JPS61197495A - 結晶成長方法 - Google Patents
結晶成長方法Info
- Publication number
- JPS61197495A JPS61197495A JP3383785A JP3383785A JPS61197495A JP S61197495 A JPS61197495 A JP S61197495A JP 3383785 A JP3383785 A JP 3383785A JP 3383785 A JP3383785 A JP 3383785A JP S61197495 A JPS61197495 A JP S61197495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- compound
- hydroxy
- methoxybenzylidene
- seed crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は液晶の結晶化方法に関するものである。
（従来技術とその問題点ン
有機物結晶の作成方法として、気相からの結晶成長、溶
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶成長の３種のみ
が用いられてきた。（この３種の結晶成長方法について
は、丸善刊、新実験化学講座。第１巻、基本操作厘、
ｐｐ、６３９〜７５０．によくまとめられている。単
結晶を作成しようとする場合気相からの結晶成長には、
熱に対して弱い化合物に対しては適用することができな
いという問題点かあり、ブリッジマン法を用りる融解状
態からの結晶成長は温度制御を正確に行なわなければな
らないという困難さが伴なう。ま次溶液からの結晶成長
は、大きい単結晶を得るＫは、肥大成長に非常釦時間が
かかるという問題点があった。また溶解しにくい化合物
の結晶化に際しては、適当な溶媒の選択が難かしいとい
う点も問題であった。
液からの結晶成長、溶融状態からの結晶成長の３種のみ
が用いられてきた。（この３種の結晶成長方法について
は、丸善刊、新実験化学講座。第１巻、基本操作厘、
ｐｐ、６３９〜７５０．によくまとめられている。単
結晶を作成しようとする場合気相からの結晶成長には、
熱に対して弱い化合物に対しては適用することができな
いという問題点かあり、ブリッジマン法を用りる融解状
態からの結晶成長は温度制御を正確に行なわなければな
らないという困難さが伴なう。ま次溶液からの結晶成長
は、大きい単結晶を得るＫは、肥大成長に非常釦時間が
かかるという問題点があった。また溶解しにくい化合物
の結晶化に際しては、適当な溶媒の選択が難かしいとい
う点も問題であった。
（発明の目的）
本発明の目的は、液晶状態にある化合物から。
結晶を作成するという結晶成長方法ｔ−提供することに
ある。
ある。
（発明の構成ン
本発明によれば、過冷却状態にある液晶に同種あるいは
異種の化合物の鴇結晶を接触させてそこからエピタキシ
ャル成長させることを特徴とする結晶成長方法が得られ
る。
異種の化合物の鴇結晶を接触させてそこからエピタキシ
ャル成長させることを特徴とする結晶成長方法が得られ
る。
（実施例）
２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′−ブ
チルアニリ／（エタノールより再結晶した結晶が、ネマ
ティック相を示す温度範囲＝４４．５−６４．５℃、そ
れ以下では結晶、それ以上では等方性液体）、３ｍｌを
カバーグラス上で７０℃にまで加熱して等方性液体とし
たのち、約１℃／ｗ１の速度で４０℃まで冷却して、
過冷却ネマティック状態にした。
チルアニリ／（エタノールより再結晶した結晶が、ネマ
ティック相を示す温度範囲＝４４．５−６４．５℃、そ
れ以下では結晶、それ以上では等方性液体）、３ｍｌを
カバーグラス上で７０℃にまで加熱して等方性液体とし
たのち、約１℃／ｗ１の速度で４０℃まで冷却して、
過冷却ネマティック状態にした。
このネマティック状態に、同化合物の種結晶（エタノー
ルより再結晶し几もの）１片を静かに接触させることに
より、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４
′−ブチルアニリンは種結晶の周囲よりゆるやかに結晶
成長を始め、途中で成長方向を何度も変えながら結晶化
してｂき。
ルより再結晶し几もの）１片を静かに接触させることに
より、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４
′−ブチルアニリンは種結晶の周囲よりゆるやかに結晶
成長を始め、途中で成長方向を何度も変えながら結晶化
してｂき。
数分後には、全体が結晶化した。生成した結晶のネマテ
ィ、り相奢示す温度範囲は４４．５−６４．５℃であり
、結晶状態において３６５ｎｍの紫外光を照射するとケ
イ光を発した。この特性はエタノールから再結晶したも
のと全く一致する。
ィ、り相奢示す温度範囲は４４．５−６４．５℃であり
、結晶状態において３６５ｎｍの紫外光を照射するとケ
イ光を発した。この特性はエタノールから再結晶したも
のと全く一致する。
また同じ方法で２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリ
デン−４′−ブチルアニリンを加熱し几のち４０℃まで
冷却して過冷却ネマティック状態にした。このあと２−
ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′−ブロモ
アニリ／（融点１５２℃メタノールより再結晶したもの
）１片を異種の種結晶として静かに接触させ、０．５℃
／ｉ以下の速度で室ｍ（２３℃）まで徐冷したところ、
３３．５℃付近で種結晶の周囲よりゆるやかに２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′−ブチルア二
ＩＪンが結晶成長を始め、数分後には全体が結晶化した
。生成し次結晶のネマティック相を示す温度範囲は３６
．５−６４．５℃でちゃ、結晶状態で３６５ｎｍの紫外
光を照射してもケイ光を発しなかった。
デン−４′−ブチルアニリンを加熱し几のち４０℃まで
冷却して過冷却ネマティック状態にした。このあと２−
ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′−ブロモ
アニリ／（融点１５２℃メタノールより再結晶したもの
）１片を異種の種結晶として静かに接触させ、０．５℃
／ｉ以下の速度で室ｍ（２３℃）まで徐冷したところ、
３３．５℃付近で種結晶の周囲よりゆるやかに２−ヒド
ロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′−ブチルア二
ＩＪンが結晶成長を始め、数分後には全体が結晶化した
。生成し次結晶のネマティック相を示す温度範囲は３６
．５−６４．５℃でちゃ、結晶状態で３６５ｎｍの紫外
光を照射してもケイ光を発しなかった。
この照射時の特性は種結晶である２−ヒドロキシ−４−
メトキシベンジリデン−４′−ブロモアニリンと全く一
致する。
メトキシベンジリデン−４′−ブロモアニリンと全く一
致する。
以上２つの実験において、同じ化合物が結晶成長したの
に照射時にケイ光の有無がちり、それぞれ種結晶のそれ
と全く一致している。このことから過冷却状態にある液
晶は、同化合物（この場合２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンジリチン−４′−プチルアニリン）あるいは異種
化合物（この場合２−ヒドロキシ−４〜メトキシベンジ
リデン−４′−ブロモアニリン）の種結晶の構造を反映
してそのまわりに成長し念ものと考えられる。なぜなら
、コーエン（Ｃｏｈｅｎ）らの研究〔ジャーナル・オプ
・’Ｉ ミカｋ ・７ｆ：Ｉ−ティー 、 Ｊ、 Ｃｈ
ｅｍ、 Ｓｏｃ、。
に照射時にケイ光の有無がちり、それぞれ種結晶のそれ
と全く一致している。このことから過冷却状態にある液
晶は、同化合物（この場合２−ヒドロキシ−４−メトキ
シベンジリチン−４′−プチルアニリン）あるいは異種
化合物（この場合２−ヒドロキシ−４〜メトキシベンジ
リデン−４′−ブロモアニリン）の種結晶の構造を反映
してそのまわりに成長し念ものと考えられる。なぜなら
、コーエン（Ｃｏｈｅｎ）らの研究〔ジャーナル・オプ
・’Ｉ ミカｋ ・７ｆ：Ｉ−ティー 、 Ｊ、 Ｃｈ
ｅｍ、 Ｓｏｃ、。
１９６４年、 ２０４１ページ〕によって、２−ヒドロ
キシベンジリデンアニリン骨格を持つものの結晶のうち
、ケイ元金発するものは結晶が分子の平行配列にもとづ
くフェイス・トウｅフェイス型の密な構造となっており
、ケイ光を発しなｈものは、平行配列しておらず、ルー
ズな結晶構造となっていることが明らか処されているか
らである。ここでは、密な結晶構造を持つ種結晶からは
密な２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′
−ブチルアニリン結晶が、ルーズな結晶＊ａｉ持つ種結
晶からはルーズな結晶が成長しているＩことが明らかで
ある。
キシベンジリデンアニリン骨格を持つものの結晶のうち
、ケイ元金発するものは結晶が分子の平行配列にもとづ
くフェイス・トウｅフェイス型の密な構造となっており
、ケイ光を発しなｈものは、平行配列しておらず、ルー
ズな結晶構造となっていることが明らか処されているか
らである。ここでは、密な結晶構造を持つ種結晶からは
密な２−ヒドロキシ−４−メトキシベンジリデン−４′
−ブチルアニリン結晶が、ルーズな結晶＊ａｉ持つ種結
晶からはルーズな結晶が成長しているＩことが明らかで
ある。
（発明の効果）
本発明によって、液晶のエピタキシャル成長方法が得ら
れた。実施例にのべ之２種の結晶形の作りわけは、他の
結晶成長方法では行なえず、本方法でのみ可能であると
考えられる。
れた。実施例にのべ之２種の結晶形の作りわけは、他の
結晶成長方法では行なえず、本方法でのみ可能であると
考えられる。
Claims (1)
- 過冷却状態にある液晶に、同種あるいは異種の化合物の
種結晶を接触させてそこからエピタキシャル成長させる
ことを特徴とする結晶成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3383785A JPS61197495A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3383785A JPS61197495A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197495A true JPS61197495A (ja) | 1986-09-01 |
Family
ID=12397600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3383785A Pending JPS61197495A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197495A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07323968A (ja) * | 1995-06-16 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | エレベーターの案内装置 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3383785A patent/JPS61197495A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07323968A (ja) * | 1995-06-16 | 1995-12-12 | Hitachi Ltd | エレベーターの案内装置 |
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