JPS612001A - 入射位置検出装置 - Google Patents
入射位置検出装置Info
- Publication number
- JPS612001A JPS612001A JP12263884A JP12263884A JPS612001A JP S612001 A JPS612001 A JP S612001A JP 12263884 A JP12263884 A JP 12263884A JP 12263884 A JP12263884 A JP 12263884A JP S612001 A JPS612001 A JP S612001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- anode
- incident
- electrodes
- photocathode
- incident position
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- Pending
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光電子増倍装置、さらに詳しく言えば光電面に
入射した微弱な入射光の光電面への入射位置と入射量を
測定することができる入射位置検出装置に関する。
入射した微弱な入射光の光電面への入射位置と入射量を
測定することができる入射位置検出装置に関する。
（従来の技術）
光電子増倍管の光電面の前面にシンチレータ等を配置し
、微弱な放射線を検出する装置を形成することができる
。
、微弱な放射線を検出する装置を形成することができる
。
光電子増倍管は固体の光電変換装置では得られない優れ
た特性をもっているが、それ自体を小形にすることは困
難である。
た特性をもっているが、それ自体を小形にすることは困
難である。
そのためこのような装置において、光電子増倍管の単一
の光電面に入射したパルス性の光が前記光電面のどの位
置に入射したかを知りたいと言う要請がある。
の光電面に入射したパルス性の光が前記光電面のどの位
置に入射したかを知りたいと言う要請がある。
この要請に応えるため、本件出願人は、単一の光電面に
対して、複数組のダイノードとアノードを対応させ、ど
のダイノードから出力が得られたかにより光電面のどの
領域に入射光があったか判別することができる装置を特
願昭５９−７７２９４号としてすでに提案している。
対して、複数組のダイノードとアノードを対応させ、ど
のダイノードから出力が得られたかにより光電面のどの
領域に入射光があったか判別することができる装置を特
願昭５９−７７２９４号としてすでに提案している。
（発明の目的）
本発明の目的は前述の装置と同様に光電子増倍管を使用
してより高い精度で入射位置を知ることができる入射位
置検出装置を提供することにある。
してより高い精度で入射位置を知ることができる入射位
置検出装置を提供することにある。
（発明の構成および作用）
前記目的を達するために、本発明による入射位置検出装
置は、真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノードおよび板状のアノードが配置されている光
電子増倍管を用いた入射位置検出装置において、前記ア
ノードを均一な面積抵抗をもつように形成し、前記アノ
ードに電流を供給する電極を前記アノードの周縁に対向
するように接続して位置信号取り出し電極を形成し、前
記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面に入射し
たパルス光の入射位置と入射量を演算する演算回路を設
けて構成されている。
置は、真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノードおよび板状のアノードが配置されている光
電子増倍管を用いた入射位置検出装置において、前記ア
ノードを均一な面積抵抗をもつように形成し、前記アノ
ードに電流を供給する電極を前記アノードの周縁に対向
するように接続して位置信号取り出し電極を形成し、前
記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面に入射し
たパルス光の入射位置と入射量を演算する演算回路を設
けて構成されている。
光電面に入射したホトンによって発生する光電子の位置
とその光電子に原因する増倍された電子のアノード到達
位置間および入射したホトン数と光電変換され増倍され
た電子の数との間には相関があるので、前記アノードに
設けられた位置信号取り出し電極の出力を演算すること
により前記光電面へのホトンの入射位置と量を検出する
ことができる。
とその光電子に原因する増倍された電子のアノード到達
位置間および入射したホトン数と光電変換され増倍され
た電子の数との間には相関があるので、前記アノードに
設けられた位置信号取り出し電極の出力を演算すること
により前記光電面へのホトンの入射位置と量を検出する
ことができる。
（実施例）
以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
。
。
第１図は本発明による入射位置検出装置で使用する光電
子増倍管を管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。
子増倍管を管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。
真空気密容器１は円筒状であって第１図の上側の面の内
面に光電面２が形成されている。
面に光電面２が形成されている。
この光電面２から放出された光電子は、面状で均一で微
細な透過領域の分布を持つ透過形ダイノード群３で増倍
されアノード５に補数される。
細な透過領域の分布を持つ透過形ダイノード群３で増倍
されアノード５に補数される。
第８図に種々の透過形ダイノードの部分を拡大して示し
である。
である。
この実施例は第８図（Ａ）に示すトライアングル形ダイ
ノードを使っている。
ノードを使っている。
ダイノード群３、アノード５は管軸に垂直な平面上で真
空気密容器１の内径全体にわたって拡がるように配置さ
れている。
空気密容器１の内径全体にわたって拡がるように配置さ
れている。
アノード５の構造を第２図を参照して説明する。
アノード５は第２図に示すような円形のガラス板７の一
面に抵抗膜８を形成し周囲に半月状のアルミニウム電極
１１．１２．１３．１４を配置して構成されている。ア
ルミニウムの電極１１，１２゜１３．１４は位置信号取
り出し電極である。これらの電極は電極１１と１２の弦
が互いに平行で対回し、電極１３と１４の弦が互いに平
行で対向するように配置され、前記抵抗膜８を形成する
前にガラス板７上に形成される。
面に抵抗膜８を形成し周囲に半月状のアルミニウム電極
１１．１２．１３．１４を配置して構成されている。ア
ルミニウムの電極１１，１２゜１３．１４は位置信号取
り出し電極である。これらの電極は電極１１と１２の弦
が互いに平行で対回し、電極１３と１４の弦が互いに平
行で対向するように配置され、前記抵抗膜８を形成する
前にガラス板７上に形成される。
均一な面積抵抗が得られ、前記位置信号取り出し電極１
１，１２，１３．１４に接続するように酸化スズ膜（ネ
サ膜）で抵抗膜８を形成する。
１，１２，１３．１４に接続するように酸化スズ膜（ネ
サ膜）で抵抗膜８を形成する。
半月状のアルミニウム電極１１，１２，１３．１４の各
中心部には第３図および第４図に示されているように貫
通孔が設けられている。板ばね９ａ。
中心部には第３図および第４図に示されているように貫
通孔が設けられている。板ばね９ａ。
９ｂ、９ｃおよび９ｄに固定された導体棒が前記各板ば
ねをアルミニウム電極１１．１２，１３゜１４に電気的
に接続させるように前記各貫通孔に挿入されている。
ねをアルミニウム電極１１．１２，１３゜１４に電気的
に接続させるように前記各貫通孔に挿入されている。
前記抵抗膜８は後述するように、前記位置信号取り出し
電極１１，１２，１３．１４に電流が分流するためには
充分低い抵抗値を持ち、位置を決定するためには相当な
抵抗値であるような面積抵抗が与えられている。
電極１１，１２，１３．１４に電流が分流するためには
充分低い抵抗値を持ち、位置を決定するためには相当な
抵抗値であるような面積抵抗が与えられている。
位置信号取り出し電極１１，１２，１３．１４はそれぞ
れ、板ばね９ａ、９ｂ、９ｃおよび９ｄと対応する導体
棒を介して容器の底面に設けられているリード線６・・
・６と接続されている。
れ、板ばね９ａ、９ｂ、９ｃおよび９ｄと対応する導体
棒を介して容器の底面に設けられているリード線６・・
・６と接続されている。
第５図は本発明による入射位置検出装置の実施例を示す
光電子増倍管と演算回路の回路図である。
光電子増倍管と演算回路の回路図である。
前述した光電子増倍管は等価回路で示されている。
光電子増倍管の各電極には一１０００Ｖの電圧を分圧器
で分圧した電圧が接続されている。分圧器を構成する抵
抗Ｒ１は１５０にΩ、Ｒ２〜Ｒｎは５０にΩである。ま
たコンデンサ０１〜Ｃ３の容量はそれぞれ０．０１μＦ
である。
で分圧した電圧が接続されている。分圧器を構成する抵
抗Ｒ１は１５０にΩ、Ｒ２〜Ｒｎは５０にΩである。ま
たコンデンサ０１〜Ｃ３の容量はそれぞれ０．０１μＦ
である。
第６図は光電面２に入射したホトンの位置Ｐ’（ｘ’、
ｙ’）とアノード５に衝突する電子の位置Ｐ （ｘ、
ｙ）の関係を座標に対応させて示したモデル図である
。
ｙ’）とアノード５に衝突する電子の位置Ｐ （ｘ、
ｙ）の関係を座標に対応させて示したモデル図である
。
第６図に示すように光電面２に入射したホトンによって
発生した光電子は増倍され、ある空間的なひろがりをも
って、アノード５に補数される。
発生した光電子は増倍され、ある空間的なひろがりをも
って、アノード５に補数される。
このとき、入射したホトンの位置と、増倍された電子が
アノードにｉｆｉ突する位置との間には相関があるから
、アノードへの到達位置を演算算出することにより光電
面へのホトンの入射位置を特定する。
アノードにｉｆｉ突する位置との間には相関があるから
、アノードへの到達位置を演算算出することにより光電
面へのホトンの入射位置を特定する。
アノード５の抵抗膜８の面積抵抗は均一であるから、増
倍された二次電子の入射点Ｐから各電極１１．１２．１
３．１４までの距離を７！、、Ｂ。
倍された二次電子の入射点Ｐから各電極１１．１２．１
３．１４までの距離を７！、、Ｂ。
７！３＋ ＋２４とすると、入射点Ｐから各、電極１
１゜１２．１３．１４までの抵抗値ｒｌ、’ｒ２．ｒ３
゜ｒ４はそれらの距離に比例する。
１゜１２．１３．１４までの抵抗値ｒｌ、’ｒ２．ｒ３
゜ｒ４はそれらの距離に比例する。
その結果各電極１１，１２．１３．１４までの距離をβ
ｌ、／２． β３＋ Ｉ！４と各電極１１，１２゜
１３．１４に流れる電流＋１．１２．＋３．＋４は逆比
例するので各電極から取り出された信号出力は、増倍さ
れた二次電子の入射位置に関する情報が含まれているこ
とになる。
ｌ、／２． β３＋ Ｉ！４と各電極１１，１２゜
１３．１４に流れる電流＋１．１２．＋３．＋４は逆比
例するので各電極から取り出された信号出力は、増倍さ
れた二次電子の入射位置に関する情報が含まれているこ
とになる。
位置信号取り出し電極１１．１２．１３．１４に流れる
電流は各々チャージアンプ２１．＋２，２３．２４で電
圧に変換される。
電流は各々チャージアンプ２１．＋２，２３．２４で電
圧に変換される。
チャージアンプ２１２２の出力は加算器２５、減算器２
６に接続され、各々の出力端は割算器２７に接続されて
いる。
６に接続され、各々の出力端は割算器２７に接続されて
いる。
同様にチャージアンプ２３．２４の出力は加算器２８、
減算器２９に接続され、各々の出力端は割算器３０に接
続されている。
減算器２９に接続され、各々の出力端は割算器３０に接
続されている。
理解を容易にするために、抵抗膜８上の位置を第６図に
示すようなＸ、Ｙ座標により定義する。
示すようなＸ、Ｙ座標により定義する。
Ｙ軸は電極１３．１４に平行でそれらから等距離にある
。Ｙ軸は電極１１．１２に平行で同様にそれらから等距
離にある。
。Ｙ軸は電極１１．１２に平行で同様にそれらから等距
離にある。
今、第６図に示すようにＰ′点にホトンが入射すると、
増幅された電子は、ある空間的なひろがりをもってアノ
ードに補数される。
増幅された電子は、ある空間的なひろがりをもってアノ
ードに補数される。
このとき、各取り出し電極から第６図に示すように信号
電流＋１．１２．＋３および＋４が流れているとする。
電流＋１．１２．＋３および＋４が流れているとする。
前述したように、各電流ｉ＋、ｉ２．ｉ３．ｉ４は電子
の入射位置と、各取り出し電極の距離に比例した面積抵
抗ｒ１．ｒ２．ｒ３．ｒ４に逆比例した電流値を示す。
の入射位置と、各取り出し電極の距離に比例した面積抵
抗ｒ１．ｒ２．ｒ３．ｒ４に逆比例した電流値を示す。
各電流’１．１２．’３＋ ’４はチャージアンプ２
１．２２．２３．２４で電圧Ｖ１．Ｖ２ 、Ｖ３ 。
１．２２．２３．２４で電圧Ｖ１．Ｖ２ 、Ｖ３ 。
ｖ４に変換される。
電圧Ｖ１．Ｖ２ 、Ｖ３ 、Ｖ４は各信号電流ｉＩ＋１
２、＋３．＋４に比例した値となるのでｖ、＝に１ ｉ
ｌ、Ｖ２ ＝に２ ＋２．Ｖ３ ’＝に３ ＋３．Ｖ４
−に４ｉ４となる。
２、＋３．＋４に比例した値となるのでｖ、＝に１ ｉ
ｌ、Ｖ２ ＝に２ ＋２．Ｖ３ ’＝に３ ＋３．Ｖ４
−に４ｉ４となる。
加算器２５ではＶ１＋ｖ２＝に、＋ｌ ＋に２１２、減
算器２６ではＶ２ Ｖ１＝に２ ｉ ２ ｋｌ
ｉ １が演算される。
算器２６ではＶ２ Ｖ１＝に２ ｉ ２ ｋｌ
ｉ １が演算される。
割算器２７から（ｖ２ Ｖｌ ） ／ （Ｖｌ ＋Ｖ
２ ）−（ｋ２ ＋２ ｋ＋ ｉ＋ ）／ （ｋｌ
ｉｌ ＋に２ ＋２）が出力される。
２ ）−（ｋ２ ＋２ ｋ＋ ｉ＋ ）／ （ｋｌ
ｉｌ ＋に２ ＋２）が出力される。
ここでに、＝に２とすると上式は０式となる。
（１２’ ｌ ）／ （ｉｌ ＋ ＋２）・・・■同様
にしてに３＝に４とすると割算器３ｏがら■式で示す演
算値が出力される。
にしてに３＝に４とすると割算器３ｏがら■式で示す演
算値が出力される。
（＋４−４３）／ （β３＋ｉ４）・・・００式に示す
信号は点ＰのＸ座標に相当する信号であり、■式に示す
信号はＹ座標に相当する信号である。
信号は点ＰのＸ座標に相当する信号であり、■式に示す
信号はＹ座標に相当する信号である。
単一光パルスの入射光量に対応する量は加算器２５．２
８の出力を加算器３１に入力し加算することにより入射
光量信号として取り出される。
８の出力を加算器３１に入力し加算することにより入射
光量信号として取り出される。
第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
前記実施例では、加算器、減算器、割算器のアナログ演
算で位置を決定したが、この実施例はチャージアンプ２
１，２２，２３．２４の出力以降をデジタル処理するよ
うに構成しである。
算で位置を決定したが、この実施例はチャージアンプ２
１，２２，２３．２４の出力以降をデジタル処理するよ
うに構成しである。
チャージアンプ２１．２’２，２３．２４の各出力は、
アナログデジタルコンバータ４１，４２，４３．４４で
デジタル信号に変換され、メモリ４５に一時記憶される
。このデータは、インターフェイス４６を介してマイク
ロコンピュータ４７で演算処理される。
アナログデジタルコンバータ４１，４２，４３．４４で
デジタル信号に変換され、メモリ４５に一時記憶される
。このデータは、インターフェイス４６を介してマイク
ロコンピュータ４７で演算処理される。
この演算処理のアルゴリズムは先に第５図を参照して説
明した演算の手順と略同じである。
明した演算の手順と略同じである。
演算処理の結果はＸ−Ｙディスプレイ４８に表示される
。
。
この実施例の特徴は、演算処理が容易となることから各
種の補正が容易になることである。
種の補正が容易になることである。
例えば、アノードの抵抗膜の面積抵抗が均一でなくても
、マイクロコンピュータ４７にあらかじめ光電面の入射
位置と各信号取り出し電極に流れる電流値の関係を記憶
させておくことによって位置信号の歪を補正できる。
、マイクロコンピュータ４７にあらかじめ光電面の入射
位置と各信号取り出し電極に流れる電流値の関係を記憶
させておくことによって位置信号の歪を補正できる。
第８図（Ｂ）（Ｃ）にダイノードの他の実施例を示す。
同図（Ｂ）に示したベネシアンブラインド形ダイノード
、同図（Ｃ）に示したメンシュダイノードも光電面の光
電子の発生位置と前記光電子に起因する電子群のアノー
ドへの入射位置間に前述したトライアングルダイノード
