JPH0525312B2 - - Google Patents
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- JPH0525312B2 JPH0525312B2 JP2508288A JP2508288A JPH0525312B2 JP H0525312 B2 JPH0525312 B2 JP H0525312B2 JP 2508288 A JP2508288 A JP 2508288A JP 2508288 A JP2508288 A JP 2508288A JP H0525312 B2 JPH0525312 B2 JP H0525312B2
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- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 2
- 238000005375 photometry Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、核医学、測光、高エネルギー物理、
放射線計測に利用できる荷電粒子の入射位置を検
出する装置に関する。
放射線計測に利用できる荷電粒子の入射位置を検
出する装置に関する。
（従来の技術）
荷電粒子の入射位置を検出する装置として二次
元平板状抵抗分割型アノードおよびマルチアノー
ドが知られている。
元平板状抵抗分割型アノードおよびマルチアノー
ドが知られている。
第４図は、二次元平板状抵抗分割型アノードの
平面図である。
平面図である。
二次元平板状抵抗分割型アノード４０は、均一
な面積抵抗をもつ四辺形の抵抗面４５の各辺にそ
れぞれ電極４１〜４４が設けられている。
な面積抵抗をもつ四辺形の抵抗面４５の各辺にそ
れぞれ電極４１〜４４が設けられている。
以後説明のために電極４１，４２をＸ方向の電
極、４３，４４をＹ方向の電極ということにす
る。
極、４３，４４をＹ方向の電極ということにす
る。
第５図は、前記二次元平板状抵抗分割型アノー
ドを利用した光の入射位置を検出する電子管の断
面図である。
ドを利用した光の入射位置を検出する電子管の断
面図である。
光電面５１に入射した光により光電面５１から
発生した光電子は、マイクロチヤンネルプレート
５３等の二次元増倍装置で増倍されて二次元平板
状抵抗分割型アノード４０に入射させられる。
発生した光電子は、マイクロチヤンネルプレート
５３等の二次元増倍装置で増倍されて二次元平板
状抵抗分割型アノード４０に入射させられる。
光の入射位置、光電子の発生位置、二次元平板
状抵抗分割型アノード４０への増倍された電子の
入射位置は対応しているから、二次元平板状抵抗
分割型アノード４０への増倍された電子の入射位
置を演算することにより、光の入射位置を知るこ
とができる。
状抵抗分割型アノード４０への増倍された電子の
入射位置は対応しているから、二次元平板状抵抗
分割型アノード４０への増倍された電子の入射位
置を演算することにより、光の入射位置を知るこ
とができる。
二次元平板状抵抗分割型アノード４０への荷電
粒子の入射位置ｐ（ｘ、ｙ）は以下のようにして
推定される。
粒子の入射位置ｐ（ｘ、ｙ）は以下のようにして
推定される。
ｘ＝ｋ（Ix1−Ix2）／（Ix1＋Ix2）
ｙ＝ｋ（Iy1−Iy2）／（Iy1＋Iy2）
ここにおいて
Ix1、Ix2：電極４１，４２の電流
Iy1、Iy2：電極４３，４４の電流
ｋ：定数
第７図はマルチアノードとして知られている、
さらに他の荷電粒子の入射位置を検出する装置の
平面図である。
さらに他の荷電粒子の入射位置を検出する装置の
平面図である。
多数の導体６０を平面上に配置して各導体にそ
れぞれ引出し線６１を設けてある。
れぞれ引出し線６１を設けてある。
このマルチアノードも第５図に示した二次元平
板状抵抗分割型アノード４０の位置に挿入されて
使用される。
板状抵抗分割型アノード４０の位置に挿入されて
使用される。
各導体の出力を導体ごとに出力できるので、前
述したような演算は不要である。
述したような演算は不要である。
（発明が解決しようとする課題）
二次元平板状抵抗分割型アノード４０への荷電
粒子の入射位置ｐ（ｘ、ｙ）は前述したようにし
て推定されるが、推定された位置と現実の入射位
置については若干のずれがある。
粒子の入射位置ｐ（ｘ、ｙ）は前述したようにし
て推定されるが、推定された位置と現実の入射位
置については若干のずれがある。
第６図は二次元平板状抵抗分割型アノードの前
記ずれを説明するためのグラフである。
記ずれを説明するためのグラフである。
