JPS61193406A - 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造法 - Google Patents
非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造法Info
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- JPS61193406A JPS61193406A JP3293185A JP3293185A JPS61193406A JP S61193406 A JPS61193406 A JP S61193406A JP 3293185 A JP3293185 A JP 3293185A JP 3293185 A JP3293185 A JP 3293185A JP S61193406 A JPS61193406 A JP S61193406A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は非晶質で強磁性を有する酸化物薄膜およびその
製造法に係るものである。
製造法に係るものである。
（従来の技術）
従来より真空蒸着法による強磁性酸化物薄膜の作製は主
として次の２つの方法で行われている。
として次の２つの方法で行われている。
１つは磁性金属または合金を蒸着した後に空気中で約６
００°Ｃ以−トの温度に加熱して薄膜を酸化する方法で
ある。もう１つは真空へルジャー内が１Ｏ−２ｔｏｒ＋
程度の減圧中で金属を加熱蒸発させて基板上に強磁性酸
化物薄膜を堆積して作製する方法である。こうして作製
した薄膜は結晶粒界や亀裂、穴などの欠陥が多く、しか
も基板から剥離しやすい。
００°Ｃ以−トの温度に加熱して薄膜を酸化する方法で
ある。もう１つは真空へルジャー内が１Ｏ−２ｔｏｒ＋
程度の減圧中で金属を加熱蒸発させて基板上に強磁性酸
化物薄膜を堆積して作製する方法である。こうして作製
した薄膜は結晶粒界や亀裂、穴などの欠陥が多く、しか
も基板から剥離しやすい。
また、上述の製法で得られる薄膜はすべて多結晶体であ
るため、その結晶粒界や比較的多い欠陥が磁気光学材料
に用いる場合の重大な短所となっている。
るため、その結晶粒界や比較的多い欠陥が磁気光学材料
に用いる場合の重大な短所となっている。
、（発明が解決しようとする問題点）
前述の多結晶酸化物薄膜の短所を除去する目的で単結晶
酸化物薄膜を作製することが試められている。単結晶酸
化物薄膜には結晶粒界は存在しないが、多少の欠陥が存
在する場合が多い。しかも、この単結晶薄膜作製上の大
きな問題点は基板と単結晶薄膜のそれぞれの格子定数の
マツチングである。もし、両者の格子定数のマツチング
が許容値範囲を外れると、基板と単結晶薄膜との間に歪
が生じ、これが磁気ならびに光学的特性に様々な悪影響
を及ぼす。
酸化物薄膜を作製することが試められている。単結晶酸
化物薄膜には結晶粒界は存在しないが、多少の欠陥が存
在する場合が多い。しかも、この単結晶薄膜作製上の大
きな問題点は基板と単結晶薄膜のそれぞれの格子定数の
マツチングである。もし、両者の格子定数のマツチング
が許容値範囲を外れると、基板と単結晶薄膜との間に歪
が生じ、これが磁気ならびに光学的特性に様々な悪影響
を及ぼす。
、（問題点を解決しようとする手段）。
本発明は蒸着法によって作製された従来の薄膜がもつよ
うな欠点が少なく、かつ均一な品質の非晶質酸化物薄膜
を簡便に作製する方法に係る。
うな欠点が少なく、かつ均一な品質の非晶質酸化物薄膜
を簡便に作製する方法に係る。
すなわち、本発明の非晶質酸化物薄膜には結晶粒界が存
在せず、また単結晶のように品質の均一性が優れている
。さらに製造工程も比較的簡単であり、基板の材質の種
類を問題生しない利点がある。
在せず、また単結晶のように品質の均一性が優れている
。さらに製造工程も比較的簡単であり、基板の材質の種
類を問題生しない利点がある。
（発明の目的及び構成）
本発”明は、酸化第二鉄（Ｐａ２（１３）が４８〜３６
重量％、酸化コバルト（ＣｏＯ） 、酸化第一鉄（、、
Ｆｅ０） 、酸化二・てケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化アグネシウム（
Ｍｇ、Ｏ）のうちかう選ばれた何れか一種または二種以
上の酸化物が３２〜１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ２
Ｏ５）が２０〜４８重量％を含有し、磁気飽和値が６０
〜２０ｅｍｕ／ｇである非晶質強磁性酸化物薄膜に係る
。
重量％、酸化コバルト（ＣｏＯ） 、酸化第一鉄（、、
Ｆｅ０） 、酸化二・てケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガ
ン（ＭｎＯ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化アグネシウム（
Ｍｇ、Ｏ）のうちかう選ばれた何れか一種または二種以
上の酸化物が３２〜１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ２
Ｏ５）が２０〜４８重量％を含有し、磁気飽和値が６０
〜２０ｅｍｕ／ｇである非晶質強磁性酸化物薄膜に係る
。
本発明の他の構成としては、前記の五酸化リンの組成範
囲の一部である１０重量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓｉａ
）、酸化セレン（ＳｅＯ２）、酸化テルル（ＴｅＯ２）
