JPS61215297A - Yttrium-iron garnet single crystal ingot - Google Patents

Yttrium-iron garnet single crystal ingot

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JPS61215297A
JPS61215297A JP5299185A JP5299185A JPS61215297A JP S61215297 A JPS61215297 A JP S61215297A JP 5299185 A JP5299185 A JP 5299185A JP 5299185 A JP5299185 A JP 5299185A JP S61215297 A JPS61215297 A JP S61215297A
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JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
yig
iron garnet
crystal
crystal ingot
Prior art date
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Pending
Application number
JP5299185A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuo Kito
泰男 木藤
Shunzo Yamaguchi
山口 俊三
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Denso Corp
Original Assignee
NipponDenso Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS61215297A publication Critical patent/JPS61215297A/en
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Abstract

PURPOSE:To reduce the crystal strain of a YIG single crystal ingot produced by the traveling solvent floating zone process, by adding two or more kinds of bivalent nonmagnetic ion to a sintered composition used as the raw material. CONSTITUTION:Yttrium iron garnet single crystal ingot is produced by converting a sintered composition composed mainly of yttrium iron garnet to a single crystal by traveling solvent floating zone process. In the above process, a sintered composition containing 0.1X10<-3>-3X10<-3>mol of two or more kinds of ions selected from Mo, Ca, Sr, Ba, Pb, Zn and Cd per 1mol of the composition is used as the raw material.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、光通信波長域における透過損失を減少させた
結晶歪の少ない光学素子用イツトリウム鉄ガーネット単
結晶インゴットに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a yttrium iron garnet single crystal ingot for use in optical elements with reduced transmission loss in the optical communication wavelength range and low crystal distortion.

[従来の技術1 従来、イツトリウム鉄ガーネット(以下rYIG」と略
記する)単結晶インゴットの製造方法として、スラック
ス法、トラベリング・ソルベルト・フローティング・ゾ
ーン法(以下rTsFZ法」と略す)が知られている。
[Prior art 1] Conventionally, the slack method and the traveling solvert floating zone method (hereinafter referred to as rTsFZ method) are known as methods for producing yttrium iron garnet (hereinafter referred to as rYIG) single crystal ingots. .

フラックス法は、融点の低い酸化鉛等の7ラツクス・に
YIGの原料を溶解させて、徐冷等によってY[G単結
晶を析出させるものである。この方法には、フラックス
を結晶中に不純物として含み易く、そのため結晶の均一
性が悪く製造歩留りが悪いこと、結晶成長に時間がかか
ること、等の欠点がある。又TSFZ法は、結晶品質の
均一性、再現性が良好であるが、1.3μ−帯での光透
過率がフラックス法で製造したものよりも低く、光学素
子としては望ましくない。又インゴットの縦方向の位置
による光透過率の変動が大きく、高光透過率を必要とす
る素子を多く取れないし、品質の均一性が確保できない
In the flux method, a YIG raw material is dissolved in 7Lx such as lead oxide having a low melting point, and a Y[G single crystal is precipitated by slow cooling or the like. This method has drawbacks, such as the fact that flux is likely to be contained in the crystal as an impurity, resulting in poor crystal uniformity, poor manufacturing yield, and the time it takes to grow the crystal. Furthermore, although the TSFZ method has good uniformity and reproducibility of crystal quality, the light transmittance in the 1.3 μ-band is lower than that produced by the flux method, making it undesirable as an optical element. Furthermore, the light transmittance varies greatly depending on the vertical position of the ingot, making it difficult to produce many elements that require high light transmittance, and making it impossible to ensure uniform quality.

TSFZ法では、結晶の成長温度が1500℃以上と高
いため、結晶成長したYIG単結晶に酸素空孔が生じて
、その結果、3価の鉄イオンに交じって2価の鉄イオン
が混在する。この結果、光透通率の低下、インゴットの
縦方向の不均一が生じる。このことを改良する方法とし
て、原料のYIG組成物に、Ca、Zn、Pbのうら一
種のイオンを混入する方法が知られている(特開昭53
−54700)、この方法は、2価のca、zn。
In the TSFZ method, since the crystal growth temperature is as high as 1500° C. or higher, oxygen vacancies are generated in the grown YIG single crystal, and as a result, divalent iron ions are mixed with trivalent iron ions. This results in a decrease in light transmittance and longitudinal non-uniformity of the ingot. As a method to improve this problem, a method is known in which one of Ca, Zn, and Pb ions is mixed into the YIG composition as a raw material (Japanese Patent Laid-Open No. 53
-54700), this method is suitable for divalent ca, zn.

Pb、イオンに酸素空孔により余剰となった電子を3価
のl”eイオンに代って捉えさせ、2価のFeイオンの
発生を抑制しようとするものである。
This is intended to suppress the generation of divalent Fe ions by causing Pb ions to capture surplus electrons due to oxygen vacancies instead of trivalent l''e ions.

〔発明の解決しようとする問題点] しかしながら、YIGを主成分とする組成物にCa1Z
n、Pbのイオンを1種類のみ混入すると、そのイオン
自身による光吸収が生じるため光学素子として望ましく
ない。又、YIG結晶格子と添加イオンとのミスフィト
のため成長した結晶に歪が生じる。さらにこれらの欠点
を最小に抑えるために使用し得るイオンの種類は、上記
の31a類に限定されその混入割合も制限されていた。
[Problems to be solved by the invention] However, Ca1Z is added to the composition containing YIG as the main component.
If only one type of n or Pb ion is mixed, the ion itself will absorb light, which is not desirable as an optical element. Furthermore, distortion occurs in the grown crystal due to misfit between the YIG crystal lattice and the added ions. Furthermore, the types of ions that can be used to minimize these drawbacks are limited to the above-mentioned type 31a, and the mixing ratio thereof is also limited.

そこで本発明は、上記欠点を解決するために成されたも
のであり、異種のイオンを複数混入することにより、各
イオン固有の光吸収を抑制して、光透過率損失の低い且
つ結晶歪の少ないYIG単結晶を提供することを目的と
する。
Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned drawbacks, and by mixing a plurality of different types of ions, the light absorption specific to each ion is suppressed, resulting in low light transmittance loss and crystal distortion. The purpose is to provide a small amount of YIG single crystal.

[問題点を解決するための技術的手段及び作用]本発明
は、イツトリウム鉄ガーネットを主成分とする焼結組成
物をトラベリング・ソルベルト・フローティング・ゾー
ン法によって単結晶化して成るイツトリウム鉄ガーネッ
ト単結晶インゴットにおいて、 前記焼結組成物は、Mg、Qa、3r、3a、Pb、Z
n、Cd、のうち2種以上のイオンをモル比で0.lX
10−3〜3X10−3含むことを特徴とする光学素子
用イツトリウム鉄ガーネット単結晶インゴットである。
[Technical means and effects for solving the problems] The present invention provides a yttrium iron garnet single crystal formed by single crystallizing a sintered composition containing yttrium iron garnet as a main component by a traveling solvert floating zone method. In the ingot, the sintered composition contains Mg, Qa, 3r, 3a, Pb, Z
The molar ratio of two or more ions of n and Cd is 0. lX
This is a yttrium iron garnet single crystal ingot for optical elements, characterized in that it contains 10-3 to 3X10-3.

ここで、添加元素の種類は2価の非磁性イオンでYIG
結晶中に固溶するものを選んだ。原材料である焼結組成
物に混入する添加元素の量は結晶育成時に発生する酸素
空孔の濃度によって異なるが、実験の結果、第3図に示
す様にYIG1モルに対して、添加元素の合計が0.l
X10″″3〜3×10″′3モルで光透過率の向上が
みられた。
Here, the type of additive element is a divalent nonmagnetic ion, YIG
We selected a material that dissolves solidly in the crystal. The amount of added elements mixed into the raw material sintered composition varies depending on the concentration of oxygen vacancies generated during crystal growth, but as a result of experiments, the total amount of added elements per mole of YIG is is 0. l
An improvement in light transmittance was observed when the amount was 3 to 3 x 10'''3 mol.

全添加量は多過ぎると逆にFe4+の発生を沼き、光透
過特性が悪くなり、N換向溶量にも限界があるのでその
値には上限が存在する。従って、上記添加元素の添加割
合は上記範囲が望ましい。
If the total amount added is too large, it will conversely inhibit the generation of Fe4+ and the light transmission properties will deteriorate, and since there is a limit to the amount of N-converting solvent, there is an upper limit to its value. Therefore, the addition ratio of the above-mentioned additional elements is preferably within the above-mentioned range.

