記各貫通孔に挿入されている。
２次電子放出面８は後述するように、前記位置信号取り
出し電極１１，１２，１３．１４に電流が分流するため
には充分低い抵抗値を持ち、位置を決定するためには相
当な抵抗値であるような面積抵抗が与えられている。
出し電極１１，１２，１３．１４に電流が分流するため
には充分低い抵抗値を持ち、位置を決定するためには相
当な抵抗値であるような面積抵抗が与えられている。
位置信号取り出し電極１１，１２，１３．１．１はそれ
ぞれ、板ばね９ａ、９ｂ、９ｃおよび９ｄと対応する導
体棒を介して容器の底面に設けられているリード線６と
接続されている。
ぞれ、板ばね９ａ、９ｂ、９ｃおよび９ｄと対応する導
体棒を介して容器の底面に設けられているリード線６と
接続されている。
第５図は本発明による入射位置検出装置の実施例を示す
光電子増倍管と演算回路の回路図である。
光電子増倍管と演算回路の回路図である。
前述した光電子増倍管は等価回路で示されている。
光電子増倍管の各電極には一１０００Ｖの電圧を分圧器
で分圧した電圧が接続されている。分圧器を構成する抵
抗Ｒ６は１５０にΩ＋Ｒｅ〜Ｒｎは５０にΩである。
で分圧した電圧が接続されている。分圧器を構成する抵
抗Ｒ６は１５０にΩ＋Ｒｅ〜Ｒｎは５０にΩである。
またコンデンサＣ６〜Ｃ８の容量はそれぞれ０．０１μ
Ｆである。
Ｆである。
位置信号取り出し電極１１，１２，１３．１４はそれぞ
れ、抵抗値が１００にΩの抵抗Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ３，Ｒ４
を介してコンデンサＣ７とＣ８の接続点に接続されＣい
る。
れ、抵抗値が１００にΩの抵抗Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ３，Ｒ４
を介してコンデンサＣ７とＣ８の接続点に接続されＣい
る。
第６図は光電面２に入射したホトンの位置Ｐ’（χ’、
ｙ’）と最終段ダイノートに衝突する電子の位置Ｐ
（ｘ、ｙ）の関係を座標に対応させて示したモデル図
である。
ｙ’）と最終段ダイノートに衝突する電子の位置Ｐ
（ｘ、ｙ）の関係を座標に対応させて示したモデル図
である。
第６図に示すように光電面２に入射したホトンによって
発生した光電子は透過形のダイノード群３により増倍さ
れ、ある空間的なひろがりをもって、最終段ダイノード
５に入射させられる。
発生した光電子は透過形のダイノード群３により増倍さ
れ、ある空間的なひろがりをもって、最終段ダイノード
５に入射させられる。
このとき、入射したボトンの位置と、増倍された電子が
最終段ダイノード５に衝突する位置との間には相関があ
るから、最終段ダイノード５への入射位置を演算算出す
ることにより光電面へのホトンの入射位置を特定する。
最終段ダイノード５に衝突する位置との間には相関があ
るから、最終段ダイノード５への入射位置を演算算出す
ることにより光電面へのホトンの入射位置を特定する。
最終段ダイノード５の２次電子放出面の面積抵抗は均一
であるから、増倍された二次電子の入射点Ｐから各電極
１１，１２．１３．１４までの距離をβｌ＋ １２２
．’３．’４とすると、入射点Ｐから各電極１１，１２
，１３．１４までの抵抗値ｒ１＋ ｒ２．ｒ３．ｒ４
はそれらの距離に比例する。
であるから、増倍された二次電子の入射点Ｐから各電極
１１，１２．１３．１４までの距離をβｌ＋ １２２
．’３．’４とすると、入射点Ｐから各電極１１，１２
，１３．１４までの抵抗値ｒ１＋ ｒ２．ｒ３．ｒ４
はそれらの距離に比例する。
その結果各電極１１，１２．１３．１４までの距離をｎ
、、Ｎ２．ｆｆ３．ｊｌ！４と各電極１１，１２゜１３
．１４に流れる電流’Ｉ＋ ’２．’３．’４は逆比
例するので各電極から取り出された信号出力は、増倍さ
れた二次電子の入射位置に関する情報が含まれているこ
とになる。
、、Ｎ２．ｆｆ３．ｊｌ！４と各電極１１，１２゜１３
．１４に流れる電流’Ｉ＋ ’２．’３．’４は逆比
例するので各電極から取り出された信号出力は、増倍さ
れた二次電子の入射位置に関する情報が含まれているこ
とになる。
位置信号取り出し電極１１，１２，１３．１４に流れる
電流はそれぞれ０．０５μＦであるコンデンサＣ１〜Ｃ
４を介してチャージアンプ２１，２２゜２３．２４に接
続され電圧に変換される。
電流はそれぞれ０．０５μＦであるコンデンサＣ１〜Ｃ
４を介してチャージアンプ２１，２２゜２３．２４に接
続され電圧に変換される。
チャージアンプ２１．２２の出力は加算器２５、減算器
２６に接続され、各々の出力端は割算器２７に接続され
ている。
２６に接続され、各々の出力端は割算器２７に接続され
ている。
同様にチャージアンプ２３．２４の出力は加算器２日、
減算器２９に接続され、各々の出力端は割算器３０に接
続されている。
減算器２９に接続され、各々の出力端は割算器３０に接
続されている。
理解を容易にするために、抵抗膜８上の位置を第６図に
示すようなＸ、Ｙ座標により定義する。
示すようなＸ、Ｙ座標により定義する。
Ｘ軸は電極１３．１４に平行でそれらから等距離にある
。Ｙ軸は電極１１．１２に平行で同様にそれらから等距
離にある。
。Ｙ軸は電極１１．１２に平行で同様にそれらから等距
離にある。
今、第６図に示すようにＰ′点にホトンが入射すると、
増幅された電子は、ある空間的なひろがりをもってアノ
ードに補数される。
増幅された電子は、ある空間的なひろがりをもってアノ
ードに補数される。
このとき、各取り出し電極から第６１！］に示すように
信号電流ｊｌ、ｊ２．ｆ３およびｉ４が流れているとす
る。
信号電流ｊｌ、ｊ２．ｆ３およびｉ４が流れているとす
る。
前述したように、各電流ｆ１． １２．＋３．＋４は電
子の入射位置と、各取り出し電極の距離に比例した面積
抵抗ｒｌ 、ｒ２．ｒ３＋ ｒ４に逆比例した電流値
を示す。
子の入射位置と、各取り出し電極の距離に比例した面積
抵抗ｒｌ 、ｒ２．ｒ３＋ ｒ４に逆比例した電流値
を示す。
各電流ｉ１．ｉ２．＋３．ｊ４はチャージアンプ２１．
２２．２３．２４で電圧Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３゜ｖ４に変換
される。
２２．２３．２４で電圧Ｖｌ、Ｖ２．Ｖ３゜ｖ４に変換
される。
電圧Ｖｌ 、Ｖ２ 、Ｖ３ 、Ｖ４は各信号電流ｊ１゜
＋２． ｉ３．＋４に比例した値となるのでＶｌ −
に１１１ 、Ｖ２＝に２ ｉ２ 、Ｖ３ ＝に３ ＋３
。
＋２． ｉ３．＋４に比例した値となるのでＶｌ −
に１１１ 、Ｖ２＝に２ ｉ２ 、Ｖ３ ＝に３ ＋３
。
ｖ４＝ｋ（ｉ４となる。
加算器２５ではｖｌ、＋ｖ２−Ｊ ｔ、＋に２ ｉ２
、減算器２６ではＶ２ Ｖｌ ＝に２ｊ ２ ｋｌ
ｉ １が演算される。
、減算器２６ではＶ２ Ｖｌ ＝に２ｊ ２ ｋｌ
ｉ １が演算される。
割算器２７から（Ｖ２−Ｖ＋ ）／ （Ｖ＋ ＋ｖ２．
）−（ｋ２ ’２ ｋｌ １＋ ）／ （ｋｌ ｉｌ
＋に２ ｉ２）が出力される。
）−（ｋ２ ’２ ｋｌ １＋ ）／ （ｋｌ ｉｌ
＋に２ ｉ２）が出力される。
ここでに１＝に２とすると上式は０式となる。
（ｉ２ ｉｌ）／ （ｉｌ ＋ｉ２）・・・■同様に
して°’に３＝に４とすると割算器３０から０式で示す
演算値が出力される。
して°’に３＝に４とすると割算器３０から０式で示す
演算値が出力される。
（ｉ４ Ｌ＋）／ （ｉ３＋＋４）・・・００式に示す
信号は点ＰのＸ座標に相当する信号であり、０式に示す
信号はＹ座標に相当する信号である。
信号は点ＰのＸ座標に相当する信号であり、０式に示す
信号はＹ座標に相当する信号である。
アノード４はコンデンサＣ５を介してチャージアンプ２
５に接続されており入射光量信号が取り出される。
５に接続されており入射光量信号が取り出される。
第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
前記実施例では、加算器、減算器、割算器のアナログ演
算で位置を決定したが、この実施例はチャージアンプ２
１．２２，２３，２４．５０の出力以降をデジタル処理
するように構成しである。
算で位置を決定したが、この実施例はチャージアンプ２
１．２２，２３，２４．５０の出力以降をデジタル処理
するように構成しである。
チャージアンプ２１．２２．２３，２４．５０の各出力
は、アナログデジタルコンバータ４１．４２．４３，４
４．５１でデジタル信号に変換され、メモリ４５に一時
記憶される。このデータは、インターフェイス４６を介
し、てマイクロコンピュータ４７で辿算処理される。
は、アナログデジタルコンバータ４１．４２．４３，４
４．５１でデジタル信号に変換され、メモリ４５に一時
記憶される。このデータは、インターフェイス４６を介
し、てマイクロコンピュータ４７で辿算処理される。
この演算処理のアルゴリズムは先に第５図を参照して説
明した演算の手順と略同じである。
明した演算の手順と略同じである。
演算処理の結果はＸ−Ｙディスプレイ４８に表示される
。
。
この実施例の特徴は、演算処理が容易となることから各
種の補正が容易になることである。
種の補正が容易になることである。
例えば、最終段ダイノードの抵抗膜の面積抵抗が均一で
なくても、マイクロコンピュータ４７にあらかじめ光電
面の入射位置と各信号取り出し電極に流れる電流値の関
係を記憶させておくことによって位置信号の歪を補正で
きる。
なくても、マイクロコンピュータ４７にあらかじめ光電
面の入射位置と各信号取り出し電極に流れる電流値の関
係を記憶させておくことによって位置信号の歪を補正で
きる。
第８図（Ｂ）（Ｃ）に透過形ダイノードの他の実施例を
示す。
示す。
同図（Ｂ）に示したベネシアンブラインド形ダイノード
、同図（Ｃ）に示したメツシュダイノードも光電面の光
電子の発生位置と前記光電子に起因する電子群の最終段
ダイノードへの入射位置間に前記トライアングル形ダイ
ノードと同様に高い相関性を持たせることができる。
、同図（Ｃ）に示したメツシュダイノードも光電面の光
電子の発生位置と前記光電子に起因する電子群の最終段
ダイノードへの入射位置間に前記トライアングル形ダイ
ノードと同様に高い相関性を持たせることができる。
また、透過形ダイノード群３の位置にマイクロチャンネ
ルプレートを用いても同様に高い相関性を持たせること
ができる。
ルプレートを用いても同様に高い相関性を持たせること
ができる。
（変形例）
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲内で種々
の変形を施すことができる。
の変形を施すことができる。
前記実施例では最終段ダイノードにカリウム・アンチモ
ン・セシウムを用いる例を示したが、アンチモン・セシ
