JPS61218182A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPS61218182A JPS61218182A JP60058404A JP5840485A JPS61218182A JP S61218182 A JPS61218182 A JP S61218182A JP 60058404 A JP60058404 A JP 60058404A JP 5840485 A JP5840485 A JP 5840485A JP S61218182 A JPS61218182 A JP S61218182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- light
- photoelectric converting
- conversion device
- visible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、光電変換装置、特にホトリフレクタに適用し
て有効な光電変換技術に関する。
て有効な光電変換技術に関する。
たとえば、入出力可能なディスプレイ、ファクシミリま
たはバーコードリーダーのようなホトリフレクタを、光
電変換素子として発光ダイオード（以下、ｒＬＥＤＪと
もいう。）を用いて形成することができる。
たはバーコードリーダーのようなホトリフレクタを、光
電変換素子として発光ダイオード（以下、ｒＬＥＤＪと
もいう。）を用いて形成することができる。
この場合、蛍光灯等の外光の影響を受けにくい赤外域に
発光特性を有するＬＥＤを入力用光源として用いること
が望ましいが、動作状態を視覚で把握できないという問
題がある。そこで、表示用としては可視域に発光特性を
有するＬＥＤを用い、人力用としては外光による影響を
受けにくい赤外域に発光特性を有するＬＥＤを用いるこ
とで対策できる。しかし、２種類のＬＥＤを併用するた
め実装密度が低くなるという問題がある。
発光特性を有するＬＥＤを入力用光源として用いること
が望ましいが、動作状態を視覚で把握できないという問
題がある。そこで、表示用としては可視域に発光特性を
有するＬＥＤを用い、人力用としては外光による影響を
受けにくい赤外域に発光特性を有するＬＥＤを用いるこ
とで対策できる。しかし、２種類のＬＥＤを併用するた
め実装密度が低くなるという問題がある。
また、表示用の可視域に発光特性を有するＬＥＤを入力
用としても使用する場合は、実装密度の低下は防止でき
るが外光の影響を受は易いため誤動作を起こし易いとい
う問題がある。
用としても使用する場合は、実装密度の低下は防止でき
るが外光の影響を受は易いため誤動作を起こし易いとい
う問題がある。
以上の問題があることが本発明者により見い出された。
なお、発光ダイオードについては、１９８２年１１月５
日、岩波書店株式会社発行、「理化学辞典」第３版増補
版、Ｐ１５２３に説明がある。
日、岩波書店株式会社発行、「理化学辞典」第３版増補
版、Ｐ１５２３に説明がある。
本発明の目的は、視覚的に動作が確認でき、その上信頼
性の高い入力光源として利用できる高密度実装可能な光
電変換装置を提供することにある。
性の高い入力光源として利用できる高密度実装可能な光
電変換装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、可視域に光電変換特性を有する光電変換素子
と外光の影響を受けにくい赤外域またはそれに近い可視
域に光電変換特性を有する充電変換素子とが搭載されて
なる光電変換装置を形成することにより、前者を表示用
光源として、後者を入力用光源または受光素子として利
用することができることより、該充電変換装置を用いて
信鎖性が高く、かつ動作状態を視覚で確認できるホ）
ＩＪフレクタ等を形成することができる。
と外光の影響を受けにくい赤外域またはそれに近い可視
域に光電変換特性を有する充電変換素子とが搭載されて
なる光電変換装置を形成することにより、前者を表示用
光源として、後者を入力用光源または受光素子として利
用することができることより、該充電変換装置を用いて
信鎖性が高く、かつ動作状態を視覚で確認できるホ）
ＩＪフレクタ等を形成することができる。
また、前記の特性の異なる２種類の素子を同一んど変え
ることなく２つの機能を備えた光電変換装置を形成する
ことができ、前記素子を基板上に高密度で実装できる。
ることなく２つの機能を備えた光電変換装置を形成する
ことができ、前記素子を基板上に高密度で実装できる。
〔実施例１〕
第１図は、本発明による実施例１である光電変換装置の
概略を示す斜視図である。
概略を示す斜視図である。
本実施例１の光電変換装置は、光電変換素子であるＬＥ
Ｄチップを符号ｌおよび１ａで示す如く２個搭載してな
る、いわゆるＬＥＤランプである。
Ｄチップを符号ｌおよび１ａで示す如く２個搭載してな
る、いわゆるＬＥＤランプである。