又、これら添加元素はYIG結晶中のイツトリウムサイ
ト或いは鉄ザイトにM換される。添加される各イオンの
大きざがイツトリウムイオン、鉄イオンの大きざと異な
る場合は、各イオンを単独で添加すると添加量が多いと
置換されなかったり、置換されても結晶中に歪が入りや
すく結晶欠陥、クラックが発生する。しかし、本発明に
よれば、イオンの大きさの異なる2種以上の添加元素の
配合比を調整すれば、結晶格子のミスフィトが平均化さ
れ、結晶全体の整合性が向上して結晶中の歪が少なくな
り、クラックの発生が低減できる。このため、添加元素
の混合割合を大きくすることができ、YIG単結晶にお
いて2価のFeイオンの発生を防止できるので光透過損
失を少なくすることができる。
Further, these additional elements are converted into M into yttrium site or ferrousite in the YIG crystal. If the size of each added ion is different from that of yttrium ion and iron ion, if each ion is added alone, it may not be replaced if added in a large amount, or even if it is replaced, distortion may easily occur in the crystal. Crystal defects and cracks occur. However, according to the present invention, by adjusting the blending ratio of two or more additive elements with different ion sizes, the misfits in the crystal lattice are averaged, the consistency of the entire crystal is improved, and the strain in the crystal is As a result, the occurrence of cracks can be reduced. Therefore, the mixing ratio of additive elements can be increased, and the generation of divalent Fe ions in the YIG single crystal can be prevented, so that light transmission loss can be reduced.

又、添加元素を2種以上配合するのは1.各添加元素の
絶対混合量を少なくして、その添加元素によって新たに
生じる固有の光吸収ピークを抑制し、光吸収波長を分散
させることにより、新たに生じる結晶全体の光透過損失
を抑制するためである。
Also, mixing two or more types of additive elements is 1. By reducing the absolute mixing amount of each additive element, suppressing the unique light absorption peak newly generated by the additive element, and dispersing the light absorption wavelength, suppressing the newly generated light transmission loss of the entire crystal. It is.

’IG結晶のうち、イツトリウムの一部を、他も上記の
効果は同様である。。
``The above effect is the same when using a part of yttrium among the IG crystals. .

[実施例コ 第1図は本発明インゴットの製造に用いる単結晶製造装
置の概略図である。1は回転楕円面鏡で一方の焦点F1
にハロゲンランプ5が設置され、他方の焦点F2には、
原料棒2の下端と種結晶棒4の上端を接近させた溶融帯
3が配設される。原料棒2は上部シャフト7aに、種結
晶棒4は下部シャフト7bに固定されている。両シャフ
ト7a17bは回転しながら下方に移動できる。
[Example 1] FIG. 1 is a schematic diagram of a single crystal manufacturing apparatus used for manufacturing an ingot of the present invention. 1 is a spheroidal mirror with one focal point F1
A halogen lamp 5 is installed at the other focal point F2, and at the other focal point F2,
A melting zone 3 is provided in which the lower end of the raw material rod 2 and the upper end of the seed crystal rod 4 are brought close to each other. The raw material rod 2 is fixed to the upper shaft 7a, and the seed crystal rod 4 is fixed to the lower shaft 7b. Both shafts 7a17b can move downward while rotating.

原料棒2は以下の様に作製される。The raw material rod 2 is produced as follows.

純度99.9%以上のYzO3とl:eto3をモル比
で3:5になるように秤量する。これに、MO、Baの
211iの金属イオンが全体で062×10′″3〜6
X10−3モルとなるようにこれらの金属イオンを含む
化合物を秤量して添加する。
YzO3 with a purity of 99.9% or more and l:eto3 are weighed so that the molar ratio is 3:5. In addition, 211i metal ions of MO and Ba total 062×10''3~6
A compound containing these metal ions is weighed and added in an amount of X10-3 moles.

即ち、イツトリウム・鉄・ガーネット(Y3Fe5O1
2)1モルに対して、MQ、Baイオンが複合で0.l
X1×10−3モル含まれる各種の配合粉末を準備した
。但しMgとBaの配合比は、モル比で1:1とした。
That is, yttrium-iron-garnet (Y3Fe5O1
2) MQ and Ba ions are combined and 0.0% per 1 mole. l
Various blended powders containing X1 x 10-3 moles were prepared. However, the molar ratio of Mg and Ba was 1:1.

これら原料粉末を混合、成形して焼結し各配合比の原料
棒2を作製した。焼結温度は添加元素の種類にもよるが
1400℃以上好ましくは1500℃以上であり、 酸素雰囲気で焼結するのが良い。
These raw material powders were mixed, molded, and sintered to produce raw material rods 2 having various blending ratios. The sintering temperature is 1,400° C. or higher, preferably 1,500° C. or higher, although it depends on the type of added element, and it is preferable to sinter in an oxygen atmosphere.