の中から選ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換
した非晶質強磁性酸化物薄膜にある。
囲の一部である１０重量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓｉａ
）、酸化セレン（ＳｅＯ２）、酸化テルル（ＴｅＯ２）
の中から選ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換
した非晶質強磁性酸化物薄膜にある。
本発明の更に他の目的とする所は、鉄、コバルト、ニッ
ケル、銅、マンガン、マグネシウムのうち一種または二
種以上の金属をＡ蒸発源とし、五酸化リンあるいはその
一部を三酸化ヒ素、酸化セレン、酸化テルルの中から選
ばれた一種あるいは二種以上で置換しか酸化物をＢ蒸発
源とし、初期真空度を５ 、Ｘ １．０−５ｔｏｒｒ以
下になるように減圧した後、Ａ蒸発源を１７００℃から
２０００℃の範囲に、Ｂ蒸発源を３００°Ｃから７００
℃の温度範囲に可変しながら真空度を１〜１０ ×１０
−３ｔｏｒｒに維持して金属と酸化物を同時に蒸発させ
、かつ基板上に蒸着させることにより非晶質強磁性酸化
物薄膜を形成する非晶質強磁性酸化物薄膜の製造法にあ
る。
ケル、銅、マンガン、マグネシウムのうち一種または二
種以上の金属をＡ蒸発源とし、五酸化リンあるいはその
一部を三酸化ヒ素、酸化セレン、酸化テルルの中から選
ばれた一種あるいは二種以上で置換しか酸化物をＢ蒸発
源とし、初期真空度を５ 、Ｘ １．０−５ｔｏｒｒ以
下になるように減圧した後、Ａ蒸発源を１７００℃から
２０００℃の範囲に、Ｂ蒸発源を３００°Ｃから７００
℃の温度範囲に可変しながら真空度を１〜１０ ×１０
−３ｔｏｒｒに維持して金属と酸化物を同時に蒸発させ
、かつ基板上に蒸着させることにより非晶質強磁性酸化
物薄膜を形成する非晶質強磁性酸化物薄膜の製造法にあ
る。
本発明の更に他の目的とする所は本発明の方法により得
られた非晶質強磁性酸化物薄膜を結晶化温度以下で加熱
して熱処理すると、垂直力−回転角が０．６度以上に向
上させる非晶強磁性酸化物薄膜の製造法にある。
られた非晶質強磁性酸化物薄膜を結晶化温度以下で加熱
して熱処理すると、垂直力−回転角が０．６度以上に向
上させる非晶強磁性酸化物薄膜の製造法にある。
（作 用）
以下に本発明の非晶質強磁性酸化物薄膜の製造法を詳細
に述べるみ第１図は本発明の製造法に使用した真空蒸発
装置を示し、蒸発源は一つあり、一方の蒸発源Ａには合
金試料ｌを入れたタングステン製ボード３を置き、他の
蒸発源Ｂには酸化物試料２を入れた他方のタングステン
製ボード３を置き、両者を遮蔽板１１により両蒸発源Ａ
、Ｂをそれぞれ遮蔽し、両蒸発源Ａ、Ｂのタングステン
ボード３，３を夫々柱４及び絶縁板５によりベースプレ
ート６に支持し、タングステンボード３，３をベースプ
レート６と絶縁して電流計９及びトランス８を介してそ
れぞれの交流電源７，７に接続する。１０は真空排気口
で両蒸発源Ａ、Ｂの中間位置で対向する方向に回転軸１
２により支えられたガラス基板１３を配置し、これに両
蒸発ｍＡ、Ｂより蒸発されたものがガラス基板１３上で
気相合成反応して、非晶質薄膜１４を生成するのである
。
に述べるみ第１図は本発明の製造法に使用した真空蒸発
装置を示し、蒸発源は一つあり、一方の蒸発源Ａには合
金試料ｌを入れたタングステン製ボード３を置き、他の
蒸発源Ｂには酸化物試料２を入れた他方のタングステン
製ボード３を置き、両者を遮蔽板１１により両蒸発源Ａ
、Ｂをそれぞれ遮蔽し、両蒸発源Ａ、Ｂのタングステン
ボード３，３を夫々柱４及び絶縁板５によりベースプレ
ート６に支持し、タングステンボード３，３をベースプ
レート６と絶縁して電流計９及びトランス８を介してそ
れぞれの交流電源７，７に接続する。１０は真空排気口
で両蒸発源Ａ、Ｂの中間位置で対向する方向に回転軸１
２により支えられたガラス基板１３を配置し、これに両
蒸発ｍＡ、Ｂより蒸発されたものがガラス基板１３上で
気相合成反応して、非晶質薄膜１４を生成するのである
。
即ち、２つの蒸発源Ａ２Ｂ中の一方の蒸発源Ａに合金試
料１を入れ、他の蒸発源Ｂに酸化物試料２を入れそれぞ
れの受皿であるタングステンボード３，３を夫々の電源
により抵抗加熱して、それぞれの試料を蒸発させる。こ
れらのタングステン製ボード３，３の加熱温度は外部に
ある交流電源７．７を制御することにより、それぞれの
蒸発適温に加熱される。ガラス製基板１３は１分間に０
〜１０回転で任意に回転又は静止しておくようにし、再
蒸発源Ａ、Ｂ間は遮蔽板１１で隔てられて、両蒸発源Ａ
、Ｂより蒸発された合金蒸発体と酸化物蒸発体とが途中
の空間で接触して反応しないよ゛うにし、両蒸発体はガ
ラス基板１３の上で遭遇し、ここで気相反応を生じ基板
上にデポジットして非晶質強磁性酸化物情Ｉ！１４が生
成するのである。
料１を入れ、他の蒸発源Ｂに酸化物試料２を入れそれぞ
れの受皿であるタングステンボード３，３を夫々の電源
により抵抗加熱して、それぞれの試料を蒸発させる。こ
れらのタングステン製ボード３，３の加熱温度は外部に
ある交流電源７．７を制御することにより、それぞれの
蒸発適温に加熱される。ガラス製基板１３は１分間に０
〜１０回転で任意に回転又は静止しておくようにし、再
蒸発源Ａ、Ｂ間は遮蔽板１１で隔てられて、両蒸発源Ａ
、Ｂより蒸発された合金蒸発体と酸化物蒸発体とが途中
の空間で接触して反応しないよ゛うにし、両蒸発体はガ
ラス基板１３の上で遭遇し、ここで気相反応を生じ基板
上にデポジットして非晶質強磁性酸化物情Ｉ！１４が生
成するのである。
従来、金属あるいは合金を減圧中で蒸着して多結晶質の
