JPS61224398A - 多層プリント回路基板の製造方法 - Google Patents

多層プリント回路基板の製造方法

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JPS61224398A
JPS61224398A JP6344085A JP6344085A JPS61224398A JP S61224398 A JPS61224398 A JP S61224398A JP 6344085 A JP6344085 A JP 6344085A JP 6344085 A JP6344085 A JP 6344085A JP S61224398 A JPS61224398 A JP S61224398A
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layer
plating
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iii
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JP6344085A
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志賀 章二
堀 久子
徹 谷川
俊夫 谷
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電子機器、部品に使用される高密度多層プリン
ト回路基板の製造方法に関するものである。
(従来の技術) 高密度実装可能なプリント回路基板としては、一般にガ
ラスエポキシ樹脂などのレジン基板の両面にCu箔を張
合せレジストエツチング処理により予め所定の回路パタ
ーンを形成したものを単位とし、これら数枚を積層固化
してからスルーホールで導通回路を形成するようにした
ものが広く実用化されている。この場合伝熱性に萌るレ
ジンが比較的厚い基板のため、その放熱特性に乏しく実
用上不都合な場合が多い、そこでこれに対処すべくt’
 7 ミンク基板を用いた多層基板がコンビエータ−1
自動車、産業機器等に数多く使用されている。
しかし該セラミック基板はそのサイズに限定されるのみ
でなく、コスト高でがっ製造歩留りが低くなりレジン基
板の数倍という高価格化の原因となり、更に放熱性の向
上にも限度がある。
(発明が解決しようとする問題点) ここに放熱特性に優れ経済性の向上された多層回路基板
が広く求められており、これに応えるべく新規な多層回
路基板の製造方法の61立が急務とされている。
(問題点を解決するための手段) 本発明は、絶縁処理された金属やセラミック。
レジンなどの基体上に任意の方法で形成された第1層回
路上に第2及び第3層以上の回路を上記問題を生ずるこ
となく形成することにより多層回路基板を得る方法であ
り、以下第1図を用いて具体的に説明する。
特に放熱性を重視する場合は、基体lとしてAI。
Cu、 Feなどの金属板が好適である。先ず第1絶縁
層2を介して第1層回路3.3′を基体1上に形成する
0通常は、前記第1絶縁層2の少なくとも一部を接着剤
として例えば35μ又は18μ程度のCu箔を張合せレ
ジストエツチング処理により上記の第1層回路を形成す
るのが工業的に有利である。
前記第1絶縁層2としては、エポキシ、フェノールポリ
アミド、ポリイミドなどのレジンが有用であり、この場
合上述の伝熱性及び機械的強度向上の目的でBN、 A
Ito3. TiOx、 AIN+ Zr0tなどのセ
ラミック粉末を5〜40%混合するのが有効である。
次に上記第1層回路上に、第1層回路と第2層回路とを
導通するスルースタッド4を導電ペーストを用いて形成
する。導電ペーストは通常、Cu。
^g、 AgPd、 Au粉末を60〜95%(該金゛
属粉末/金属粉末十レジン)含有させ、固有抵抗にして
2〜10’  sΩ/cIIを有する。そしてレジン成
分としてはフェノール、変性フェノキシ、エポキシ、ポ
リイミド等が用いられる。これらの成分と共に、溶剤例
えばブチルカルピトール、粘度調整及び酸化防止などの
目的で各種の添加剤が混和配合される。第1及び第2層
回路の幅は通例約0.1〜0.71巾とし、又第2絶縁
層の厚さは電気絶縁性及び放熱性を考慮して約0.03
〜0.1 mとし、更にスルースタッドは断面約0.3
〜lφ、高さを0.03〜0.15 mの円柱またはこ
れにII(以した角柱状とする。この様な微小スタンド
は、通常高密度プリント回路においては約1〜10個/
−の高密度に形成されなければならず、これを工業的に
確実に実施するにはスクリーン印刷法にて行うのが最も
好適である。常法によりスクリーン印刷された導電ペー
ストは約150〜250℃の温度で加熱固化される。
次に、絶縁性レジンを用いて上記第1層回路上に第2絶
縁層5を前記第1絶縁層2と同様のレジンを用いて形成
する。この場合上記スルースタッド4などを損傷するこ
となく確実に該レジンを層状に形成するにはスクリーン
印刷法で行うのが最も望ましく、又欠陥のない一定厚さ
のレジン層を形成するために2回以上に分けて該スクリ
ーン印刷を行うのが望ましい場合もある。そして特に、
第1層回路の間隔部6は前記スルースタッドの形成工程
に先立ち予めレジンで埋めておくようにすることが望ま
しい、該第2絶縁層5の厚さは、前記スルースタフト4