溶融帯3は別にあらかじめ用意された溶媒となる材料を
原料棒2或いは種結晶棒4に付着して加熱溶融して形成
される。この様にして上下シャフト7a、7bを回転さ
せながら1.Osu+/時の速度で降下移動させYIG
単結晶を育成させた。
The melting zone 3 is formed by attaching a separately prepared material to serve as a solvent to the raw material rod 2 or the seed crystal rod 4 and heating and melting the material. While rotating the upper and lower shafts 7a and 7b in this manner, 1. Move downward at the speed of Osu+/hour YIG
Single crystals were grown.

この様にして、YIG単結晶インゴットを作製し、これ
を切断しウェハを取り出し端面を11面研磨して1.3
μmの光を照射して、MQ、Ba、イオンの配合比に対
するYIG単結晶の光透過率を測定した。その結果を第
3図に示す。この図から分るようにYIG1モルに対し
て、添加元素の合計がO,lXl0−3〜3X10−3
モルの範囲にあるとき65%以上の光透過率が得られた
In this way, a YIG single crystal ingot was produced, cut into pieces, the wafer was taken out, and 11 end faces were polished.
The light transmittance of the YIG single crystal with respect to the blending ratio of MQ, Ba, and ions was measured by irradiating it with μm light. The results are shown in FIG. As can be seen from this figure, the total amount of added elements is O, lXl0-3 to 3X10-3 for 1 mole of YIG.
In the molar range, a light transmittance of 65% or more was obtained.

光透過率は、1vlo、Baの総合添加量が、1.25
X10−3モルのとき最大となり、その値は70%であ
った。
The light transmittance is 1vlo, and the total amount of Ba added is 1.25.
The maximum value was reached when X10-3 moles, and the value was 70%.

又、lvlとBaの総合添加量が1.25x10−3モ
ルのYIG単結晶と元素無添加のYIG単結晶の光透過
率の波長依存特性を測定した。その結果を第2図に示す
。実施例YIG単結晶は、無添加の比較例YIG単結晶
に比べて、光透過率が大きく、1.15μm以上におい
て、70%以上の光透過率が得られているのが分る。
Further, the wavelength dependence characteristics of the light transmittance of a YIG single crystal with a total addition amount of lvl and Ba of 1.25 x 10 -3 mol and a YIG single crystal without element addition were measured. The results are shown in FIG. It can be seen that the Example YIG single crystal has a higher light transmittance than the Comparative Example YIG single crystal without additives, and a light transmittance of 70% or more is obtained at 1.15 μm or more.

次に、BaのみをlXl0−3モル配合した比較例YI
G単結晶インゴットと、3aとMOを1=1で総合で1
×10″″3モル配合したYrG単結晶インゴットを作
製し、それらからウェハを切出し、結晶中のクラックの
数を測定した。タラツクの数は成長方向に垂直な断面内
で比較した。その結果を表に示す。その表から分るよう
に、イオン半径の大きな元素の単独の混入よりは、イオ
ン半径の大きざの異なる2種の元素を添加した方がクラ
ックの発生が低減することが分る。
Next, Comparative Example YI in which only 1X10-3 mol of Ba was blended
G single crystal ingot, 3a and MO are 1=1, totaling 1
YrG single crystal ingots containing 3 mol of YrG were prepared, wafers were cut from them, and the number of cracks in the crystals was measured. The number of taratuks was compared within the cross section perpendicular to the growth direction. The results are shown in the table. As can be seen from the table, it can be seen that the addition of two types of elements with different ionic radii reduces the occurrence of cracks, rather than the addition of a single element with a large ionic radius.

(他の実施例) YIG1モルに対して、tvloとSrOをモル比で2
=1に秤邑したものを10−3モル添加した焼結組成物
を原料としてYIG単結晶インゴットを作製した。上記
と同様に光透過率、クラック数を測定した。光透過率は
、元素を添加しない場合に比べて向上し、クラック数も
減少した。
(Other Examples) For 1 mole of YIG, the molar ratio of tvlo and SrO is 2
A YIG single-crystal ingot was produced using a sintered composition containing 10 −3 mol of YIG=1 as a raw material. Light transmittance and number of cracks were measured in the same manner as above. The light transmittance was improved compared to the case where no element was added, and the number of cracks was also reduced.