酸化物薄膜を基板上に作製することは公知であるが、真
空蒸着法により非晶質でかつ強磁性を有する酸化物薄膜
を作製する方法は全く知られていない。本発明者等は合
金と蒸発温度の低い酸化物を同時に真空中で蒸着するこ
とにより、非晶質状態の薄膜を得る条件を追求した。そ
してまず、合金と同時に蒸発させる酸化物の種類が重要
であることが明らかになった。すなわち、融点が比較的
低く、しかも平衡蒸気圧に達する温度が低く、とりわけ
昇化しやすい酸化物が適していることである。
酸化物薄膜を基板上に作製することは公知であるが、真
空蒸着法により非晶質でかつ強磁性を有する酸化物薄膜
を作製する方法は全く知られていない。本発明者等は合
金と蒸発温度の低い酸化物を同時に真空中で蒸着するこ
とにより、非晶質状態の薄膜を得る条件を追求した。そ
してまず、合金と同時に蒸発させる酸化物の種類が重要
であることが明らかになった。すなわち、融点が比較的
低く、しかも平衡蒸気圧に達する温度が低く、とりわけ
昇化しやすい酸化物が適していることである。
こうした条件に適合する酸化物を検討した結果は五酸化
リン（ｈａｓ）、三酸化ヒ素（Ａｓ２ｅｓ） 、酸化セ
レン（ＳｅＯｇ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）であること
がねかった。平衡蒸気圧が低く、融点も比較的低い酸化
鉛（ＰｂＯ２）や酸化ビスマス（Ｂｉｔ’ｓ）は減圧中
で容易に還元されること、また酸化ホウ素（８□０２）
、酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ
２）は平衡気圧が高いため、蒸発しにく（不適当な酸化
物であった。 ２ 次に本発明の製造法で重要な点は、合金と酸化物の両者
を如何にして同時に蒸発させるかである。
リン（ｈａｓ）、三酸化ヒ素（Ａｓ２ｅｓ） 、酸化セ
レン（ＳｅＯｇ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）であること
がねかった。平衡蒸気圧が低く、融点も比較的低い酸化
鉛（ＰｂＯ２）や酸化ビスマス（Ｂｉｔ’ｓ）は減圧中
で容易に還元されること、また酸化ホウ素（８□０２）
、酸化ケイ素（Ｓｉｎｇ）、酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ
２）は平衡気圧が高いため、蒸発しにく（不適当な酸化
物であった。 ２ 次に本発明の製造法で重要な点は、合金と酸化物の両者
を如何にして同時に蒸発させるかである。
合金を先に蒸発させ、遅れて酸化物を蒸発させると、作
製した薄膜は合金膜と酸化物膜との二層となった。また
酸化物を先に蒸発させ、遅れて合金を蒸発させると、薄
膜の形成功率が極めて低いばかりでなく過度に酸化され
た薄膜が形成された。
製した薄膜は合金膜と酸化物膜との二層となった。また
酸化物を先に蒸発させ、遅れて合金を蒸発させると、薄
膜の形成功率が極めて低いばかりでなく過度に酸化され
た薄膜が形成された。
合金と酸化物とをある適当な条件のもとて同時に蒸発さ
せると、両者が蒸発中に衝突、反応し、基板上に堆積し
てからも反応することにより均質な酸化物薄膜が形成さ
れた。
せると、両者が蒸発中に衝突、反応し、基板上に堆積し
てからも反応することにより均質な酸化物薄膜が形成さ
れた。
このように合金と酸化物を同時に蒸発させることが極め
て重要であって、その条件はペルジャー内の真空度を適
当な値に調節することであ′る。真空度がＩ Ｘ １０
−４ｔ’ｏｒｒ以下の場合には合金膜が形成され、また
真空度が１〜１０ Ｘ １（１−’ ｔｏｒｒの範囲で
は多結晶質体と非晶質体の混合した薄膜が得られる。
て重要であって、その条件はペルジャー内の真空度を適
当な値に調節することであ′る。真空度がＩ Ｘ １０
−４ｔ’ｏｒｒ以下の場合には合金膜が形成され、また
真空度が１〜１０ Ｘ １（１−’ ｔｏｒｒの範囲で
は多結晶質体と非晶質体の混合した薄膜が得られる。
真空度が１０−”ｔｏｒｒ以上の低い時は膜形成功率は
著しく低下し、酸化物膜は形成されるが、膜中に酸化物
中の陽イオンが含有されに＜＜、やはり非・品質膜は形
成されない。
著しく低下し、酸化物膜は形成されるが、膜中に酸化物
中の陽イオンが含有されに＜＜、やはり非・品質膜は形
成されない。
多（の実験を繰り返した結果、１〜ＩＯＸ・１０−”ｔ
ｏｒｒの範囲内で、特に酸化物の加熱温度（Ｂの蒸発源
）を３００〜７００℃の温度範囲に制御じながら蒸着す
ると非晶質薄膜が得られることがわがった。また合金の
方の蒸発速度を早くすること、換言すると、合金の加熱
温度を２０００℃以上にすると多結晶質の膜が作製され
る。しかし、Ａの蒸発源の温度を１７０゜°Ｃ〜２００
０°Ｃとすると良質な非晶質状態の酸化物薄膜が得られ
た。Ａの蒸発源の温度が１７００°Ｃ以下の場合は合金
はほとんど蒸発せず薄膜は形成されない。
ｏｒｒの範囲内で、特に酸化物の加熱温度（Ｂの蒸発源
）を３００〜７００℃の温度範囲に制御じながら蒸着す
ると非晶質薄膜が得られることがわがった。また合金の
方の蒸発速度を早くすること、換言すると、合金の加熱
温度を２０００℃以上にすると多結晶質の膜が作製され
る。しかし、Ａの蒸発源の温度を１７０゜°Ｃ〜２００
０°Ｃとすると良質な非晶質状態の酸化物薄膜が得られ
た。Ａの蒸発源の温度が１７００°Ｃ以下の場合は合金
はほとんど蒸発せず薄膜は形成されない。
」二連の本発明の方法で作製した非晶質強磁性酸化物薄
膜は均一性が良好で欠陥も極めて少なかった。
膜は均一性が良好で欠陥も極めて少なかった。
次に非晶質強磁性物酸化薄膜の磁気特性および垂直力−
回転角の波長依存性について述べる。
