JPS6119529Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6119529Y2
JPS6119529Y2 JP10615377U JP10615377U JPS6119529Y2 JP S6119529 Y2 JPS6119529 Y2 JP S6119529Y2 JP 10615377 U JP10615377 U JP 10615377U JP 10615377 U JP10615377 U JP 10615377U JP S6119529 Y2 JPS6119529 Y2 JP S6119529Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detection
circuit
intermediate frequency
agc
switching transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP10615377U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5433046U (en
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP10615377U priority Critical patent/JPS6119529Y2/ja
Publication of JPS5433046U publication Critical patent/JPS5433046U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6119529Y2 publication Critical patent/JPS6119529Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Circuits Of Receivers In General (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はラジオ受信機等の検波およびAGC回
路に関するもので、特にモノリシツクIC(集積
回路)化に適した検波およびAGC回路に係るも
のである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a detection and AGC circuit for radio receivers, etc., and particularly to a detection and AGC circuit suitable for fabrication into a monolithic IC (integrated circuit).

ラジオ受信機等における検波回路は、一般に中
間周波増幅回路の後段に配設するとともに、両回
路間をトランスまたはコンデンサにより結合して
いる。そしてこのうちコンデンサによる結合した
ものは、低域周波数特性が良好なうえ、安価に構
成できるところから特にトランジスタ式のラジオ
受信機等に多用されている。
A detection circuit in a radio receiver or the like is generally arranged after an intermediate frequency amplification circuit, and the two circuits are coupled by a transformer or a capacitor. Of these, capacitor-based couplings have good low-frequency characteristics and can be constructed at low cost, so they are often used in transistor-type radio receivers and the like.

第1図は上記のような結合コンデンサによる従
来の回路構成例をブロツク図で示したもので、図
において符号1は中間周波増幅回路、2は検波回
路、Cはこれらの両回路を結合するための結合コ
ンデンサ、3はAGC回路である。また第2図
は、第1図のブロツク図をさらに回路図をもつて
示したもので、第2図における符号Dは検波回路
2を構成する検波用のダイオードである。しかる
にラジオ受信機等における電気回路のIC化が進
んでいる現今、比較的大容量からなる結合コンデ
ンサはモノリシツクのICチツプ内には形成し得
ず、このためICチツプに端子を設け結合コンデ
ンサのみはいわゆる外付けという手段をとつてい
た。
Figure 1 is a block diagram showing an example of a conventional circuit configuration using a coupling capacitor as described above. In the figure, 1 is an intermediate frequency amplification circuit, 2 is a detection circuit, and C is a circuit for coupling these two circuits. 3 is the AGC circuit. FIG. 2 further shows the block diagram of FIG. 1 with a circuit diagram, and reference numeral D in FIG. 2 is a detection diode constituting the detection circuit 2. In FIG. However, as electric circuits in radio receivers and the like are increasingly integrated into ICs, coupling capacitors with relatively large capacitances cannot be formed within monolithic IC chips. They took the so-called external installation method.

しかし上記のようにコンデンサ外付けによる構
成はIC化の利点が低減してしまうとともに、製
作工程数や部品数の増加のために価格の面でも不
利をまぬがれ得ないという難点があつた。また結
合コンデンサを用いるとともに検波用素子として
ダイオードを用いたときは直流分がカツトされて
しまうためにAGC用電圧のダイナミツクレンジ
が狭まつてしまうという難点もあつた。
However, as mentioned above, the configuration with an external capacitor reduces the advantages of using an IC, and the number of manufacturing steps and parts increases, which makes it difficult to avoid the disadvantage in terms of cost. Also, when using a coupling capacitor and a diode as the detection element, the direct current is cut off, which narrows the dynamic range of the AGC voltage.