[発明の効果] 本発明は、トラベリング・ソルベルト・フローティング
・ゾーン法によって製作されるYIG単結晶インゴット
において、その原料である焼結組成物に、2種以上の2
価の非磁性イオンを配合して製作されたYIG単結晶イ
ンゴットである。
[Effects of the Invention] The present invention provides a YIG single crystal ingot produced by the traveling solvert floating zone method, in which two or more types of
This is a YIG single crystal ingot manufactured by blending valent non-magnetic ions.

従って、本発明によれば、イオンの大きさの異なる2種
以上の添加元素の配合比を調整しているので、結晶格子
のミスフィトが平均化され、結晶全体の整合性が向上し
て結晶中の歪が少なくなり、クラックの発生が低減でき
る。このため、添加元素の混合割合を大きくすることが
でき、YIG単結晶において2fIJのFeイオンの発
生を防止できるので光透過損失を少なくすることができ
る。
Therefore, according to the present invention, since the blending ratio of two or more additive elements with different ion sizes is adjusted, the misfits in the crystal lattice are averaged, and the consistency of the entire crystal is improved. This reduces distortion and reduces the occurrence of cracks. Therefore, the mixing ratio of additive elements can be increased, and the generation of 2fIJ Fe ions in the YIG single crystal can be prevented, so that light transmission loss can be reduced.

又、添加元素を2種以上配合しているので、各添加元素
の絶対混合量が少なくでき、その添加元素によって新た
に生じる固有の光吸収ピークを抑制し、光吸収波長を分
散させることができるので、新たに生じる結晶全体の光
透過損失を抑制することができる。
In addition, since two or more types of additive elements are blended, the absolute amount of each additive element mixed can be reduced, suppressing the unique light absorption peak newly generated by the additive element, and dispersing the light absorption wavelength. Therefore, it is possible to suppress the newly occurring light transmission loss of the entire crystal.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のYIG単結晶インゴットの製造装置
の構成を示した断面図、第2図は、実施例に係るYIG
単結晶の光透過率の波長特性を元素を添加しないYIG
単結晶のそれと比較して示した特性図、第3図は、実施
例に係るYIG単結晶の光透過率の添加される元素の配
合比に対する特性を示した特性図である。 1・・・回転楕円面l112・・・原料棒3・・・溶融
帯      4・・・種結晶棒5・・・ハロゲンラン
プ  7a、b・・・シャフト特許出願人   日本電
装株式会社 代理人    弁理士 大川 宏 同     弁理士 藤谷 修 同     弁理士 丸山明夫
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a YIG single crystal ingot manufacturing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a YIG single crystal ingot manufacturing apparatus according to an embodiment.
YIG without added elements to change the wavelength characteristics of single crystal light transmittance
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the light transmittance of the YIG single crystal according to the example as a function of the compounding ratio of added elements. 1... Ellipsoid of revolution l112... Raw material rod 3... Melting zone 4... Seed crystal rod 5... Halogen lamp 7a, b... Shaft Patent applicant Nippondenso Co., Ltd. agent Patent attorney Hirodo Okawa Patent Attorney Shudo Fujitani Patent Attorney Akio Maruyama

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] イットリウム鉄ガーネットを主成分とする焼結組成物を
トラベリング・ソルベルト・フローティング・ゾーン法
によつて単結晶化して成るイットリウム鉄ガーネット単
結晶インゴットにおいて、前記焼結組成物は、Mg、C
a、Sr、Ba、Pb、Zn、Cd、のうち2種以上の
イオンをモル比で0.1×10^−^3〜3×10^−
^3含むことを特徴とする光学素子用イットリウム鉄ガ
ーネット単結晶インゴット。
In a yttrium iron garnet single crystal ingot obtained by single crystallizing a sintered composition containing yttrium iron garnet as a main component by a traveling solvert floating zone method, the sintered composition contains Mg, C,
A, Sr, Ba, Pb, Zn, Cd, two or more ions in a molar ratio of 0.1 x 10^-^3 to 3 x 10^-
An yttrium iron garnet single crystal ingot for optical elements characterized by containing ^3.
JP5299185A 1985-03-15 1985-03-15 Yttrium-iron garnet single crystal ingot Pending JPS61215297A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102560668A (en) * 2012-01-19 2012-07-11 山东大学 Preparation method of vanadate composite laser crystal having zirconite structure

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