JPS6121199B2 - - Google Patents
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- JPS6121199B2 JPS6121199B2 JP7827679A JP7827679A JPS6121199B2 JP S6121199 B2 JPS6121199 B2 JP S6121199B2 JP 7827679 A JP7827679 A JP 7827679A JP 7827679 A JP7827679 A JP 7827679A JP S6121199 B2 JPS6121199 B2 JP S6121199B2
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- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
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- G—PHYSICS
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- G21K2201/062—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements the element being a crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ−線分析に用いる結晶に関する。従
来において、酸フタル酸塩結晶（acid phthalate
crystals）は、特に低い原子番号からの特有の波
長の回折に対する波長分散分光計に用いられ、か
かる酸フタル酸塩としてはカリウム、ルビジウ
ム、タリウムおよびアンモニウムの酸フタル酸塩
類が用いられている。
来において、酸フタル酸塩結晶（acid phthalate
crystals）は、特に低い原子番号からの特有の波
長の回折に対する波長分散分光計に用いられ、か
かる酸フタル酸塩としてはカリウム、ルビジウ
ム、タリウムおよびアンモニウムの酸フタル酸塩
類が用いられている。
最も一搬的な酸フタル酸塩結晶はルビジウム酸
フタル酸（RAP）結晶であり、これらのRAP結
晶および少なくともある他の結晶は著しい欠点を
有し、すなわち、当業者において知られているＸ
−線分光計において普通使用して１年後に回折強
さが最初の回折強さの20％程度のレベルに著しく
降下する。
フタル酸（RAP）結晶であり、これらのRAP結
晶および少なくともある他の結晶は著しい欠点を
有し、すなわち、当業者において知られているＸ
−線分光計において普通使用して１年後に回折強
さが最初の回折強さの20％程度のレベルに著しく
降下する。
文献「Ｘ−レイ スペクトロメトリー」第６
巻、第２号、1977）にはナトリウムに対するＸ−
線モノクロメーター（PW1220分光計）として３
年間使用したRAPの反対係数の低下は、結晶が
用途においてもはや使用できなくなる程度になる
ことが報告されている。
巻、第２号、1977）にはナトリウムに対するＸ−
線モノクロメーター（PW1220分光計）として３
年間使用したRAPの反対係数の低下は、結晶が
用途においてもはや使用できなくなる程度になる
ことが報告されている。
RAP結果における上記低下は結晶の表面劣化
に基因するものと信じられている。
に基因するものと信じられている。
上記文献においては劣化した結晶をシヤモア皮
を用いて蒸留水で注意して洗浄して結晶の特性を
回復させることが提案され、この洗浄処理はカウ
ント比（count rate）が増加し、最初のカウント
比の70％が戻ることが報告されている。
を用いて蒸留水で注意して洗浄して結晶の特性を
回復させることが提案され、この洗浄処理はカウ
ント比（count rate）が増加し、最初のカウント
比の70％が戻ることが報告されている。
このために従来において使用される酸フタル酸
塩結晶は特性において上述する劣化を受け、かか
る結晶の特性を回復させる周知の技術は比較的に
時間を要し、最良でもかかる回復の１部分に過ぎ
ない。更に、従来の酸フタル酸塩結晶の欠点は分
析においてもたらされるこれらの漸次劣化を生
じ、このためにかかる劣化に対して保障または補
正する必要があり、時間消費になり望ましくな
く、またこれらの保障または補正を行なうことに
より、誤差を生ずることになり望ましくない。
塩結晶は特性において上述する劣化を受け、かか
る結晶の特性を回復させる周知の技術は比較的に
時間を要し、最良でもかかる回復の１部分に過ぎ
ない。更に、従来の酸フタル酸塩結晶の欠点は分
析においてもたらされるこれらの漸次劣化を生
じ、このためにかかる劣化に対して保障または補
正する必要があり、時間消費になり望ましくな
く、またこれらの保障または補正を行なうことに
より、誤差を生ずることになり望ましくない。
本発明の目的は上述する従来の結晶の欠点を除
去し、Ｘ−線または他の用途に使用する優れた酸
フタル酸塩結晶を提供することにある。
去し、Ｘ−線または他の用途に使用する優れた酸
フタル酸塩結晶を提供することにある。
簡単に記載すれば、本発明のＸ−線分光結晶は
結晶表面の少なくとも１部がＸ−線で衝撃させる
べき金属または半金属の層からなる酸フタル酸
塩、例えばルビジウム酸フタル酸塩またはカリウ
ム酸フタル酸塩からなる。一搬に、Ｘ−線衝撃表
面区域だけを被覆するのが好ましいけれども、全
結晶表面を金属または半金属層で被覆することが
できる。
結晶表面の少なくとも１部がＸ−線で衝撃させる
べき金属または半金属の層からなる酸フタル酸
塩、例えばルビジウム酸フタル酸塩またはカリウ
ム酸フタル酸塩からなる。一搬に、Ｘ−線衝撃表
面区域だけを被覆するのが好ましいけれども、全
結晶表面を金属または半金属層で被覆することが
できる。
次に本発明を添付図面について説明する。
第１図に示すように結晶分光計には表面１４に
金属または半金属層１６を有する酸フタル酸塩結
晶１２（例えばルビジウム、タリウム、ウリウム
またはアンモニウム酸フタル酸塩を包含する本発
明の分光結晶（analyzing crystal）１０を設け
ている。層１６はＸ−線により衝撃される結晶面
（一般に主面）に設けるけれども、ある部分また
はすべての他の結晶面にかかる層１６を被覆する
ことができる。
金属または半金属層１６を有する酸フタル酸塩結
晶１２（例えばルビジウム、タリウム、ウリウム
またはアンモニウム酸フタル酸塩を包含する本発
明の分光結晶（analyzing crystal）１０を設け
ている。層１６はＸ−線により衝撃される結晶面
（一般に主面）に設けるけれども、ある部分また
はすべての他の結晶面にかかる層１６を被覆する
ことができる。
金属または半金属層１６は酸化雰囲気または他
の雰囲気に化学的に不活性にする必要があり、主
としてアルミニウム、金、炭素、またはこれらの
金属または半金属のおよび／または他の材料との
適当な混合物または合金から形成することができ
る。層１６の材料は結晶１２に対して良好な接着
性を示すのが望ましく、層１６は２または２以上
のサブ層２０，２２（第２図参照）から構成する
ことができるから、これらのサブ層において第１
サブ層２０は結晶１２上に堆積し、結晶１２およ
び重ねる第２サブ層２２または他のサブ層に対す
る良好な接着特性を有する。
の雰囲気に化学的に不活性にする必要があり、主
としてアルミニウム、金、炭素、またはこれらの
金属または半金属のおよび／または他の材料との
適当な混合物または合金から形成することができ
る。層１６の材料は結晶１２に対して良好な接着
性を示すのが望ましく、層１６は２または２以上
のサブ層２０，２２（第２図参照）から構成する
ことができるから、これらのサブ層において第１
サブ層２０は結晶１２上に堆積し、結晶１２およ
び重ねる第２サブ層２２または他のサブ層に対す
る良好な接着特性を有する。
第１サブ層２０は酸フタル酸塩結晶劣化を軽減
する材料、例えばプラスチツクスフイルムのクラ
スに包含しない金属または他の材料から形成する
ことができ、第１サブ層は結晶１２に良く接着さ
せるために使用し、第２サブ層２２（またはサブ
層を２層以上とする場合には第２サブ層以外の他
のサブ層）は結晶劣化を軽減する材料を含有す
る。
する材料、例えばプラスチツクスフイルムのクラ
スに包含しない金属または他の材料から形成する
ことができ、第１サブ層は結晶１２に良く接着さ