本考案は上記事情に基づいてなされたもので、
検波回路には検波用トランジスタを配設して負検
波動作を行なわせ、比較回路には中間周波出力レ
ベルと検波出力レベルとの差電圧でスイツチング
動作するスイツチング用トランジスタを配設し、
このスイツチング用トランジスタから中間周波出
力レベルに応じた大きさのAGC用電流を取出す
ことにより、中間周波増幅回路および検波回路間
の結合コンデンサの配設を不要としてモノリシツ
クIC化に好適であるとともに、AGC用電流のダ
イナミツクレンジを広げてAGCの効果を十分に
発揮させ、さらに製作工程数および必要部品数の
低減を図ることのできる検波およびAGC回路を
提供することを目的とする。
This invention was made based on the above circumstances,
The detection circuit is equipped with a detection transistor to perform negative detection operation, and the comparison circuit is equipped with a switching transistor that performs switching operation based on the voltage difference between the intermediate frequency output level and the detection output level.
By extracting an AGC current of a magnitude corresponding to the intermediate frequency output level from this switching transistor, it is not necessary to provide a coupling capacitor between the intermediate frequency amplifier circuit and the detection circuit, making it suitable for monolithic IC implementation. The purpose of the present invention is to provide a detection and AGC circuit that can fully demonstrate the effect of AGC by widening the dynamic range of current used, and further reduce the number of manufacturing steps and required parts.

以下本考案を図の実施例に基づいて具体的に説
明する。
The present invention will be explained in detail below based on the embodiments shown in the drawings.

第3図において符号IF・AMPは中間周波増幅
回路、DETは検波回路であつて、中間周波増幅
回路IF・AMPの出力端子は、検波回路DETの入
力端子に結合コンデンサ等を介すことなく直接接
続されている。
In Figure 3, the symbol IF/AMP is an intermediate frequency amplifier circuit, and DET is a detection circuit.The output terminal of the intermediate frequency amplifier circuit IF/AMP is directly connected to the input terminal of the detection circuit DET without going through a coupling capacitor, etc. It is connected.

また符号COMは後述のようにスイツチング用
トランジスタを備えた比較回路であつて、このも
のは中間周波増幅回路IF・AMPからの中間周波
出力レベルと、検波出力レベルとを比較し、中間
周波出力レベルが検波レベルよりも所定レベル以
上大なる場合において、当該スイツチング用トラ
ンジスタがオン状態に転じて受信信号の搬送波レ
ベルに応じたAGC用電流をAGC回路に供給する
ようにしたものである。
Further, the symbol COM is a comparison circuit equipped with a switching transistor as described later, and this circuit compares the intermediate frequency output level from the intermediate frequency amplifier circuit IF/AMP with the detection output level, and determines the intermediate frequency output level. is larger than the detection level by a predetermined level or more, the switching transistor turns on and supplies the AGC circuit with an AGC current corresponding to the carrier level of the received signal.

次に第4図の回路図を用いて、第3図に示した
実施例をさらに詳細に説明する。
Next, the embodiment shown in FIG. 3 will be explained in more detail using the circuit diagram in FIG. 4.

第4図において符号Q1は中間周波増幅回路
IF・AMPにおける終段トランジスタ、Q2は検波
回路DETにおける検波用トランジスタ、Q3は比
較回路COMにおけるスイツチング用トランジス
タであつて、上記終段トランジスタQ1の出力端
子Aが検波用トランジスタQ2のベース制御端子
に接続されている。また同じく上記の出力端子A
がスイツチング用トランジスタQ3のエミツタ端
子に接続され、このスイツチング用トランジスタ
Q3のコレクタ端子がAGC回路に接続されてい
る。さらにスイツチング用トランジスタQ3のベ
ース制御端子が適宜の抵抗R3を介して検波用ト
ランジスタQ2のエミツタ出力端子Bに接続され
ている。
In Fig. 4, the symbol Q 1 is an intermediate frequency amplification circuit.
The final stage transistor in the IF/AMP, Q 2 is a detection transistor in the detection circuit DET, and Q 3 is a switching transistor in the comparison circuit COM, and the output terminal A of the final stage transistor Q 1 is connected to the detection transistor Q 2 . Connected to base control terminal. Also, the above output terminal A
is connected to the emitter terminal of switching transistor Q3 , and this switching transistor
The collector terminal of Q 3 is connected to the AGC circuit. Further, the base control terminal of the switching transistor Q3 is connected to the emitter output terminal B of the detection transistor Q2 via a suitable resistor R3 .

符号C1は検波回路DETにおけるコンデンサ、
C2は次段の低周波増幅回路(図示せず)との結
合コンデンサ、R1、R2はそれぞれ低抗素子であ
る。
Symbol C 1 is the capacitor in the detection circuit DET,
C 2 is a coupling capacitor with the next stage low frequency amplifier circuit (not shown), and R 1 and R 2 are each low resistance elements.

本考案の実施例たる検波およびAGC回路は上
述のように構成され次のように作動する。
The detection and AGC circuit according to the embodiment of the present invention is constructed as described above and operates as follows.

即ち第5図Aに示すように、中間周波増幅回路
IF・AMPによる増幅された低周波信号成分を含
む中間周波出力5は検波用トランジスタQ2に導
かれ、当該検波用トランジスタQ2により検波整
流され、その検波出力端子Bに第5図A中に示す
ような低周波信号成分(検波出力)AFが得られ
る。即ち検波用トランジスタQ2は、そのベー
ス、エミツタ間のダイオード特性と抵抗R2、コ
ンデンサC1の時定数を利用して中間周波出力5
の負側成分を検波整流する負検波の動作を行な
う。このとき検波用トランジスタQ2は検波作用
と同時に、後述するようにその出力端子B側にお
ける電位を所要の電位に設定するためのレベルシ
フト用素子としても作用する。
That is, as shown in FIG. 5A, the intermediate frequency amplification circuit
The intermediate frequency output 5 containing the low frequency signal component amplified by the IF/AMP is guided to the detection transistor Q 2 , detected and rectified by the detection transistor Q 2 , and is sent to the detection output terminal B as shown in Fig. 5A. A low frequency signal component (detection output) AF as shown is obtained. In other words, the detection transistor Q2 uses the diode characteristics between its base and emitter, the resistor R2 , and the time constant of the capacitor C1 to generate an intermediate frequency output of 5.
Negative detection operation is performed to detect and rectify the negative side component of . At this time, the detection transistor Q2 acts not only as a detection function but also as a level shift element for setting the potential on the output terminal B side to a desired potential, as will be described later.

そして上記のようにして得られた低周波信号成
分AFは低周波増幅回路を経てスピーカ等(図示
せず)に導かれ当該スピーカを動作させる。
The low frequency signal component AF obtained as described above is guided to a speaker or the like (not shown) through a low frequency amplification circuit to operate the speaker.

他方、上記のような作動中に何らかの原因によ
り受信放送波入力が大になり、これに比例して中
間周波出力5のレベルが上昇して、比較回路
COMにおけるスイツチング用トランジスタQ3
ベース端子側電位に対するエミツタ端子の電位
が、そのカツトイン電圧を越えて当該スイツチン
グ用トランジスタQ3がON状態に転じる時間帯が
増して、中間周波出力5に応じたAGC用電流が
AGC回路に供給される。この結果、このAGC回
路により前段の中間周波増幅回路等の増幅度が自
動的に適宜制御されスピーカ等からの音量レベル
が一定に保たれ、またS/Mの劣化防止等が図ら
れる。
On the other hand, during the above operation, the received broadcast wave input increases for some reason, and the level of the intermediate frequency output 5 rises in proportion to this, causing the comparator circuit to
The time period in which the emitter terminal potential with respect to the base terminal side potential of the switching transistor Q 3 in COM exceeds its cut-in voltage and the switching transistor Q 3 turns ON increases, and the AGC according to the intermediate frequency output 5 increases. The current for
Supplied to the AGC circuit. As a result, the AGC circuit automatically and appropriately controls the amplification degree of the intermediate frequency amplification circuit, etc. in the preceding stage, so that the volume level from the speakers, etc. is kept constant, and deterioration of the S/M is prevented.