このＬＥＤランプはカソードリード２、アノードリード
３およびアノードとカソードに共用される共通り一部４
の３本のリードを有しており、カソードリード２と共通
リード４の上端面には前記ＬＥＤチフチッ、１ａが金−
シリコン共晶（図示せず、）で取り付けられ、ＬＥＤチ
ップ１．１ａのカソード電極と電気的に接続されている
。
３およびアノードとカソードに共用される共通り一部４
の３本のリードを有しており、カソードリード２と共通
リード４の上端面には前記ＬＥＤチフチッ、１ａが金−
シリコン共晶（図示せず、）で取り付けられ、ＬＥＤチ
ップ１．１ａのカソード電極と電気的に接続されている
。
そして、カソードリード２の上端面に取り付けられてい
るＬＥＤチップｌのアノード電極は共通リード４の上端
面とアルミニウムからなるワイヤ５で電気的に接続され
、また共通り一部４の上端面に取り付けられているＬＥ
Ｄチップ１ａのアノード電極はアノードリード３と電気
的に接続されている。すなわち、２個のＬＥＤチップｌ
および１ａは直列に接続されている。
るＬＥＤチップｌのアノード電極は共通リード４の上端
面とアルミニウムからなるワイヤ５で電気的に接続され
、また共通り一部４の上端面に取り付けられているＬＥ
Ｄチップ１ａのアノード電極はアノードリード３と電気
的に接続されている。すなわち、２個のＬＥＤチップｌ
および１ａは直列に接続されている。
前記の如く電気的接続が完了した後に、ＬＥＤチップ１
，１ａをほぼ中心に位置させた状態で透明樹脂でリード
２．３．４の上部をモールドしてパッケージ６が形成さ
れ、ＬＥＤランプが完成されるものである。
，１ａをほぼ中心に位置させた状態で透明樹脂でリード
２．３．４の上部をモールドしてパッケージ６が形成さ
れ、ＬＥＤランプが完成されるものである。
本実施例１の光電変換装置に搭載されている２つのＬＥ
Ｄチフプｌおよび１ａは、第２図にその特徴の概略を示
すように一方が可視域に発光特性を有し、他方が赤外域
に発光特性を有しているものである。
Ｄチフプｌおよび１ａは、第２図にその特徴の概略を示
すように一方が可視域に発光特性を有し、他方が赤外域
に発光特性を有しているものである。
すなわち、第２図において縦軸が発光強度、横軸が波長
（入）であり、７で示すのが可視域の波長範囲（約４０
０ｎｍ〜約８００ ｎｍ）を示し、７の右側が赤外域に
相当するものである。本図に示す曲線は前記光電変換装
置の発光特性を示すもので、可視域に特性を有するＬＥ
、Ｄチップによる発光強度曲線８と赤外域に特性を有す
るＬＥＤチップによる発光強度曲線９の２つの領域にピ
ークを有する発光特性を示すものである。
（入）であり、７で示すのが可視域の波長範囲（約４０
０ｎｍ〜約８００ ｎｍ）を示し、７の右側が赤外域に
相当するものである。本図に示す曲線は前記光電変換装
置の発光特性を示すもので、可視域に特性を有するＬＥ
、Ｄチップによる発光強度曲線８と赤外域に特性を有す
るＬＥＤチップによる発光強度曲線９の２つの領域にピ
ークを有する発光特性を示すものである。
本実施例の光電変換装置は、ファクシミリまたはバーコ
ードリーダー等のホトリフレクタの発光素子として、ま
たは受光素子として利用して有効なものである。
ードリーダー等のホトリフレクタの発光素子として、ま
たは受光素子として利用して有効なものである。
すなわち、たとえばファクシミリを例に示すと、第３図
においてその概略を部分側面図で示す如く、多数の本実
施例１の光電変換装置ｌＯが基板１１に配列実装されて
おり、該光電変換素子の上には印刷物１２を載置するた
めガラス板１３が設けられている。このファクシミリは
、可視光と赤外光の波長が大きく異なる２種の光を同時
に発光させることができるものであり、同時に受光する
機能をも備えている。したがって、外光の影響を受けに
くい赤外光を入力用光源として利用し、かつ可視光によ
り動作状態を視覚的に確認することができるものである
。
においてその概略を部分側面図で示す如く、多数の本実
施例１の光電変換装置ｌＯが基板１１に配列実装されて
おり、該光電変換素子の上には印刷物１２を載置するた
めガラス板１３が設けられている。このファクシミリは
、可視光と赤外光の波長が大きく異なる２種の光を同時
に発光させることができるものであり、同時に受光する
機能をも備えている。したがって、外光の影響を受けに
くい赤外光を入力用光源として利用し、かつ可視光によ
り動作状態を視覚的に確認することができるものである
。
第３図に示す矢印は、赤外光の動きを示しており、１つ
の光電変換装置ｌＯが発光素子として機能し、隣接する
装置１０ａが受光素子として機能するものである。また
、この関係は固定されたものでなく、全ての充電変換装
置ｌＯが発光素子および受光素子として機能するもので
ある。それ故、本実施例１の光電変換装置を用いれば、
受光用の素子を併用する必要がない。
の光電変換装置ｌＯが発光素子として機能し、隣接する
装置１０ａが受光素子として機能するものである。また