回転角の波長依存性について述べる。
第２図はＮｌＦｅｚ合金粉末と五酸化リンとから作製し
た薄膜中の五酸化リンの含有量と室温における磁気飽和
値との関係を示す。五酸化リン含有量が増大すると磁気
飽和値は低下する傾向がある。
た薄膜中の五酸化リンの含有量と室温における磁気飽和
値との関係を示す。五酸化リン含有量が増大すると磁気
飽和値は低下する傾向がある。
また図中には結晶領域（１）と非晶質領域（１’Ｉ）と
の境界も示しである。五酸化リン含有量が約２０重量％
以上では非晶質体となる。この非晶質領域における磁気
飽和値は約６０〜２０ｅｍｕ／ｇである。しかしながら
、薄膜中に４８重量％以−１ｘ五酸化リンが含有される
と、薄膜の表面光沢がなくなり、基板との密着性も悪く
実用には不適当となる。
の境界も示しである。五酸化リン含有量が約２０重量％
以上では非晶質体となる。この非晶質領域における磁気
飽和値は約６０〜２０ｅｍｕ／ｇである。しかしながら
、薄膜中に４８重量％以−１ｘ五酸化リンが含有される
と、薄膜の表面光沢がなくなり、基板との密着性も悪く
実用には不適当となる。
また五酸化リンの一部１０重量以下を他の酸化物Ａ Ｓ
２０３ ＋ Ｓ ｅ Ｏｚ ＋ Ｔ ｅ Ｏ□で置換
して作製した非晶質強磁性酸化物薄膜の磁気飽和値もほ
ぼこの第１図と同等である。
２０３ ＋ Ｓ ｅ Ｏｚ ＋ Ｔ ｅ Ｏ□で置換
して作製した非晶質強磁性酸化物薄膜の磁気飽和値もほ
ぼこの第１図と同等である。
第３図は第２図中に示した（ａ） 、 （ｂ） 、 （
ｃ） 、 （ｄ）の各試料の垂直力−回転角（２θｋ）
の波長依存性を示す。（ａ） 、 （ｂ）は結晶質体で
あり、そのスペクトラムは比較的単調な変化をしている
。（ｃ）は結晶質体と非晶質体の境界に近い試料で、そ
のスペクトラムは少し複雑になっている。さらに（ｄ）
は非晶質体であり、そのスペクトラムは正、負の極性が
頻繁に変化している特徴を示す。それとともに２θに値
の極大値は増大し限定された波長範囲で約２１分になり
、非晶質強磁性酸化物薄膜の方が結晶体よりも大きな値
を示すようになる。
ｃ） 、 （ｄ）の各試料の垂直力−回転角（２θｋ）
の波長依存性を示す。（ａ） 、 （ｂ）は結晶質体で
あり、そのスペクトラムは比較的単調な変化をしている
。（ｃ）は結晶質体と非晶質体の境界に近い試料で、そ
のスペクトラムは少し複雑になっている。さらに（ｄ）
は非晶質体であり、そのスペクトラムは正、負の極性が
頻繁に変化している特徴を示す。それとともに２θに値
の極大値は増大し限定された波長範囲で約２１分になり
、非晶質強磁性酸化物薄膜の方が結晶体よりも大きな値
を示すようになる。
（実施例）
次に実施例について述べ、本発明の内容をさらに詳細に
説明する。 □ 去狙聞上 １ｇのＣｏＦｅ２合金粉末および０．３ｇの五酸化リン
（Ｐ２Ｏ５）と０．１ｇの酸化テルル（ＴｅＯ２）の混
合物をそれぞれ２つのタングステンポートに入れた。１
×１Ｏ−５ｔｏｒｒにヘルシャー内を減圧した後にＣ０
Ｆ０２合金側のボー）（Ａ蒸発ａ）ヲ約１７００〜１７
５０°ｃにｓｍｍし、かつ真空度が２〜ＩＱ Ｘ １０
− ” ｔｏｒｒに維持できるように酸化物側のポート
（Ｂ蒸発源）を３００〜５００°Ｃに調節しながらそれ
ぞれ加熱蒸発させ、ガラス基板上に薄膜を形成した。膜
厚は約４０００人であった。
説明する。 □ 去狙聞上 １ｇのＣｏＦｅ２合金粉末および０．３ｇの五酸化リン
（Ｐ２Ｏ５）と０．１ｇの酸化テルル（ＴｅＯ２）の混
合物をそれぞれ２つのタングステンポートに入れた。１
×１Ｏ−５ｔｏｒｒにヘルシャー内を減圧した後にＣ０
Ｆ０２合金側のボー）（Ａ蒸発ａ）ヲ約１７００〜１７
５０°ｃにｓｍｍし、かつ真空度が２〜ＩＱ Ｘ １０
− ” ｔｏｒｒに維持できるように酸化物側のポート
（Ｂ蒸発源）を３００〜５００°Ｃに調節しながらそれ
ぞれ加熱蒸発させ、ガラス基板上に薄膜を形成した。膜
厚は約４０００人であった。
コバルト、鉄、五酸化リンおよ、び酸化テルルの含有量
は螢光Ｘ線分析により定量した。その結果、膜中の五酸
化リンは２８重量％、酸化テルルは１０重量％で残部は
ＣｇおよびＦｅの酸化物であった。Ｘ線回折で非晶質で
あることも確認した。作製した非晶質強磁性酸化物薄膜
は磁気飽和値が３４ｃｍｕ／ｇであった。垂直力−回転
角（２θｋ）は５００〜６００ｎｍで＋２０分、７００
〜８００ｍ付近で一２４分とそれぞれ極大（直を示した
。
は螢光Ｘ線分析により定量した。その結果、膜中の五酸
化リンは２８重量％、酸化テルルは１０重量％で残部は
ＣｇおよびＦｅの酸化物であった。Ｘ線回折で非晶質で
あることも確認した。作製した非晶質強磁性酸化物薄膜
は磁気飽和値が３４ｃｍｕ／ｇであった。垂直力−回転
角（２θｋ）は５００〜６００ｎｍで＋２０分、７００
〜８００ｍ付近で一２４分とそれぞれ極大（直を示した
。
失謄桝ｌ
ＮｌＦｅｚ合金粉末と五酸化リン（ｐｚｏ５）粉末とを
それぞれ２つのタングステンホードの蒸発ＨＡおよびＢ
に入れ、ヘルジャー内を１．５ Ｘ １０”５ｔｏｒｒ
に減圧にした後に、金属側ボードを１７５０〜１８００
℃間に加熱すると同時に酸化物側ボードを４００〜５０
０℃で加熱した。蒸発速度を一定に保つために双方のボ
ートの加熱温度を印加電圧で微調節しながら、蒸着中の
真空度を１〜１０ Ｘ １０” ３ｔｏｒｒに保持して
非晶質強磁性酸化物薄膜を作製した。螢光Ｘ線分析によ
る薄膜の組成は五酸化リン含有量が２２重量％、酸化第
二鉄が５１重量％、酸化ニッケルが２７重量％であった
。また磁気飽和値ば４０ｅｍｕ／ｇであった。
それぞれ２つのタングステンホードの蒸発ＨＡおよびＢ
に入れ、ヘルジャー内を１．５ Ｘ １０”５ｔｏｒｒ
