JPS61207027A - 電子デバイスの試験装置 - Google Patents
電子デバイスの試験装置Info
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- JPS61207027A JPS61207027A JP60048069A JP4806985A JPS61207027A JP S61207027 A JPS61207027 A JP S61207027A JP 60048069 A JP60048069 A JP 60048069A JP 4806985 A JP4806985 A JP 4806985A JP S61207027 A JPS61207027 A JP S61207027A
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＶＬＳ Ｉ等の電子デバイスの特性評価あるい
は障害検出を荷電ビームにより非接触状態で行う試験装
置または走査電子顕微鏡装置に関するものである。
は障害検出を荷電ビームにより非接触状態で行う試験装
置または走査電子顕微鏡装置に関するものである。
今後の電子デバイスとりわけＶＬＳ Ｉ等の高品質かつ
低価格の実現のためには、サブミクロン領域での微細加
工技術および各製造段階途中における電子デバイスの試
験装置の開発、試験法の確立が不可欠である。従来の電
子デバイスの電気的特性試験には、接触式の機械的探針
法が用いられｔきたが、特に空間分解能の点からサブミ
クロン領域への適用は不可能である。これに対処するた
めに、近年、高分解能の非接触式電子ビームテスタが用
いられるようになってきた。上記の電子ビームテスタと
しては、たとえば、「電子プローブを使用するＶＬＳ
Ｉ試験Ｊ （ＶＬＳＩ ＴＥＳＴＩＮＧ ｔｌｓＩＮ
Ｇ ＥＬｆｌＣＴＲＯＮ ＰＲＯＢＢ、Ｓｃａｎｎｉｎ
ｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ 。
低価格の実現のためには、サブミクロン領域での微細加
工技術および各製造段階途中における電子デバイスの試
験装置の開発、試験法の確立が不可欠である。従来の電
子デバイスの電気的特性試験には、接触式の機械的探針
法が用いられｔきたが、特に空間分解能の点からサブミ
クロン領域への適用は不可能である。これに対処するた
めに、近年、高分解能の非接触式電子ビームテスタが用
いられるようになってきた。上記の電子ビームテスタと
しては、たとえば、「電子プローブを使用するＶＬＳ
Ｉ試験Ｊ （ＶＬＳＩ ＴＥＳＴＩＮＧ ｔｌｓＩＮ
Ｇ ＥＬｆｌＣＴＲＯＮ ＰＲＯＢＢ、Ｓｃａｎｎｉｎ
ｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ 。
１９７９、ｖｏｌ、１．ｐ、２８５）に記載されている
ものがある。
ものがある。
しかし従来のこの種の装置は、外部からテスト信号を入
力し、その出力信号の検出にのみ電子ビームを用いる方
式であるために、完成品の機能検査等に用いられ、製造
途中での試験には用いられなかった。また、従来のこの
種の装置は、電圧コントラストを像として表示するため
、または所定の点の電圧波形（時間変化）を観察するた
めのプローブとして電子ビームを用いており、電圧を供
給するという使い方はなされていない。このような電圧
供給のプローブとして荷電ビームを用いる場合には、荷
電ビームの照射領域の電位測定を行う以外に、ビーム電
流を測定することが供給する電圧を制御するために重要
である。
力し、その出力信号の検出にのみ電子ビームを用いる方
式であるために、完成品の機能検査等に用いられ、製造
途中での試験には用いられなかった。また、従来のこの
種の装置は、電圧コントラストを像として表示するため
、または所定の点の電圧波形（時間変化）を観察するた
めのプローブとして電子ビームを用いており、電圧を供
給するという使い方はなされていない。このような電圧
供給のプローブとして荷電ビームを用いる場合には、荷
電ビームの照射領域の電位測定を行う以外に、ビーム電
流を測定することが供給する電圧を制御するために重要
である。
電位を測定する方法としては、たとえば、「定量的電位
測定のための二次電子検出システム」 （Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ ｔ！Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ｖ
ｏｌｔａｇｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ、Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇ＋１９８３、ｖｏｌ、５．ｐ、１５１）に記載さ
れているように、エネルギー分析器を用いたものが使わ
れている。また、ビーム電流を測定する方法としては、
二次電子が飛び出しにくいような深い溝（ファラデー溝
）を試料台等に設けて、その溝に荷電ビームを照射して
電流を測定する方法が用いられている。
測定のための二次電子検出システム」 （Ｓｅｃｏｎｄ
ａｒｙ ｔ！Ｉｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｓ
ｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ Ｖ
ｏｌｔａｇｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ、Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇ＋１９８３、ｖｏｌ、５．ｐ、１５１）に記載さ
れているように、エネルギー分析器を用いたものが使わ
れている。また、ビーム電流を測定する方法としては、
二次電子が飛び出しにくいような深い溝（ファラデー溝
）を試料台等に設けて、その溝に荷電ビームを照射して
電流を測定する方法が用いられている。
しかしこのファラデー溝は、通常、試料台の電子デバイ
スを装着していない部分に設けられている。このため、
電子デバイスを測定している途中でビーム電流を測定し
たい場合には、一度試料台をファラデー溝の位置に合う
ように移動し、ビーム電流を測定した後、再び、電子デ
バイスの所定の位置に荷電ビームが照射されるように試
料台を移動し、ビームの位置調整を行う必要があり、時
間がかかり、不便である。
スを装着していない部分に設けられている。このため、
電子デバイスを測定している途中でビーム電流を測定し
たい場合には、一度試料台をファラデー溝の位置に合う
ように移動し、ビーム電流を測定した後、再び、電子デ
バイスの所定の位置に荷電ビームが照射されるように試
料台を移動し、ビームの位置調整を行う必要があり、時
間がかかり、不便である。
また二次電子放出比は、測定デバイスの材質。
表面の汚染度、異質物の付着などによって異なる。
従って、二次電子放出比を測定することにより、上記の
諸性質を試験することができる。しかし電圧コントラス
トあるいは所定の点の電圧波形（時間変化）を観察する
場合には、この二次電子放出比の絶対値ではなく相対値
が必要であり、通常は、エネルギー分析電圧に対する二
次電子の放出量の変化（いわゆるＳカーブ）を測定して
いるが二次電子検出比自体の測定は行っていない。
諸性質を試験することができる。しかし電圧コントラス
トあるいは所定の点の電圧波形（時間変化）を観察する
場合には、この二次電子放出比の絶対値ではなく相対値
が必要であり、通常は、エネルギー分析電圧に対する二
次電子の放出量の変化（いわゆるＳカーブ）を測定して
いるが二次電子検出比自体の測定は行っていない。
このような問題点を解決するために本発明は、二次電子
検出器の方向の一部をメツシュとした二次電子検出電極
と、この二次電子検出電極の外側に設けられ二次電子検
出器の方向の一部をメツシュとした二次電子抑制用の電
極と、二次電子検出電極、二次電子抑制電極および試料
台に流れる電流の和を測定する手段とを設けるようにし
たものである。
検出器の方向の一部をメツシュとした二次電子検出電極
と、この二次電子検出電極の外側に設けられ二次電子検
出器の方向の一部をメツシュとした二次電子抑制用の電
極と、二次電子検出電極、二次電子抑制電極および試料
台に流れる電流の和を測定する手段とを設けるようにし
たものである。
また、二次電子検出器の方向の一部をメツシュとした二
次電子検出電極と、この二次電子検出電極の外側に設け
られ二次電子検出器の方向の一部をメツシュとした二次
電子抑制電極と、二次電子検出電極と二次電子抑制電極
に流れる電流の和を測定する手段と、試料台に流れる電
流だけを測定する手段とを設けるようにしたものである
。
次電子検出電極と、この二次電子検出電極の外側に設け
られ二次電子検出器の方向の一部をメツシュとした二次
電子抑制電極と、二次電子検出電極と二次電子抑制電極
に流れる電流の和を測定する手段と、試料台に流れる電
流だけを測定する手段とを設けるようにしたものである
。
〔作用〕
本発明においては、電位、ビーム電流、二次電子放出比
の測定を試料台の移動を行わずにできる。
の測定を試料台の移動を行わずにできる。
本発明に係わる電子デバイスの試験装置の一実施例を第
１図に示す。第１図において、ｌは電子ビーム光学鏡筒
（図示されない）において集束。
１図に示す。第１図において、ｌは電子ビーム光学鏡筒
（図示されない）において集束。
偏向された電子ビーム、２は電子デバイス、３は電子デ
バイス２を装填する試料台である。電子デバイス２の周
辺に、二次電子検出器７の方向の一部がメツシュとなっ
た二次電子検出電極５、二次電子抑制電極６がある。こ
の時、切り替えスイッチ８は正の電圧源９に接続され、
二次電子が二次電子検出器７の方へ入射するように切り
替えられている。ビーム電流を測定するには、切り替え
スイッチ８を負の電圧源１０に接続し、二次電子抑制電
極６に負の電圧を加えることにより二次電子を二次電子
検出電極５の内部に閉じ込めるようにする。この場合に
は、二次電子または反射電子は、二次電子抑制電極６．
二次電子検出電極５．試料台３のいずれかに捕らえられ
る。従って、二次電子抑制電極６．二次電子検出電極５
および試料台３に流れる電流の総和としてビーム電流が
電流計１３を測定することにより求まる。また、二次電
子像を観察する場合あるいは電位を測定する場合には、
二次電子抑制電極６に正の電圧を加え、二次電子を二次
電子検出器７に入射させ、二次電子像を観察したり、エ
ネルギー分析器を用いて電位を測定することができる。
バイス２を装填する試料台である。電子デバイス２の周
辺に、二次電子検出器７の方向の一部がメツシュとなっ
た二次電子検出電極５、二次電子抑制電極６がある。こ
の時、切り替えスイッチ８は正の電圧源９に接続され、
二次電子が二次電子検出器７の方へ入射するように切り
替えられている。ビーム電流を測定するには、切り替え
スイッチ８を負の電圧源１０に接続し、二次電子抑制電
極６に負の電圧を加えることにより二次電子を二次電子
検出電極５の内部に閉じ込めるようにする。この場合に
は、二次電子または反射電子は、二次電子抑制電極６．
二次電子検出電極５．試料台３のいずれかに捕らえられ
る。従って、二次電子抑制電極６．二次電子検出電極５
および試料台３に流れる電流の総和としてビーム電流が
電流計１３を測定することにより求まる。また、二次電
子像を観察する場合あるいは電位を測定する場合には、
二次電子抑制電極６に正の電圧を加え、二次電子を二次
電子検出器７に入射させ、二次電子像を観察したり、エ
ネルギー分析器を用いて電位を測定することができる。
本発明に係わる電子デバイスの試験装置の第２の実施例
を第２図に示す、第１図においては、半球状の二次電子
検出電極を用いていたが、ここでは、平行平板型の二次
電子検出電極５を用いている。４は電子デバイスから発
生した二次電子のエネルギーを分析して電位を求めるた
めのエネルギー分析電極である。このエネルギー分析電
極４の外側に、二次電子検出器７の方向の一部がメツシ
ュとなった二次電子検出型８ｉ５．二次電子抑制電極６
がある。エネルギー分析電極４にはエネルギー分析用電
源（図示されない）が接続されており、周知のようにこ
の電圧に対する二次電子の量の変化から電位を測定する
ことができる。この場合に ゛は試料台３とエネルギー
分析電極４の間隔が広いと、二次電子はその隙間から逃
げ出してしまうために正確な測定が行えない。エネルギ
ー分析電極４と試料台３の間に引き出し電極（図示され
ない）がある場合についても同様である。これらの場合
には、エネルギー分析電極４あるいは引き出し電極と試
料台３の間隔を狭（するか、第２図に示すように試料台
３の上の電子デバイス２を囲む導電体の構造物を設けて
二次電子がエネルギー分析器の外側に漏れないようにす
る必要がある。また、エネルギー分析電極４のある場合
には、二次電子抑制電極６．二次電子検出電極５．試料
台３およびエネルギー分析電極４に流れる電流の総和と
してビーム電流を電流計（図示されない）により求める
ことができる。なお、エネルギー分析電極４と試料台３
の間に引き出し電極がある場合には、引き出し電極に流
れる電流も合わせてビーム電流を求めればよい。
を第２図に示す、第１図においては、半球状の二次電子
検出電極を用いていたが、ここでは、平行平板型の二次
電子検出電極５を用いている。４は電子デバイスから発
生した二次電子のエネルギーを分析して電位を求めるた
めのエネルギー分析電極である。このエネルギー分析電
極４の外側に、二次電子検出器７の方向の一部がメツシ
ュとなった二次電子検出型８ｉ５．二次電子抑制電極６
がある。エネルギー分析電極４にはエネルギー分析用電
源（図示されない）が接続されており、周知のようにこ
の電圧に対する二次電子の量の変化から電位を測定する
ことができる。この場合に ゛は試料台３とエネルギー
分析電極４の間隔が広いと、二次電子はその隙間から逃
げ出してしまうために正確な測定が行えない。エネルギ
ー分析電極４と試料台３の間に引き出し電極（図示され
ない）がある場合についても同様である。これらの場合
には、エネルギー分析電極４あるいは引き出し電極と試
料台３の間隔を狭（するか、第２図に示すように試料台
３の上の電子デバイス２を囲む導電体の構造物を設けて
二次電子がエネルギー分析器の外側に漏れないようにす
る必要がある。また、エネルギー分析電極４のある場合
には、二次電子抑制電極６．二次電子検出電極５．試料
台３およびエネルギー分析電極４に流れる電流の総和と
してビーム電流を電流計（図示されない）により求める
ことができる。なお、エネルギー分析電極４と試料台３
の間に引き出し電極がある場合には、引き出し電極に流
れる電流も合わせてビーム電流を求めればよい。
本発明に係わる電子デバイスの試験装置の第３の実施例
を第３図に示す。この第３の実施例は特許請求の範囲第
２項に記載された発明に係るものである。図中で第１図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。二
次電子抑制電極６゜二次電子検出電極５．エネルギー分
析電極４に汰れる電流の和として二次電子の放出による
電流が電流計３１によって測定できる。また電流計３２
により試料台３に流れる電流を測定する。電流計３１の
電流と試料台３に流れる電流とのトータルの電流すなわ
ちビーム電流は電流計１３によって測定できる。従って
、電流計３１と電流計１３の電流値の比から二次電子の
放出比が求まる。−次荷電ビームが電子ビームの場合に
は、ここでは、二次電子と反射電子を含めた放出量によ
る電流とトータル電流との比を二次電子放出比として求
めている。上記二次電子放出比は、電子デバイスの荷電
ビーム照射部分の材質、電位、汚染などの表面状態によ
って変化する。従って、上記二次電子放出比を測定する
ことにより、電子デバイス表面の汚染、異質物の付着、
材質の違い、薄膜の存在を検出することができる。また
試料台に流れる電流から、ＭＯＳキャパシタのゲートリ
ーク、ジャンクションリークの値を求めることができ、
電子デバイスの電気的特性、障害検出を行うことができ
る。
を第３図に示す。この第３の実施例は特許請求の範囲第
２項に記載された発明に係るものである。図中で第１図
と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである。二
次電子抑制電極６゜二次電子検出電極５．エネルギー分
析電極４に汰れる電流の和として二次電子の放出による
電流が電流計３１によって測定できる。また電流計３２
により試料台３に流れる電流を測定する。電流計３１の
電流と試料台３に流れる電流とのトータルの電流すなわ
ちビーム電流は電流計１３によって測定できる。従って
、電流計３１と電流計１３の電流値の比から二次電子の
放出比が求まる。−次荷電ビームが電子ビームの場合に
は、ここでは、二次電子と反射電子を含めた放出量によ
る電流とトータル電流との比を二次電子放出比として求
めている。上記二次電子放出比は、電子デバイスの荷電
ビーム照射部分の材質、電位、汚染などの表面状態によ
って変化する。従って、上記二次電子放出比を測定する
ことにより、電子デバイス表面の汚染、異質物の付着、
材質の違い、薄膜の存在を検出することができる。また
試料台に流れる電流から、ＭＯＳキャパシタのゲートリ
ーク、ジャンクションリークの値を求めることができ、
電子デバイスの電気的特性、障害検出を行うことができ
る。
なお、−次荷電ビームが電子ビームの場合には、厳密に
は、この方法で測定した二次電子放出比は、反射電子の
成分も含んでいる。反射電子はエネルギーが高く、二次
電子はエネルギーが低いため、二次電子の方が電子デバ
イス表面の電位等の情報を得るのに適している。反射電
子の量は、荷電ビームの加速電圧が数百〜数キロボルト
の領域では、二次電子の量に比べて１オーダー程度小さ
く、その影響は殆んどない。反射電子と二次電子を区別
する必要がある場合には、エネルギー分析電極４に加え
る電圧を１０〜２０ボルト程度にしてエネルギーの高い
反射電子のみを通過させるようにし、このとき二次電子
検出電極５に流れる電流を別に測定すれば、この電流と
ビーム電流の比から反射電子の放出比を測定することが
できる。真の二次電子放出比は電流計３１と電流計１３
の電流値の比から反射電子の放出比を差し引いた量であ
る。
は、この方法で測定した二次電子放出比は、反射電子の
成分も含んでいる。反射電子はエネルギーが高く、二次
電子はエネルギーが低いため、二次電子の方が電子デバ
イス表面の電位等の情報を得るのに適している。反射電
子の量は、荷電ビームの加速電圧が数百〜数キロボルト
の領域では、二次電子の量に比べて１オーダー程度小さ
く、その影響は殆んどない。反射電子と二次電子を区別
する必要がある場合には、エネルギー分析電極４に加え
る電圧を１０〜２０ボルト程度にしてエネルギーの高い
反射電子のみを通過させるようにし、このとき二次電子
検出電極５に流れる電流を別に測定すれば、この電流と
ビーム電流の比から反射電子の放出比を測定することが
できる。真の二次電子放出比は電流計３１と電流計１３
の電流値の比から反射電子の放出比を差し引いた量であ
る。
本発明に係わる電子デバイスの試験装置の第４の実施例
を示す第４図に示す。この第４の実施例は特許請求の範
囲第３項に記載された発明に係るものである。図中で第
１図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである
。図では切り替えスイッチ、電源等は省略されているが
、第１図と同様に配線されている。４４は引き出し電極
であり、二次電子を引き出すために正の電圧が加えられ
、第１図に示す電流計１３に接続されている。４５は試
料台３と同電位に保たれた電極であり、絶縁物４６によ
って二次電子検出電極５．エネルギー分析電極４等から
絶縁されている。この電極４５は、荷電ビームｌの入射
通路に沿って円筒状に設けられている。この電極４５を
設ける目的は、電位を測定する際のエネルギー分析電極
４に加える電圧の変化、あるいは、切り替えスイッチ８
の切り替えにより二次電子検出電極５に加わる電圧の変
化に伴って荷電ビームの偏向量が変わり、荷電ビームの
照射位置が所定の位置からずれるのを防ぐためである。
を示す第４図に示す。この第４の実施例は特許請求の範
囲第３項に記載された発明に係るものである。図中で第
１図と同一部分又は相当部分には同一符号が付しである
。図では切り替えスイッチ、電源等は省略されているが
、第１図と同様に配線されている。４４は引き出し電極
であり、二次電子を引き出すために正の電圧が加えられ
、第１図に示す電流計１３に接続されている。４５は試
料台３と同電位に保たれた電極であり、絶縁物４６によ
って二次電子検出電極５．エネルギー分析電極４等から
絶縁されている。この電極４５は、荷電ビームｌの入射
通路に沿って円筒状に設けられている。この電極４５を
設ける目的は、電位を測定する際のエネルギー分析電極
４に加える電圧の変化、あるいは、切り替えスイッチ８
の切り替えにより二次電子検出電極５に加わる電圧の変
化に伴って荷電ビームの偏向量が変わり、荷電ビームの
照射位置が所定の位置からずれるのを防ぐためである。
なお、第３図には図示されていない引き出し電極は、電
位測定の精度を向上させるために必要であるが、ビーム
電流を測定するためには必ずしも必要ではない。
位測定の精度を向上させるために必要であるが、ビーム
電流を測定するためには必ずしも必要ではない。
以上説明したように本発明は、二次電子検出器の方向の
一部をメツシュとした二次電子検出電極と、この二次電
子検出電極の外側に設けられ二次電子検出器の方向の一
部をメツシュとした二次電子抑制用の電極と、二次電子
検出電極、二次電子抑制電極および試料台に流れる電流
の和を測定する手段とを設けることにより、電位、ビー
ム電流の測定を試料台の移動を行わずにでき、電子デバ
イスの所定の点の電位とビーム電流を非接触で測定する
ことができる効果がある。
一部をメツシュとした二次電子検出電極と、この二次電
子検出電極の外側に設けられ二次電子検出器の方向の一
部をメツシュとした二次電子抑制用の電極と、二次電子
検出電極、二次電子抑制電極および試料台に流れる電流
の和を測定する手段とを設けることにより、電位、ビー
ム電流の測定を試料台の移動を行わずにでき、電子デバ
イスの所定の点の電位とビーム電流を非接触で測定する
ことができる効果がある。
また、二次電子検出電極と二次電子抑制電極に流れる電
流の和を測定する手段と、試料台に流れる電流だけを測
定する手段とを設けることにより、電位、ビーム電流、
二次電子放出比の測定を試料台の移動を行わずにでき、
電子デバイスの所定の点の電位とビーム電流を非接触で
測定することができ、ゲートリーク、ジャンクションリ
ークおよびその電位依存性等の測定が高速にしかも微細
な電子デバイスについて行うことができる効果がある。
流の和を測定する手段と、試料台に流れる電流だけを測
定する手段とを設けることにより、電位、ビーム電流、
二次電子放出比の測定を試料台の移動を行わずにでき、
電子デバイスの所定の点の電位とビーム電流を非接触で
測定することができ、ゲートリーク、ジャンクションリ
ークおよびその電位依存性等の測定が高速にしかも微細
な電子デバイスについて行うことができる効果がある。
また、二次電子放出比の測定を行うことにより、材質の
違い１表面の汚染度、異質物の付着。
違い１表面の汚染度、異質物の付着。
薄膜の検出を行うことができる。
さらに、この試験装置は、走査電子顕微鏡で二次電子像
を観察している途中でビーム電流を測定する場合等にも
応用することができるという効果がある。
を観察している途中でビーム電流を測定する場合等にも
応用することができるという効果がある。
第１図は本発明に係わる電子デバイスの試験装置の第１
の実施例を示す概略配置図、第２図は第２の実施例を示
す概略配置図、第３図は第３の実施例を示す概略配置図
、第４図は第４の実施例を示す概略配置図である。 ■・・・・電子ビーム、２・・・・電子デバイス、３・
・・・試料台、４・・・・エネルギー分析電極、５・・
・・二次電子検出電極、６・・・・二次電子抑制電極、
７・・・・二次電子検出器、８・・・・切り替えスイッ
チ、９・・・・正電圧源、１０・・・・負電圧源、１１
・・・・エネルギー分析用電源、１２・・・・電源、１
３．３１．３２・・・・電流計、４４・・・・引き出し
電極、４５・・・・電極、４６・・・・絶縁物。
の実施例を示す概略配置図、第２図は第２の実施例を示
す概略配置図、第３図は第３の実施例を示す概略配置図
、第４図は第４の実施例を示す概略配置図である。 ■・・・・電子ビーム、２・・・・電子デバイス、３・
・・・試料台、４・・・・エネルギー分析電極、５・・
・・二次電子検出電極、６・・・・二次電子抑制電極、
７・・・・二次電子検出器、８・・・・切り替えスイッ
チ、９・・・・正電圧源、１０・・・・負電圧源、１１
・・・・エネルギー分析用電源、１２・・・・電源、１
３．３１．３２・・・・電流計、４４・・・・引き出し
電極、４５・・・・電極、４６・・・・絶縁物。
Claims (3)
- （１）二次電子検出器が配置された方向の一部をメッシ
ュとした二次電子検出電極と、この二次電子検出電極の
外側に設けられ上記二次電子検出器が配置された方向の
一部をメッシュとした二次電子抑制電極と、上記二次電
子検出電極、二次電子抑制電極および試料台に流れる電
流の和を測定する手段とを有し、上記電流量からビーム
電流測定することを特徴とする電子デバイスの試験装置
。 - （２）二次電子検出器が配置された方向の一部をメッシ
ュとした二次電子検出電極と、この二次電子検出電極の
外側に設けられ上記二次電子検出器が配置された方向の
一部をメッシュとした二次電子抑制電極と、上記二次電
子検出電極と二次電子抑制電極に流れる電流の和を測定
する手段と、試料台に流れる電流だけを測定する手段と
を有し、この両者の比から電子デバイスの二次電子放出
比あるいは反射電子放出比の値を測定することを特徴と
する電子デバイスの試験装置。 - （３）二次電子検出電極は、荷電ビームの入射通路に沿
って試料台と同電位に保たれた電極を有することを特徴
とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子デバ
イスの試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048069A JPS61207027A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 電子デバイスの試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60048069A JPS61207027A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 電子デバイスの試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61207027A true JPS61207027A (ja) | 1986-09-13 |
| JPH0531297B2 JPH0531297B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=12793056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60048069A Granted JPS61207027A (ja) | 1985-03-11 | 1985-03-11 | 電子デバイスの試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61207027A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272288A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-11-19 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
-
1985
- 1985-03-11 JP JP60048069A patent/JPS61207027A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009272288A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-11-19 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531297B2 (ja) | 1993-05-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |