JPS61217847A - Detecting system for local memory error - Google Patents

Detecting system for local memory error

Info

Publication number
JPS61217847A
JPS61217847A JP60059043A JP5904385A JPS61217847A JP S61217847 A JPS61217847 A JP S61217847A JP 60059043 A JP60059043 A JP 60059043A JP 5904385 A JP5904385 A JP 5904385A JP S61217847 A JPS61217847 A JP S61217847A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
local memory
data
local
read
data transfer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60059043A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Takeya
竹谷 有二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60059043A priority Critical patent/JPS61217847A/en
Publication of JPS61217847A publication Critical patent/JPS61217847A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Debugging And Monitoring (AREA)

Abstract

PURPOSE:To detect easily a local memory error by storing the same data into a pair of local memories and reading out the contents of both memories in a read mode to compare them with each other for detection of the discordance between them. CONSTITUTION:The read data delivered with e timing when the positive value of a local memory address counter 6 is given to the 1st and 2nd local memories 7 and 8 are stored in registers 9 and 10. A discordance detecting circuit 11 compares the data stored in the register 9 with the data delivered from the memory 8 with the timing when the negative value of the counter 6 is given to both memories 7 and 8. While a discordance detecting circuit 12 compares the data stored in the register 10 with the data delivered from the memory 7. Then a memory error detecting signal is delivered onto a signal line 15 when either one of both circuits 11 and 12 detects the discordance.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はローカルメモリを必要とする周辺制御装置を備
え元情報処理装置におけるローカルメモリエラー検出方
式に関し、特にローカルメモリ格納データの読出し時に
おけるエラー検出方式に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a local memory error detection method in a source information processing device equipped with a peripheral control device that requires a local memory, and in particular to a method for detecting errors when reading data stored in the local memory. Regarding detection method.

(従来の技術) 従来、この種のローカルメモリエラー検出方式はローカ
ルメモリにパリティピット格納エリアを設け、転送デー
タの格納時には格納データをもとにしてパリティピッ)
1−生成して格納シ、読出し時には読出し次データとパ
リティビットとを合わせて判断し、ローカルメモリエラ
ーの有無を検出する構成を採用してい友。
(Prior art) Conventionally, this type of local memory error detection method has provided a parity pit storage area in the local memory, and when storing transferred data, parity pits are detected based on the stored data.
1-A configuration is adopted in which the data is generated and stored, and when read, the next data to be read and the parity bit are judged together to detect the presence or absence of a local memory error.

(発明が解決しようとする問題点) 上述しt従来のローカルメモリエラー検出方式では、パ
リティピットによシェラ−検出をしているので、ローカ
ルメモリにパリティビット格納エリアが余分に必要であ
シ、格納データに対応し九パリティビットを生成しなけ
ればならず、データ転送サイクルタイムが長くなるとい
う欠点があった。
(Problems to be Solved by the Invention) As mentioned above, in the conventional local memory error detection method, since Sheller detection is performed using parity pits, an extra parity bit storage area is required in the local memory. This method has the disadvantage that nine parity bits must be generated corresponding to the stored data, which increases the data transfer cycle time.

本発明の目的は、一対のローカルメモリに共に同一のデ
ータを格納し、読出し時には一対のローカルメモリの内
容を共に読出し、一対の読出しデータを比較して不一致
を検出することにより上記欠点金除去し、短いデータ転
送サイクルタイムを有するように構成したローカルメモ
リエラー検出方式を提供することにある。
An object of the present invention is to eliminate the above disadvantages by storing the same data in a pair of local memories, reading out the contents of the pair of local memories together at the time of reading, and detecting discrepancies by comparing the pair of read data. An object of the present invention is to provide a local memory error detection method configured to have a short data transfer cycle time.

(問題点を解決する九めの手段) 本発fIAKよるローカルメモリエラー検出方式は周辺
装置と、中央処理装置と、主記憶装置と、周辺制御装置
とから成夛、データ転送バイト単位シよびデータ転送速
度を整合できるように構成シ九システムにおけるもので
ある。斯かるシステムにおいて、周辺装置は1バイト単
位でデータを転送することができるものであシ、周辺制
御装置はバスを介して他の装置に接続され、主記憶装置
との間でデータ転送t−2バイト単位で行い、周辺装置
との間のデータ転送速度を主記憶装置との間のデータ転
送速度よシ数倍速く設定することができるものである。
(Ninth means to solve the problem) The local memory error detection method using fIAK is composed of a peripheral device, a central processing unit, a main memory device, and a peripheral control device. This is in a system that can be configured to match transfer speeds. In such systems, peripheral devices are capable of transferring data in 1-byte units, and peripheral control devices are connected to other devices via a bus and perform data transfer between them and the main memory. This is done in units of 2 bytes, and the data transfer rate with the peripheral device can be set several times faster than the data transfer rate with the main storage device.

上記構成にシいて、周辺制御装置はローカルメモリアド
レスカウンタと、第1および第2のローカルメモリと、
第1および第2の読出しレジスタと、第1Thよび第2
の不一致検出回路と、ORゲートとを具備して構成した
ものである。
In the above configuration, the peripheral control device includes a local memory address counter, first and second local memories,
first and second read registers;
This configuration includes a mismatch detection circuit and an OR gate.

ローカルメモリアドレスカウンタは周辺装置から2バイ
トのデータが出力されるごとに値を1だけ増分させるこ
とができ、正および負のアドレスを与えるためのもので
ある。
The local memory address counter is capable of incrementing its value by one each time two bytes of data are output from the peripheral, and is intended to provide positive and negative addresses.

第1および第2のローカルメモリは、正および負のアド
レスに対応してバス上のデータを格納する友めのもので
ある。
The first and second local memories are companions that store data on the bus corresponding to positive and negative addresses.

第1および第2の読出しレジスタは、第1および第2の
ローカルメモリに対応して上記ローカルメモリからそれ
ぞれ読出されたデータを格納する九めのものである。
The first and second read registers correspond to the first and second local memories and store data read from the local memories, respectively.

第1の不一致検出回路は、第2のローカルメモリに格納
されたデータと第1の読出しレジスタに格納されたデー
タとを比較するためのものである。
The first mismatch detection circuit is for comparing the data stored in the second local memory and the data stored in the first read register.

第2の不一致検出回路は、第1のローカルメモリに格納
され友データと第2の読出しレジスタに格納されたデー
タとを比較する九めのものである。
The second mismatch detection circuit is the ninth one that compares the companion data stored in the first local memory with the data stored in the second read register.

ORゲートは、第1および第2の不一致検出回路の出力
の論理和を求め、ローカルメモリエラー信号を出力する
ためのものである。
The OR gate is for calculating the logical sum of the outputs of the first and second mismatch detection circuits and outputting a local memory error signal.

(実施 例) 次に、本発明について図面を参照して詳細に説明する。(Example) Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.

第1図は、本発明によるローカルメモリエラー検出方式
t′実現する一実施例を示すブロック図である。第1図
において、3は周辺制御装置、4はデータバス、5は周
辺装置、6はローカルメモリアドレスカウンタ、7,8
はそれぞれ第1および第2のローカルメモIJ、9.1
0はそれぞれ第1および第2の読出しレジスタ、11.
12はそれぞれ第1および第2の不一致検出回路、13
はOR+ゲート、14はフリップフロップ、16゜17
はそれぞれ第1および第2のアドレスセレクタ、18〜
20はそれぞれ第1〜第3のデータセレクタ、21.2
2はそれぞれ第1および第2のバッファゲートである。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the local memory error detection method t' according to the present invention. In FIG. 1, 3 is a peripheral control device, 4 is a data bus, 5 is a peripheral device, 6 is a local memory address counter, 7, 8
are the first and second local memo IJ, respectively, 9.1
0 are the first and second read registers, respectively, 11.
12 are first and second mismatch detection circuits, respectively; 13
is OR+gate, 14 is flip-flop, 16°17
are the first and second address selectors, 18-
20 are first to third data selectors, 21.2
2 are first and second buffer gates, respectively.

第1図において、ローカルメモリアドレスカウンタ6の
正、負の出力はそれぞれ第1のアドレスセレクタ16を
経由して第1のローカルメモI77に接続され、同様に
第2のアドレスセレクタ17を経由して第2のローカル
メモリ8に接続されている。第1のローカルメモリ7か
ら信号線23へ送出された第1の読出しデータは第1の
読出しレジスタ9と第2の不一致検出回路12の一方の
入力に接続されている。第2のローカルメモリ8から信
号線24へ送出された第2の読出しデータは第2の読出
しレジスタ10と第1の不一致検出回路11の一方の入
力に接続されている。
In FIG. 1, the positive and negative outputs of the local memory address counter 6 are connected to a first local memory I77 via a first address selector 16, and similarly via a second address selector 17. It is connected to a second local memory 8. The first read data sent from the first local memory 7 to the signal line 23 is connected to one input of the first read register 9 and the second mismatch detection circuit 12. The second read data sent from the second local memory 8 to the signal line 24 is connected to one input of the second read register 10 and the first mismatch detection circuit 11.

第1の読出しレジスタ9の出力は第1の不一致検出回路
11の他方の入力と、データセレクタ20の一方の入力
とに接続され、さらに第1のバッファゲート21ヲ経由
して2バイトのデータバス4の一方に接続されている。
The output of the first read register 9 is connected to the other input of the first mismatch detection circuit 11 and one input of the data selector 20, and is further connected to the 2-byte data bus via the first buffer gate 21. Connected to one side of 4.

第2の読出しレジスタ10の出力は第2の不一致検出回
路12の他方の入力と、第3のデータセレクタ20の他
方の入力とに接続され、さらに第2のバッファゲート2
2ヲ経由して2バイトのデータバス4の他方に接続され
ている。第3のデータセレクタ20の出力は、周辺装置
5に接続されている。
The output of the second read register 10 is connected to the other input of the second mismatch detection circuit 12 and the other input of the third data selector 20, and further connected to the second buffer gate 2.
2 is connected to the other side of the 2-byte data bus 4. The output of the third data selector 20 is connected to the peripheral device 5.

第1の不一致検出回路11の出力はORゲート13の一
方の入力に接続され、第2の不一致検出回路】2の出力
はORグー)13の他方の入力に接続されている。OR
ゲート13の出力はフリップフロップ14に入力され、
フリップフロッグ14の出力のローカルメモリエラー検
出信号となシ、信号線15上に送出される。周辺装置5
からの出力は第1のデータセレクタ1Bと第2のデータ
セレクタ19とを経由してそれぞれ第1のローカルメモ
リ7と第2のローカルメモリ8とに入力されている。2
バイトのデータバスはそれぞれのバイト信号が第1のデ
ータセレクタ18と第2のデータセレクタ19とに接続
されている。
The output of the first mismatch detection circuit 11 is connected to one input of the OR gate 13, and the output of the second mismatch detection circuit 11 is connected to the other input of the OR gate 13. OR
The output of the gate 13 is input to the flip-flop 14,
The local memory error detection signal output from the flip-flop 14 is sent onto the signal line 15. Peripheral device 5
The outputs are input to the first local memory 7 and the second local memory 8 via the first data selector 1B and the second data selector 19, respectively. 2
Each byte signal of the byte data bus is connected to a first data selector 18 and a second data selector 19.

第2図は、2バイトのデータバス4に中央処理装置lと
、主記憶装置2と、第1図にブロック図を示した周辺制
御装置3とを接続したシステムのブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a system in which a central processing unit 1, a main storage device 2, and a peripheral control device 3 whose block diagram is shown in FIG. 1 are connected to a 2-byte data bus 4.

次に、第3図〜第7図を参照して第1図に示す装置の動
作全説明する。
Next, the entire operation of the apparatus shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIGS. 3 to 7.

第3図ならびに第4図は、周辺装置5から出力され7’
(oo〜OFの16バイトのデータが主記憶装置2に転
送されるようすを示した説明図である。第3図は、周辺
装置5から第1および第2のローカルメモリ7.8にデ
ータが転送される場合のローカルメモリアドレスと格納
データとの関係を示す説明図である。第4図は、同辺制
御装置3から主記憶装置2にデータを転送する場合のロ
ーカルメモリアドレスと読出しデータならびに比較デー
タとの関係を示す説明図でちる。第5図は、主記憶装置
2から周辺制御装置にデータが転送される場合のローカ
ルメモリアドレスと格納データとの関係を示す説明図で
ある。第6図は、第1シよび第2のローカルメモリ7.
8から周辺装置5にデータが転送される場合のローカル
メモリアドレスと読出しデータおよび比較データとの関
係を示す説明図である。
3 and 4 are output from the peripheral device 5 7'
(This is an explanatory diagram showing how 16 bytes of data from oo to OF are transferred to the main storage device 2. FIG. 3 shows how data is transferred from the peripheral device 5 to the first and second local memories 7.8. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between local memory addresses and stored data when data is transferred. FIG. This is an explanatory diagram showing the relationship with comparison data. Fig. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between the local memory address and stored data when data is transferred from the main storage device 2 to the peripheral control device. Figure 6 shows the first and second local memories 7.
8 is an explanatory diagram showing the relationship between a local memory address, read data, and comparison data when data is transferred from the peripheral device 8 to the peripheral device 5. FIG.

第3図によれば、ローカルメモリアドレスカウンタ6の
値が周辺装置5から2バイトづつ出力されるごとに1づ
つ増分されてかシ、ローカルメモリアドレスカウンタ6
の正負の出力のそれぞれが第1および第2のアドレスセ
レクタ16.17によって周辺装置5から1バイトずつ
出力されるごとに切換えられて、第1のローカルメモリ
7ならびに第2のローカルメモリ8に与えられているこ
とがわかる。第1のローカルメモリ7に正のアドレスが
与えられているときには、第2のローカルメモリ8には
負のアドレスが与えられ、第1のローカルメモリ7に負
のアドレスが与えられているとき、第2のローカルメモ
リ8には正のアドレスが与えられている。周辺装置5か
らの出力信号は第1および第2のデータセレクタ18 
、19 を経由してそれぞれ第1のローカルメモリ7な
らびに第2のローカルメモリ8に入力され、与えられた
アドレスに対応シて格納されていく。
According to FIG. 3, the value of the local memory address counter 6 is incremented by 1 every time 2 bytes are output from the peripheral device 5.
The positive and negative outputs of are switched each time one byte is output from the peripheral device 5 by the first and second address selectors 16 and 17, and are applied to the first local memory 7 and the second local memory 8. I can see that it is being done. When the first local memory 7 is given a positive address, the second local memory 8 is given a negative address, and when the first local memory 7 is given a negative address, the second local memory 8 is given a negative address. The local memory 8 of No. 2 is given a positive address. The output signal from the peripheral device 5 is sent to the first and second data selectors 18.
, 19 to the first local memory 7 and second local memory 8, respectively, and are stored in correspondence with the given addresses.

第7図は、格納終了後の第1のローカルメモリ7と第2
のローカルメモリ8とのデータ格納状態を示した説明図
である。
FIG. 7 shows the first local memory 7 and the second local memory 7 after storage is completed.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing the state of data storage with the local memory 8 of FIG.

次に、周辺制御装置3の内部の第1のローカルメモリ7
と第2のローカルメモリ8とから主記憶装置2にデータ
が転送される動作について、第4図を参照して説明する
Next, the first local memory 7 inside the peripheral control device 3
The operation of transferring data from the second local memory 8 to the main storage device 2 will be explained with reference to FIG.

第7図に示すようにデータが格納され定状態で、ローカ
ルメモリアドレスカウンタ6が第4図に示すようにOか
ら7まで更新されると、第1および第2のアドレスセレ
クタ16.17によってローカルメモリアドレスカウン
タ6の正負の出力が交互に選択され、第4図に示すよう
に0゜F、1.E・・・軸−6、9、7、8の順に第1
のローカルメモリ7と、第2のローカルメモリ8とに与
えられる。第1のローカルメモリ7と第2のローカルメ
モリ8とにローカルメモリアドレスカウンタ6の正の値
が与えられるタイミングに、第1のローカルメモリ7か
ら出力された第1の読出しデータは信号線23を介して
第1の読出しレジスタ9に格納され、第2のローカルメ
モリ8とから出力された第2の読出しデータは信号線2
4を介して第2の読出しレジスタ五oに格納される。
When data is stored and in a steady state as shown in FIG. 7, and the local memory address counter 6 is updated from O to 7 as shown in FIG. The positive and negative outputs of the memory address counter 6 are alternately selected, and as shown in FIG. E... Axis-6, 9, 7, 8 in the order of the first
local memory 7 and a second local memory 8. At the timing when the positive value of the local memory address counter 6 is given to the first local memory 7 and the second local memory 8, the first read data output from the first local memory 7 is sent to the signal line 23. The second read data is stored in the first read register 9 via the signal line 2 and output from the second local memory 8.
4 and stored in the second read register 5o.

第1のローカルメモリ7と第2のローカルメモリ8とに
ローカルメそリアドレスカウンタ6の負の値が与えられ
ているタイミングに、第1の不一致検出回路11と第2
の不一致検出回路12とではそれぞれ第1の読出しレジ
スタ9の格納データと、第2のローカルメモリ8から信
号線24に送出された第2の読出しデータ2とが比較さ
れ、第2の読出しレジスタlOの格納データと第1のロ
ーカルメモリ7からの信号線23への第1の読出しデー
タが比較される。いずれかの不一致検出回路11 、1
2によって不一致が検出されると、ORゲート13t−
経由してフリップフロップ14に記憶され、信号線15
上へローカルメモリエラー検出信号が出力される。
At the timing when the negative value of the local memory address counter 6 is given to the first local memory 7 and the second local memory 8, the first mismatch detection circuit 11 and the second local memory
The data stored in the first read register 9 and the second read data 2 sent from the second local memory 8 to the signal line 24 are compared with the mismatch detection circuit 12 of the second read register lO. The stored data and the first read data from the first local memory 7 to the signal line 23 are compared. Any mismatch detection circuit 11, 1
2, when a mismatch is detected, the OR gate 13t-
is stored in the flip-flop 14 via the signal line 15.
A local memory error detection signal is output upward.

第1の読出しレジスタ9ならびに第2の読出しレジスタ
10に格納されtデータは、それぞれ第1のバッファゲ
ート21ならびに第2のバッフ−アゲート22ヲ介して
2バイトのデータバス4に出力される。
The t data stored in the first read register 9 and the second read register 10 are output to the 2-byte data bus 4 via the first buffer gate 21 and the second buffer gate 22, respectively.

第3図の動作の終了後に第4図の動作が実行される九め
、周辺装置5のデータ転送速度と2バイトのデータバス
4のデータ転送速度とに相違があっても何ら支障はない
When the operation shown in FIG. 4 is executed after the operation shown in FIG. 3 is completed, there is no problem even if there is a difference between the data transfer speed of the peripheral device 5 and the data transfer speed of the 2-byte data bus 4.

既に説明したように第5図と第6図とは、これまで説明
し几データ転送方向とは逆に、主記憶装置2から2バイ
トのデータバス4t−介して8・回の転送サイクルによ
って出力され7’qoo〜oFの16バイトのデータが
周辺装置5に転送されるようすを示し次説明図である。
As already explained, FIGS. 5 and 6 show that, contrary to the previously explained data transfer direction, data is output from the main memory 2 via the 2-byte data bus 4t in 8 transfer cycles. The following is an explanatory diagram showing how 16 bytes of data 7'qoo to oF are transferred to the peripheral device 5.

