JPS61207586A - 二酸化シリコン膜のエツチング液 - Google Patents
二酸化シリコン膜のエツチング液Info
- Publication number
- JPS61207586A JPS61207586A JP4975285A JP4975285A JPS61207586A JP S61207586 A JPS61207586 A JP S61207586A JP 4975285 A JP4975285 A JP 4975285A JP 4975285 A JP4975285 A JP 4975285A JP S61207586 A JPS61207586 A JP S61207586A
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- Japan
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- surfactant
- etching
- silicon dioxide
- dioxide film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
木１発１９１は、゛ト導体素子の製造工程に使用さであ
る二酸化シリコン膜のエツチング液組成物に関する。
る二酸化シリコン膜のエツチング液組成物に関する。
一般に、半導体素子の製造工程において熱酸法、Ｃ，Ｖ
ＬＤ法およびスパッタリング法等によりシリコン絶縁物
桐料としてシリコン弔結晶ウェーハの表面に生成せしめ
ら瓦た二酸化シリコン膜のエツチングには、７ツ化水素
酸とフッ化アンモニウムを含む混合液が使用されている
。その調整法は主に、５０重はパーセントのフ、・化水
素酸と４０重取バーセントのフッ化アンモニウム水浴液
を混合するもので、通常、その混合割合は容は比で、５
０＠量パ一セントフツ化水素酸＝４０重隈パーセントフ
ッ化アンモニウム水溶液＝に６〜１：９９の任意の比率
で混合さ八、−ｆた、これらを超純水で希釈するなどし
てバッフアートフッ酸として汎用されている。その組１
＋１７は、７ 、、、’ Ｉｌ／虚妻酸七、ドｎ −ｙ
、 ｌｌｔヱ゛ノ蛋二つ八ル小なくとも０１重量パー
セント以−４二合有するものである。
ＬＤ法およびスパッタリング法等によりシリコン絶縁物
桐料としてシリコン弔結晶ウェーハの表面に生成せしめ
ら瓦た二酸化シリコン膜のエツチングには、７ツ化水素
酸とフッ化アンモニウムを含む混合液が使用されている
。その調整法は主に、５０重はパーセントのフ、・化水
素酸と４０重取バーセントのフッ化アンモニウム水浴液
を混合するもので、通常、その混合割合は容は比で、５
０＠量パ一セントフツ化水素酸＝４０重隈パーセントフ
ッ化アンモニウム水溶液＝に６〜１：９９の任意の比率
で混合さ八、−ｆた、これらを超純水で希釈するなどし
てバッフアートフッ酸として汎用されている。その組１
＋１７は、７ 、、、’ Ｉｌ／虚妻酸七、ドｎ −ｙ
、 ｌｌｔヱ゛ノ蛋二つ八ル小なくとも０１重量パー
セント以−４二合有するものである。
エツチングは
Ｓｌへ −１−６ＨＦ −＋Ｈ２ＳｉＦ６−１− ２
ＨｔＯＨ２Ｓ＋Ｆ＋＋ ＋ ２間（、Ｆ −（ＮＴ
（＋）２ＳｉＦ６＋２ＨＦの反応を通じて生じ、フッ化
水素酸はシリコン酸化膜のエンチング速度に直接関与し
、フッ化アンモニウムはエツチング？＆１７）ヘ−ハ−
（ｐＨ）およびエツチング速度を制御している。
ＨｔＯＨ２Ｓ＋Ｆ＋＋ ＋ ２間（、Ｆ −（ＮＴ
（＋）２ＳｉＦ６＋２ＨＦの反応を通じて生じ、フッ化
水素酸はシリコン酸化膜のエンチング速度に直接関与し
、フッ化アンモニウムはエツチング？＆１７）ヘ−ハ−
（ｐＨ）およびエツチング速度を制御している。
例えば、熱酸化法により生成せしめられた二酸化シリコ
ン膜の１ ：６パツフアードフツ酸による工、・チング
速度は約８５ ＯＡ’／ｍ１ｎ（２０℃）、１：９９バ
ツフアートフツ酸によるエツチング速度は約６５ 八〇
／ｍ１ｎ（２０°Ｃ）である。
ン膜の１ ：６パツフアードフツ酸による工、・チング
速度は約８５ ＯＡ’／ｍ１ｎ（２０℃）、１：９９バ
ツフアートフツ酸によるエツチング速度は約６５ 八〇
／ｍ１ｎ（２０°Ｃ）である。
しかし、二酸化シリコン膜のエツチング液上して欠かせ
ないフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液には、
何らかの要因により液中に微粒子の自然発生が認められ
、経時変化と共に微粒子は増大、・巨大化する傾向にあ
る。この微粒子の正体は、液中の微粒子数を検出限界か
０５ミクロンの光散乱方式の液中微粒子計数器により測
定し、微粒子の構造をＸ線回折分析法に」：り解析した
結果、オングストローム単位からミクロン単位にかけて
、ニフッ化−水素アンモニウム（Ｎｌ（４１（Ｆ２）の
微細結晶が成長あるいは集合しているものと思われる。
ないフッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液には、
何らかの要因により液中に微粒子の自然発生が認められ
、経時変化と共に微粒子は増大、・巨大化する傾向にあ
る。この微粒子の正体は、液中の微粒子数を検出限界か
０５ミクロンの光散乱方式の液中微粒子計数器により測
定し、微粒子の構造をＸ線回折分析法に」：り解析した
結果、オングストローム単位からミクロン単位にかけて
、ニフッ化−水素アンモニウム（Ｎｌ（４１（Ｆ２）の
微細結晶が成長あるいは集合しているものと思われる。
この微粒子はオングストローム「１１位から始１す、０
．１ミクロン程度からそれ以にの大きさになると１〜２
ミクロン幅の超Ｌ Ｓ Ｉパターンを作成する二酸化シ
リコン膜のエツチング液程でパターン不良の発生原因に
もなりかねない。
．１ミクロン程度からそれ以にの大きさになると１〜２
ミクロン幅の超Ｌ Ｓ Ｉパターンを作成する二酸化シ
リコン膜のエツチング液程でパターン不良の発生原因に
もなりかねない。
〔問題点を解決するだめの手段および作用〕本発明は、
この難点を解消すべく、従来からのフッ化水素酸とフッ
化アンモニウムを含む混合液中に界面活性剤を少量添加
することによって、液中に発生する微粒子の増大化！巨
大化を抑制するものである。
この難点を解消すべく、従来からのフッ化水素酸とフッ
化アンモニウムを含む混合液中に界面活性剤を少量添加
することによって、液中に発生する微粒子の増大化！巨
大化を抑制するものである。
フッ止水□素酸とフッ化アンモニウムを含む混合液中に
界面活性剤をミセル臨界濃度以上添加することにより、
界面活性剤が液中のオングストローム単位からなる微粒
子を核にミセルを形成するために、微粒子の集合あるい
は□ 成長を抑制していると思われる。
界面活性剤をミセル臨界濃度以上添加することにより、
界面活性剤が液中のオングストローム単位からなる微粒
子を核にミセルを形成するために、微粒子の集合あるい
は□ 成長を抑制していると思われる。
界面活性剤の添加量は０．０００１〜１重量パーセント
の範囲が望ましい。添加量が０．０００１重量パーセン
ト以下では、界面活性剤はミセルを形成する濃度に達し
ていないため、抑制力は小さく、添加量が１重量パーセ
ント以上ではその抑制力は一定に達しておりエツチング
液の汚染にもなり得るからである。
の範囲が望ましい。添加量が０．０００１重量パーセン
ト以下では、界面活性剤はミセルを形成する濃度に達し
ていないため、抑制力は小さく、添加量が１重量パーセ
ント以上ではその抑制力は一定に達しておりエツチング
液の汚染にもなり得るからである。
また、この界面活性剤の添加は、フッ化水素酸とフッ化
アンモニウムを含む混合液の表面自由エネルギーを著し
く低下させることにより表面張力を低下させることがで
き、微細な紹ＬＳＩパターンを影線す不エッチングＴ程
で高精度のパ′ター・ニングを可能とする。
アンモニウムを含む混合液の表面自由エネルギーを著し
く低下させることにより表面張力を低下させることがで
き、微細な紹ＬＳＩパターンを影線す不エッチングＴ程
で高精度のパ′ター・ニングを可能とする。
界面活性剤の種類上しては、水溶性界面活性剤であれば
陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活
性剤、および非イオン界面活性剤のいずれでもよい。
陰イオン界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活
性剤、および非イオン界面活性剤のいずれでもよい。
以下本発明の実施例および比較例について説明する。
実施例１〜２
５０重量パーセントのフッ化水素酸と４０重量パーセン
トのフッ化アンモニウム水溶液とを容量比で１＝３０に
なるように調整したエツチング液に、陰イオン界面活性
剤をＯ，Ｕｌ”１重量パーセントおよび０．０１重量パ
ーセント添加し、経時変化と共に液中の０．５ミクロン
以上の微粒子数を測定し、陰イオン界面活性剤を全く添
加しないエツチング液と比較したその結果を表−１およ
び図面に示す。表−１および図面に示すように、少量の
界面活性剤を添加することにより顕著な抑制効果が認め
られた。
トのフッ化アンモニウム水溶液とを容量比で１＝３０に
なるように調整したエツチング液に、陰イオン界面活性
剤をＯ，Ｕｌ”１重量パーセントおよび０．０１重量パ
ーセント添加し、経時変化と共に液中の０．５ミクロン
以上の微粒子数を測定し、陰イオン界面活性剤を全く添
加しないエツチング液と比較したその結果を表−１およ
び図面に示す。表−１および図面に示すように、少量の
界面活性剤を添加することにより顕著な抑制効果が認め
られた。
表−１
比較例１〜２
捷た、実施例１〜２の３０日経過後のエツチング液につ
いて表面張力および二酸化シリコン膜のエツチング速度
を測定した結果、表−２に示すように、表面張力もエツ
チング速度も安定しており、調製時と比べて変りなかっ
た。
いて表面張力および二酸化シリコン膜のエツチング速度
を測定した結果、表−２に示すように、表面張力もエツ
チング速度も安定しており、調製時と比べて変りなかっ
た。
（以下余白）
表−２
実施例３〜６
７ツ化水素酸の含有酸が６甫阻パーセント、フッ化アン
モニウムの含有部が３０重量パーセントになるように調
製したエツチング液に、水溶液界面活性剤として４種類
のフッ素糸界面活性剤を０．０１重計パーセント添加し
、３ケ月経過後の液中の微粒子数を測定した結果、表−
３に示すように、良好な結果を得た。
モニウムの含有部が３０重量パーセントになるように調
製したエツチング液に、水溶液界面活性剤として４種類
のフッ素糸界面活性剤を０．０１重計パーセント添加し
、３ケ月経過後の液中の微粒子数を測定した結果、表−
３に示すように、良好な結果を得た。
本発明によれば、フッ化水素酸とフッ化アンモニウム吉
水からなる二酸化シリコン膜のエツチング液に、界面活
性剤を少量添加するこさにより、液中の微粒子の発生を
充分抑制することができ、捷た、表面張力も低下させる
ことができるので、これを用いた場合には安定したエツ
チング処理を施することかできるという効果がある。
水からなる二酸化シリコン膜のエツチング液に、界面活
性剤を少量添加するこさにより、液中の微粒子の発生を
充分抑制することができ、捷た、表面張力も低下させる
ことができるので、これを用いた場合には安定したエツ
チング処理を施することかできるという効果がある。
添付図面は、本発明の実施例を示すもので、５０重量パ
ーセントのフッ化水素酸と４０重量パーセントのフッ化
アンモニウム水溶液とを容量比で１：３０になるように
調製したエツチング液に、陰イオン界面活性剤を０．０
００１重量パーセントおよび０．０１重量パーセント添
加した実施例１，２の場合と、陰イオン界面活性剤を全
く添加しない÷÷轡÷寺場合において、経時変測定した
結果を示すグラフである。 特許出願人 森田化学工業株式会社 ほか２名 ′２ｎ
ーセントのフッ化水素酸と４０重量パーセントのフッ化
アンモニウム水溶液とを容量比で１：３０になるように
調製したエツチング液に、陰イオン界面活性剤を０．０
００１重量パーセントおよび０．０１重量パーセント添
加した実施例１，２の場合と、陰イオン界面活性剤を全
く添加しない÷÷轡÷寺場合において、経時変測定した
結果を示すグラフである。 特許出願人 森田化学工業株式会社 ほか２名 ′２ｎ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムと水からなる混
合液に界面活性剤を添加したことを特徴とする二酸化シ
リコン膜のエッチング液。 ２、フッ化水素酸の含有量が０．１重量パーセント以上
およびフッ化アンモニウムの含有量が０．１重量パーセ
ント以上である特許請求の範囲囲第１項記載の二酸化シ
リコン膜のエッチング液。 ３、界面活性剤の添加量が０．０００１〜１重量パーセ
ントである特許請求の範囲第１項記載の二酸化シリコン
膜のエッチング液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4975285A JPS61207586A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 二酸化シリコン膜のエツチング液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4975285A JPS61207586A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 二酸化シリコン膜のエツチング液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207586A true JPS61207586A (ja) | 1986-09-13 |
Family
ID=12839914
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4975285A Pending JPS61207586A (ja) | 1985-03-12 | 1985-03-12 | 二酸化シリコン膜のエツチング液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207586A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179737A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-08-05 | Hashimoto Kasei Kogyo Kk | 微細加工表面処理剤 |
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| CN111471463A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884974A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-21 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
| JPS59219472A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Toshiba Corp | 界面保護膜の腐食液 |
-
1985
- 1985-03-12 JP JP4975285A patent/JPS61207586A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5884974A (ja) * | 1981-11-13 | 1983-05-21 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
| JPS59219472A (ja) * | 1983-05-26 | 1984-12-10 | Toshiba Corp | 界面保護膜の腐食液 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03179737A (ja) * | 1989-06-26 | 1991-08-05 | Hashimoto Kasei Kogyo Kk | 微細加工表面処理剤 |
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| CN111471463A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-31 | 湖北兴福电子材料有限公司 | 一种二氧化硅薄膜的蚀刻液 |
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