JPS6120165B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6120165B2 JPS6120165B2 JP55083717A JP8371780A JPS6120165B2 JP S6120165 B2 JPS6120165 B2 JP S6120165B2 JP 55083717 A JP55083717 A JP 55083717A JP 8371780 A JP8371780 A JP 8371780A JP S6120165 B2 JPS6120165 B2 JP S6120165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric filter
- dielectric
- oscillator
- phase
- coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/18—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising distributed inductance and capacitance
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は小型簡易な構成でマイクロ波周波数を
安定に発振できる高周波発振器に関する。
安定に発振できる高周波発振器に関する。
最近マイクロ波帯でも使用できる誘電体素子の
開発が進み、誘電体フイルタ使用の帰還型発振器
として第１図に示す構成が公知である。トランジ
スタTRのような増幅素子の入力電力Piは増幅利
得ＧによりGPiとなり、誘電体フイルタDEF、ア
イソレータISL１、移相器PHS、アイソレータ
ISL２を経て帰還される電力をPfとすると、整合
回路MTH、ハイブリツド回路HYBの損失を無視
して出力端子OUTの出力Poは Ｇ（Pi＋Pf）＝Po となる。PiとPfを同相とし、誘電体フイルタを含
む帰還回路の帰還量をβとすればPf／PiがＧβで
あるからＧβ１のときこの系は発振する。発振
周波数は誘電体フイルタDEFにおいて選択され
た周波数である。第１図においてDEは誘電体、
CLは結合ループ、CSはケースを示す。この系に
おいて周波数安定度の高い発振器とするには発振
周波数を決定する帰還回路のＱが高く安定でなけ
ればならない。また温度変化による誘電体フイル
タの共振周波数変化の少ないことが要求される。
第１図において誘電体フイルタの出力が印加され
る増幅器整合回路の前段にアイソレータISLを設
けて負荷変化の影響を改善し、また発振周波数を
可変にすることを意図しているから、移相器PHS
を必要とし、そのためインピーダンス変化の少な
いものを使用する。マイクロ波帯で使用する移相
器の例を第２図に示すと、セラミツク基板CRB
上に設けた入出力回路用ストリツプ線路SRLと、
外付基板OCB上に設けた可変長ストリツプライ
ンVLSを接続している。可変長ストリツプライン
VLSとして種々の長さの基板を用意しておき所望
のものと取換えて接続使用する。位相はストリツ
プラインの長さにより所望の値に調整され、スト
リツプラインの長さを調整したとこ特性インピー
ダンスは殆んど変化しないため、発振器の特性は
良好である。しかし移相器の基板として所定周波
数のものと数多く取揃えておくことが必要であ
り、発振周波数の微細な調整、回路素子のばらつ
きの調整を必要とするときは基板を更に多数用意
するため高価となり取扱いが不便であつた。
開発が進み、誘電体フイルタ使用の帰還型発振器
として第１図に示す構成が公知である。トランジ
スタTRのような増幅素子の入力電力Piは増幅利
得ＧによりGPiとなり、誘電体フイルタDEF、ア
イソレータISL１、移相器PHS、アイソレータ
ISL２を経て帰還される電力をPfとすると、整合
回路MTH、ハイブリツド回路HYBの損失を無視
して出力端子OUTの出力Poは Ｇ（Pi＋Pf）＝Po となる。PiとPfを同相とし、誘電体フイルタを含
む帰還回路の帰還量をβとすればPf／PiがＧβで
あるからＧβ１のときこの系は発振する。発振
周波数は誘電体フイルタDEFにおいて選択され
た周波数である。第１図においてDEは誘電体、
CLは結合ループ、CSはケースを示す。この系に
おいて周波数安定度の高い発振器とするには発振
周波数を決定する帰還回路のＱが高く安定でなけ
ればならない。また温度変化による誘電体フイル
タの共振周波数変化の少ないことが要求される。
第１図において誘電体フイルタの出力が印加され
る増幅器整合回路の前段にアイソレータISLを設
けて負荷変化の影響を改善し、また発振周波数を
可変にすることを意図しているから、移相器PHS
を必要とし、そのためインピーダンス変化の少な
いものを使用する。マイクロ波帯で使用する移相
器の例を第２図に示すと、セラミツク基板CRB
上に設けた入出力回路用ストリツプ線路SRLと、
外付基板OCB上に設けた可変長ストリツプライ
ンVLSを接続している。可変長ストリツプライン
VLSとして種々の長さの基板を用意しておき所望
のものと取換えて接続使用する。位相はストリツ
プラインの長さにより所望の値に調整され、スト
リツプラインの長さを調整したとこ特性インピー
ダンスは殆んど変化しないため、発振器の特性は
良好である。しかし移相器の基板として所定周波
数のものと数多く取揃えておくことが必要であ
り、発振周波数の微細な調整、回路素子のばらつ
きの調整を必要とするときは基板を更に多数用意
するため高価となり取扱いが不便であつた。
本発明の目的は前述の穴点を改善し簡易な構成
により位相調整を容易にした移相器を設けた高周
波発振器を提供することにある。
により位相調整を容易にした移相器を設けた高周
波発振器を提供することにある。
以下図面に示す本発明の実施例について説明す
る。第３図は誘電体フイルタ附近を上面図で、他
をブロツクで示す構成図であり、ANTは結合用
アンテナを示し、誘電体フイルタを形成する誘電
体素子DEと所定の間隔ｄを保ち略λ／２の長さ
を有している。誘電体フイルタDEFはTE01δと
いう基本モードの共振器としての動作していて、
電界は高さの低い円柱状誘電体内に蓄積され、外
部には殆んど漏れていない（第４図参照）。磁界
（Ｈ）は円柱状誘電体の外周面で最大値を示して
いるから、前記結合アンテナANTとは磁界結合
をしている。そしてアンテナANTの先端が開放
されているから先端よりλ／４と３λ／４の点が
結合点となるのでλ／４の点においてのみ結合す
るようにアンテナ長さを略λ／２と選定する。こ
の選定はフイルタとしての通過損失（帰還量）、
帯域幅に影響を与えないためである。したがつて
アンテナの先端Ｔ１，Ｔ２の位置は帰還信号の位
相を調整するときに移動させられ、そのため磁界
結合する位置を変化するが、誘電体DEとの間隔
は変らないため、信号結合量は変化せず、帰還量
が一定で且つ広範囲の位相調整が可能である。ア
ンテナの長さの調整は切断或いはポンデイングの
手段により可能である。誘電体フイルタDEFは
中心周波数０以外の周波数に対し大きな減衰を
与え、所謂負荷Ｑが大きいことが特徴である。負
荷ＱをＱLとしておくと ＱL＝２−１／０ であつて、１，２は中心周波数０より3dB
損失が大となつたときの上、下に離れた周波数を
いう。そして１，２の周波数における位相は
０と比較し45度ずれているから、ＱLが大きい
こと即ち１，２が０と近接した周波数とな
つていて、周波数変化に対する位相の変化が極め
て大きいことを示している。そのため本発明にお
いて所望の位相調整を行なつたときも、中心周波
数の変化は僅少であつて、発振器として安定であ
る。勿論発振器の発振周波数を変更するときは結
合アンテナの長さを大きく変える必要がある。
る。第３図は誘電体フイルタ附近を上面図で、他
をブロツクで示す構成図であり、ANTは結合用
アンテナを示し、誘電体フイルタを形成する誘電
体素子DEと所定の間隔ｄを保ち略λ／２の長さ
を有している。誘電体フイルタDEFはTE01δと
いう基本モードの共振器としての動作していて、
電界は高さの低い円柱状誘電体内に蓄積され、外
部には殆んど漏れていない（第４図参照）。磁界
（Ｈ）は円柱状誘電体の外周面で最大値を示して
いるから、前記結合アンテナANTとは磁界結合
をしている。そしてアンテナANTの先端が開放
されているから先端よりλ／４と３λ／４の点が
結合点となるのでλ／４の点においてのみ結合す
るようにアンテナ長さを略λ／２と選定する。こ
の選定はフイルタとしての通過損失（帰還量）、
帯域幅に影響を与えないためである。したがつて
アンテナの先端Ｔ１，Ｔ２の位置は帰還信号の位
相を調整するときに移動させられ、そのため磁界
結合する位置を変化するが、誘電体DEとの間隔
は変らないため、信号結合量は変化せず、帰還量
が一定で且つ広範囲の位相調整が可能である。ア
ンテナの長さの調整は切断或いはポンデイングの
手段により可能である。誘電体フイルタDEFは
中心周波数０以外の周波数に対し大きな減衰を
与え、所謂負荷Ｑが大きいことが特徴である。負
荷ＱをＱLとしておくと ＱL＝２−１／０ であつて、１，２は中心周波数０より3dB
損失が大となつたときの上、下に離れた周波数を
いう。そして１，２の周波数における位相は
０と比較し45度ずれているから、ＱLが大きい
こと即ち１，２が０と近接した周波数とな
つていて、周波数変化に対する位相の変化が極め
て大きいことを示している。そのため本発明にお
いて所望の位相調整を行なつたときも、中心周波
数の変化は僅少であつて、発振器として安定であ
る。勿論発振器の発振周波数を変更するときは結
合アンテナの長さを大きく変える必要がある。
このようにして本発明によると帰還発振器にお
いて発振条件の一つを決定する位相調整機構が簡
易な結合用アンテナですみ、その長さを可変とす
ることで良いからアイソレータを必要とせず安価
な発振器が得られる。また発振器の温度特性を変
化させる要素が減少しているから、温度変化に対
し従来よりも安定化される等の効果を有する。
いて発振条件の一つを決定する位相調整機構が簡
易な結合用アンテナですみ、その長さを可変とす
ることで良いからアイソレータを必要とせず安価
な発振器が得られる。また発振器の温度特性を変
化させる要素が減少しているから、温度変化に対
し従来よりも安定化される等の効果を有する。
第１図は従来の帰還型発振器の構成図、第２図
は第１図中の移相器PHSの構成例を示す図、第３
図は本発明の実施例の構成を示す図、第４図は誘
電体フイルタにおける電界・磁界分布を示す図で
ある。 TR……トランジスタ、HYB……ハイブリツド
回路、DEF……誘電体フイルタ、DE……誘電
体、ANT……結合アンテナ、PHS……移相器。
は第１図中の移相器PHSの構成例を示す図、第３
図は本発明の実施例の構成を示す図、第４図は誘
電体フイルタにおける電界・磁界分布を示す図で
ある。 TR……トランジスタ、HYB……ハイブリツド
回路、DEF……誘電体フイルタ、DE……誘電
体、ANT……結合アンテナ、PHS……移相器。
Claims (1)
- １ 誘電体フイルタを帰還回路に挿入した高周波
発振器において、誘電体フイルタを形成する誘電
体の外周に沿い一定間隔をもつて結合用アンテナ
を配設し、該結合用アンテナの長さを可変とした
ことを特徴とする高周波発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8371780A JPS5710505A (en) | 1980-06-20 | 1980-06-20 | High frequency oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8371780A JPS5710505A (en) | 1980-06-20 | 1980-06-20 | High frequency oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5710505A JPS5710505A (en) | 1982-01-20 |
| JPS6120165B2 true JPS6120165B2 (ja) | 1986-05-21 |
Family
ID=13810254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8371780A Granted JPS5710505A (en) | 1980-06-20 | 1980-06-20 | High frequency oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5710505A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188906A (ja) * | 1982-04-27 | 1983-11-04 | Nec Corp | 誘電体共振器付の発振器 |
| JPH01221002A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Nec Corp | マイクロ波集積回路 |
| DE69904607T2 (de) * | 1998-06-16 | 2003-10-09 | Microwave Solutions Ltd., Borehamwood | Oszillatorschaltung |
-
1980
- 1980-06-20 JP JP8371780A patent/JPS5710505A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5710505A (en) | 1982-01-20 |
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