の頂部と同等又は上下するようなものでも良い。
次に、必要に応じて洗浄やエツチングを行イ、ついテP
dなどの触媒付は処理7を行い全面に化学、ツキ層8を
形成する。このメッキ金属とシテハCu、 Ni、 A
g、 Au、 Sn等であるが、これらをm合せても良
い、勿論Cuが工業的な導体として最も実用的であるが
、予め、Niをメンキしてからこの上にCuをメンキす
ることもできる。これら化学メッキ液は一般に、金属イ
オン、錯化剤、還元剤の外、各種の添加物が配合される
。このメッキによって絶縁層上及びスルースタフト上に
連続してメッキが起り、所定の厚さ例えば、その厚さが
10〜30μに達する。しかる後、レジストエツチング
により所望の第2層回路9.9′に形成される。
上記第2層回路の形成に際して、化学メッキに加えて電
気メッキを併用することも有効である。
電気メッキは特定の電波設備を要するが、しかし、1〜
10μ/hr位の化学メンキスピードに比べ一般に10
〜500μ/hrの高速であり、薬剤消費が少なく、か
つ得られるメッキ金属が一般に可撓性に冨み回路使用上
好ましい利点が大きい、しかし、以上の如く、所望の厚
さまで全面メッキを行いエツチングすると、エツチング
の薬剤消費が大きく、かつメッキ時間も長くなり、又メ
ッキ面にコブ状の微小突起や表面粗化を招き回路形成に
障害となる場合がある。従って、全面メッキを途中で中
断してから回路形成を行い、しかる後再び化学メッキを
再開することがより望ましい場合も少なくない0通常1
〜5μ位のメッキで中断するのが実用的である。
以上本発明に於いて、上記第2層回路の接着力を増加す
る目的で、第2絶縁層の一部として、その最外層にゴム
質物質を含有する薄いゴムレジン層7を形成しておくの
が良い、前記のメッキ前処理により該ゴム状物質含有の
ゴムレジン層7が優先的にエツチングされて粗化活性化
され、接着力の大巾な向上が実現される。上記ゴム状物
質としてはニトリルゴム、ブタジェンゴム、天然ゴム等
であり、これらが前記レジンに配合される0次に化学メ
ッキに不可欠の触媒はpdcj、などのPd含有溶液か
らの吸着により付与できるが、絶縁層の最’M層にPd
含有レジン層を薄く塗布し7おく。とも有効である。又
スルースタッド部は金属を多量ニ含有するので、それ自
身が化学メッキの触媒として作用するので、該スルース
タッドと絶縁層とに連続した金属層が形成できる。
本発明において第3層以上に多層の回路を形成する場合
は前記の第2層回路形成のための工程をくり返すことに
より容易に実施される。
(作 用) 本発明においては基体としてAI、 Cu、 Fe等の
金属板を用いたときレジン基体の多層回路はもとよりセ
ラミック多層回路基板と同等あるいはそれ以上の高い放
熱性を発揮できるので、高密度な電子部品の実装を可能
にする。又特に絶縁層にレジンを用いかつスクリーン印
刷法により可及的薄肉化し得るので、上述の放熱性の障
害を最小限にとどめ得る。このことは従来のガラスエポ
キシ基板の多層化品と対比すれば著しく明瞭である。即
ち従来例では基板中に多量の空隙が残留しており、電気
絶縁性を著しく低下させる原因となっているが、本発明
で0.02〜0.05鰭厚で1000 yaΩ以上の高
い絶縁性を発揮できるのに対する相当品は0、1〜0.
2 m厚を必要とする。更に前記空隙は水分や電解質の
浸透を惹起する恐れがありセラミックでも同様のことが
起り得る。
次に本発明のスルースタッドは導電ペーストから成り、
通常金属より電気抵抗が大きい、しかし、前記の如(、
短かい距離であるばかりでなく、従来のスルーホール構
造と対比して、大きな断面積を有するので、回路抵抗と
しては全(無視し得る。
更に上記スルースタッドと回路との接合が強固に形成さ
れているので、熱や機械的応力にも長期間にわたって耐
え得るものとなり高信頼性を保ち得る。
(実施例) 実施例I AI板(厚さ1.2鶴)に八teas  15%を含有
するポリアミド・イミドレジン層(厚さ0.04mm)
を介してCu箔(35μ厚)を接着した。得られたへl
基板の片面上に常法によりスクリーン印刷法でしシスト
処理してからFeC1,液で工、チアグしテ第1層回路
を形成した0回路中は0.3Mがメインであり、スルー
スタッドの立つランド部分はo、5゜とじた0次に、平
均粒径7μの電解Cu粉末を85%、レゾール型フェノ
ールレジン15%を含有し、少量のブチルカルビノール
アセテートを溶媒とし゛て配合した導電ペーストを用い
0.5 tmΦ、高さ0、05 mのスルースタッドを
スクリーン印刷法にて形成してから、これを215℃、
15分間加熱固化させた0次に、エポキシレジンに15
%のAI、O,を配合した絶縁ペーストを用い第2絶縁
層をスクリーン印刷により設は同様に加熱固化した。
該絶縁層表面はスルースタッド頂部より約o、oos〜
0.01 wm下方とした。
次に、これを80℃の30%H1SOa浴中に15分浸
漬後0.2wt%PdC1,浴に1分間浸漬してから、
90℃の化学Niメッキ浴(トンプニコロンP−6、奥
野製薬社)に15分浸漬して約2μのNiメッキを施し
た。引続き、65℃のCuメッキ液(上材工業社、EL
C−H5)に5hr漫清し、約25μ厚のCuメッキを
行った0本品に対して常法のレジンエツチングを行い第
2層回路を形成した。
実施例2 実施例1に於いて、Niメッキ後、Cu50g/j。
1)tsOm  40 g / jのCu5Oa メッ