に減圧にした後に、金属側ボードを１７５０〜１８００
℃間に加熱すると同時に酸化物側ボードを４００〜５０
０℃で加熱した。蒸発速度を一定に保つために双方のボ
ートの加熱温度を印加電圧で微調節しながら、蒸着中の
真空度を１〜１０ Ｘ １０” ３ｔｏｒｒに保持して
非晶質強磁性酸化物薄膜を作製した。螢光Ｘ線分析によ
る薄膜の組成は五酸化リン含有量が２２重量％、酸化第
二鉄が５１重量％、酸化ニッケルが２７重量％であった
。また磁気飽和値ば４０ｅｍｕ／ｇであった。
このようにして得た薄膜を空気中で熱処理した場合の垂
直力−回転角の波長依存性スペクトラムを第４図に示す
。図中には作製した直後の試料、およびこれをそれぞれ
２００°Ｃ’、２２５℃、２５０℃で３時間空気中で焼
鈍した後に測定したスペクＩ・ラムが示しである。加熱
温度が高くなるにしたがい垂直力−回転角の最大値は増
大するようになり、２２５℃で加熱した時に６７０ｎｍ
付近で約３６分に達する。
直力−回転角の波長依存性スペクトラムを第４図に示す
。図中には作製した直後の試料、およびこれをそれぞれ
２００°Ｃ’、２２５℃、２５０℃で３時間空気中で焼
鈍した後に測定したスペクＩ・ラムが示しである。加熱
温度が高くなるにしたがい垂直力−回転角の最大値は増
大するようになり、２２５℃で加熱した時に６７０ｎｍ
付近で約３６分に達する。
しかし、それ以上の温度で加熱した場合はかえって減少
する傾向がある。この薄膜が結晶化する３００℃と３５
０°Ｃで加熱した場合は垂直力−回転角は著しく低下し
た。
する傾向がある。この薄膜が結晶化する３００℃と３５
０°Ｃで加熱した場合は垂直力−回転角は著しく低下し
た。
実施例３
旦煎ＦｅとＰ２Ｏ５とを蒸発源とする２＃真空蒸着法で
作製したＦｅ−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜（膜厚２０
００〜４０００人）は、熱的安定性、磁気光学特性等ア
モルファス金属薄膜とは異なる特徴を示す。これらの特
徴は酸化物薄膜中に存在するＰイオンの作用に因ると考
えられる。従って、本実験ではＰイオン含有量の異なる
薄膜を作製し、それらの結晶相、磁気飽和値、キュリ一
温度等の基本的性質を調べると共に、磁気光学特性の測
定を行った。
作製したＦｅ−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜（膜厚２０
００〜４０００人）は、熱的安定性、磁気光学特性等ア
モルファス金属薄膜とは異なる特徴を示す。これらの特
徴は酸化物薄膜中に存在するＰイオンの作用に因ると考
えられる。従って、本実験ではＰイオン含有量の異なる
薄膜を作製し、それらの結晶相、磁気飽和値、キュリ一
温度等の基本的性質を調べると共に、磁気光学特性の測
定を行った。
実験方法 Ｆｅ粉末と乾燥したＰ２Ｏ，とを別々のタン
グステンボートに入れ、１Ｏ−３〜１０− ’ ｔｏｒ
ｒに減圧した後に、ボートを加熱しＰｅとＰ２Ｏ，を同
時に蒸発させてガラス基板上に薄膜を作製した。Ｆｅと
Ｐ２Ｏ。
グステンボートに入れ、１Ｏ−３〜１０− ’ ｔｏｒ
ｒに減圧した後に、ボートを加熱しＰｅとＰ２Ｏ，を同
時に蒸発させてガラス基板上に薄膜を作製した。Ｆｅと
Ｐ２Ｏ。
の組成比の異なる薄膜は、それぞれのボートの加熱温度
を制御することにより金属膜から酸化物膜まで任意に作
製できる。均一な膜を得るためにガラス基板を１分間に
８回転させた。膜の形成速度” は遅く、効率は良く
ない。
を制御することにより金属膜から酸化物膜まで任意に作
製できる。均一な膜を得るためにガラス基板を１分間に
８回転させた。膜の形成速度” は遅く、効率は良く
ない。
夫腹級米 第５図は磁気飽和値（σＳ）およびキュリ一
温度のＰイオン含有量（Ｐ／Ｆｅ ＋Ｐ、譬ｔ０％）に
よる変化を示す。Ｐイオン含有量が１３ｗｔ％以下では
結晶体であり、それ以上のＰイオン含有量では非晶質体
となる。図に示した様にσＳはＰ９オン含有量が増大す
るにしたがい急激に減少し、アモルファス膜として得ら
れるのは４４ｅｍｕ／ｇ以下の場合である。この程度の
大きさのσＳがあれば磁気光学材料として応用の可能性
がある。また、キュリ一温度（Ｔｃ）はＰイオン含有量
の増加と共に減少する傾向が見られる。これはＦｅ−０
−Ｆｅ超交換相互作用にＰイオンが係っていると推測さ
れる。結晶化温度もＰイオン含有量の増加と共に約３０
０°Ｃから約２５０℃へとゆるやかに減少する傾向を示
す。
温度のＰイオン含有量（Ｐ／Ｆｅ ＋Ｐ、譬ｔ０％）に
よる変化を示す。Ｐイオン含有量が１３ｗｔ％以下では
結晶体であり、それ以上のＰイオン含有量では非晶質体
となる。図に示した様にσＳはＰ９オン含有量が増大す
るにしたがい急激に減少し、アモルファス膜として得ら
れるのは４４ｅｍｕ／ｇ以下の場合である。この程度の
大きさのσＳがあれば磁気光学材料として応用の可能性
がある。また、キュリ一温度（Ｔｃ）はＰイオン含有量
の増加と共に減少する傾向が見られる。これはＦｅ−０
−Ｆｅ超交換相互作用にＰイオンが係っていると推測さ
れる。結晶化温度もＰイオン含有量の増加と共に約３０
０°Ｃから約２５０℃へとゆるやかに減少する傾向を示
す。
第６図はＰイオン含有量が異なる６種類の試料の垂直力
−回転角（２θｋ）の波長依存性を示す。図中のａ、ｂ
、ｃ、”’＋’ａ＋ ｆは第５図のａ、 ｂ。
−回転角（２θｋ）の波長依存性を示す。図中のａ、ｂ
、ｃ、”’＋’ａ＋ ｆは第５図のａ、 ｂ。
−、ｆに対応している。結晶体であるａ、ｂ、’ｃのス
ペクトラムは単純な型から少しつづ複雑な型へと変化す
る。Ｃは酸化物との中間状態にある。ｄ。
ペクトラムは単純な型から少しつづ複雑な型へと変化す