次いで上記のスイツチング用トランジスタQ3
がON状態に転じてAGC用電圧が発生する過程等
を第5図B,Cを用いてさらに説明する。いまト
ランジスタ素子Q1からの中間周波出力5の電圧
がゼロであれば、第4図中のA端子点に対し、B
端子点の電位は、検波用トランジスタQ2のVbeだ
け高くなる。したがつてスイツチング用トランジ
スタQ3のベース、エミツタ間は逆バイアスとな
り、スイツチング用トランジスタQ3のコレク
タ、エミツタ間はカツトオフとなる。スイツチン
グ用トランジスタQ3がON状態となるためには、
B端子点の電位に対しA端子点の電位がスイツチ
ング用トランジスタQ3のVbe相当分だけ高くなら
なければならない。第5図Bはスイツチング用ト
ランジスタQ3がONとなる状態を示したもので、
検波出力AFはB端子点のレベル変化、中間周波
出力5はA端子点のレベル変化を示している。図
中aで示した電圧分はスイツチング用トランジス
タQ3はVbeと、抵抗R3の電圧降下分との和であ
り、B端子点の検波出力AFのレベルに対しa電
圧分だけA端子点の電位が高くなるとスイツチン
グ用トランジスタQ3がONに転じる。即ち中間周
波出力5のレベル変化のうち斜線で示した領域に
おいてスイツチング用トランジスタQ3がONに転
じる。B端子点の検波出力AFのレベルは中間周
波出力5の電圧が大きくなれば負の方向に増大
(電位が減少)することになり、斜線で示した部
分の振幅は中間周波出力5の増大とともに大きく
なりスイツチング用トランジスタQ3がONに転じ
る時間帯が増大する。第5図Cはスイツチング用
トランジスタQ3がONに転じたときのそのコレク
タ電流を示すもので、この電流によりAGC用電
圧が発生する。なお第5図B中符号bで示す電圧
分は検波用トランジスタQ2のVbeに相当する。ま
た第5図A,Bの図中符号7で示す点線の電位
は、第4図A端子点のDC動作電位を示してい
る。
Next, the above switching transistor Q3
The process of turning on and generating the AGC voltage will be further explained with reference to FIGS. 5B and 5C. If the voltage of the intermediate frequency output 5 from the transistor element Q1 is zero, then B
The potential at the terminal point becomes higher by Vbe of the detection transistor Q2 . Therefore, there is a reverse bias between the base and emitter of the switching transistor Q3 , and there is a cut-off between the collector and emitter of the switching transistor Q3 . In order for the switching transistor Q3 to be in the ON state,
The potential at the A terminal point must be higher than the potential at the B terminal point by an amount equivalent to Vbe of the switching transistor Q3 . Figure 5B shows the state in which the switching transistor Q3 is turned on.
The detection output AF shows the level change at the B terminal point, and the intermediate frequency output 5 shows the level change at the A terminal point. The voltage indicated by a in the figure is the sum of Vbe of the switching transistor Q 3 and the voltage drop of the resistor R 3 , and the voltage at the A terminal is increased by the voltage a relative to the level of the detection output AF at the B terminal. When the potential increases, switching transistor Q3 turns on. In other words, the switching transistor Q3 turns ON in the shaded region of the level change of the intermediate frequency output 5. The level of the detection output AF at the B terminal point increases in the negative direction (potential decreases) as the voltage of the intermediate frequency output 5 increases, and the amplitude of the shaded area increases as the intermediate frequency output 5 increases. As the voltage increases, the time period during which the switching transistor Q3 turns ON increases. FIG. 5C shows the collector current of the switching transistor Q3 when it turns on, and this current generates the AGC voltage. Note that the voltage indicated by the symbol b in FIG. 5B corresponds to Vbe of the detection transistor Q2 . Further, the dotted line potential indicated by reference numeral 7 in FIGS. 5A and 5B indicates the DC operating potential at the terminal point A in FIG. 4.

上記のようにAGC用電流は、比較回路COMの
作用によつて中間周波出力5のレベルと検波出力
AFのレベルとを比較しその差電圧分を用いて発
生させるものであり、第2図の従来例の如く検波
した低周波出力電圧をそのまま用いるものではな
いから中間周波増幅回路と検波回路との間に結合
コンデンサを配設し直流分をカツトしてからダイ
オード素子により検波するという必要はない。
As mentioned above, the AGC current is adjusted to the level of the intermediate frequency output 5 and the detection output by the action of the comparator circuit COM.
It is generated by comparing the AF level and using the difference voltage, and does not directly use the detected low frequency output voltage as in the conventional example shown in Figure 2, so the difference between the intermediate frequency amplification circuit and the detection circuit is There is no need to place a coupling capacitor between them to cut off the DC component and then detect it with a diode element.

