JPS61224389A - 透明性プリント回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、透明性と、この透明性のほか電磁遮蔽性をも
兼備したプリント回路基板に関するものであるみ プリント回路基板は、エレクトロニクスの著しい発展に
伴い、コンピュータ、通信機、計測機器から、カメラ、
ＶＴＲ、電卓に至るあらゆる電子機器に用いられている
。それらの回路基板は、通常、ガラス・エポキシ樹脂板
、紙フエノール樹脂板か、又はポリイミド樹脂やポリエ
ステル樹脂等のフィルム上に、接着剤層を介して、銅箔
を張り付けたり、メッキを施こして導体を形成した後、
エツチングレジストを塗布・印刷して導体回路とし、そ
の後、さらに接着剤を塗布し任意の樹脂フィルムのオー
バーレイを設けることにより製造されている。そのため
、殆んどが不透明か又は精々半透明のものに過ぎなかっ
た。

とこが、最近のプリント回路基板は、より一層、極薄、
短小、高密度化が要求されるようになり、その検査、品
質管理においても、光学系を用いた装置を導入する方向
で行われている。従って、プリント回路基板自身も透明
性が要求される。さらに又、目視できるという利点から
もそうである。

特に、フレキシブルプリント基板（以下ＦＰＣと略称す
る）においては、この透明性に対する要求は強く、最近
、「透明接着剤」を介して導体回路が設けられた透明性
プリント回路基板（特開昭５９−２０５７９０号参照）
も開発されている。

しかしながら、このような透明性プリント回路基板は、
透明性はあっても、あくまで接着剤層を介在させたもの
であり、それ自身の変色、劣化や、密着力、屈曲性等の
点で劣っている。又、導体厚についても制限を受ける。

本発明は、このよう？、（従来の問題を解決し、又改善
すべく、鋭意努力研究を行なった結果得られたものであ
り、接着剤層を介することなく、直接、導体回路が設け
られた透明絶縁基板上に透明オー、バーレイが設けられ
て成る透明性プリント回路基板である。しかして、導体
回路を形成する銅、銀、アルミニウム等の金属を除く他
の構成材料の可視域（光波長３８０〜ａｏｏｎｍ　）で
の光透過率が８０％以上であることを特徴とする。

すなわち、本発明の透明性プリント回路基板は：その実
施例が第１図にみられるように、接着剤層を介すること
なく直接導体回路２を表面上に被着した透明絶縁基板１
と、該基板１の表面に被着した透明オーバーレイ３とか
ら成り、前記基板１及びオーバーレイ３の光透過率が光
波長３８０〜８００ｎｍにおいて８０％以上であること
を特徴とする。

次に、本発明では、前述のように、一層の極薄、短小、
高密度化の要求と共に、オプトエレクトロニックスの点
から、光素子、その他との一体化が試みられるようにな
り、透明性が強く要求されるようになって来た。しかも
この透明性と同時に、電磁波干渉（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｍ
ａｇｎｅｔｉｃ　Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ　。

以下ＢＭＩ　と略記する）をも考慮する必要が生じて来
たが、両者を兼備したものは未だ開発されていない。本
発明者等はこれも鋭意研究の結果、解決に到った。透明
性プリント回路基板において、その透明性を損なうこと
なく、その片面もしくは両面に透明性電磁遮蔽層を設け
て成功した。

すなわち、本発明は又、その実施例が第２図にみられる
ように、接着剤層を介することなく直接導体回路２を表
面上に被着した透明絶縁基板１と、該基板ｌの裏面に被
着した電磁遮蔽層４と、前記基板１０表面の導体回路２
上に被着した透明オーバーレイ３とから成り、前記の基
板１、電磁遮蔽層４及びオーバーレイ３の光透過率が光
波長３８０〜８００ｎｍにおいて８０％以上であること
を特徴とする。