、この関係は固定されたものでなく、全ての充電変換装
置ｌＯが発光素子および受光素子として機能するもので
ある。それ故、本実施例１の光電変換装置を用いれば、
受光用の素子を併用する必要がない。
なお、通常のホトリフレクタと同様に受光専用の素子を
併用できることはいうまでもない、受光専用の素子とし
て、たとえばシリコン（Ｓｔ）ホトダイオードを用いる
場合は、その受光部に可視フィルタを適用することによ
り、第４図に示す如く赤外光を選択的に受光させること
が可能となるので、信頼性の高いホトリフレクタを提供
できる。
併用できることはいうまでもない、受光専用の素子とし
て、たとえばシリコン（Ｓｔ）ホトダイオードを用いる
場合は、その受光部に可視フィルタを適用することによ
り、第４図に示す如く赤外光を選択的に受光させること
が可能となるので、信頼性の高いホトリフレクタを提供
できる。
すなわち、第４図において縦軸は感度、横軸は第２図と
同様に波長を示すものである。実線で示す曲線は、シリ
コンホトダイオードに前記フィルタを適用し、斜線１４
を付して示した可視光を除去することにより、赤外域に
のみ受光特性を有すなお、本実施例１においては、２種
類のＬＥＤチップ１および１ａを直列に接続しているた
め、近赤外域に特性を有するＬＥＤチフプであれば、可
視域のＬＥＤチップより高い発光効率の状態で使用でき
る。また、直列接続である故に一方が故障しただけでそ
の故障を容易に視覚でｉａ認することができる。
同様に波長を示すものである。実線で示す曲線は、シリ
コンホトダイオードに前記フィルタを適用し、斜線１４
を付して示した可視光を除去することにより、赤外域に
のみ受光特性を有すなお、本実施例１においては、２種
類のＬＥＤチップ１および１ａを直列に接続しているた
め、近赤外域に特性を有するＬＥＤチフプであれば、可
視域のＬＥＤチップより高い発光効率の状態で使用でき
る。また、直列接続である故に一方が故障しただけでそ
の故障を容易に視覚でｉａ認することができる。
〔実施例２〕
第５図は本発明による実施例２である光電変換装置の概
略を示す斜視図である。
略を示す斜視図である。
本実施例の光電変換装置は、同一の基板１５に前記実施
例１と同様に、可視域と赤外域とに光電変換特性を有す
る２種類のＬＥＤチップｔ、ｉａからなる対を１単位と
するものが４単位搭載されているものである。
例１と同様に、可視域と赤外域とに光電変換特性を有す
る２種類のＬＥＤチップｔ、ｉａからなる対を１単位と
するものが４単位搭載されているものである。
すなわち、セラミック製の基板１５の裏面に固定されて
いるカソードリード２と電気的に導通されて該基板１５
の上面に被着されているメタライズ層１６にＬＥＤチッ
プｌが取り付けられ、共通リードと導通されているメタ
ライズ層１６ａに他のＬＥＤチップ１ａが取り付けられ
ている。そして、前記ＬＥＤチップ１は前記メタライズ
層１６ａとワイヤ５により電気的に接続され、他のＬＥ
Ｄチップ１ａは、アノードリード３と導通されているメ
タライズ層１６ｂとワイヤ５を介して電気的に接続され
、この２種のＬＥＤチップ１および１ａは前記実施例１
と同様に直列に接続されているものである。
いるカソードリード２と電気的に導通されて該基板１５
の上面に被着されているメタライズ層１６にＬＥＤチッ
プｌが取り付けられ、共通リードと導通されているメタ
ライズ層１６ａに他のＬＥＤチップ１ａが取り付けられ
ている。そして、前記ＬＥＤチップ１は前記メタライズ
層１６ａとワイヤ５により電気的に接続され、他のＬＥ
Ｄチップ１ａは、アノードリード３と導通されているメ
タライズ層１６ｂとワイヤ５を介して電気的に接続され
、この２種のＬＥＤチップ１および１ａは前記実施例１
と同様に直列に接続されているものである。
前記の如く複数単位のＬＥＤチップを同一基板に搭載す
るため、前記実施例１の装置より、さらに高密度実装可
能なホトリフレクタ等の素子として利用できるものであ
る。
るため、前記実施例１の装置より、さらに高密度実装可
能なホトリフレクタ等の素子として利用できるものであ
る。
本実施例２の光電変換装置は、第５図に示す状態のもの
をそのまま用いることも、また実施例１の如く透明樹脂
等でモールドした状態で用いることもできる。
をそのまま用いることも、また実施例１の如く透明樹脂
等でモールドした状態で用いることもできる。
（１）、可視域の光電変換素子と外光の影響を受けに（
い赤外域またはそれに近い可視域の光電変換素子とを搭
載してな６光電変換装置を形成することにより、前者を
表示用光源として、後者を入力用光源として利用するこ
とができるので、動作状態を視覚で確認でき、かつ外光
の影響を受けずに人力または受光が可能な光電変換装置
を提供できる。
い赤外域またはそれに近い可視域の光電変換素子とを搭
載してな６光電変換装置を形成することにより、前者を
表示用光源として、後者を入力用光源として利用するこ
とができるので、動作状態を視覚で確認でき、かつ外光
の影響を受けずに人力または受光が可能な光電変換装置
を提供できる。
（２）、前記（１）の光電変換装置を用いることにより
、動作状態を視覚で確認でき、しかも信頼性の高いホト
リフレクタ等の機器を形成できる。
、動作状態を視覚で確認でき、しかも信頼性の高いホト
リフレクタ等の機器を形成できる。
（３）、同一装置内に可視域と赤外域とに特性を有する
２種類の光電変換素子を搭載していることにより、高密
度実装可能な光電変換素子を形成できる。
２種類の光電変換素子を搭載していることにより、高密
度実装可能な光電変換素子を形成できる。
（４）、前記（１）の光電変換装置は、受光素子として
も利用できることにより、別に受光専用の光電変換装置
を用いる必要がないので、高密度画素を備えたホトリフ
レクタ等の機器を形成できる。
も利用できることにより、別に受光専用の光電変換装置
を用いる必要がないので、高密度画素を備えたホトリフ
レクタ等の機器を形成できる。
（５）、同一装置内に、可視域の光電変換素子と赤外域
またはそれに近い可視域の光電変換素子との対を複数搭
載することにより、前記（１）に記載した特性を備えた
高密度実装可能な光電変換装置を形成できる。
またはそれに近い可視域の光電変換素子との対を複数搭
載することにより、前記（１）に記載した特性を備えた
高密度実装可能な光電変換装置を形成できる。
（６）、前記（１）の光電変換装置において、両光電変
換素子を直列に接続することにより、故障を視覚で容易
に発見することができる。
換素子を直列に接続することにより、故障を視覚で容易
に発見することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、光電変換素子としてはＬＥＤについてのみ説
明したが、これに限るものでなく同様の機能を備えたも
のであれば他の光電変換素子を搭載するものであっても
よい。
明したが、これに限るものでなく同様の機能を備えたも
のであれば他の光電変換素子を搭載するものであっても
よい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるホトリフレクタに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、ホトインタラプタについても適用
して有効な技術である。
をその背景となった利用分野であるホトリフレクタに適
用した場合について説明したが、それに限定されるもの
ではなく、たとえば、ホトインタラプタについても適用
して有効な技術である。
第１図は、本発明による実施例１である光電変換装置を
示す概略斜視図、 第２図は、本実施例１の光電変換装置の発光特性を示す
グラフ、 第３図は、本実施例１の光電変換装置を適用したファク
シミリの概略を示す部分側面図、第４図は、シリコンホ
トダイオードに可視フィルタを適用した際の受光特性を
示すグラフ、第５図は本発明による実施例２である光電
変換装置を示す斜視図である。 １、ｌａ・・・ＬＥＤチップ、２・・・カソードリード
、３・・・アノードリード、４・ ・・共通リード、５
・・・ワイヤ、６・・・パッケージ、７・・・可視域、
８．９・・・発光強度曲線、１０．１０ａ・・・光電変
換装置、１１・・・基板、１２・・・印刷物、１３・・
・ガラス板、１４・・・斜線、１５・・・基板、１６．
１６ａ、１６ｂ・・・メタライズ層。
示す概略斜視図、 第２図は、本実施例１の光電変換装置の発光特性を示す
グラフ、 第３図は、本実施例１の光電変換装置を適用したファク
シミリの概略を示す部分側面図、第４図は、シリコンホ
トダイオードに可視フィルタを適用した際の受光特性を
示すグラフ、第５図は本発明による実施例２である光電
変換装置を示す斜視図である。 １、ｌａ・・・ＬＥＤチップ、２・・・カソードリード
、３・・・アノードリード、４・ ・・共通リード、５
・・・ワイヤ、６・・・パッケージ、７・・・可視域、
８．９・・・発光強度曲線、１０．１０ａ・・・光電変
換装置、１１・・・基板、１２・・・印刷物、１３・・
・ガラス板、１４・・・斜線、１５・・・基板、１６．
１６ａ、１６ｂ・・・メタライズ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、可視域の光電変換素子と、赤外域またはそれに近い
可視域の光電変換素子とが搭載されてなる光電変換装置
。 ２、複数対の前記光電変換素子が搭載されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。 ３、光電変換素子が発光ダイオードであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058404A JPS61218182A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60058404A JPS61218182A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61218182A true JPS61218182A (ja) | 1986-09-27 |