と同様に高い相関性を持たせることができる。
、同図（Ｃ）に示したメンシュダイノードも光電面の光
電子の発生位置と前記光電子に起因する電子群のアノー
ドへの入射位置間に前述したトライアングルダイノード
と同様に高い相関性を持たせることができる。
（変形例）
以上詳しく説明した実施例につき本発明の範囲内で種々
の変形を施すことができる。
の変形を施すことができる。
前記実施例では２組の信号取り出し電極を使用している
が、１次元の位置検出で良い場合には１組の信号取り出
し電極で足りる。
が、１次元の位置検出で良い場合には１組の信号取り出
し電極で足りる。
また前記実施例は抵抗膜８として酸化スズ膜（ネサ膜）
を使用したが、他の抵抗膜、酸化インジウム膜、酸化ア
ルミニウム膜、タングンステン膜。
を使用したが、他の抵抗膜、酸化インジウム膜、酸化ア
ルミニウム膜、タングンステン膜。
アンチモン・セシウム、カリウム・アンチモン・セシウ
ム、ナトリウム・カリウム・アンチモン・セシウム、シ
リコン半導体等で形成される抵抗膜も同様に利用できる
。
ム、ナトリウム・カリウム・アンチモン・セシウム、シ
リコン半導体等で形成される抵抗膜も同様に利用できる
。
信号取り出し電極もアルミニウムだけではなく、銅等の
金属も同様に利用できる。
金属も同様に利用できる。
前記アノードの基板としてガラス板を使用したが、アル
ミナ等の絶縁体であれば同様に利用できる。
ミナ等の絶縁体であれば同様に利用できる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明による光電子増倍管を用いた
入射位置検出装置は位置信号取り出し電極を設け、この
電極に流れる電流を演算することにより、光電面に入射
した光パルスの位置をアナログ量またはデジタル量とし
て出力することができる。
入射位置検出装置は位置信号取り出し電極を設け、この
電極に流れる電流を演算することにより、光電面に入射
した光パルスの位置をアナログ量またはデジタル量とし
て出力することができる。
また同時に光パルスの強度の情報も取り出すことができ
る。
る。
このように本発明によれば、極めて簡単な構成で単一の
光電面に入射した光パルスの位置および強度の情報を同
時に得られるから前述したシンチレータ等と組み合せる
ことにより、微弱な放射線の検出等に広く利用すること
ができる。
光電面に入射した光パルスの位置および強度の情報を同
時に得られるから前述したシンチレータ等と組み合せる
ことにより、微弱な放射線の検出等に広く利用すること
ができる。
第１図は本発明による入射位置検出装置で使用する光電
子増倍管を管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。 第２図は第１図のアノードの平面図である。 第３図は第２図に示したアノードのＡ−Ａ断面図である
。 第４図は第２図に示したアノードのＢ−Ｂ断面図である
。 第５図は本発明による入射位置検出装置の第１の実施例
を示す回路図である。 第６図は光電面２に入射したホトンの位置とアノードに
衝突する電子の位置関係を座標に対応させて示したモデ
ル図である。 第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。 第８図は各種透過形ダイノードの例を示すダイノードの
拡大図である。 １・・・真空気密容器 ２・・・光電面３・・・
透過形ダイノード群 ４・・・チップ管５・・・アノー
ド ６・・・リード線７・・・ガラス板
８・・・抵抗膜４ａ〜９ｄ・・・板ばね １１．１２，１３．１４・・・位置信号取り出し電極２
１．２２．２３．２４・・・チャージアンプ２５．２８
．３１・・・加算器 ２６．２９・・・減算器 ２７．３０・・・割算器 ４１．４２，４３．４４・・・アナログデジタルコンハ
′−タ ４５・・・メモリ ４６・・・インターフェイス ４７・・・マイクロコンピュータ ４８・・・Ｘ−Ｙディスプレイ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 溝 片１図 ［１１１ オ８図
子増倍管を管軸を含む平面で切断して示した断面図であ
る。 第２図は第１図のアノードの平面図である。 第３図は第２図に示したアノードのＡ−Ａ断面図である
