JPS6121855Y2 - - Google Patents

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JPS6121855Y2
JPS6121855Y2 JP16095878U JP16095878U JPS6121855Y2 JP S6121855 Y2 JPS6121855 Y2 JP S6121855Y2 JP 16095878 U JP16095878 U JP 16095878U JP 16095878 U JP16095878 U JP 16095878U JP S6121855 Y2 JPS6121855 Y2 JP S6121855Y2
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transistor
detection
input
diode
base
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はレベル検波回路に係り、特にIC(集
積回路)化に適し、かつ直線性の良いレベル検波
回路を提供せんとするものである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a level detection circuit, and is intended to provide a level detection circuit that is particularly suitable for integration into an IC (integrated circuit) and has good linearity.

メータの駆動信号やAGC(自動利得制御)信
号を得る為に、AM信号を検波するレベル検波回
路が用いられる。従来、第1図に示される如く、
入力トランジスタ1と検波トランジスタ2とを有
し、直結型に構成されたレベル検波回路が公知で
あるが、この様な回路は検波トランジスタ2にベ
ースバイアスをかけることが出来ないので直線性
が悪化する等の欠点を有している。
A level detection circuit that detects AM signals is used to obtain meter drive signals and AGC (automatic gain control) signals. Conventionally, as shown in Figure 1,
A level detection circuit that has an input transistor 1 and a detection transistor 2 and is configured in a direct connection type is known, but such a circuit has poor linearity because it is not possible to apply a base bias to the detection transistor 2. It has the following disadvantages.

又、従来第2図に示す如きレベル検波回路が公
知である。第2図の回路は、入力トランジスタ3
と、検波ダイオード4a及び4bと検波増幅トラ
ンジスタ4cとから成る検波段とを備え、入力
トランジスタ3と検波段との間をコンデンサ5
で結合するとともに、ダイオード6によつて検波
のベースバイアスを供給するものであるか
ら、直線性の点では問題無いが、検波段の入力
がコンデンサ結合である為、IC化が困難である
という欠点を有する。
Further, a level detection circuit as shown in FIG. 2 is conventionally known. The circuit in Figure 2 consists of input transistor 3
and a detection stage 4 consisting of detection diodes 4a and 4b and a detection amplification transistor 4c , and a capacitor 5 is connected between the input transistor 3 and the detection stage 4 .
Since the base bias of the detection stage 4 is supplied by the diode 6, there is no problem in terms of linearity, but since the input of the detection stage 4 is capacitor-coupled, it is difficult to integrate it into an IC. It has the disadvantage of being

本考案は上述の種々の点に鑑み成されたもの
で、以下実施例に基き図面を参照しながら説明す
る。第3図は本考案の一実施例を示すもので、7
はAM信号が印加される入力端子、8はベースが
前記入力端子7に接続された入力トランジスタ、
9は前記入力トランジスタ8のコレクタと電源1
0との間に接続されたLC同調回路、11はベー
スがダイオード12を介して前記入力トランジス
タ8のコレクタに接続された第1検波トランジス
タ、13はエミツタが抵抗14を介して前記第1
検波トランジスタ11のエミツタに、コレクタが
出力端子15に接続された第2検波トランジス
タ、16及び17は前記第2検波トランジスタ1
3のベースをバイアスする為のダイオード、18
は平滑コンデンサである。しかして、前記第1検
波トランジスタ11はNPNトランジスタから成
り、前記第2検波トランジスタ13はPNPトラン
ジスタから成り、両トランジスタ11及び13の
コレクタ・エミツタ路は直列接続されている。
The present invention has been developed in view of the various points mentioned above, and will be described below based on embodiments with reference to the drawings. Fig. 3 shows an embodiment of the present invention.
8 is an input terminal to which an AM signal is applied; 8 is an input transistor whose base is connected to the input terminal 7;
9 is the collector of the input transistor 8 and the power supply 1
11 is a first detection transistor whose base is connected to the collector of the input transistor 8 through a diode 12, and 13 is an emitter connected to the collector of the input transistor 8 through a resistor 14.
A second detection transistor whose emitter is connected to the output terminal 15 of the detection transistor 11; 16 and 17 are connected to the second detection transistor 1;
Diode for biasing the base of 3, 18
is a smoothing capacitor. The first detection transistor 11 is made of an NPN transistor, the second detection transistor 13 is made of a PNP transistor, and the collector-emitter paths of both transistors 11 and 13 are connected in series.

いま、入力端子7に、第4図aに示す如きAM
波の入力信号が印加されたとすれば、該入力信号
は、入力トランジスタ8で増幅された後、ダイオ
ード12と第1及び第2検波トランジスタ11及
び13とでレベル検波され、出力端子15に第4
図bに示す如き検波出力信号が得られる。入力ト
ランジスタ8のコレクタは、LC同調回路9が接
続されているので、検波されるべき入力信号はダ
イオード12のアノードと第2検波トランジスタ
13のベースとの間に印加されることになり、前
記入力信号は直列接続されたダイオード12のア
ノード・カソード間、第1及び第2検波トランジ
スタ11及び13のベース・エミツタ間製流作用
により検波され、前記第2検波トランジスタ13
のコレクタに検波された出力信号が発生する。
尚、ダイオード12は後述する効果を得る為に挿
入されているが、省略しても検波動作自体には支
障がない。
Now, input terminal 7 is connected to AM as shown in Figure 4a.
If a wave input signal is applied, the input signal is amplified by the input transistor 8, level-detected by the diode 12 and the first and second detection transistors 11 and 13, and the fourth signal is output to the output terminal 15.
A detected output signal as shown in FIG. b is obtained. Since the collector of the input transistor 8 is connected to the LC tuning circuit 9, the input signal to be detected is applied between the anode of the diode 12 and the base of the second detection transistor 13, and the input signal to be detected is applied between the anode of the diode 12 and the base of the second detection transistor 13. The signal is detected by the current flow between the anode and cathode of the diode 12 connected in series and between the base and emitter of the first and second detection transistors 11 and 13.
A detected output signal is generated at the collector of the detector.
Note that although the diode 12 is inserted in order to obtain the effect described later, there is no problem in the detection operation itself even if the diode 12 is omitted.

しかして、本考案の如き回路構成とすれば、入
力トランジスタ8のコレクタと第1検波トランジ
スタ11のベースとが、又第1検波トランジスタ
11のエミツタと第2検波トランジスタ13のエ
ミツタとが直流結合されている為、結合コンデン
サが全く不要であり、従つてIC化が容易である
との利点を有する。
Therefore, with the circuit configuration of the present invention, the collector of the input transistor 8 and the base of the first detection transistor 11 are DC-coupled, and the emitter of the first detection transistor 11 and the emitter of the second detection transistor 13 are DC-coupled. Therefore, there is no need for a coupling capacitor at all, and it has the advantage of being easy to integrate into an IC.

又、本考案の如き回路構成とすれば、全段を直
流結合した上で、かつ直流バイアスをかけること
が出来るので、直線性に優れたレベル検波回路を
提供出来るという利点を有する。
Furthermore, with the circuit configuration of the present invention, all stages can be DC-coupled and a DC bias can be applied, so there is an advantage that a level detection circuit with excellent linearity can be provided.

又、更に前記第2検波トランジスタ13のベー
スに十分なる直流バイアスをかけることが出来る
ので、低レベル入力信号の検波が可能であり、特
にレベルの低いラジオ周波増幅器の出力信号をレ
ベル検波するのに適したものである。
Furthermore, since a sufficient DC bias can be applied to the base of the second detection transistor 13, it is possible to detect a low level input signal, and it is especially suitable for level detection of a low level output signal of a radio frequency amplifier. It is suitable.

尚、入力トランジスタ8のコレクタと第1検波
トランジスタ11のベースとの間に挿入されたダ
イオード12は、入力信号が大きい時前記第1検
波トランジスタ11が飽和するのを防止する為の
ものであり、前記ダイオード12の挿入により、
レベル検波回路の使用範囲を拡大せしめることが
出来るという利点を有する。
The diode 12 inserted between the collector of the input transistor 8 and the base of the first detection transistor 11 is for preventing the first detection transistor 11 from being saturated when the input signal is large. By inserting the diode 12,
This has the advantage that the range of use of the level detection circuit can be expanded.

以上述べた如く、本考案に係るレベル検波回路
は、従来に無い多くの利点を有するもので、特に
集積回路に用いても好適なものである。
As described above, the level detection circuit according to the present invention has many advantages not found in the prior art, and is particularly suitable for use in integrated circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図及び第2図は従来のレベル検波回路を示
す回路図、第3図は本考案に係るレベル検波回路
の一実施例を示す回路図、第4図aは第3図の回
路の入力端子に印加される入力信号の波形図、及
び第4図bはその出力端子に得られる出力信号の
波形図である。 主な図番の説明、8……入力トランジスタ、1
1……第1検波トランジスタ、12……ダイオー
ド、13……第2検波トランジスタ。
Figures 1 and 2 are circuit diagrams showing conventional level detection circuits, Figure 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the level detection circuit according to the present invention, and Figure 4a is the input of the circuit in Figure 3. FIG. 4b is a waveform diagram of the input signal applied to the terminal, and FIG. 4b is a waveform diagram of the output signal obtained at the output terminal. Explanation of main figure numbers, 8... Input transistor, 1
1...First detection transistor, 12...Diode, 13...Second detection transistor.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 (1) エミツタ同志が共通接続され、コレクタ・エ
ミツタ路が直列接続された一対の互いに逆極性
の検波用トランジスタと、前記一対のトランジ
スタの一方のトランジスタのベースに入力信号
を印加する手段と、前記一対のトランジスタの
他方のトランジスタのベースをバイアスする手
段と、前記他方のトランジスタのコレクタから
検波出力信号を得る手段とから成るレベル検波
回路。 (2) 前記入力信号を印加する手段は、入力トラン
ジスタとダイオードとを有し、前記一方のトラ
ンジスタと前記入力トランジスタとは前記ダイ
オードによつて直流結合されていることを特徴
とする実用新案登録請求の範囲第1項記載のレ
ベル検波回路。
[Claims for Utility Model Registration] (1) A pair of detection transistors with opposite polarities, whose emitters are commonly connected and whose collector-emitter paths are connected in series, and an input to the base of one of the pair of transistors. A level detection circuit comprising means for applying a signal, means for biasing the base of the other transistor of the pair of transistors, and means for obtaining a detection output signal from the collector of the other transistor. (2) A utility model registration claim characterized in that the means for applying the input signal includes an input transistor and a diode, and the one transistor and the input transistor are DC-coupled by the diode. The level detection circuit according to item 1.
JP16095878U 1978-11-21 1978-11-21 Expired JPS6121855Y2 (en)

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