均一な抵抗面に第６図に示すように、第６図の
曲線は現実の装置において、ＸおよびＹ方向それ
ぞれで、前記式による同一の演算結果を与える位
置を示したものである。
曲線は現実の装置において、ＸおよびＹ方向それ
ぞれで、前記式による同一の演算結果を与える位
置を示したものである。
歪がなければ、前記曲線は直線となり、正方形
の枡目を形成するはずである。
の枡目を形成するはずである。
なお前記演算は正方形の抵抗面の各辺にそれぞ
れ辺の長さ0.85倍の電極を施した場合の例であ
る。
れ辺の長さ0.85倍の電極を施した場合の例であ
る。
このような歪が発生するので、精密な計測のた
めには補正が必要となる。
めには補正が必要となる。
前述したマルチアノードは各導体の出力を直接
取り出すのであるから、前述した歪の問題は発生
しない。
取り出すのであるから、前述した歪の問題は発生
しない。
しかしながら、導体の数が大きくなると引出し
線の配置が問題となり、導体の数を大きくするこ
とができず、高い分解能のマルチアノードは得ら
れていない。
線の配置が問題となり、導体の数を大きくするこ
とができず、高い分解能のマルチアノードは得ら
れていない。
本発明の目的は位置直接性が良く、しかも高位
置分解能で出力端子が少なく、簡単な回路構成で
位置演算を行なうことができる荷電粒子の入射位
置を検出する装置を提供することにある。
置分解能で出力端子が少なく、簡単な回路構成で
位置演算を行なうことができる荷電粒子の入射位
置を検出する装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
前記目的を達成するために、本発明による荷電
粒子の入射位置を検出する装置は、行および列に
配列された多数個の導体群と、前記各行の導体を
接続する行の抵抗線と、前記各行の抵抗線の両端
にそれぞれ接続されている一対の列の抵抗線と、
前記列の抵抗線の少なくとも両端に接続されてい
る出力端子から構成されている。
粒子の入射位置を検出する装置は、行および列に
配列された多数個の導体群と、前記各行の導体を
接続する行の抵抗線と、前記各行の抵抗線の両端
にそれぞれ接続されている一対の列の抵抗線と、
前記列の抵抗線の少なくとも両端に接続されてい
る出力端子から構成されている。
（実施例）
本発明を図面等を参照して、さらに詳しく説明
する。
する。
第１図Ａは、本発明による荷電粒子の入射位置
を検出する装置を用いた光子入射位置検出装置の
実施例を示す図であり、同図Ｂは荷電粒子の入射
位置を検出する装置の略図的な平面図である。
を検出する装置を用いた光子入射位置検出装置の
実施例を示す図であり、同図Ｂは荷電粒子の入射
位置を検出する装置の略図的な平面図である。
第１図Ｂに示されているように、荷電粒子の入
射位置を検出する装置は、セラミツク基板１上に
アルミニウムを蒸着し、導電体部２…２を行およ
び列に形成する。
射位置を検出する装置は、セラミツク基板１上に
アルミニウムを蒸着し、導電体部２…２を行およ
び列に形成する。
次にクロムなどの抵抗性金属膜を蒸着し、Ｘ方
向の抵抗線３…３、Ｙ方向の抵抗線４，４を形成
する。
向の抵抗線３…３、Ｙ方向の抵抗線４，４を形成
する。
ただし、この時ＸとＹ方向の抵抗線の単位長さ
当りの値を変える。
当りの値を変える。
この実施例では、Ｘ方向の抵抗値をＹ方向の抵
抗値の100倍となるように抵抗膜厚あるいは抵抗
線幅を調整してある。
抗値の100倍となるように抵抗膜厚あるいは抵抗
線幅を調整してある。
第１図Ａは光子入射位置検出装置の真空容器２
０の内面に光電陰極面２１が形成されており、光
電陰極面２１から放出された光電子はマイクロチ
ヤンネルプレート２２により増倍される。
０の内面に光電陰極面２１が形成されており、光
電陰極面２１から放出された光電子はマイクロチ
ヤンネルプレート２２により増倍される。
マイクロチヤンネルプレート２２の出力は前述
した荷電粒子の入射位置を検出する装置１のいず
れかの導電体部２に入射させられる。
した荷電粒子の入射位置を検出する装置１のいず
れかの導電体部２に入射させられる。
荷電粒子の入射位置を検出する装置１の左側の
Ｙ方向抵抗線４の両端は出力端子OUTA、
OUTCに、右側のＹ方向抵抗線４の両端は出力
端子OUTB、OUTDに接続されている。
Ｙ方向抵抗線４の両端は出力端子OUTA、
OUTCに、右側のＹ方向抵抗線４の両端は出力
端子OUTB、OUTDに接続されている。
これらの端子は容器２０の外に導かれており、
これらの端子から出力電流により、どの導体２に
増倍された電子が入射したかの演算が行われる。
第２図は前記荷電粒子の入射位置を検出する装置
の出力を演算して入射位置の座標を算出するため
