JPS61210875A - 電力変換装置 - Google Patents

電力変換装置

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JPS61210875A
JPS61210875A JP60049145A JP4914585A JPS61210875A JP S61210875 A JPS61210875 A JP S61210875A JP 60049145 A JP60049145 A JP 60049145A JP 4914585 A JP4914585 A JP 4914585A JP S61210875 A JPS61210875 A JP S61210875A
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JP
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circuit
auxiliary
capacitor
inductance
power supply
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Masahiro Minamoto
皆元 正博
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/505Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M7/515Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only

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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 この発明は、半導体スイッチ索子のターンオフ責務を軽
減するように過電圧吸収回路が直流入力側に設けられて
いる電力変換装置に関する。
〔従来技術とその問題点〕
第4図はインバータ生回路構成原理図である。
電力変換装置としてのインバータはこの第4図において
はゲートターンオフサイリスタ(以下ではGTOサイリ
スタと略記する)とこれに逆並列接続される帰還ダイオ
ードとで半導体スイッチを構成し、この半導体スイッチ
な6組集合してブリ、ジ接続させることにより3相イン
バータを形成している。符号6は第1相上側アームの半
導体スイ。
チ、符号7は第1相下側アームの半導体スイッチである
が、これ以外の符号を付していない半導体スイッチを含
めて順次オン参オフ動作させることにより、直流電源1
から供給される直流電力は3相交流電力に変、換されて
U、V、Wなる各相端子から出力される。直流電源1と
3相インバータとの間には配線インダクタンスがあり、
また保護用のりアクドルが挿入されることがあり、これ
らが符号2と3なる回路インダクタンスとして図示され
ているが、これら回路インダクタンス2.3に蓄積され
たエネルギーにより、半導体スイッチ6゜7等がオフす
るさいにこの半導体スイッチ6.7に過電圧が印加され
て破壊するおそれがある。
第5図は過電圧抑制回路付インバータの従来例を示す部
分回路図であって、インバータは1相分のみを図示して
いる。この第5図において直流電源1からの直流電力は
回路インダクタンス2.3を経てインバータに供給され
るのであるが、半導体スイッチロにはスナバ回路部が並
列接続され、半導体スイッチアにはスナバ回路部が並列
接続されている。このスナバ回路部、29はそれぞれス
ナバダイオード14 、15とスナバコンデンサ18 
、19 トスナバ抵抗5.26とで構成された充放電形
スナバである。
直流電源1の電圧なElとするとき、半導体スイッチロ
あるいは7がオフするときに回路インダクタンス2,3
に蓄えられていたエネルギーにより、スナバ回路部、2
9の電圧は電源電圧E1よりも高い値E1+Δeとなる
。スナバコンデンサ18 、19の静電容量をCとする
ならば半導体スイッチロ、7がスイッチングするたびご
とにC1l+Δe)2/2なるなるエネルギーが損失と
なってスナバ抵抗25 、26で消費されることになる
。このエネルギー損失を極力抑制するために、スナバコ
ンデンサ18.19(7)容量は半導体スイッチロ、7
の許容電圧上外車を考慮して必要最小限度の値にするの
が一般的である。よって回路インダクタンス2.3の蓄
積エネルギーを吸収して過電圧を抑制する効果が不十分
になるために吸収ダイオード101、吸収コンデンサ1
02)吸収抵抗103で構成される過電圧吸収回路99
を直流母線に接続して上述の過電圧を吸収させるのであ