る。Ｃは酸化物との中間状態にある。ｄ。
ｅ、ｆは非晶質体であり、各波長ごとに対応するピーク
はＰイオン含有量の増大と共に短波長側にシフトする。
はＰイオン含有量の増大と共に短波長側にシフトする。
これは存在するＰイオン量に因るものと考えられるが詳
細はまだ明らかでない。ｅはσ８が４４ｅｍｕ／ｇ と
大きく、２θにも±２１ｍ１ｎ と大きな値を示す。ｆ
はσ５も小さくなり、波長に対する２０にの変化も激し
い。以上をまとめると、■アモルファス酸化物薄膜では
Ｐイオンの役割が極めて重要であり、 ■その含有量が増加するとσｇ、 Ｔｃｒｙｓ ＋ Ｔ
ｃがそれぞれ低下するが２θには大きくなり、ピークは
短波長側に移動する傾向がある。
細はまだ明らかでない。ｅはσ８が４４ｅｍｕ／ｇ と
大きく、２θにも±２１ｍ１ｎ と大きな値を示す。ｆ
はσ５も小さくなり、波長に対する２０にの変化も激し
い。以上をまとめると、■アモルファス酸化物薄膜では
Ｐイオンの役割が極めて重要であり、 ■その含有量が増加するとσｇ、 Ｔｃｒｙｓ ＋ Ｔ
ｃがそれぞれ低下するが２θには大きくなり、ピークは
短波長側に移動する傾向がある。
に引き続き、その一部を旧イオンで置換したＮｉ−Ｆｅ
−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜を作製した。Ｆ’ｅイオ
ンをＮｉイオンで置換する理由はＮｉイオンの原子価が
安定であると共に、正八面体配位を優先的に占めるため
明確な変化が生じると考えられるためである。本研究で
はＮｉ−Ｆｅ−Ｐ系アモルファズ酸化物薄膜の磁性およ
び磁気光学特性について調べ′た。
−□ ・実験方法 Ｎ１ｘＦｅ、−ｘ（
ｘ＝ｏ、０．２５，０．５，０．７５’、４’、’Ｏ）
の５種類の小さな塊状の合金とＰ２Ｏ５とを２うの蒸発
源（タングステンボート）に入れ、１０−３〜１Ｏ−４
ｔｏｒｒに減圧した後に蒸発源の加熱温度を制御しなが
らガラス基板上に薄膜を形成した。薄膜中のＰイオン含
有量゛はＰ２’０５側の蒸発源の加熱温度により調節が
可能である。厚い膜を作製する場合は繰り返し蒸着を行
う。
−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜を作製した。Ｆ’ｅイオ
ンをＮｉイオンで置換する理由はＮｉイオンの原子価が
安定であると共に、正八面体配位を優先的に占めるため
明確な変化が生じると考えられるためである。本研究で
はＮｉ−Ｆｅ−Ｐ系アモルファズ酸化物薄膜の磁性およ
び磁気光学特性について調べ′た。
−□ ・実験方法 Ｎ１ｘＦｅ、−ｘ（
ｘ＝ｏ、０．２５，０．５，０．７５’、４’、’Ｏ）
の５種類の小さな塊状の合金とＰ２Ｏ５とを２うの蒸発
源（タングステンボート）に入れ、１０−３〜１Ｏ−４
ｔｏｒｒに減圧した後に蒸発源の加熱温度を制御しなが
らガラス基板上に薄膜を形成した。薄膜中のＰイオン含
有量゛はＰ２’０５側の蒸発源の加熱温度により調節が
可能である。厚い膜を作製する場合は繰り返し蒸着を行
う。
ｆｉ まずＮｉ’Ｆｇｚ ｊ（ｘ ＝ ０．” ５）
合金とＰ２Ｏ５とから作製したＰイオン含有量の異なる
薄膜の結晶相、磁気飽和値・（σｓ）、電気抵抗率の変
化を゛調べた。
合金とＰ２Ｏ５とから作製したＰイオン含有量の異なる
薄膜の結晶相、磁気飽和値・（σｓ）、電気抵抗率の変
化を゛調べた。
薄膜中゛のＰイオン含有量が増加す゛るとσ３゛は減少
し、電気抵抗率は増大した。すなわち、Ｐイオン含有量
の増加と共に酸化物的性質が強まる。第７図はσ５の異
なる試料の垂直力−回転角（２θｋ）の波長依存性を示
す。ａ （６ｓ ＝１５０ｅｍｕ／ｇ）、、ｂ （
ａ。
し、電気抵抗率は増大した。すなわち、Ｐイオン含有量
の増加と共に酸化物的性質が強まる。第７図はσ５の異
なる試料の垂直力−回転角（２θｋ）の波長依存性を示
す。ａ （６ｓ ＝１５０ｅｍｕ／ｇ）、、ｂ （
ａ。
−，８５）、Ｃ（σ５＝５７）は結晶体であり、ｄ （
σ。
σ。
−３２）は非晶体である。これらのスペクトラムはＦｅ
−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜の場合と同じ様な変化を
示す。また作製条件も同一で良いことを確認した。
−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜の場合と同じ様な変化を
示す。また作製条件も同一で良いことを確認した。
第８図は（ＮｉｘＦｅａ−ｘ）−Ｐ系アモルファス酸化
物薄膜の２θにの波長依存性を示ず。試料０． Ｐ、
Ｑ、 Ｒ。
物薄膜の２θにの波長依存性を示ず。試料０． Ｐ、
Ｑ、 Ｒ。
Ｓはそれぞれｘ−０，０，２５，０，５，０，７５，１
，０に対応している。特徴的なことはＮｉイオン含有量
が増加するにしたがい、正および負のピークは長波長側
に移動することである。またＮｉイオン置換量の変化と
ともに２５０ｎｍ〜３５０ｎｍ間でのスペクトラムの変
化は著しいが、Ｋａ ｈｎ等の報告の単結晶Ｎｉフェラ
イトのスペクトラムではこの付近のＮ ＋ ＋ ２イオ
ンの遷移は報告されておらず、非晶質体特有のものかも
知れない。また、他の著者によって報告されている旧、
Ｃｏ；Ｍｇの各フェライトのスペクトラムに比べてこの
アモルファス薄膜は、とりわけ２５０〜６００ｎｍ間で
、曲線の変化が著しく、Ｐイオンの影響に因るものと考
えられる。このことは結晶化した試料のスペクトラムが
この波長間で極めて平坦であることからも推測される。
，０に対応している。特徴的なことはＮｉイオン含有量
が増加するにしたがい、正および負のピークは長波長側
に移動することである。またＮｉイオン置換量の変化と