の回路の実施例を示す回路図である。
これらの端子から出力電流により、どの導体２に
増倍された電子が入射したかの演算が行われる。
第２図は前記荷電粒子の入射位置を検出する装置
の出力を演算して入射位置の座標を算出するため
の回路の実施例を示す回路図である。
出力端子OUTA、OUTB、OUTCおよび
OUTDの出力電圧は、それぞれ第２図の回路の
増幅器５，６，７および８に接続され、ここで出
力電圧に対応する電圧VA、VB、VC、VDに変
換される。
OUTDの出力電圧は、それぞれ第２図の回路の
増幅器５，６，７および８に接続され、ここで出
力電圧に対応する電圧VA、VB、VC、VDに変
換される。
増幅器５，６の出力は加算器９に接続され
（VA＋VB）増幅器７，８の出力は加算器１０に
接続され（VC＋VD）が求められる。
（VA＋VB）増幅器７，８の出力は加算器１０に
接続され（VC＋VD）が求められる。
さらに加算器１１で（VA＋VB＋VC＋VD）
が求められる。
が求められる。
割算器１３，１２の出力は、荷電粒子の入射位
置の座標（Ｘ、Ｙ）を示す。
置の座標（Ｘ、Ｙ）を示す。
Ｘ＝（VA＋VB）／（VA＋VB＋VC＋VD）
Ｙ＝（VB＋VD）／（VA＋VB＋VC＋VD）
次に本発明による実施例でＸ方向の接続線の抵
抗値をＹ方向の抵抗値の100倍とした理由につい
て説明する。
抗値をＹ方向の抵抗値の100倍とした理由につい
て説明する。
第６図は、Ｘ、Ｙ方向の抵抗比を種々変えたと
きの等出力曲線を示すグラフである。
きの等出力曲線を示すグラフである。
第６図は、導体１を９×９個配置し、Ｘ方向の
単位長さ当りの抵抗をRx、Ｙ方向の単位長さ当
りの抵抗をRyとして Rx／Ry＝１、10、100、1000としたときのい
くつかの演算出力を与える線を示したものであ
る。
単位長さ当りの抵抗をRx、Ｙ方向の単位長さ当
りの抵抗をRyとして Rx／Ry＝１、10、100、1000としたときのい
くつかの演算出力を与える線を示したものであ
る。
第３図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄはそれぞれ抵抗比１、
10、100、1000の場合を示している。
10、100、1000の場合を示している。
同図から抵抗比が大きくなるにしたがつて、直
線性が向上していることがわかる。
線性が向上していることがわかる。
以上詳しく説明した実施例について、本発明の
範囲内で種々の変形を施すことができる。
範囲内で種々の変形を施すことができる。
二次元増倍器として二次電子増倍機能をもつメ
ツシユを用いることも可能である。
ツシユを用いることも可能である。
また、ベネシアンブラインド形の増倍器を用い
ることもできる。
ることもできる。
これらの増倍器を用いた入射位置検出装置は、
核医学、測光、高エネルギー物理、放射線計測に
広く使用できる。
核医学、測光、高エネルギー物理、放射線計測に
広く使用できる。
（発明の効果）
以上詳しく説明したように本発明による荷電粒
子の入射位置を検出する装置は、行および列に配
列された多数個の導体群と、前記各行の導体を接
続する行の抵抗線と、前記各行の抵抗線の両端に
それぞれ接続されている一対の列の抵抗線と、前
記列の抵抗線の少なくとも両端に接続されている
出力端子から構成されている。
子の入射位置を検出する装置は、行および列に配
列された多数個の導体群と、前記各行の導体を接
続する行の抵抗線と、前記各行の抵抗線の両端に
それぞれ接続されている一対の列の抵抗線と、前
記列の抵抗線の少なくとも両端に接続されている
出力端子から構成されている。
したがつて、構造が簡単で製作が容易である。
また前記行の抵抗線の単位長さ当りの抵抗値は
前記列の抵抗線のそれよりも十分大きい抵抗値と
すると、直線性の良い位置検出が可能となる。
前記列の抵抗線のそれよりも十分大きい抵抗値と
すると、直線性の良い位置検出が可能となる。
また、後続の処理回路が少なくなり、簡単な構
成となる。
成となる。
第１図Ａは、本発明による荷電粒子の入射位置
を検出する装置を用いた光子入射位置検出装置の
実施例を示す図であり、同図Ｂは荷電粒子の入射
位置を検出する装置の略図的な平面図である。第
２図は、前記荷電粒子の入射位置を検出する装置
の出力を演算して入射位置の座標を算出するため
の回路の実施例を示す回路図である。第３図は、
Ｘ方向の抵抗線の抵抗とＹ方向の抵抗線の抵抗の
比を変えたときの等出力曲線を示すグラフであ
る。第４図は、二次元平板状抵抗分割型アノード
の平面図である。第５図は、前記二次元平板状抵
抗分割型アノードを利用した光の入射位置を検出