るが、この吸収コンデンサ102の静電容量はスナバコ
ンデンサ18 、19の容量の数倍またはそれ以上の大
きなものとして電圧上昇分Δeが電源電圧E、の数10
%以下になるようにする。しかしこの過電圧吸収回路9
もその吸収エネルギーが損失になるという大きな欠点を
有する。
第6図はスナバエネルギー回収形インバータの従来例を
示す回路図であって特開昭59−165954号公報に
記載されたものである。この第6図において、直流電源
1、回路インダクタンス2と3、トランジスタとこれに
逆並列接続された帰還ダイオードとで構晟されている半
導体スイッチロと7、負荷8、スナバダイオード14と
15、スナバコンデンサ18と19の用途と機能は前述
の第5図に示す従来例の場合と同じである゛が、この第
6図では、スナバエネルギーを回収するために、直流電
源1の外側に補助直流電源4と5を設け、回路インダク
タンス2と3のエネルギーをクランプダイオード12と
13により補助直流電源4と5に回収するとともに、ス
ナバコンデンサ18に蓄積されたエネルギーをダイオー
ド16とりアクドル4を介して前述の補助直流電源4に
回収し、またスナバコンデンサ19の蓄積エネルギーは
ダイオード17とりアクドルρを介して補助l流電源5
に回収するようにして、無用に消費されるエネルギーを
回収するよう考慮が払われている。
しかしながらこの第6図に示す従来例においても、補助
直流電源4とクランプダイオード戎との間に存在する配
線インダクタンス、あるいは補助直流電源5とクランプ
ダイオード13との間の配線インダクタンスのために過
電圧抑制効果が不十分であるという欠点を有する。
〔発明の目的〕
この発明は、電力変換装置がスイッチング動作をすると
きに半導体スイッチに印加される過電圧を吸収するとと
もに、この吸収されたエネルギーをすべて電源へ返還す
るようにして、過電圧が印加されることがなく、低損失
高効率で運転できる電力変換装置を提供することを目的
とする。
〔発明の要点〕
この発明は、直流電源を入力する電力変換装置において
、直流電源回路に含まれているインダクタンスのために
、当該電力変換装置を−tll成する半導体スイッチ動
作時に直流端子間に生ずる過電圧を吸収するよう吸収ダ
イオードと吸収コンデンサの直列回路を半導体スイッチ
に極力接近した直流端子間に接続し、この吸収ダイオー
ドと吸収コンデンサとの接続点を補助ダイオードと補助
コンデンサを介して前記直流電源の外側に設けられてい
る補助直流電源に接続することにより、過電圧の吸収と
、この吸収エネルギーを電源に返還しようとするもので
あるが、このときの補助直流電源としては半導体スイッ
チに並列接続されているスナバ回路が吸収するエネルギ
ーを返還するための補助直流電源を共用しようとするも
のである@〔発明の実施例〕 第1図は本発明の実施例を示す回路図であって、3相イ
ンバータの場合をあられしている。
この第1図において直流電源1からの直流電力は回路イ
ンダクタンス2と3を介して3相プリ。
ジ接続されているスイッチに与えられ(符号あが第1相
上側のスイッチ、符号舅が同じく第1相下側のスイッチ
であり、第2相と第3相のスイッチに付する符号は省略
している。)、これらのスイッチな順次オン・オフさせ
ることにより得られる3相交流電力を電動機9に与えて
この電動機を所望の速度で運転させる。なおこれらスイ
ッチは接点で図示しているが、実際は半導体スイッチを
使用する。
スイッチあには並列にスナバダイオード14とスナバコ
ンデンサ18とで構成されるスナバ回路が接続され、こ
のスナバ回路のエネルギーはダイオード16とりアクド
ル21を介して直流電源1の外側に設けられている補助
直流電源4に回収され、同様にスイッチ37に附属する
スナバダイオード15とスナバ;ンデンサ19からのエ
ネルギーはダイオード17とリアクトルρを介して補助
直流電源5に回収されるのは前述の第6図の場合と同じ
であり、第2相と第3相のスイッチにそれぞれ並列接続
されているスナバ回路のエネルギーも同様に補助直流電
源4と5に回収される。
上述のスナバエネルギー回収用に設けられたりアクドル
21と補助直流電源4とを接続する配線にはインダクタ
ンスがあり、これが符号210で示されているが、同様
に補助直流電源5とリアクトルnとの間の配線にもイン
ダクタンス310が存在する。
直流端子間には極力電力変換装蓋に接近して吸収ダイオ
ード101と吸収コンデンサ102との直列回路が接続
され、この吸収ダイオード101と吸収コンデンサ10
2との接続点が補助ダイオード104と補助リアクトル
105を介して前述のスナバエネルギー回収回路に接続
されていて、これら吸収ダイオード101、吸収コンデ
ンサ102)補助ダイオード104、補助リアクトル1
05で過電圧吸収回路100が形成されている。
スイッチI、37等がオンからオフに変化するとき回路
インダクタンス2.3等に蓄えられていたエネルギーは
これらスイッチに並列接続されているスナバ回路に吸収
されると同時に過電圧吸収回路100にも吸収される。
しかし過電圧吸収回路1oOを構成する吸収コンデンサ
102の静電容量はスナバコンデンサ18 、19のそ
れよりもはるかに大きく選定しであるので、このスナバ
コンデンサ18 j19に吸収されるエネルギーを無視
すれば、吸収コンデンサ102の端子電圧■cは(1)
式で示される。
ただしE、は直流電源1の電圧、IOは転流(すなわち
スイッチオ7)直前の直流電流、L2は回路インダクタ
ンス2のインダクタンス値でありCは吸収コンデンサー
02の静電容量であって、電圧上昇分ΔCは Δe中■o@4′1717   ・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(2)
であることから、吸収コンデンサー02の電圧は電源電
圧E1より(2)式で示される値だけ大きいものとなる
。なお補助直流電源4の電圧なE4とするとき、この電
圧E4の値は電源電圧E、の1θ%程度に選定しておく
ので、(1)式に示される吸収コンデンサー02の電圧
vcの値がElとE4との合計値よりも大となると、補
助ダイオード104と補助リアクトル105とを介して
回路インダクタンス2の蓄積エネルギーは吸収コンデン
サー02と補助直流電源4とに分流を始める。
補助リアクトル105のインダクタンス値は回路インダ
クタンス2のインダクタンス値L2よりもはるかに大き
い値としているので、吸収コンデンサー02の電圧vc
がピークに到達するまでにこの補助リアクトル105を
通して放電する量は無視することができるので、結局回
路インダクタンス2と3に蓄積されたエネルギーは、回
路インダクpyス2→吸収ダイオード101→吸収コン
デンサー02→回路インダクタンス3→直流電源1→回
路インダクタンス2のループにより吸収コンデンサー0
2に吸収されて零となる。これが第2図における時刻t
2である(なお第2図については後述する。)。
このとき吸収コンデンサー02の電圧■cの最大値VC
maXは VcmaXキEt + I o Jτη;−−・・叩−
曲曲曲(3)となり、電源電圧E%よりも(2)式に示
すΔCの値だけ高くなる。この電圧上昇分Δeは最大で
Elの数10%以下となるようにするので、Δe:に6
E、とするならばIoが最大のときは!(・Ex>E4
である。
上述したように回路インダクタンス2と3の蓄積エネル
ギーは吸収コンデンサー02に吸収されたのち、吸収コ
ンデンサ−02→補助ダイオード104→補助リアクト
ル105→インダクタンス210→補助直流電源4→直
流電源1→回路インダクタンス3→吸収コンデンサ10
2の振動回路で放電を開始し、補助直流電源4と直流電
源1とにエネルギーを回生ずる。
吸収コンデンサ102の電圧■cがVc ” E1+ 
E4まで低下すると、すなわち電圧上昇分ΔeがΔe=
E4まで再び低下すると補助リアクトル105を流れる
放電電流は第2図の時刻t’sにおいてピーク値に達し
、さらに振動を続けることにより第2図の時刻t4で吸
収コンデンサ102の電圧vcがvc=E!になるまで
低下して吸収ダイオード101が再び導通な始めるので
この電圧vcは電源電圧Elにクランプされたままとな
り、補助リアクトル105″/を流れていた′電流は、
補助リアクトル105→インダクタンス210→補助直
流電源4→回路インダクタンス2→吸収ダイオード10
1→補助ダイオード104→補助リアクトル105の回
路に移り、補助直流電源4にエネルギーを回生してつい
には零となる。
上述のように過電圧吸収回路100に吸収された回路イ
ンダクタンス2と3のエネルギーは直流電源1と補助直
流電源4に無損失で回収されるとともに、吸収コンデン
サ102の電圧vcは電源電圧Elと等しい値に戻り、
次のスイッチングに備えることになる。
第2図は第1図に示す実施例回路の動作波形図でありで
、第2図ビ)はスイッチIのオン・オフ状態を、第2図
(ロ)は吸収コンデンサ102の電圧vcの変化を、第
2図(/旧ま回路インダクタンス2を流れる電流■2の
変化を、第2図に)は補助リアクトル105を流れる電
流1105の変化を、′第2図(ホ)は吸収ダイオード
101を流れる電流1101の変化をそれぞれあられし
ている。
この第2図において時刻tlにスイッチおがオンからオ
フになると前述したように時刻t2に吸収コンデンサ1
02の電圧vcが最大となり、時刻t3には補助リアク
トルlO5を流れる放電電流が最大に、時刻t4には電
