JPS6120107B2 - - Google Patents
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- JPS6120107B2 JPS6120107B2 JP51059753A JP5975376A JPS6120107B2 JP S6120107 B2 JPS6120107 B2 JP S6120107B2 JP 51059753 A JP51059753 A JP 51059753A JP 5975376 A JP5975376 A JP 5975376A JP S6120107 B2 JPS6120107 B2 JP S6120107B2
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
従来の平面形表示装置としては、例えば陰極線
表示管、放電表示管又は液晶表示管等が提案され
ている。これらの表示装置は主に多桁数字表示用
として実用化されているが、しかし表示素子数を
さらに多くした２次元情報表示装置（例えばカラ
ーテレビ画像を表示する所謂テレビデイスプレイ
など）として用いるには未だ実用的でない。
表示管、放電表示管又は液晶表示管等が提案され
ている。これらの表示装置は主に多桁数字表示用
として実用化されているが、しかし表示素子数を
さらに多くした２次元情報表示装置（例えばカラ
ーテレビ画像を表示する所謂テレビデイスプレイ
など）として用いるには未だ実用的でない。
本発明は、特に所要時間にわたつて発光が持続
され、上記２次元情報表示装置などの実用化をも
可能にした表示装置即ち螢光表示装置を提供する
ものである。
され、上記２次元情報表示装置などの実用化をも
可能にした表示装置即ち螢光表示装置を提供する
ものである。
以下、図面を参照して本発明による表示装置の
一例をXYマトリツクス表示装置に適用した場合
につき説明しよう。
一例をXYマトリツクス表示装置に適用した場合
につき説明しよう。
本発明に於ては、第１図及び第２図に示すよう
に絶縁基板例えばサフアイヤ基板１を設け、この
基板１の一面上に直接複数の半導体スイツチング
素子、例えば絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
（以下MOSトランジスタと称する）２を形成す
る。この場合、複数のMOSトランジスタ２は互
いに所定間隔を置いて行方向及び列方向に沿つて
所謂マトリツクス状に配置する。そして、各
MOSトランジスタ２の一の電極、例えば本例で
はドレイン電極を基板１上に延長し、その各延長
部３上に後述するコンデンサを介して螢光物質例
えばZnO４を被着して複数の表示部５を構成す
る。基板１上にはマトリツクス状に配した表示部
５の各行に対応して複数の行電極Ｘ〔X1，X2，
X3，X4，X5〕を被着形成すると共に、表示部５の
各列に対応して複数の列電極Ｙ〔Y1，Y2，Y3，
Y4，Y5，Y6〕を被着形成する。そして各行電極Ｘ
に夫々之と対応する行の各MOSトランジスタ２
のゲート電極を共通接続し、また各列電極Ｙに
夫々之と対応する列の各MOSトランジスタ２の
ソース電極を共通接続する。一方、マトリツクス
状に配した表示部５の上方には之と対向するよう
に各行毎に熱電子放出手段即ちフイラメント６を
架張する。そして、このフイラメント６及び表示
部５等を覆うように基板１上に透明ガラス板７を
配し、透明ガラス板７及び基板１をその周辺部に
おいて気密封止し、内部空間を真空排気する。な
お、基板１上の各行電極Ｘ及び各列電極Ｙの端子
は外部に導出するようになす。
に絶縁基板例えばサフアイヤ基板１を設け、この
基板１の一面上に直接複数の半導体スイツチング
素子、例えば絶縁ゲート形電界効果トランジスタ
（以下MOSトランジスタと称する）２を形成す
る。この場合、複数のMOSトランジスタ２は互
いに所定間隔を置いて行方向及び列方向に沿つて
所謂マトリツクス状に配置する。そして、各
MOSトランジスタ２の一の電極、例えば本例で
はドレイン電極を基板１上に延長し、その各延長
部３上に後述するコンデンサを介して螢光物質例
えばZnO４を被着して複数の表示部５を構成す
る。基板１上にはマトリツクス状に配した表示部
５の各行に対応して複数の行電極Ｘ〔X1，X2，
X3，X4，X5〕を被着形成すると共に、表示部５の
各列に対応して複数の列電極Ｙ〔Y1，Y2，Y3，
Y4，Y5，Y6〕を被着形成する。そして各行電極Ｘ
に夫々之と対応する行の各MOSトランジスタ２
のゲート電極を共通接続し、また各列電極Ｙに
夫々之と対応する列の各MOSトランジスタ２の
ソース電極を共通接続する。一方、マトリツクス
状に配した表示部５の上方には之と対向するよう
に各行毎に熱電子放出手段即ちフイラメント６を
架張する。そして、このフイラメント６及び表示
部５等を覆うように基板１上に透明ガラス板７を
配し、透明ガラス板７及び基板１をその周辺部に
おいて気密封止し、内部空間を真空排気する。な
お、基板１上の各行電極Ｘ及び各列電極Ｙの端子
は外部に導出するようになす。
ここで上記のMOSトランジスタ２及び之に連
続せる表示部５は具体的に例えば第３図に示す如
き構成がき考えられる。即ち、これはサフアイヤ
基板１上にはエピタキシヤル成長法によつて第１
導電形例えばＮ形のシリコン半導体層８を形成し
て後、半導体層８を選択エツチングして各MOS
トランジスタ２に対応する部分の半導体層８を残
す。この残つた各半導体層８に対して夫々第２導
電形即ちＰ形の不純物を選択的に拡散してソース
領域９及びドレイン領域１０を形成する。次いで
ソース領域９及びドレイン領域１０間のＮ形半導
体層８上にゲート絶縁層１１を形成して後、ゲー
ト絶縁層１１上にゲート電極Ｇを形成し、又ソー
ス領域９及びドレイン領域１０に夫々ソース電極
Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成し例えばＰチヤンネ
ルMOSトランジスタ２を構成する。そして、こ
のMOSトランジスタ２のドレイン電極Ｄの一部
をさらに基板１上に延長して形成し、この延長部
３上に螢光物質４を形成して表示部５を構成する
ようになす。なお、１２はSiO2より成る絶縁保
護膜である。又、行電極Ｘ、列電極Ｙ、ゲート電
極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、延長電極
３の形成及びその必要とする相互間の接続はＡ
蒸着により同時形成できる。
続せる表示部５は具体的に例えば第３図に示す如
き構成がき考えられる。即ち、これはサフアイヤ
基板１上にはエピタキシヤル成長法によつて第１
導電形例えばＮ形のシリコン半導体層８を形成し
て後、半導体層８を選択エツチングして各MOS
トランジスタ２に対応する部分の半導体層８を残
す。この残つた各半導体層８に対して夫々第２導
電形即ちＰ形の不純物を選択的に拡散してソース
領域９及びドレイン領域１０を形成する。次いで
ソース領域９及びドレイン領域１０間のＮ形半導
体層８上にゲート絶縁層１１を形成して後、ゲー
ト絶縁層１１上にゲート電極Ｇを形成し、又ソー
ス領域９及びドレイン領域１０に夫々ソース電極
Ｓ及びドレイン電極Ｄを形成し例えばＰチヤンネ
ルMOSトランジスタ２を構成する。そして、こ
のMOSトランジスタ２のドレイン電極Ｄの一部
をさらに基板１上に延長して形成し、この延長部
３上に螢光物質４を形成して表示部５を構成する
ようになす。なお、１２はSiO2より成る絶縁保
護膜である。又、行電極Ｘ、列電極Ｙ、ゲート電
極Ｇ、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、延長電極
３の形成及びその必要とする相互間の接続はＡ
蒸着により同時形成できる。
上述せる構成の動作を説明する。
第１図に於て、その各MOSトランジスタ２の
ソース電極の接続された列電極Ｙにアノード電
圧、例えば30V程度の電圧を与えると共に、MOS
トランジスタ２のゲート電極が接続された行電極
ＸにMOSトランジスタ２をオンせしめる電圧、
例えば第３図のＰチヤンネルMOSトランジスタ
の場合には零電圧若しくは負電圧を与えると、
MOSトランジスタ２のソース及びドレイン間が
導通し、そのドレイン電極の延長部３にアノード
電圧が与えられる。これによつてフイラメント６
から熱電子１３（第３図参照）がアノード電圧の
与えられたドレイン電極の延長部３上の螢光物質
４に当り、之が励起発光される。従つて複数の行
電極Ｘ及び列電極Ｙに対して布々選択的に上述の
如き所定電圧を与えるようになせば、その選択さ
れた行電極Ｘと列電極Ｙに接続せるMOSトラン
ジスタ２の表示部５が励起発光し所望の表示が得
られる。
ソース電極の接続された列電極Ｙにアノード電
圧、例えば30V程度の電圧を与えると共に、MOS
トランジスタ２のゲート電極が接続された行電極
ＸにMOSトランジスタ２をオンせしめる電圧、
例えば第３図のＰチヤンネルMOSトランジスタ
の場合には零電圧若しくは負電圧を与えると、
MOSトランジスタ２のソース及びドレイン間が
導通し、そのドレイン電極の延長部３にアノード
電圧が与えられる。これによつてフイラメント６
から熱電子１３（第３図参照）がアノード電圧の
与えられたドレイン電極の延長部３上の螢光物質
４に当り、之が励起発光される。従つて複数の行
電極Ｘ及び列電極Ｙに対して布々選択的に上述の
如き所定電圧を与えるようになせば、その選択さ
れた行電極Ｘと列電極Ｙに接続せるMOSトラン
ジスタ２の表示部５が励起発光し所望の表示が得
られる。
而して、かかる表示装置は、例えばカラーテレ
ビ画像を表示する所謂テレビデイスプレイに応用
できる。すなわち、この場合には表示部５をテレ
ビ画像の絵素数に対応して設け、その表示部５の
螢光物質４をその列毎に順次赤、緑及び青に塗り
分ける。そして、各行電極Ｘ〔X1〜Ｘo〕に対し
て順次１水平期間に同期してMOSトランジスタ
２のゲートをオンせしめる電圧を与えると共に、
その期間に各列電極Ｙ〔Y1〜Ｙo〕に対してビデ
オ信号をそのレベルに応じたパルス電圧として順
次印加するようになせば、所望のカラーテレビ画
像が得られる。ここで、各表示部５於ては１フレ
ーム周期の間その発光が持続される必要がある。
即ち、上記の駆動方式に於ては、列電極Ｙにビデ
オ信号に応じたパルス電圧を印加したときに、そ
のパルス電圧の印加時間よりも長い時間に亘つて
表示部５の螢光物質４にアノード電圧が印加され
る必要がある。
ビ画像を表示する所謂テレビデイスプレイに応用
できる。すなわち、この場合には表示部５をテレ
ビ画像の絵素数に対応して設け、その表示部５の
螢光物質４をその列毎に順次赤、緑及び青に塗り
分ける。そして、各行電極Ｘ〔X1〜Ｘo〕に対し
て順次１水平期間に同期してMOSトランジスタ
２のゲートをオンせしめる電圧を与えると共に、
その期間に各列電極Ｙ〔Y1〜Ｙo〕に対してビデ
オ信号をそのレベルに応じたパルス電圧として順
次印加するようになせば、所望のカラーテレビ画
像が得られる。ここで、各表示部５於ては１フレ
ーム周期の間その発光が持続される必要がある。
即ち、上記の駆動方式に於ては、列電極Ｙにビデ
オ信号に応じたパルス電圧を印加したときに、そ
のパルス電圧の印加時間よりも長い時間に亘つて
表示部５の螢光物質４にアノード電圧が印加され
る必要がある。
この為に、本発明では特に表示部５として第４
図に示すように基板１上に延長して形成したドレ
イン電極Ｄの延長部３上にさらに誘導体１４及び
電極層１５を形成し、この電極層１５上に螢光物
質４を被着して構成するようになす。即ち、この
場合、延長部３と誘電体１４と電極層１５とによ
つてコンデンサを構成しこのコンデンサを介して
表示部５とドレイン電極Ｄとを接続するように構
成する。このような表示部５によれば、行電極Ｘ
をしてゲートがオンされている状態で列電極Ｙに
ビデオ信号に応じたパルス電圧が印加されるとド
レイン電極を通してコンデンサがチヤージされ、
このコンデンサより螢光物質４に連続して電圧が
印加され長時間発光が可能となる。
図に示すように基板１上に延長して形成したドレ
イン電極Ｄの延長部３上にさらに誘導体１４及び
電極層１５を形成し、この電極層１５上に螢光物
質４を被着して構成するようになす。即ち、この
場合、延長部３と誘電体１４と電極層１５とによ
つてコンデンサを構成しこのコンデンサを介して
表示部５とドレイン電極Ｄとを接続するように構
成する。このような表示部５によれば、行電極Ｘ
をしてゲートがオンされている状態で列電極Ｙに
ビデオ信号に応じたパルス電圧が印加されるとド
レイン電極を通してコンデンサがチヤージされ、
このコンデンサより螢光物質４に連続して電圧が
印加され長時間発光が可能となる。
第５図は本発明の他の例であり、これは陰極線
励起に代えて電離イオンによつて表示部の螢光物
質を励起発光せしめて表示するようにした場合で
ある。
励起に代えて電離イオンによつて表示部の螢光物
質を励起発光せしめて表示するようにした場合で
ある。
即ち、第５図においては前面に透明窓１６を有
して成る気密容器１７を設け、この容器１７内に
例えばヘリウムガスを封入すると共に、第１図で
示した如きサフアイヤ基板１上に複数のMOSト
ランジスタ２及び第４図の構成を採る表示部５が
配列形成され、各MOSトランジスタ２のソース
電極Ｓ及びゲート電極Ｇが夫々対応する列電極Ｙ
及び行電極Ｘに接続されて成る表示基板１８を配
置する。又、表示基板１８の裏面に電極層１９を
被着形成し、この電極層１９と対をなす電極板２
０を容器１７内に配置する。このような構成にお
いては、電極層１９を負極とする如く電極層１９
及び電極板２０間に所定電圧を印加し容器１７内
に電離イオン２１を発生せしめて置く。この状態
で各行電極Ｘ及び各列電極Ｙに対して選択的に所
定電位を与えれば、その選択された表示部５の螢
光物質４が電離イオンによつて励起発光され表示
される。なお電極層１９及び電極板２０間に所定
電圧が印加されることにより負極の電極層１９近
傍にはグロー放電が生じるも、このグロー放電は
基体１８の裏面であるので窓１６側から観取され
ず、螢光表示に影響を与えない。
して成る気密容器１７を設け、この容器１７内に
例えばヘリウムガスを封入すると共に、第１図で
示した如きサフアイヤ基板１上に複数のMOSト
ランジスタ２及び第４図の構成を採る表示部５が
配列形成され、各MOSトランジスタ２のソース
電極Ｓ及びゲート電極Ｇが夫々対応する列電極Ｙ
及び行電極Ｘに接続されて成る表示基板１８を配
置する。又、表示基板１８の裏面に電極層１９を
被着形成し、この電極層１９と対をなす電極板２
０を容器１７内に配置する。このような構成にお
いては、電極層１９を負極とする如く電極層１９
及び電極板２０間に所定電圧を印加し容器１７内
に電離イオン２１を発生せしめて置く。この状態
で各行電極Ｘ及び各列電極Ｙに対して選択的に所
定電位を与えれば、その選択された表示部５の螢
光物質４が電離イオンによつて励起発光され表示
される。なお電極層１９及び電極板２０間に所定
電圧が印加されることにより負極の電極層１９近
傍にはグロー放電が生じるも、このグロー放電は
基体１８の裏面であるので窓１６側から観取され
ず、螢光表示に影響を与えない。
尚、上例の第２図及び第５図に於ては半導体ス
イツチング素子２としてMOSトランジスタを用
いたが、大きな耐圧を得るためには例えばバイボ
ーラトランジスタを用いることもできる。この場
合には例えばコレクタ電極を延長しその延長部上
にコンデンサを介して螢光物質４を被着して表示
部５を構成するようになし、エミツタ電極及びベ
ース電極に選択的に所定電圧を与えるようにな
す。
イツチング素子２としてMOSトランジスタを用
いたが、大きな耐圧を得るためには例えばバイボ
ーラトランジスタを用いることもできる。この場
合には例えばコレクタ電極を延長しその延長部上
にコンデンサを介して螢光物質４を被着して表示
部５を構成するようになし、エミツタ電極及びベ
ース電極に選択的に所定電圧を与えるようにな
す。
又、上例では本発明をXYマトリツクス表示装
置に適用したが、その他多桁数字表示装置等一般
の表示装置にも適用できる。
置に適用したが、その他多桁数字表示装置等一般
の表示装置にも適用できる。
上述せる如く本発明によれば、絶縁基板１上に
半導体製造技術を用いて半導体スイツチング素子
２を形成しその一の電極上の延長部上にコンデン
サを形成し、このコンデンサの他の電極１５上に
螢光表示部５を形成し、素子２のスイツチングに
よつて選択的に表示部５を励起発光せしめるよう
に構成したので、多数の表示部が容易且つ高密度
に形成でき、且つ表示動作が確実となると共に発
光時間を長くすることができる。
半導体製造技術を用いて半導体スイツチング素子
２を形成しその一の電極上の延長部上にコンデン
サを形成し、このコンデンサの他の電極１５上に
螢光表示部５を形成し、素子２のスイツチングに
よつて選択的に表示部５を励起発光せしめるよう
に構成したので、多数の表示部が容易且つ高密度
に形成でき、且つ表示動作が確実となると共に発
光時間を長くすることができる。
従つて極薄、超小形の自発光表示装置が容易に
得られ、例えばカラーテレビデイスプレイ等の如
き２次元情報表示装置の実用化を可能ならしめ得
る。
得られ、例えばカラーテレビデイスプレイ等の如
き２次元情報表示装置の実用化を可能ならしめ得
る。
第１図は本発明による表示装置の表示部の一例
を模式的に表わした平面図、第２図はその表示装
置の断面図、第３図は本発明の説明に供する表示
部の参考例を示す拡大断面図、第４図は本発明に
適用される表示部の拡大断面図、第５図は本発明
の他の例を示す表示装置の断面図である。 １は絶縁基板、２は半導体スイツチング素子、
３は素子の一の電極の延長部、４は螢光物質、５
は表示部、６はフイラメントである。
を模式的に表わした平面図、第２図はその表示装
置の断面図、第３図は本発明の説明に供する表示
部の参考例を示す拡大断面図、第４図は本発明に
適用される表示部の拡大断面図、第５図は本発明
の他の例を示す表示装置の断面図である。 １は絶縁基板、２は半導体スイツチング素子、
３は素子の一の電極の延長部、４は螢光物質、５
は表示部、６はフイラメントである。
Claims (1)
- １ 基板上に形成された半導体スイツチング素子
の一の電極の延長部上にコンデンサを形成し、該
コンデンサ上には螢光物質が被着されて成り、上
記半導体スイツチング素子の導通によつて上記コ
ンデンサに充電された電圧を上記螢光物質に印加
した状態で該螢光物質を励起発光させることを特
徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5975376A JPS52142990A (en) | 1976-05-24 | 1976-05-24 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5975376A JPS52142990A (en) | 1976-05-24 | 1976-05-24 | Display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS52142990A JPS52142990A (en) | 1977-11-29 |
| JPS6120107B2 true JPS6120107B2 (ja) | 1986-05-20 |
Family
ID=13122316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5975376A Granted JPS52142990A (en) | 1976-05-24 | 1976-05-24 | Display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS52142990A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62130602A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | ヤンマーディーゼル株式会社 | 作業機の傾斜制御装置 |
| JPS62136105U (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | ||
| JPS6322101A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-29 | 株式会社クボタ | 耕耘機 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55105938A (en) * | 1979-02-09 | 1980-08-14 | Hitachi Ltd | Display device equipped with ic |
| JPS5818738B2 (ja) * | 1980-02-07 | 1983-04-14 | 伊勢電子工業株式会社 | 陰極線表示パネル |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106269A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-06 | Ise Electronics Corp | Fluorescent display tube |
-
1976
- 1976-05-24 JP JP5975376A patent/JPS52142990A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52106269A (en) * | 1976-03-04 | 1977-09-06 | Ise Electronics Corp | Fluorescent display tube |
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|---|---|---|---|---|
| JPS62130602A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | ヤンマーディーゼル株式会社 | 作業機の傾斜制御装置 |
| JPS62136105U (ja) * | 1986-02-24 | 1987-08-27 | ||
| JPS6322101A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-29 | 株式会社クボタ | 耕耘機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS52142990A (en) | 1977-11-29 |
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