する電子管の断面図である。第６図は、二次元平
板状抵抗分割型アノードの出力の歪を示すグラフ
である。第７図は、マルチアノードとして知られ
ている、さらに他の荷電粒子の入射位置を検出す
る装置の平面図である。 １……セラミツク基板、２……導体、３…３…
…Ｘ方向抵抗線、４，４……Ｙ方向抵抗線、５，
６，７，８……増幅器、９，１０，１１……加算
器、１２，１３……割算器、２０……真空容器、
２１……光電陰極面、２２……マイクロチヤンネ
ルプレート。
を検出する装置を用いた光子入射位置検出装置の
実施例を示す図であり、同図Ｂは荷電粒子の入射
位置を検出する装置の略図的な平面図である。第
２図は、前記荷電粒子の入射位置を検出する装置
の出力を演算して入射位置の座標を算出するため
の回路の実施例を示す回路図である。第３図は、
Ｘ方向の抵抗線の抵抗とＹ方向の抵抗線の抵抗の
比を変えたときの等出力曲線を示すグラフであ
る。第４図は、二次元平板状抵抗分割型アノード
の平面図である。第５図は、前記二次元平板状抵
抗分割型アノードを利用した光の入射位置を検出
する電子管の断面図である。第６図は、二次元平
板状抵抗分割型アノードの出力の歪を示すグラフ
である。第７図は、マルチアノードとして知られ
ている、さらに他の荷電粒子の入射位置を検出す
る装置の平面図である。 １……セラミツク基板、２……導体、３…３…
…Ｘ方向抵抗線、４，４……Ｙ方向抵抗線、５，
６，７，８……増幅器、９，１０，１１……加算
器、１２，１３……割算器、２０……真空容器、
２１……光電陰極面、２２……マイクロチヤンネ
ルプレート。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 行および列に配列された多数個の導体群と、
前記各行の導体を接続する行の抵抗線と、前記各
行の抵抗線の両端にそれぞれ接続されている一対
の列の抵抗線と、前記列の抵抗線の少なくとも両
端に接続されている出力端子から構成した荷電粒
子の入射位置を検出する装置。 ２ 前記行の抵抗線の単位長さ当りの抵抗値は前
記列の抵抗線のそれよりも十分大きい抵抗値であ
る請求項１記載の荷電粒子の入射位置を検出する
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2508288A JPH01201185A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 荷電粒子の入射位置を検出する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2508288A JPH01201185A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 荷電粒子の入射位置を検出する装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01201185A JPH01201185A (ja) | 1989-08-14 |
| JPH0525312B2 true JPH0525312B2 (ja) | 1993-04-12 |
Family
ID=12156005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2508288A Granted JPH01201185A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | 荷電粒子の入射位置を検出する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01201185A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2475063A (en) | 2009-11-04 | 2011-05-11 | Univ Leicester | Charge detector for photons or particles. |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP2508288A patent/JPH01201185A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01201185A (ja) | 1989-08-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313532 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |