JPS61198615A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPS61198615A JPS61198615A JP60038132A JP3813285A JPS61198615A JP S61198615 A JPS61198615 A JP S61198615A JP 60038132 A JP60038132 A JP 60038132A JP 3813285 A JP3813285 A JP 3813285A JP S61198615 A JPS61198615 A JP S61198615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mercury
- capacitor
- capacitance
- dielectric
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Valve Device For Special Equipments (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は磁器ｔｆｉ電体をｍいたコンデンサに係わる。
［在来技術と問題点］
磁器誘電体、例えばチタン酸バリウムよりなる誘電体の
両面に銀を焼付けたり、蒸若したりしたコンデンサは広
く知られている。このようなコンデンサでは電極面積が
一定であるから、誘電体の静電容量に負の温度特性があ
る場合、コンデンサとしても負の温度特性が現われる。
両面に銀を焼付けたり、蒸若したりしたコンデンサは広
く知られている。このようなコンデンサでは電極面積が
一定であるから、誘電体の静電容量に負の温度特性があ
る場合、コンデンサとしても負の温度特性が現われる。
磁器誘電体を用いたコンデンサ静電容量の温度特性の一
例を第３図に示す、なお図は２０”Ｃの静電容量を１０
０％として表示しである。この場合、静電容量変化率Δ
Ｃ＝ ０．２％／ ’Ｃである。
例を第３図に示す、なお図は２０”Ｃの静電容量を１０
０％として表示しである。この場合、静電容量変化率Δ
Ｃ＝ ０．２％／ ’Ｃである。
ところで、このような誘電体によるものをフィルタ用コ
ンデンサとして使用すれば、温度によって静電容量が変
化し、共振周波数がずれるので不都合である。
ンデンサとして使用すれば、温度によって静電容量が変
化し、共振周波数がずれるので不都合である。
［問題を解決するための手段］
本発明は誘電体静電容量の温度特性が負である磁器誘電
体の電極として体積膨張率が正である水銀を使って、静
電容量の温度特性を改善しようとするものである。
体の電極として体積膨張率が正である水銀を使って、静
電容量の温度特性を改善しようとするものである。
以下図面に示す実施例により本発明を説明する。
第１図（イ）は側断面図であり、（すは正面図である。
図において、１は負の静電容量温度特性を有する、例え
ばチタン酸バリウム等よりなる平板状のＭｉ磁器誘電体
あり、２は水銀３を封入するガラスケースで、４は水銀
溜部であり、４′は水銀溜部４よりせまい水銀昇降部で
ある。６はベースとなる銀焼付電極で、各々の電極６か
らリード線５で外部に引出される。
ばチタン酸バリウム等よりなる平板状のＭｉ磁器誘電体
あり、２は水銀３を封入するガラスケースで、４は水銀
溜部であり、４′は水銀溜部４よりせまい水銀昇降部で
ある。６はベースとなる銀焼付電極で、各々の電極６か
らリード線５で外部に引出される。
下ひろがりのブックケース状のガラスケース２に、両側
表面にベースとなる鍋焼付電極６を形成し、リード！１
５を取付けて挿入する。リード線５の先端を予め水銀溜
部４の両側面に設けた孔に通し、封着する。
表面にベースとなる鍋焼付電極６を形成し、リード！１
５を取付けて挿入する。リード線５の先端を予め水銀溜
部４の両側面に設けた孔に通し、封着する。
ガラスケース２に磁器誘電体１ノ１１接する両側面およ
び底面は、後に水銀３を充填した場合、水銀３の漏洩を
阻止し、十分両電極間の課電に耐えるような絶縁手段で
分離され、電極６の上端は水銀昇降部４′の位置にある
ものとする。
び底面は、後に水銀３を充填した場合、水銀３の漏洩を
阻止し、十分両電極間の課電に耐えるような絶縁手段で
分離され、電極６の上端は水銀昇降部４′の位置にある
ものとする。
このようにガラスケース２に鍋焼付電極６を両面に備え
るコンデンサを挿入し、それぞれ前記両電極６とガラス
ケース２の作る、それぞれ分離された空間、つまり、ガ
ラスケース２に作られたそれぞれの下方ふくらみの水銀
溜部４に水銀３が充填され、そのレベルはそれぞれの銀
焼付は電極６の上端を越えて、水銀３が直接磁器誘電体
１と接する水銀昇降部４′の位置に達している。
るコンデンサを挿入し、それぞれ前記両電極６とガラス
ケース２の作る、それぞれ分離された空間、つまり、ガ
ラスケース２に作られたそれぞれの下方ふくらみの水銀
溜部４に水銀３が充填され、そのレベルはそれぞれの銀
焼付は電極６の上端を越えて、水銀３が直接磁器誘電体
１と接する水銀昇降部４′の位置に達している。
このコンデンサセは、水銀３が直接磁器誘電体ｌに接し
ている部分までがコンデンサ電極として作用する。
ている部分までがコンデンサ電極として作用する。
ここで、磁器誘電体の誘電率をε、厚さｄ、電極面積Ａ
の平板コンデンサの静電容量乞Ｃ＝ε、 Ａ／ｄとし、
ε、Ａが温度Ｔの関数であるとＮ Ｃ（Ｔ）＝ε（Ｔ）
、Ａ（Ｔ）／ｄとなる。また、Ａ（Ｔ） ： Ａ＋ （
１＋ ｋβＴ）ε（Ｔ）＝εａ（１−ΔＣＴ） 但し％ Ａ６１εｏ ： ２０℃のときのＡｓ εの値
に：水銀溜部と水銀昇降部の断面積 比 β：水銀の体積膨張率 である。
の平板コンデンサの静電容量乞Ｃ＝ε、 Ａ／ｄとし、
ε、Ａが温度Ｔの関数であるとＮ Ｃ（Ｔ）＝ε（Ｔ）
、Ａ（Ｔ）／ｄとなる。また、Ａ（Ｔ） ： Ａ＋ （
１＋ ｋβＴ）ε（Ｔ）＝εａ（１−ΔＣＴ） 但し％ Ａ６１εｏ ： ２０℃のときのＡｓ εの値
に：水銀溜部と水銀昇降部の断面積 比 β：水銀の体積膨張率 である。
理科年表によると水銀の体積膨張率β＝ ０．１８１Ｘ
ＩＧ−’／’Ｃ、 ΔＣ＝ Ｏ，ｌＸ １０’／’Ｃであるから、水銀膨張
分Δ４＝０．２％／℃となるように、水銀総量Ｖｏを選
ぶと、ｋ＝５．５となる。
ＩＧ−’／’Ｃ、 ΔＣ＝ Ｏ，ｌＸ １０’／’Ｃであるから、水銀膨張
分Δ４＝０．２％／℃となるように、水銀総量Ｖｏを選
ぶと、ｋ＝５．５となる。
今上述のように、水銀溜部と水銀昇降部との断面積比に
〜５．５とすると、その磁器コンデンサの静電容量温度
特性は第２図のように、０．４％／１００℃となって非
常に改善される。
〜５．５とすると、その磁器コンデンサの静電容量温度
特性は第２図のように、０．４％／１００℃となって非
常に改善される。
［効果コ
本発明によれば、水銀の温度上昇による膨張を電極面積
の拡張に用い、静電容量の温度特性が負である磁１Ｓ１
ｉ電体の誘電率静電容量減少を補うものであり、上述の
例のように、１００℃程度の使用においても、わずか０
．４％容量減とすることができ、従来の５〜１０％／
１００℃のものに比較すれば、すくができる。
の拡張に用い、静電容量の温度特性が負である磁１Ｓ１
ｉ電体の誘電率静電容量減少を補うものであり、上述の
例のように、１００℃程度の使用においても、わずか０
．４％容量減とすることができ、従来の５〜１０％／
１００℃のものに比較すれば、すくができる。
第１図に）は本発明実施例の側断面図、同（噂は正面図
を示す。 第２図は本発明実施によるコンデンサ静電容量の温度特
性の一例を示す。 第３図は従来の磁器誘電体コンデンサ静電容ｎの温度特
性の一例を示す。 １・・・磁器誘電体、２・・・ガラスケース、３・・・
水銀、４・・・水銀溜部、４’ ｗａ水銀昇降部、５・
・・リード線、６・・・鍋焼付電極。 箒１ 図 第２０ 逼凌（Ｃ０） 逼麿（Ｃ’）
を示す。 第２図は本発明実施によるコンデンサ静電容量の温度特
性の一例を示す。 第３図は従来の磁器誘電体コンデンサ静電容ｎの温度特
性の一例を示す。 １・・・磁器誘電体、２・・・ガラスケース、３・・・
水銀、４・・・水銀溜部、４’ ｗａ水銀昇降部、５・
・・リード線、６・・・鍋焼付電極。 箒１ 図 第２０ 逼凌（Ｃ０） 逼麿（Ｃ’）
Claims (1)
- （１）誘電体静電容量の温度特性が負である磁器誘電体
の電極として体積膨張率が正である水銀を用いて静電容
量の温度特性を補うことを特徴とするコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038132A JPS61198615A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038132A JPS61198615A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198615A true JPS61198615A (ja) | 1986-09-03 |
Family
ID=12516909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038132A Pending JPS61198615A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198615A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539267Y2 (ja) * | 1974-09-11 | 1978-03-10 | ||
| JPS5765370U (ja) * | 1980-10-07 | 1982-04-19 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60038132A patent/JPS61198615A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539267Y2 (ja) * | 1974-09-11 | 1978-03-10 | ||
| JPS5765370U (ja) * | 1980-10-07 | 1982-04-19 |
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