次に前述の発明において、第１図はその１実施例である
透明性ＰＰＣ基板の断面を示すもので、ポリエステル、
ポリエチレン、ポリエステルスルフォン、ポリカーボネ
ート、四フッ化エチレン樹脂フィルム等の光透過率８０
％（波長３８０〜８００１ｍ　）’以上の透明性絶縁フ
ィルム１上に物理的あるいは化学的手段により、直接所
望の導体を形成後、例えば、エツチング法等によって導
体回路２を形成する。接着剤層を介することなく、直接
、導体もしくは導体回路２を得る最良の方法の一つは、
高速低温マグネトロンスパッタであろう。なぜならば、
基板である透明性絶縁フルム１への熱的影響を極力防ぐ
ことが可能であり、又、ｌｅＶ以上の粒子エネルギーで
もって、基板１に入射（スパッタ）されるため、基板１
と導体２との密着力が大きく、かつピンホールなしの薄
膜が比較的高速で容易に得ることが可能であるからであ
る。このようにして導体回路２を得た後、光透過率８０
％（波長３８０〜３ＱＱｎｍ　）以上を有する透明性絶
縁フィルムを、望ましくは、ホットラミネート、ドライ
ラミネート等の方法により、オーバーレイすることによ
って所望の透明性プリント回路基板を得ることができる
。

なお、透明性絶縁フィルム界面での透過光の散乱を極力
防ぐため、前記フィルムの表面粗さの小さいものを選ぶ
ことは言うまでもない。

次に第２図は、本発明の他の実施例である透明性電磁遮
蔽層４を有する透明性プリント回路基板の断面を示すも
ので、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート
、ポリエーテルスルフォン、四フッ化エチレンー六フッ
化プロピレン共重合体等の樹脂フィルム等の光透過率８
０％（光波長３８０〜８００１ｍ　＞以上の透明性絶縁
フィルム１の下面に、公知の方法、例えば、反応性スパ
ッタリング法や真空蒸着法で透明導電層４を形成する。

この透明導電層４の厚さは、光透過率（波長３８０〜８
００１ｍ　）及び、電磁遮蔽効果（Ｓｈｉｅｌｄｉｎｇ
　Ｂｆｆｅｃｔｉｖｅｎｅｓｓｏｆ　Ｂｌｅｃｔｒｏ　
Ｍａｇｎｅｔｉｃ　、以下ＳＢと略記する）等の点から
決定される。又、この透明導電層４の種類としては、金
、パラジウム、メツシュ状アルミニウム等の金属薄膜や
酸化スズ（ネサ膜）、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ膜
）等の半導体薄膜等が挙げられる。

この電磁遮蔽効果ＳＲ（ｄＢ）は、 ５Ｂ＝Ｒ十Ａ　　　・・・・・・・・・　（１）Ｒ＝　
　５０＋１０　ｌｏｇ（ＰＢｆ）−’Ａ　＝　　１．７
　ｔ　（ｆ／Ｐｓ）”２但し、 ＰＢ：体積固有抵抗（Ω−０ｍ） ｆ：周波数（ＭＨｚ） ｔ：導電層厚み（ｃｍ） で表わされる。

すなわち、遮蔽効果は、周波数に依存し、又、体積固有
抵抗が小さく、膜厚が厚い方が良い。

このように、透明導電層４を形成後、透明性絶縁フィル
ム１の上面に、物理的あるいは、化学的手段により、所
望の導体層を形成し、さらに、公知の方法、例えば、エ
ツチング法等によって導体回路２を形成する。その後、
導体回路２の上面に、透明性接着剤層を芥して、あるい
はホットラミネート、ドライラミネート等の方法で直接
、透明性絶縁フィルム３をオーバーレイすることにより
、電磁遮蔽効果を有する透明性プリント回路基板を得る
ことができる。なお、状況によっては、オーバーレイフ
ィルム３の上面に、さらに、透明導電層４を設けてもよ
い。

以下本発明をさらに実施例にて説明する。

実施例−１ 東し■全社製のポリエステル樹脂フィルム（厚さ５０μ
ｍ１光透過率８５％、表面粗さ０．０１μｍ）１の片面
に、高速低温マグネトロンスパッタリング装置にて、銅
を厚さ２μｍスパッタした。なお、フルム１への前処理
として、加熱及びアルゴンイオンボンバードを実施した
。その後、所望回路のネガパターンにエツチングレジス
トを塗布印刷し、エツチングを行ない、所望の導体回路
２を得、さらにＦＰ層付きのポリエステル樹脂フィルム
を、ホットラミネート法により、オーバーレイして、透
明オーバーレイフィルム層３を設け、所望の透明製プリ
ント回路基板を得た。この透明製プリント回路基板の導
体回路２の部分を除く光透過率は、８３％　（波長３８
０〜８ＱＯｎｍ　）であり、良好な透明製を示した。な
お、光線は基板フィルム１側から入射している。