ともに２５０ｎｍ〜３５０ｎｍ間でのスペクトラムの変
化は著しいが、Ｋａ ｈｎ等の報告の単結晶Ｎｉフェラ
イトのスペクトラムではこの付近のＮ ＋ ＋ ２イオ
ンの遷移は報告されておらず、非晶質体特有のものかも
知れない。また、他の著者によって報告されている旧、
Ｃｏ；Ｍｇの各フェライトのスペクトラムに比べてこの
アモルファス薄膜は、とりわけ２５０〜６００ｎｍ間で
、曲線の変化が著しく、Ｐイオンの影響に因るものと考
えられる。このことは結晶化した試料のスペクトラムが
この波長間で極めて平坦であることからも推測される。
以」−の結果をまとめると
■Ｆｅイオンを旧イオンで置換したアモルファス酸化物
薄膜の２θにのスペクトラムは高波長側に移動する傾向
がある。
薄膜の２θにのスペクトラムは高波長側に移動する傾向
がある。
■この薄膜の２θにのスペクトラムは単結晶Ｎｉ。
Ｃｏ＋Ｍｇフェライト等のそれらと異なっており、この
相違はＰイオンの影響であると思われる。
相違はＰイオンの影響であると思われる。
以上述べたように本発明の非晶質強磁性酸化物薄膜なら
びにその製造法はまったく新規な磁性薄膜であり、また
新しい製造法である。さらにその薄膜の磁気的および磁
気光学的特性は従来公知の酸化物薄膜に比べて優れた新
規な特徴を有し、本発明は工業上極めて有用である。
びにその製造法はまったく新規な磁性薄膜であり、また
新しい製造法である。さらにその薄膜の磁気的および磁
気光学的特性は従来公知の酸化物薄膜に比べて優れた新
規な特徴を有し、本発明は工業上極めて有用である。
第１図本発明の実験に使用したアモルファス酸化物薄膜
の製造装置の一例を示す図面、第２図はＮｌＦｅｚ合金
粉末と五酸化リンとから作製１した本発明の非晶質強磁
性酸化物薄膜中の五酸化リンの含有量と、室温における
磁気飽和値との関係を示す特性図、 第３図は第２図中に示した五酸化リン含、有量の異なる
種々の薄膜の垂直力−回転角（２θｋ）の波長依存性を
示す特性図、 第４図はＮｌＦｅｚ合金粉末と五酸化リンから作製した
非晶質強磁性酸化物薄膜を加熱した場合の垂直力−回転
角の波長依存性を示す特性図、第５図は鉄粉末とＰ２Ｏ
５とを蒸発源として作製した非晶質強磁性酸化物薄膜の
磁気飽和値およびキュリ一温度のリン含有量による変化
を示す特性図、第６図はＦｅ−Ｐ系アモルファス酸化物
薄膜の垂直力−回転角の依存性を示す特性図、 第７図はＮ１Ｆｅｚ−Ｐ系アモルファス酸化物の垂直力
−回転角の波長依存性を示す特性図、第８図はＮ１ｘ−
Ｆｅ（＋−ｘ）−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜の垂直力
−回転角の波長依存性を示す特性図である。 １−合金試料 ２−酸化物試料 ３− タングステン製ボード ４−支柱 ５−＝絶縁体□ ６−ベースプレート ７−交流電源 ８−１−ランス ９−電流計 １０−排気系 １１−”遮蔽板１２−回転軸
１３−ガラス基板１４−生成した非晶質薄膜 １５− ペルジャー 手 続 補 正 書 昭和６０年 ４月２５日 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件
の表示 昭和６０年特許願第 ３２９３１号 ２、発明の名称 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造ン去３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 埼玉大学長 須甲鉄也 ４、代理人 ５、補“正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の
４閑６、補正の内容 （別紙のとおり） １、 明細書第１頁第４行ないし第３頁第１２行間を次
の通り訂正する。 ［２、特許請求の範囲 （１）酸化第二鉄（Ｆｅｚｅｓ）が４８〜３６重量％、
酸化コバルト（Ｃｏｏ） 、酸化第一鉄（ＦｅＯ） 、
酸化−’−ソケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガン（ＭｎＯ
）、酸化銅（ＣｕＯ） 、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
のうちから選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物
が３２〜１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ２Ｏ３）が２
０〜４８重量％を含有し、磁気飽和値が６０〜２０ｅｍ
ｕ／ｇであることを特徴とする非晶質強磁性酸化物薄膜
。 （２）前記の五酸化リンの組成範囲の一部である１０重
量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓｚ（ｈ） 、酸化セレン（
ＳｅＯ２）、酸化テルル（ＴｅＯ２）の中から選ばれた
一種あるいは二種以上の酸化物で置換することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の非晶質強磁性酸化物薄
膜。 （３）鉄、コバルト、ニッケル、銅、マンガン、マグネ
シウムのうち一種または二種以上の金属をＡ蒸発源とし
、五酸化リンあるいはその一部を三酸化ヒ素、酸化セレ
ン、酸化テルルの中から選ばれた一種あるいは二種以上
で置換した酸化物をＢ蒸発源とし、初期真空度を５ Ｘ
ｌ０−５ｔｏｒｒ以下になるように減圧した後、Ａ蒸発
源を１７００℃から２０００″Ｃの範囲に、Ｂ蒸発源を
３００°Ｃから７００℃の温度範囲に可変しながら真空
度を１〜１０×１０−３ｔｏｒｒに維持して金属と酸化
