JPS61223A - ベンゾチオフエン系化合物の重合体の製造方法 - Google Patents

ベンゾチオフエン系化合物の重合体の製造方法

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Publication number
JPS61223A
JPS61223A JP11981684A JP11981684A JPS61223A JP S61223 A JPS61223 A JP S61223A JP 11981684 A JP11981684 A JP 11981684A JP 11981684 A JP11981684 A JP 11981684A JP S61223 A JPS61223 A JP S61223A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
benzothiophene
halide
polymer
benzothiophene compound
compound
Prior art date
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Pending
Application number
JP11981684A
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English (en)
Inventor
Masao Kobayashi
小林 征男
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
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Publication of JPS61223A publication Critical patent/JPS61223A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、成形加工が可能で、かつ酸化安定性にすぐれ
た有機半導体材料として有用なベンゾチオフェン系化合
物の重合体の製造方法に関する。
直鎖状ベンゾチオフェン系化合物の重合体は、主鎖に共
役した二重結合を有し、側鎖に電子受容性のフェニル基
を有することより、特異な電気的特性を有する有機半導
体としての用途が期待される。
しかし、ベンゾチオフェン系化合物は、立体障害などの
影響のため、従来重合体を得ることは不可能であると考
えられていた。
本発明者νは、ベンゾチオフェン系化合物の重合体の製
造方法について鋭意検討した結果、ベンゾチオフェン系
化合物を特定の元素のハロゲン化合物の存在下に重合さ
せると、成形加工が可能で、かつ酸化安定性のすぐれた
有機半導体材料として有用なベンゾチオフェン系化合物
の重合体が得られることを見出し本発明に到達した。
即ち、本発明は、一般式 〔但し、式中Rは炭素数が5以下のアルキル基、n i
j: 0または4以下の正の整数である。〕で表わされ
るベンゾチオフェン系化合物をB181 、As、 S
b及びPから選はれた少なくとも一種の元素のハロゲン
化物の存在下に取合させることを特徴とするベンゾチオ
フェン系化合物の重合体の製造方法に関する。
本発明の方法によって得られるベンゾチオフェン系化合
物の重合体の電気伝導度は半導体領域にあり、空気中に
長時間放置しておいてもその電気伝導度が変化しないこ
とより、成形可能でかつ酸化安定性の良好な有機半導体
材料として有用であj     る・ 本発明において用いられるベンゾチオフェン系は炭素数
が5以下のアルキル’J+’;、nは0または4以下の
正の整数)で表わされるものであり、その代表例として
はベンゾチオフェン、3−メチル−ベンゾチオフェンe
 L3’−ジメチルベンゾチオフェン、4−メチルベン
ゾチオフェン、3,4−ジメチルベンゾチオフェン等を
あけることができるが、必ずしもこれ等の化合物に限定
さり、るものではない。
本発明において用いられる元素のハロゲン化物は、8%
81 、 As、 Sb及びPから選はれた元素のハロ
ゲン化物であシ、これら元素のハロゲン化物のうちでも
B、As、8b及びPから選ばれた元素のハロゲン化物
が好ましく、A!I及びsbからつ゛ト!ばれた元素の
ハロゲン化物が特に好ましい。まだ、ハロダンとしては
フッ素、臭素、塩素及びヨウ素をあげることができるが
フッ素及び塩素が好ましく、フッ素が特に好ましい。こ
れら元素のハロダン化物の代表例としてはAsF  t
 SbF  e AsF3゜BF、 、 PF5及びS
iF4等をあけることができる。これらの元素のハロゲ
ン化物は一種類のみを用いて重合を行なうことも勿論可
能であるが、二種類以上を泪1合して用いても一向に差
し支えない。
また、本発明において用いられる元素のハロゲン化物の
中には、光照射によって分解して上記元素のハロゲン什
物を生成する一般式 ((、Fl、 I、 、式中nは5以下の正の整n、y
はリン原子、ヨウ素原子、イオウ原子、セレン原子のい
ずれかである。XはAsF6、BF4、PF6、SbF
6のいずれかである。R3は水素原子、ハロゲン原子ま
たは炭素数が10以下の炭化水素基である。〕で表わさ
れる元素のハロゲン化物の錯体も含まれる。
これら元素のハロゲン化物の錯体の代表例としてり、以
下の化合物をあげることができる。
これら元素のハロゲン化物の411体は一種類のみを用
いて重合を行なうことも勿論可能であるが、二種M以上
を混合して用いても一向に差し支えない。
元素のハロゲン化物または元素のハロゲン化物の錯体の
使用量は特に制限はないが、通常はベンゾチオフェン系
化合物(モノマー)1モルに対して0.0001〜10
モルである。モノマー1モルに対して10モルより多い
元素のハロゲン化物または元素のハロケ゛ン化物の錯体
を用いても未反応の元素のハロゲン化物または元素のハ
ロゲン化物の錯体が多量に残シ特に有利なことはない。
また、モノマー1モルに対して0.0001モル未満の
元素のハロゲン化物または元素のハロゲン化物の錯体で
は未反応モノマーが多量に残り特に有利なことはない。
元素のハロゲン化物の錯体を用いる場合には光照射する
ことが必要であるが、本発明において用いられる光照射
の際の光の波長は、光によって元素のハロゲン化物の錯
体が分解する波長領域であれば特に制限はなく、通常は
1000 nm (ナノメーター)以下の波長の光を用
いることが好ましい。
(本発明にゝ″″″ri*ii度は特に制限は″が通゛
)   常は100℃以下、好ましくは50℃以下であ
シ、特に好ましくは30℃以下である。100℃以上の
温度で重合を行なっても特に有利なことはない。
重合温度の下限は特に制限はなく、ベンゾチオフェン系
化合物を固体の状態で重合させることも可能であるが、
重合温度を液体窒素温度以下にすることは冷却コストが
大幅に上昇するため、経済的に好ましくない。
本発明において元素のハロゲン化物とベンゾチオフェン
系化合物との接触方法については特に制限はないが、例
えば(1)元素ハロゲン化物とベンゾチオフェン系化合
物とを直接接触させてベンゾチオフェン系化合物の重合
体を生成せしめる方法、(2)ベンゾチオフェン系化合
物を適当な溶媒に溶解し、次いで元素のハロゲン化物と
接触させてベンゾチオフェン系化合物の重合体を生成せ
しめる方法等をあげることができる。また、本発明にお
いて元素のハロゲン化物の錯体とベンゾチオフェン系化
合物との接触方法及び光照射の方法については特に制限
はないが、例えば(1)ベンゾチオフェン系化合物と元
素のハロケ゛ン化物の錯体を同一反応器に仕込み、光照
射してベンゾチオフェン系化合物の重合を行なう方法、
(2)適当な溶媒の存在下に元素のハロゲン化物の錯体
に光照射し、ベンゾチオフェン系化合物の重合を行なう
方法等をあげることができる。
本発明の方法において得られるベンゾチオフェン系化合
物の重合体は直鎖状で適当な溶媒に可溶であり、その電
気伝導度は半導体領域にあシ、空気中に長時間放置して
おいてもその電気伝導度が変化しないことよシ、成形可
能でかつ酸化安定性の良好な有機半導体材料として工業
的に非常に有用である。
以下に実施例をあげて本発明を更に詳細に説明するが、
本発明はこれら実施例によって何ら限定されるものでは
ない。
実施例1 硝子製反応容器にベンゾチオフェン9.8F!−を仕込
み2時間室温で真空脱気した。反応容器を液体窒素で冷
却した後、五フフ化ヒ素0.89g−(5,2ミリモル
)を反応容器に導入し、次いで液体窒素をドライアイス
メタノールにかえて一78℃で3時間重合を行なった。
重合か応終了後、黒色の粉末がイ↓)られた。未反応モ
ノマーをトルエンに溶1介して除去し、次いで真空乾燥
して)<i−色粉末状ン1?リマーを5,3I得た。こ
の黒色粉末状ポリマーは、IRスペクトルよ92.7位
て重合L7た。J9リマーであシ、また、GPCよシそ
の沖合朋は約23であることがわかった。一方、元素分
相よシ、その組成は、C:H:S:Aa :F=1.O
O:0.764:0.13:0.021:0.008(
モル比、ARh = O)であった。得られた黒色粉末
状ポリマーの電気伝導度(血流2端子法)は3. I 
X 10””Ω−1・側−1であシ、とのポリマーを1
週間を気中に放置してもその電気伝導度は変化しなかっ
た。
実施例2 ・ の光を照射した以外は実施例1と全く同様に重合を行な
って実施例1と全く同様のベンゾチオフェンの重合体を
得た。
実施例3 実施例1で用いた五フッ化ヒ素のかわシに、SbF5を
1.00f用いた以外は実施例1と全く同様に重合を行
なって実施例1と同様に黒色のベンゾチオフェンの重合
体をえた。
実施例4 実施例1におい−て重合を25℃で行なったところ、得
られたベンゾチオフェンの重合体の重合度は約25であ
った〇

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 〔但し、式中Rは炭素数が5以下のアルキル基、nは0
    または4以下の正の整数である。〕 で表わされるベンゾチオフェン系化合物をB、Si、A
    s、Sb及びPから選ばれた少なくとも一種の元素のハ
    ロゲン化物の存在下に重合させることを特徴とするベン
    ゾチオフェン系化合物の重合体の製造方法。
JP11981684A 1984-06-13 1984-06-13 ベンゾチオフエン系化合物の重合体の製造方法 Pending JPS61223A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2360776A (en) * 2000-03-28 2001-10-03 Sharp Kk Oligomers or polymers of benzofuran, benzothiophene or indole

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2360776A (en) * 2000-03-28 2001-10-03 Sharp Kk Oligomers or polymers of benzofuran, benzothiophene or indole

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