第5図によれば、ローカルメモリアドレスカウンタ6の
値が主記憶装置2からデータが1回転送されるごとに1
づつ増分されておフ、ローカルメモリアドレスカウンタ
6の正負の出力がそれぞれ第1および第2のアドレスセ
レクタ16゜17によって主記憶装置2からデータが転
送されている間に切換えられ、第1のローカルメ七り7
ならびに第2のローカルメモリ8に与えられていること
がわかる。さらに、ここでは第1のローカルメモリ7と
第2のローカルメモリ8とに与えられているローカルメ
モリアドレスカウンタ6の出力が正負間で切換るごとに
2バイトのデータバス4との接続は第1および第2のデ
ータセレクタ18.19間で、交互に相対するブタバス
のデータが選択されるように切換えられ第1のローカル
メモリ7と第2のローカルメモリ8とに接続されている
According to FIG. 5, the value of the local memory address counter 6 increases by 1 every time data is transferred from the main memory 2.
The positive and negative outputs of the local memory address counter 6 are switched by the first and second address selectors 16 and 17, respectively, while the data is being transferred from the main memory 2, and the first local memory seven days seven
It can be seen that the second local memory 8 is also provided. Furthermore, here, each time the output of the local memory address counter 6 given to the first local memory 7 and the second local memory 8 switches between positive and negative, the connection with the 2-byte data bus 4 is changed to the first local memory 7 and the second local memory 8. and second data selectors 18 and 19, which are connected to the first local memory 7 and the second local memory 8, so that the data of the pig buses facing each other are selected alternately.

主記憶装置2からの転送データは第1および第2のデー
タセレクタ18 、19を経由して、それぞれ第1のロ
ーカルメモリ7と第2のローカルメ七り8とに入力され
、与えられたアドレスに対応して格納されていく。格納
終了後の第1のローカルメモリ7と第2のローカルメモ
リ8とのデータの格納状態は第7図に示すとうシであシ
、第3図ならびに第4図の動作の場合と同様である。
Transfer data from the main storage device 2 is input to the first local memory 7 and the second local memory 8 via the first and second data selectors 18 and 19, respectively, and is stored at the given address. They are stored accordingly. The storage state of data in the first local memory 7 and the second local memory 8 after the storage is completed is the same as in the case of the cylinder shown in FIG. 7 and the operations in FIGS. 3 and 4. .

次に、周辺制御装置3の内部の第1のローカルメモリ7
と第2のローカルメモリ8とから同辺装置5にデータが
転送されている動作について、第6図を参照して説明す
る。第7図に示すようにデータが格納された状態では、
ローカルメモリアドレスカウンタ6が第6図に示すよう
にO〜7まで更新されると、第1および第2のアドレス
セレクタ16 、17によってローカルメモリアドレス
カウンタ6の正負の出力が交互に選択され、第6図に示
すようにo、F、1.E。
Next, the first local memory 7 inside the peripheral control device 3
The operation of transferring data from the second local memory 8 to the same side device 5 will be described with reference to FIG. When the data is stored as shown in Figure 7,
When the local memory address counter 6 is updated from O to 7 as shown in FIG. 6, the positive and negative outputs of the local memory address counter 6 are alternately selected by the first and second address selectors 16 and 17. As shown in Figure 6, o, F, 1. E.

・・・・・・6,9,7.8の順に第1のローカルメそ
I77と第2のローカルメモリ8とに与えられる。
. . . 6, 9, 7.8 are given to the first local memory I77 and the second local memory 8 in this order.

第1のローカルメモリ7と第2のローカルメモリ8とに
ローカルメモリアドレスカウンタ6の正の値が与えられ
ているタイミングに、第1のローカルメモリ7と第2の
ローカルメモリ8とから出力された第1の読出しデータ
は信号線23を介して第1の読出しレジスタ9に格納さ
れ、第2の読出しデータは信号線24ヲ介して第2の読
出しレジスタ】0に格納される。
At the timing when the positive value of the local memory address counter 6 is given to the first local memory 7 and the second local memory 8, the first local memory 7 and the second local memory 8 output The first read data is stored in the first read register 9 via the signal line 23, and the second read data is stored in the second read register 0 via the signal line 24.