。 第４図は第２図に示したアノードのＢ−Ｂ断面図である
。 第５図は本発明による入射位置検出装置の第１の実施例
を示す回路図である。 第６図は光電面２に入射したホトンの位置とアノードに
衝突する電子の位置関係を座標に対応させて示したモデ
ル図である。 第７図は本発明による入射位置検出装置の第２の実施例
を示す回路図である。 第８図は各種透過形ダイノードの例を示すダイノードの
拡大図である。 １・・・真空気密容器 ２・・・光電面３・・・
透過形ダイノード群 ４・・・チップ管５・・・アノー
ド ６・・・リード線７・・・ガラス板
８・・・抵抗膜４ａ〜９ｄ・・・板ばね １１．１２，１３．１４・・・位置信号取り出し電極２
１．２２．２３．２４・・・チャージアンプ２５．２８
．３１・・・加算器 ２６．２９・・・減算器 ２７．３０・・・割算器 ４１．４２，４３．４４・・・アナログデジタルコンハ
′−タ ４５・・・メモリ ４６・・・インターフェイス ４７・・・マイクロコンピュータ ４８・・・Ｘ−Ｙディスプレイ 特許出願人 浜松ホトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 溝 片１図 ［１１１ オ８図
Claims (3)
- （１）真空気密容器、前記容器のフェースプレート面内
側に形成された光電面、前記光電面に平行な層状の複数
のダイノードおよび板状のアノードが配置されている光
電子増倍管を用いた入射位置検出装置において、前記ア
ノードを均一な面積抵抗をもつように形成し、前記アノ
ードに電流を供給する電極を前記アノードの周縁に対向
するように接続して位置信号取り出し電極を形成し、前
記位置信号取り出し電極の出力から前記光電面に入射し
たパルス光の入射位置と入射量を演算する演算回路を設
けて構成したことを特徴とする入射位置検出装置。 - （２）前記ダイノードはトライアングル形ダイノード、
ベネシアンブラインド形ダイノードまたはメッシュダイ
ノードのいずれかである特許請求の範囲第１項記載の入
射位置検出装置。 - （３）前記均一な面積抵抗をもつアノードの抵抗面は、
酸化スズ膜、酸化インジウム膜、酸化アルミニウム膜、
タングンステン膜、アンチモン・セシウム、カリウム・
アンチモン・セシウム、ナトリウム・カリウム・アンチ
モン・セシウム、シリコン半導体のいずれかで形成され
ている特許請求の範囲第１項記載の入射位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12263884A JPS612001A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12263884A JPS612001A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612001A true JPS612001A (ja) | 1986-01-08 |
Family
ID=14840922
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12263884A Pending JPS612001A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 入射位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS612001A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0257102U (ja) * | 1988-09-13 | 1990-04-25 |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP12263884A patent/JPS612001A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0257102U (ja) * | 1988-09-13 | 1990-04-25 |
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