圧■cが電源電圧Elまで低下する状況を示している。
M3図は本発明の第2の実施例を示す回路図であって単
相インバータの場合をあられしている。
この第3図においては第1相の半導体スイッチに過電圧
吸収回路100が設けられているのは第1図の場合と同
じであるが、第2相の半導体スイッチiヒも吸収ダイ°
オード201、吸収コンデンサ202)補助ダイオード
204、補助リアクトル205で構成された過電圧吸収
回路200が設けられていて、直流電源1と、これの負
極側の補助直流電源5に吸収したエネルギーを回生ずる
ようにしている。
なお−力変換装置の例としてインバータにより本発明の
詳細な説明しているがインバータ以外のもの、たとえば
チ1.バなど直流入力で動作する電力変換装置にも本発
明が適用できる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、半導体スイッチの動作に伴って回路
中のインダクタンスに蓄積されたエネルギーが電圧を電
源電圧以上に上昇させた分は直流端子間に接続された過
電圧吸収回路により吸収して電源へ回生するようにして
いるので、全電圧を充放電する通常のスナバ回路にくら
べて取扱うエネルギー量が小さくてすむので、この過電
圧吸収回路に設置するコンデンサの静電容量を十分に大
きくすることができるので、これにより大きな過電圧抑
制効果を得ることができる。さらに本発明によるエネル
ギー回生には回生用の変換器は不必要であり、また電力
変換装置を構成する半導体スイッチにこの回生エネルギ
ーを通過させることなく、インダクタンスとキャパシタ
ンスの振動によりエネルギー回生を行なうものであるか
ら半導体スイッチの動作責務を重くすることもなく、か
つ過電圧を抑制しつつエネルギー回生による低損失と高
効率運転が実現できる。さらに半導体スイ。
チに並列接続されるスナバ回路のエネルギー回生回路と
組合わせることにより、安全な動作が無損失で行なえる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例を示す回路図であり。 第2図は141図に示す実施例回路の動作波形図、第3
図は本発明の第2の実施例を示す回路図である。第4図
はインバータ主回路槽底原理図であり、第5図は過電圧
抑制回路付きインバータの従来例を示す部分回路図、第
6図はスナバエネルギー回収形インバータの従来例を示
す回路図である。 l・・・直流電源、2.3・・・回路インダクタンス、
4.5・・・補助直流電源、6,7・・・半導体スイッ
チ、8・・・負荷、9・・・電動機、12 、13・・
・クランプダイオード、14.15・・・スナバダイオ
ード、16 、17・・・ダイオード、18.19・・
・スナバコンデンサ、21.22・・・リアクトル、2
5.26・・・スナバ抵抗、 28.29・・・スナバ
回路、ア、37・・・スイッチ、(へ)、 100 、
200・・・過電圧吸収回路、101 、201・・・
吸収ダイオード、102 、202・・・吸収コンデン
サ、103・・・吸収抵抗、104 、204・・・補
助ダイオ−−ド、105 、205 ・・・補助リアク
トJS/、210 、310 ・・・インダクタンス。 第2因 畠4ijl 第5図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)スナバ回路が並列接続されている半導体スイッチで
    構成され、直流電源からの直流電力を変換する電力変換
    装置において、ダイオードとコンデンサの直列回路を前
    記電力変換装置の入力直流端子間に接続し、該直列回路
    の中点を補助ダイオードおよび補助リアクトルを介して
    前記直流電源の外側に設けられた補助直流電源に接続す
    ることを特徴とする電力変換装置。 2)特許請求の範囲第1項記載の電力変換装置において
    、前記補助直流電源は前記半導体スイッチ用スナバ回路
    のエネルギー回生用電源であることを特徴とする電力変
    換装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006296090A (ja) * 2005-04-11 2006-10-26 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置

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JPS5913092U (ja) * 1982-07-14 1984-01-26 三菱電機株式会社 スナバ回路
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