第1のローカルメモリ7と第2のローカルメモリ8とに
ローカルメモリアドレスカウンタ6の負の値が与えられ
ているタイミングに不一致検出動作が実行されるが、そ
の動きは第4図の場合と同様である。
The mismatch detection operation is executed at the timing when the negative value of the local memory address counter 6 is given to the first local memory 7 and the second local memory 8, but the operation is the same as in the case of FIG. It is.

ローカルメモリアドレスカウンタ6の正の値が第五のロ
ーカルメモリ7と第2のローカルメモリ8とに与えられ
ているときには、第1の読出しレジスタ9の出力が第3
のデータセレクタ20を経由して周辺装置5に出力され
、それ以外のときは第2の読出しレジスタ10の出力が
同様にして出力される。
When the positive value of the local memory address counter 6 is given to the fifth local memory 7 and the second local memory 8, the output of the first read register 9 is given to the third local memory 7.
The data is output to the peripheral device 5 via the data selector 20, and at other times, the output of the second read register 10 is output in the same way.

第5図の動作の終了後に第6図の動作が実行される九め
、2バイトのデータバス4のデータ転送速度と周辺装置
5のデータ転送速度とに相違があっても何ら支障はない
The operation shown in FIG. 6 is executed after the operation shown in FIG.

(発明の効果) 以上説明しtように本発明は、一対のローカルメモリへ
ともに同一のデータを格納し、読出し時には一対のロー
カルメモリの内容をともに読出し、一対の読出しデータ
を比較して不一致を検出することによfi 、ez−カ
ルメモリエラーを容易に検出できると云う効果がある。
(Effects of the Invention) As explained above, the present invention stores the same data in a pair of local memories, reads out the contents of the pair of local memories together at the time of reading, and compares the pair of read data to detect discrepancies. This detection has the effect that fi, ez-cal memory errors can be easily detected.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるローカルメモリエラー検出方式の
一実施例を示すブロック図である。 第2図は、第1図に示す周辺制御装置を含めfc シス
テム金示すブロック図である。 第3図〜第7図は、データ転送時のローカルアドレスと
格納データとの関係を示す説明図である。 1・・・中央処理装WL   2・・・主記憶装置3・
・・周辺制御装置   4・・・データバス5・・・周
辺装置 6…ローカルメモリアドレスカウンタ 7.8・・・ローカルメモリ 9.10・・・読出しレジスタ 11.12・・・不一致検出回路 13・・・OR1ゲート  14・・・フリップフロッ
プ16.17…アドレスセレクタ 18.19,20−幸・データセレクタ21.22・−
・バッファゲート 15.23,24・・・信号線
FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of a local memory error detection method according to the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing the fc system including the peripheral control device shown in FIG. 1. FIGS. 3 to 7 are explanatory diagrams showing the relationship between local addresses and stored data during data transfer. 1...Central processing unit WL 2...Main storage device 3.
... Peripheral control device 4 ... Data bus 5 ... Peripheral device 6 ... Local memory address counter 7.8 ... Local memory 9.10 ... Read register 11.12 ... Mismatch detection circuit 13 ...・・OR1 gate 14...Flip-flop 16.17...Address selector 18.19, 20-Success・Data selector 21.22・-
・Buffer gate 15.23, 24...Signal line

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1バイト単位でデータを転送することができる周辺装置
と、中央処理装置と、主記憶装置と、前記周辺装置と、
前記中央処理装置、ならびに前記主記憶装置に対してバ
スを介して接続され、前記主記憶装置との間のデータ転
送を2バイト単位で行い、前記周辺装置との間のデータ
転送速度を前記主記憶装置との間のデータ転送速度より
数倍速く設定することができる周辺制御装置とを具備し
、前記データ転送バイト単位および前記データ転送速度
を整合できるように構成したシステムにおけるローカル
メモリエラー検出方式であつて、前記周辺制御装置が前
記周辺装置から2バイトのデータが出力されるごとに値
を1だけ増分させることができ、正および負のアドレス
を与えるためのローカルメモリアドレスカウンタと、前
記正および負のアドレスに対応して前記バス上のデータ
を格納するための第1および第2のローカルメモリと、
前記第1および第2のローカルメモリに対応して前記ロ
ーカルメモリからそれぞれ読出されたデータを格納する
ための第1および第2の読出しレジスタと、前記第2の
ローカルメモリに格納されたデータと前記第1の読出し
レジスタに格納されたデータとを比較するための第1の
不一致検出回路と、前記第1のローカルメモリに格納さ
れたデータと前記第2の読出しレジスタに格納されたデ
ータとを比較するための第2の不一致検出回路と、前記
第1および第2の不一致検出回路の出力の論理和を求め
てローカルメモリエラー信号を出力するためのORゲー
トとを具備し、前記ローカルメモリのエラーを検出でき
るように構成したことを特徴とするローカルメモリエラ
ー検出方式。
a peripheral device capable of transferring data in units of 1 byte, a central processing unit, a main storage device, and the peripheral device;
It is connected to the central processing unit and the main storage device via a bus, transfers data to and from the main storage device in units of 2 bytes, and controls the data transfer rate with the peripheral devices by controlling the data transfer rate with the peripheral device. A local memory error detection method in a system comprising a peripheral control device that can set the data transfer rate several times faster than the data transfer rate between the storage device and configured to match the data transfer byte unit and the data transfer rate. a local memory address counter capable of incrementing a value by 1 each time two bytes of data are output from the peripheral device; and first and second local memories for storing data on the bus in response to negative addresses;
first and second read registers for storing data respectively read from the local memories corresponding to the first and second local memories; a first mismatch detection circuit for comparing data stored in a first read register; and a first discrepancy detection circuit for comparing data stored in the first local memory and data stored in the second read register. a second mismatch detection circuit for detecting an error in the local memory; and an OR gate for calculating a logical sum of the outputs of the first and second mismatch detection circuits and outputting a local memory error signal. A local memory error detection method is characterized in that it is configured to be able to detect.
JP60059043A 1985-03-22 1985-03-22 Detecting system for local memory error Pending JPS61217847A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60059043A JPS61217847A (en) 1985-03-22 1985-03-22 Detecting system for local memory error

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60059043A JPS61217847A (en) 1985-03-22 1985-03-22 Detecting system for local memory error

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61217847A true JPS61217847A (en) 1986-09-27

Family

ID=13101883

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60059043A Pending JPS61217847A (en) 1985-03-22 1985-03-22 Detecting system for local memory error

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61217847A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2633331B2 (en) Microprocessor
JPH0414385B2 (en)
US5146572A (en) Multiple data format interface
US4575796A (en) Information processing unit
JPS59206972A (en) Shared memory
JPS61217847A (en) Detecting system for local memory error
JPH06274462A (en) Asynchronous writing system for shared memory
JPH0444136A (en) Memory access controller
JPS59133623A (en) Storage system of bus information log
JP2574821B2 (en) Direct memory access controller
JPH02297235A (en) Memory data protecting circuit
JPS61211786A (en) Ic card
JPH0315217B2 (en)
JPH01191966A (en) Data processing system
JPS62166449A (en) History storage device for logical unit
JPS60123956A (en) Memory writing device
JPS59144246A (en) Data reception control system
JPS62212745A (en) Data processor having buffer memory
JPS616746A (en) Partial writing control system
JPS58192123A (en) Device for transferring and controlling input and output data
JPH0367346A (en) Address control circuit
JPS62206641A (en) Error detection circuit
JPH0348944A (en) Error information storage system
JPH0652516B2 (en) Bus interface device
JPH01188959A (en) Information history memory