せるために使用し、第２サブ層２２（またはサブ
層を２層以上とする場合には第２サブ層以外の他
のサブ層）は結晶劣化を軽減する材料を含有す
る。
本発明の他の１例においては、結晶劣化を軽減
する材料、例えばアルミニウム、金等の材料から
なる２または２以上のサブ層を包含することがで
きる。
する材料、例えばアルミニウム、金等の材料から
なる２または２以上のサブ層を包含することがで
きる。
層１６は結晶およびそれに関する装置の操作に
悪影響を与えないような、例えば分析結晶１０に
衝撃させるＸ−線光子のレベルおよび吸収を任意
著しい程度に減少させないようにな厚さにするの
が好ましい。一般に、層の厚さは0.2μｍ以上ま
たはこれ以下にするのが好ましく、劣化に対して
酸フタル酸塩結晶の良好な保護のためにおよび酸
フタル酸塩結晶に対して良好な接着性のために約
0.03〜0.2μｍの厚さにするのが好ましい。約0.06
μｍの厚さをアルミニウムの層１６は良好な接着
特性を与え、かつ劣化に対して結晶の必要な保護
を与えることを実験的に確めた。
悪影響を与えないような、例えば分析結晶１０に
衝撃させるＸ−線光子のレベルおよび吸収を任意
著しい程度に減少させないようにな厚さにするの
が好ましい。一般に、層の厚さは0.2μｍ以上ま
たはこれ以下にするのが好ましく、劣化に対して
酸フタル酸塩結晶の良好な保護のためにおよび酸
フタル酸塩結晶に対して良好な接着性のために約
0.03〜0.2μｍの厚さにするのが好ましい。約0.06
μｍの厚さをアルミニウムの層１６は良好な接着
特性を与え、かつ劣化に対して結晶の必要な保護
を与えることを実験的に確めた。
層１６は、例えばエバボレーシヨン、スパータ
イング等の如き堆積方法によりまたは他の適当な
方法により設けることができる。
イング等の如き堆積方法によりまたは他の適当な
方法により設けることができる。
本発明の酸フタル酸塩分析結晶１０を設ける分
光計４０（第１図参照）において、この分光計４
０にはＸ−線４４を試料４６に向けるＸ−線源４
２を設けられており、この試料４６から二次輻射
線４８を放射し、酸フタル酸塩の分析結晶１０を
衝撃する。結晶１０は既知に手段により入射二次
輻射線４８を屈折し、屈折輻射線をシンチレーシ
ヨン計数管５０により測定し、しかる後に、この
結果を利用する。この分光計においては試料４６
と分光結晶１０との間の二次輻射線通路に位置す
る第１コリメーター５２、および結晶１０とシン
チレーシヨン計数管５０との間の通路に位置する
補助コリメーター５４およびフローカウンター
（flow countar）５６が存在する。結晶および検
出器組合せ体、すなわち、カウンター５０，５６
は周知に形式におけるように回転し、ゴニオメー
ターを既知のように回転移動を制御する。分光計
についての一層の詳細な説明についてはジエンキ
ンス氏、「ア イントロダクシヨン トウＸ−レ
イスペクトロメータ」1976年、特に52ページに記
載されている。
光計４０（第１図参照）において、この分光計４
０にはＸ−線４４を試料４６に向けるＸ−線源４
２を設けられており、この試料４６から二次輻射
線４８を放射し、酸フタル酸塩の分析結晶１０を
衝撃する。結晶１０は既知に手段により入射二次
輻射線４８を屈折し、屈折輻射線をシンチレーシ
ヨン計数管５０により測定し、しかる後に、この
結果を利用する。この分光計においては試料４６
と分光結晶１０との間の二次輻射線通路に位置す
る第１コリメーター５２、および結晶１０とシン
チレーシヨン計数管５０との間の通路に位置する
補助コリメーター５４およびフローカウンター
（flow countar）５６が存在する。結晶および検
出器組合せ体、すなわち、カウンター５０，５６
は周知に形式におけるように回転し、ゴニオメー
ターを既知のように回転移動を制御する。分光計
についての一層の詳細な説明についてはジエンキ
ンス氏、「ア イントロダクシヨン トウＸ−レ
イスペクトロメータ」1976年、特に52ページに記
載されている。
第１図は本発明の１例における酸フタル酸塩結
晶を使用した結晶分光計の説明用線図および第２
図は本発明の変形の酸フタル酸塩結晶を示す説明
用線図である。 １０……分光結晶、１２……酸フタル酸塩結
晶、１４……結晶の表面、１６……金属または半
金属層、２０，２２……サブ層、４０……分光
計、４２……Ｘ−線源、４４……Ｘ−線、４６…
…試料、４８……二次輻射線、５０……シンチレ
ーシヨン計数管、５２……第１コリメーター、５
４……補助コリメーター、５６……フローカウン
ター。
晶を使用した結晶分光計の説明用線図および第２
図は本発明の変形の酸フタル酸塩結晶を示す説明
用線図である。 １０……分光結晶、１２……酸フタル酸塩結
晶、１４……結晶の表面、１６……金属または半
金属層、２０，２２……サブ層、４０……分光
計、４２……Ｘ−線源、４４……Ｘ−線、４６…
…試料、４８……二次輻射線、５０……シンチレ
ーシヨン計数管、５２……第１コリメーター、５
４……補助コリメーター、５６……フローカウン
ター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 酸フタル酸塩結晶からなるＸ−線分光結
晶において、 (b) 結晶の少なくとも１つの面を約0.2μｍ以下
の厚さを有し、かつ周囲雰囲気に対して殆んど
化学的に不活性な金属および半金属からなる群
から選択した材料から主としてなる層で被覆し
たことを特徴とするＸ−線分光結晶。 ２ 金属または半金属層は主としてアルミニウ
ム、金、炭素、およびこれらの混合物および合金
からなる群から選択する特許請求の範囲第１番目
記載のＸ−線分光結晶。 ３ 層の厚さは約0.03〜0.2μｍの範囲とする特
許請求の範囲第１番目記載のＸ−線分光結晶。 ４ 層は少なくとも２つのサブ層からなり、第１
サブ層は結晶表面上に堆積させ、第２サブ層は第
１サブ層上に堆積させ、これら第１および第２サ
ブ層はアルミニウム、金、炭素、およびこれらの
混合物および合金からなる群から選択した材料か
ら主としてなる特許請求の範囲第１番目記載のＸ
−線分光結晶。 ５ 層は少なくとも２つのサブ層からなり、第１
サブ層は結晶表面上に堆積させ、第２サブ層は第
１サブ層の上に堆積させ、かかる第２サブ層はア
ルミニウム、金、炭素、およびこれらの混合物お
よび合金からなる群から選択した材料から主とし
てなり、かかる第１サブ層はプラスチツク−タイ
プの材料から主としてなる特許請求の範囲第１番
目記載のＸ−線分光結晶。 ６ 酸フタル酸塩は主としてルビジウム酸フタル
酸塩、カリウム酸フタル酸塩、タリウム酸フタル
酸塩およびアンモニウム酸フタル酸塩からなる群
から選択する特許請求の範囲第１番目記載のＸ−
線分光結晶。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/918,674 US4229499A (en) | 1978-06-23 | 1978-06-23 | Acid phthalate crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5520293A JPS5520293A (en) | 1980-02-13 |
| JPS6121199B2 true JPS6121199B2 (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=25440763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7827679A Granted JPS5520293A (en) | 1978-06-23 | 1979-06-22 | X ray spectrocrystal |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4229499A (ja) |
| JP (1) | JPS5520293A (ja) |
| CA (1) | CA1134069A (ja) |
| CH (1) | CH642462A5 (ja) |
| DE (1) | DE2924779C2 (ja) |
| FR (1) | FR2429437A1 (ja) |
| GB (1) | GB2027570B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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