Family
ID=13083420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60058404A Pending JPS61218182A (ja) | 1985-03-25 | 1985-03-25 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61218182A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271859U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-31 |
-
1985
- 1985-03-25 JP JP60058404A patent/JPS61218182A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271859U (ja) * | 1988-11-17 | 1990-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8232118B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
| EP2372801B1 (en) | Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages include the same | |
| EP2587542B1 (en) | Light emitting device and light emitting device package | |
| JP2008211174A (ja) | 可撓性の反射体を備えたｌｅｄ光源 | |
| JP2006093697A (ja) | 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード | |
| US6603151B2 (en) | Method and structure for packaging a high efficiency electro-optics device | |
| EP2835837B1 (en) | Light emitting device with light emitting diodes | |
| JP2006019598A (ja) | 発光ダイオード | |
| KR20180131303A (ko) | 발광소자 패키지 및 광원 장치 | |
| KR20190083042A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190025333A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20190029399A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| JP5939977B2 (ja) | Ｌｅｄモジュール | |
| KR101550779B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
| KR20190031089A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| JPS61218182A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3256951B2 (ja) | 発光ダイオード | |
| WO2015054029A1 (en) | High voltage monolithic led chip | |
| KR102380582B1 (ko) | 발광 소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조 방법 및 광원 장치 | |
| US20110057216A1 (en) | Low profile optoelectronic device package | |
| KR102142718B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 | |
| CN217468472U (zh) | 半导体器件、半导体器件封装体、照明设备和背光单元 | |
| KR20190086099A (ko) | 발광소자 패키지 | |
| KR20180125684A (ko) | 반도체 소자 및 반도체 소자 패키지 | |
| KR20190029250A (ko) | 발광소자 패키지 및 조명 모듈 |