キ浴(65℃)にて?、5A/dffrの電流密度で約
20分メンキして25μのメッキを行った外は同様に行
った。
実施例3 実施例1に於いて、Niメッキ後、30分間Cuメッキ
してから、レジストエツチングにより第2層回路を形成
し、レジストを剥離し、H!504 100g/lH,
0320g/l液で30秒間軽くエツチング処理し、再
びCu化学メッキを5hr行った他は同様に行った、 実施例4 実施例3に於いて、第2絶縁層を形成した後、約7μの
厚さでニトリルゴムを25%含有するエポキシペースト
をスクリーン印刷し、Cr0sl 5 Gg/lの65
℃溶液を用いて、5分間エツチング処理し同様に活性化
して、Nlメッキを行うことな(直接(−Jyキを行っ
た他は同様に行った。
以上の各実施別品につき、−65℃と125℃+7)M
rL 107法サーマルシツツクテストを100回くり
返し、その前後の回路電気抵抗を測定した。
又、第2層回路上で電子部品を半田付は搭載する電極パ
ッド部(2X3mm)に1.00鶴のCu線を半田付け
してから引張り試験して、接着力を比較した。更に放熱
性を調べるためtWのダイオードを搭載して基板の熱抵
抗を比較した。
比較のためにガラスエポキシ基板(1,0m厚)を用い
上記実施例1と同様にして回路を得、同様の測定を行っ
た0以上の結果を表−1にまとめて示す。
上表の結果によれば本発明例はいずれも安定した低いシ
ート抵抗値を示し、かつ特に金属板を用いている実施例
1〜4はエポキシ板の比較例の約173の熱抵抗にとど
まった。又、回路の接着力は特に実施例4が大きな値で
あったが、他の例も実用上において充分な値を示した。
なお、特に電気メッキを併用した実施例2は同1に比べ
第2層回路のメッキ形成時間が1/15に短縮できた。
更に同3及び4は同1に比ベエッチング時間及びエツチ
ング液の消耗が約175であった。
(効 果) 以上の説明から明らかなように、本発明方法によると、
電子機器の小型化及び高機能化に不可欠の新規な多層プ
リント回路基板が著しく経済的に製造できる。そして実
施例からも特に明白な通り、金属板を基体とする場合に
はその放熱性の極めて優れたものとなり、その結果小型
部品を高密度に実装することのできる面実装に最適のプ
リント回路基板を提供し得る効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図a、bは本発明の一実施B様を示す断面説明図で
あり、同図ta+は第2層回路のエツチング前、同図中
)は同エツチング後を示す。 1・・・基板、2.5・・・絶縁層、3.3’、  9
. 9′・・・回路、4・・・スルースタッド。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に任意の方法で形成された第1層回路上に
    第2層あるいはこれ以上の回路を形成するに際し、 (i)第1層回路の所望部に第2層回路と電気接続する
    ための導電性ペーストによるスルースタッド(柱状導通
    路)を固化形成し、 (ii)次に上記第1及び第2層回路間を絶縁するため
    の絶縁性レジンによる絶縁層を上記スルースタッド頂部
    が露出するように固化形成し、(iii)更に上記スル
    ースタッドが露出された絶縁層上に化学メッキ法により
    導電性金属層をメッキ形成し、レジストエッチング処理
    により所望の回路パターンを形成し、 ついで必要に応じて上記(i)〜(iii)の操作をく
    り返すことにより第3層以上の回路を形成することを特
    徴とする多層プリント回路基板の製造方法。
  2. (2)上記(i)及び(ii)の工程をスクリーン印刷
    法により行う第1項記載の方法。
  3. (3)上記(ii)の工程の絶縁層を2層以上とし、そ
    の表層をゴム含有接着層とした前(1)項の方法。
  4. (4)上記(ii)の工程に於いて、所望のメッキ厚さ
    に達しない時に該化学メッキを中断し、レジストエッチ
    ング処理にて所定の回路を形成し、しかる後、再び化学
    メッキ法により所望の厚さに達するまで化学メッキを再
    び行うことを特徴とする前(1)項の方法。
  5. (5)上記(iii)工程のメッキがCuメッキである
    前(1)項記載の方法。
  6. (6)上記(iii)工程のメッキが、化学メッキに引
    続き電気メッキ法を併用して所定の厚さのメッキを得る
    ようにした前(1)項記載の方法。
  7. (7)上記基板として少なくとも回路搭載側が該回路と
    電気絶縁された金属板を用いることを特徴とする前(1
    )項記載の方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5064767A (ja) * 1973-10-12 1975-06-02
JPS5158667A (ja) * 1974-11-20 1976-05-22 Fujitsu Ltd Tasopurintohaisenbanno seizohoho
JPS55158697A (en) * 1979-05-30 1980-12-10 Nippon Electric Co Multilayer wiring substrate

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