なお本考案に係る検波およびAGC回路をモノ
リシツクIC化するにあたつては、一例として中
間周波増幅回路IF・AMP、検波回路DET、比較
回路COM、およびAGC回路等を一個のチツプ内
に収容するが、この際検波回路におけるコンデン
サC1は検波回路DETの出力端子Bと接地との間
に外付けすればよい。このコンデンサC1は外付
けを行つても、そのための接続用端子をICチツ
プ内に特に設ける必要はない。
When converting the detection and AGC circuit according to the present invention into a monolithic IC, for example, the intermediate frequency amplifier circuit IF/AMP, the detection circuit DET, the comparison circuit COM, the AGC circuit, etc. are accommodated in one chip. However, in this case, the capacitor C1 in the detection circuit may be externally connected between the output terminal B of the detection circuit DET and the ground. Even if this capacitor C1 is connected externally, there is no need to provide a connection terminal within the IC chip.

以上詳述したように本考案によれば、検波用素
子としてトランジスタ素子を用いるとともに、中
間周波増幅回路の出力端子を結合コンデンサ等を
介することなく検波用トランジスタのベース制御
端子に直接接続し、さらに中間周波増幅回路の出
力端子をスイツチング用トランジスタを介して
AGC回路に接続するとともに、このスイツチン
グ用トランジスタのベース制御端子を、検波用ト
ランジスタの出力端子に接続し、中間周波出力レ
ベルが検波出力レベルと比較して所定レベル以上
の範囲においてスイツチング用トランジスタを
ON状態に転じさせて当該中間周波出力レベルに
応じた大きさのAGC用電流をAGC回路に供給す
るようにしたから、モノリシツクIC化に好適な
検波およびAGC回路を提供することができ、ラ
ジオ受信機等のIC化の利点を十分に発揮させる
ことができるという極めて優れた効果を発揮す
る。また結合コンデンサを用いないので直流分が
カツトされず、AGC用電圧のダイナミツクレン
ジが広がりAGCの効果を十分に発揮させること
ができるという優れた利点も有する。さらに検波
およびAGC回路をモノリシツクIC化した場合に
おいて、当該ICチツプ内に外付用コンデンサの
接続端子等を設ける必要がないので、製作工程数
や部品数の低減を図ることができ、経済上の点に
おいても低コストになし得るというこの種装置に
とつては極めて優れた効果も発揮する。
As detailed above, according to the present invention, a transistor element is used as a detection element, and the output terminal of the intermediate frequency amplifier circuit is directly connected to the base control terminal of the detection transistor without using a coupling capacitor or the like. The output terminal of the intermediate frequency amplifier circuit is connected via a switching transistor.
In addition to connecting to the AGC circuit, the base control terminal of this switching transistor is connected to the output terminal of the detection transistor, and the switching transistor is activated when the intermediate frequency output level is higher than a predetermined level compared to the detection output level.
Since the AGC circuit is turned on and an AGC current of a magnitude corresponding to the intermediate frequency output level is supplied to the AGC circuit, it is possible to provide a detection and AGC circuit suitable for monolithic IC, and radio reception. It has the extremely excellent effect of fully utilizing the advantages of IC integration in machines, etc. Furthermore, since no coupling capacitor is used, the DC component is not cut off, and the dynamic range of the AGC voltage is widened, making it possible to fully utilize the AGC effect. Furthermore, when the detection and AGC circuits are integrated into a monolithic IC, there is no need to provide connection terminals for external capacitors within the IC chip, which reduces the number of manufacturing steps and parts, resulting in an economical This type of device also exhibits extremely excellent effects in that it can be done at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例を示すブロツク線図、第2図は
同上の電気回路図、第3図は本考案の実施例たる
検波およびAGC回路のブロツク線図、第4図は
同上電気回路図、第5図Aは同上回路における中
間周期出力および検波出力の波形図、第5図Bは
第4図の回路においてスイツチング用トランジス
タがONに転じる過程を説明するための波形図、
第5図Cはスイツチング用トランジスタのコレク
タ電流をす電流波形図である。 A:中間周波増幅回路の出力端子、AF:検波
出力、AGC:AGC回路、B:検波回路の出力端
子、C2:結合コンデンサ、C1:検波回路におけ
るコンデンサ、COM:比較回路、DET:検波回
路、IF・AMP:中間周波増幅回路、Q1:トラン
ジスタ素子、Q2:検波用トランジスタ、Q3:ス
イツチング用トランジスタ、R1,R2,R3:抵
抗、5:中間周波増幅回路の出力波形。
Fig. 1 is a block diagram showing a conventional example, Fig. 2 is an electric circuit diagram of the same as above, Fig. 3 is a block diagram of a detection and AGC circuit according to an embodiment of the present invention, Fig. 4 is an electric circuit diagram of same as above, FIG. 5A is a waveform diagram of intermediate period output and detection output in the same circuit as above, FIG. 5B is a waveform diagram for explaining the process of turning on the switching transistor in the circuit of FIG. 4,
FIG. 5C is a current waveform diagram showing the collector current of the switching transistor. A: Output terminal of intermediate frequency amplifier circuit, AF: Detection output, AGC: AGC circuit, B: Output terminal of detection circuit, C 2 : Coupling capacitor, C 1 : Capacitor in detection circuit, COM: Comparison circuit, DET: Detection Circuit, IF/AMP: intermediate frequency amplifier circuit, Q 1 : transistor element, Q 2 : detection transistor, Q 3 : switching transistor, R 1 , R 2 , R 3 : resistor, 5: output of intermediate frequency amplifier circuit Waveform.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 中間周波増幅回路の出力端子を、検波回路にお
ける検波用トランジスタのベース制御端子に接続
するとともに、前記中間周波増幅回路の出力端子
をスイツチング用トランジスタのエミツタ端子に
接続し且つ当該スイツチング用トランジスタのコ
レクタ端子をAGC回路に接続し、さらに前記ス
イツチング用トランジスタのベース制御端子を前
記検波用トランジスタのエミツタ出力端子に抵抗
を介して接続し、前記中間周波増幅回路からの中
間周波出力レベルが前記検波回路の検波出力レベ
ルと比較して所定レベル以上の範囲において前記
スイツチング用トランジスタがオン状態に転じ前
記AGC回路に前記中間周波出力レベルに応じた
大きさのAGC用電流が供給されるようにしたこ
とを特徴とする検波およびAGC回路。
The output terminal of the intermediate frequency amplification circuit is connected to the base control terminal of the detection transistor in the detection circuit, and the output terminal of the intermediate frequency amplification circuit is connected to the emitter terminal of the switching transistor, and the collector terminal of the switching transistor is connected. is connected to the AGC circuit, and the base control terminal of the switching transistor is connected to the emitter output terminal of the detection transistor via a resistor, so that the intermediate frequency output level from the intermediate frequency amplification circuit is equal to the detection level of the detection circuit. The switching transistor is turned on in a range equal to or higher than a predetermined level compared to the output level, and the AGC circuit is supplied with an AGC current having a magnitude corresponding to the intermediate frequency output level. detection and AGC circuit.
JP10615377U 1977-08-10 1977-08-10 Expired JPS6119529Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10615377U JPS6119529Y2 (en) 1977-08-10 1977-08-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10615377U JPS6119529Y2 (en) 1977-08-10 1977-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5433046U JPS5433046U (en) 1979-03-03
JPS6119529Y2 true JPS6119529Y2 (en) 1986-06-12

Family

ID=29049067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10615377U Expired JPS6119529Y2 (en) 1977-08-10 1977-08-10

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6119529Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5433046U (en) 1979-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4237487A (en) Monolithic semiconductor integrated circuit for television receivers
JPS6119529Y2 (en)
US5175748A (en) Waveform shaping circuit and receiver using same
JPH0442631B2 (en)
WO1999037019A1 (en) Detector circuit
JPH0325085B2 (en)
JPS6134768Y2 (en)
JPH0640604B2 (en) Frequency conversion circuit
JPS6141296Y2 (en)
JP3204270B2 (en) Tuner circuit and tuner IC
JPS6046133A (en) Radio receiver
JP2004023532A (en) Automatic gain control circuit in receiver
JPS6121855Y2 (en)
JPS6145633Y2 (en)
JPH021945Y2 (en)
JPS6143319Y2 (en)
KR900001529B1 (en) Detection integrated circuit for am receiver
JPH0427229Y2 (en)
JPS5921531Y2 (en) Muting circuit for direct coupled amplifier
JPH0311996Y2 (en)
JPH0139001Y2 (en)
JPH0878958A (en) Linear detection circuit
JPH0339927Y2 (en)
JPS60182812A (en) Automatic gain adjusting circuit
JPH028441Y2 (en)