ウム、ナトリウム・カリウム・アンチモン・セシウム、
ガリウム・アセナイド、ガリウム・リン、ガリウム・ア
セナイド・リン等も同様に利用できる。
ン・セシウムを用いる例を示したが、アンチモン・セシ
ウム、ナトリウム・カリウム・アンチモン・セシウム、
ガリウム・アセナイド、ガリウム・リン、ガリウム・ア
セナイド・リン等も同様に利用できる。
前記実施例では２組の信号取り出し電極を使用している
が、１次元の位置検出で良い場合には１組の信号取り出
し電極で足りる。
が、１次元の位置検出で良い場合には１組の信号取り出
し電極で足りる。
信号取り出し電極もアルミニウムだけではなく、銅等の
金属も同様に利用できる。
金属も同様に利用できる。
前記最終段ダイノードの基板にガラス板を使用したが、
アルミナ等の絶縁体であれば同様に利用できる。
アルミナ等の絶縁体であれば同様に利用できる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明による光電子増倍管を用いた
入射位置検出装置は最終段ダイノードに位置信号取り出
し電極を設け、この電極に流れる電流を演算することに
より、光電面に入射した光パルスの位置をアナログ量ま
たはデジタル量として出力することができる。
入射位置検出装置は最終段ダイノードに位置信号取り出
し電極を設け、この電極に流れる電流を演算することに
より、光電面に入射した光パルスの位置をアナログ量ま
たはデジタル量として出力することができる。
また同時に光パルスの強度の情報もアノードから取り出
すことができる。
すことができる。
このように本発明によれば、極めて簡単な構成で単一の
光電面に入射した光パルスの位置および強度の情報を同
時に得られるから前述したシンチレータ等と組み合せる
ことにより、微弱な放射線の検出等に広く利用すること
ができる。
光電面に入射した光パルスの位置および強度の情報を同
時に得られるから前述したシンチレータ等と組み合せる
ことにより、微弱な放射線の検出等に広く利用すること
ができる。
第１図は本発明による入射位置検出装置で使用する光電
子増倍管をその管軸を含む平面で切断して示した断面図
である。 第２図は最終段ダイノードの平面図である。 第３図は第２図に示した最終段ダイノードのＡ−Ａ断面
図である。 第４図は第２図に示した最終段ダイノードのＢ−Ｂ断面
図である。 第５図は本発明による入射位置検出装置の第１の実□施
例を示す回路図である。 第６図は光電面２に入射したホトンの位置と最終段ダイ
ノードに衝突する電子の位置関係を座標に対応させて示
したモデル図である。 第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。 第８図は各種透過形ダイノードの例を示すグイノードの
拡大図である。 １・・・真空気密容器 ２・・・光電面３・・・
透過形ダイノード群 ４・・・アノード５・・・最終段
ダイノード ６・・・リード線７・・・ガラス板
８・・・２次電子放出面９ａ〜９ｄ・・・板ば
ね １１．１２．１３．１４・・・位置信号取り出し電極２
１．２２，２３．２４．５０・・・チャージアンプ２５
．２８・・・加算器 ２６．２９・・・減算器２７
．３０・・・割算器 ４１．４２，４３，４４．５１・・・アナログデジタル
コンパ′−タ ４５・・・メモリ ４６・・・インターフェイス ４７・・・マーイクロコンピュータ ４８・・・Ｘ−Ｙディスプレイ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 素 片１図 ０ Ｉｆ 才２図 才３図 才４ＩＭ オ８図
子増倍管をその管軸を含む平面で切断して示した断面図
である。 第２図は最終段ダイノードの平面図である。 第３図は第２図に示した最終段ダイノードのＡ−Ａ断面
図である。 第４図は第２図に示した最終段ダイノードのＢ−Ｂ断面
図である。 第５図は本発明による入射位置検出装置の第１の実□施
例を示す回路図である。 第６図は光電面２に入射したホトンの位置と最終段ダイ
ノードに衝突する電子の位置関係を座標に対応させて示
したモデル図である。 第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。 第８図は各種透過形ダイノードの例を示すグイノードの
拡大図である。 １・・・真空気密容器 ２・・・光電面３・・・
透過形ダイノード群 ４・・・アノード５・・・最終段
ダイノード ６・・・リード線７・・・ガラス板
８・・・２次電子放出面９ａ〜９ｄ・・・板ば
ね １１．１２．１３．１４・・・位置信号取り出し電極２
１．２２，２３．２４．５０・・・チャージアンプ２５
．２８・・・加算器 ２６．２９・・・減算器２７
．３０・・・割算器 ４１．４２，４３，４４．５１・・・アナログデジタル
コンパ′−タ ４５・・・メモリ ４６・・・インターフェイス ４７・・・マーイクロコンピュータ ４８・・・Ｘ−Ｙディスプレイ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 素 片１図 ０ Ｉｆ 才２図 才３図 才４ＩＭ オ８図
Claims (3)
- （１）真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノード、網状のアノードおよび板状の最終段ダイ
ノードが配置されている光電子増倍管を用いた入射位置