次に、本基板の信頼性評価の一つとして、曲げ半径５ｍ
、屈曲回数１０回／分の条件で屈曲試験を実施したとこ
ろ、導体回路２の断線は約３０万回まで認められなかっ
た。又、同条件で屈曲回数１０万回後、屈曲部分の光透
過率を測定したところ８０％の光透過率を保っていた。

比較例１ 東し■全社製のポリエステル樹脂フィルム（厚さ５０μ
ｍ１光透過率８５％、表面粗さ０．０１μｍ）１０片面
に、飽和ポリエステル系接着剤を塗布し、その上に圧延
銅箔（厚さ１８μｍ）を張り合わせた後、エツチングレ
ジストを塗布、印刷し、所望の導体回路２を得た。その
後、さらに、同上接着剤を塗布し、その上面に、オーバ
ーレイフィルム３として、上記ポリエステル樹脂フィル
ムを用いて所望の透明製プリント回路基板を得た。光透
過率は８２％で、光線は基板フィルム１の側より入射し
ている。

次に、本基板の信頼性評価の一つとして、実施例１と同
一条件で、屈曲試験を実施したところ、導体回路２の断
線は、約１０万回で発生した。又、同条件で屈曲回数１
０万回後、屈曲部分の光透過率を測定したところ、光透
過率は６８％まで下がっていた。

実施例２ ダイキン工業■製の四フッ化エチレンー六フッ化プロピ
レン共重合体フィルム（商品名ネオフロンＦＢＰ　、厚
さ５０μｍ１光透過率８８％）１の下面に、透明導電層
４として、酸化インジウム・スズ膜（ＩＴＯ膜）４を反
応性スパッタリング法により、厚さ１μｍ形成した後、
ネオフロンＦＥＰフィルム１ノ上面に、高速低温マグネ
トロンスパッタリング装置にて、銅を厚さ２μｍスパッ
タして導体を形成した。なお、フィルム１への前処理と
して、加熱、及びアルゴンイオンボンバードを実施した
。

その後、エツチングレジストを塗布、印刷して、所望の
導体回路２を得、さらに、ネオフロンＦＢＰフィルムを
ホットラミネート法により、オーバーレイして透明オー
バーレイフィルム３を被着した。

こうして透明性プリント回路基板を得た。この基板の導
体回路２０部分を除く光透過率は、８２％（波長３８０
〜８００ｎｍ　＞であり、良好な透明性を示した。なお
、光線は透明導電層（ＩＴＯ膜）４の側から入射した。

又、電磁遮蔽効果の測定結果を第３図に示す。このよう
に、透明性を有し、かつ電磁遮蔽効果を持ち合わせた優
れたプリント回路基板を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例品の要部を拡大して示す断面
図であり、 第２図は本発明の他の実施例品の要部を拡大して示す断
面図であり、さらに、 第３図は同じくその電磁遮蔽効果の測定結果を示す線図
である。 ■・・・透明性絶縁フィルム基板 ２・・・導体回路 ３・・・透明オーバーレイフィルム ４・・・透明導電（電磁遮蔽）層 手　　続　　補　　正　　書 昭和６１年１月２７日 特許庁長官　　宇　　賀　　道　　部　　殿１、事件の
表示 昭和６０年特許願第　６８３７５　号 ２、発明の名称 透明性プリント回路基板 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 （５２９）　　古河電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正の対象　明細書の「発明の詳細な説明」の欄１
明細書第８頁第２０行〜第９頁第１行の「なお、らには
、ピンホール防止のため、前処理として、」フルム１へ
の前処理として、」を「なお、ベースフィルムと銅薄膜
との密着力向上のため、さに訂正する。 ２、同第９頁第６行の「ＩＦ５層」を「ＦＰＯ層」に訂
正し、 同頁第１０行の「透明膜」を「透明性」に訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、接着剤層を介することなく直接導体回路を表面上に
   被着した透明絶縁基板と、該基板の表面に被着した透明
   オーバーレイとから成り、前記基板及びオーバーレイの
   光透過率が光波長３８０〜８００ｎｍにおいて８０％以
   上であることを特徴とする透明性プリント回路基板。 ２、接着剤層を介することなく直接導体回路を表面上に
   被着した透明絶縁基板と、該基板の裏面に被着した電磁
   遮蔽層と、前記基板の表面の導体回路上に被着した透明
   オーバーレイとから成り、前記の基板、電磁遮蔽層及び
   オーバーレイの光透過率が光波長３８０〜８００ｎｍに
   おいて８０％以上であることを特徴とする透明性プリン
   ト回路基板。