検出装置において、前記最終段ダイノードの２次電子放
出面を均一な面積抵抗をもつように形成し、前記最終段
ダイノードに電流を供給する電極を前記ダイノード周縁
に対向するように接続して位置信号取り出し電極を形成
し、前記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面に
入射したパルス光の入射位置を演算する演算回路を設け
て構成したことを特徴とする入射位置検出装置。 - （２）前記複数のダイノードはトライアングル形ダイノ
ード、ベネシアンブラインド形ダイノードまたはメッシ
ュダイノードのいずれかである特許請求の範囲第１項記
載の入射位置検出装置。 - （３）前記均一な面積抵抗をもつ最終段ダイノードの抵
抗面は、アンチモン・セシウム、カリウム・アンチモン
・セシウム、ナトリウム・カリウム・アンチモン・セシ
ウム、ガリウム・アセナイド、ガリウム・リン、ガリウ
ム・アセナイド・リンのいずれかで形成されている特許
請求の範囲第１項記載の入射位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12263984A JPS612253A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12263984A JPS612253A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612253A true JPS612253A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14840947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12263984A Pending JPS612253A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612253A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012309A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍管 |
| WO2007099959A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| US7812532B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, radiation detecting device, and photomultiplier tube manufacturing method |
| US7838810B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
| US7902509B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP12263984A patent/JPS612253A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012309A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 電子増倍管 |
| WO2007099959A1 (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| JP2007234365A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| US7812532B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-10-12 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube, radiation detecting device, and photomultiplier tube manufacturing method |
| US7838810B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-11-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and a radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
| US7847232B2 (en) | 2006-02-28 | 2010-12-07 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device employing the photomultiplier tube |
| US7902509B2 (en) | 2006-02-28 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube and radiation detecting device |
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