物を同時に蒸発させ、かつ基板上に蒸着させることによ
り非晶質強磁性酸化物薄膜を形成することを特徴とする
非晶質強磁性酸化物薄膜の製造法。 （４）酸化第二鉄（Ｆｅｚ（ｈ）が４８〜３６重景％、
酸化コバルト（Ｃｏｏ） 、酸化第一鉄（ＦｅＯ） 、
酸化ニッケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガン（ＭｎＯ）、
酸化ｖｉ４（ＣｕＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の
うちから選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物が
３２〜１６重量％、残部五酸化リン（ｈＯｓ）が２０〜
４８重量％とを含有する非晶質強磁性酸化物薄膜を結晶
化温度以下で加熱して垂直力−回転角が０．６度以上に
向上することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
非晶質強磁性酸化物薄膜の製造方法。 （５） 特許請求の範囲第３項記載の方法における非
晶質酸化物薄膜は、その五酸化リンの組成範囲の一部で
ある１０重量％以下を三酸化ヒ素（八５２０３） 、酸
化セレン（ＳｅＯｇ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）の中か
ら選ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換したも
のよりなる特許請求の範囲第３項記載の非晶質強磁性酸
化物薄膜の製造法。」 代理人弁理士 杉 村 暁 秀外１名
の製造装置の一例を示す図面、第２図はＮｌＦｅｚ合金
粉末と五酸化リンとから作製１した本発明の非晶質強磁
性酸化物薄膜中の五酸化リンの含有量と、室温における
磁気飽和値との関係を示す特性図、 第３図は第２図中に示した五酸化リン含、有量の異なる
種々の薄膜の垂直力−回転角（２θｋ）の波長依存性を
示す特性図、 第４図はＮｌＦｅｚ合金粉末と五酸化リンから作製した
非晶質強磁性酸化物薄膜を加熱した場合の垂直力−回転
角の波長依存性を示す特性図、第５図は鉄粉末とＰ２Ｏ
５とを蒸発源として作製した非晶質強磁性酸化物薄膜の
磁気飽和値およびキュリ一温度のリン含有量による変化
を示す特性図、第６図はＦｅ−Ｐ系アモルファス酸化物
薄膜の垂直力−回転角の依存性を示す特性図、 第７図はＮ１Ｆｅｚ−Ｐ系アモルファス酸化物の垂直力
−回転角の波長依存性を示す特性図、第８図はＮ１ｘ−
Ｆｅ（＋−ｘ）−Ｐ系アモルファス酸化物薄膜の垂直力
−回転角の波長依存性を示す特性図である。 １−合金試料 ２−酸化物試料 ３− タングステン製ボード ４−支柱 ５−＝絶縁体□ ６−ベースプレート ７−交流電源 ８−１−ランス ９−電流計 １０−排気系 １１−”遮蔽板１２−回転軸
１３−ガラス基板１４−生成した非晶質薄膜 １５− ペルジャー 手 続 補 正 書 昭和６０年 ４月２５日 特許庁長官 志 賀 学 殿１、事件
の表示 昭和６０年特許願第 ３２９３１号 ２、発明の名称 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造ン去３、補正を
する者 事件との関係 特許出願人 埼玉大学長 須甲鉄也 ４、代理人 ５、補“正の対象 明細書の「特許請求の範囲」の
４閑６、補正の内容 （別紙のとおり） １、 明細書第１頁第４行ないし第３頁第１２行間を次
の通り訂正する。 ［２、特許請求の範囲 （１）酸化第二鉄（Ｆｅｚｅｓ）が４８〜３６重量％、
酸化コバルト（Ｃｏｏ） 、酸化第一鉄（ＦｅＯ） 、
酸化−’−ソケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガン（ＭｎＯ
）、酸化銅（ＣｕＯ） 、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
のうちから選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物
が３２〜１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ２Ｏ３）が２
０〜４８重量％を含有し、磁気飽和値が６０〜２０ｅｍ
ｕ／ｇであることを特徴とする非晶質強磁性酸化物薄膜
。 （２）前記の五酸化リンの組成範囲の一部である１０重
量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓｚ（ｈ） 、酸化セレン（
ＳｅＯ２）、酸化テルル（ＴｅＯ２）の中から選ばれた
一種あるいは二種以上の酸化物で置換することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の非晶質強磁性酸化物薄
膜。 （３）鉄、コバルト、ニッケル、銅、マンガン、マグネ
シウムのうち一種または二種以上の金属をＡ蒸発源とし
、五酸化リンあるいはその一部を三酸化ヒ素、酸化セレ
ン、酸化テルルの中から選ばれた一種あるいは二種以上
で置換した酸化物をＢ蒸発源とし、初期真空度を５ Ｘ
ｌ０−５ｔｏｒｒ以下になるように減圧した後、Ａ蒸発
源を１７００℃から２０００″Ｃの範囲に、Ｂ蒸発源を
３００°Ｃから７００℃の温度範囲に可変しながら真空
度を１〜１０×１０−３ｔｏｒｒに維持して金属と酸化
物を同時に蒸発させ、かつ基板上に蒸着させることによ
り非晶質強磁性酸化物薄膜を形成することを特徴とする
非晶質強磁性酸化物薄膜の製造法。 （４）酸化第二鉄（Ｆｅｚ（ｈ）が４８〜３６重景％、
酸化コバルト（Ｃｏｏ） 、酸化第一鉄（ＦｅＯ） 、
酸化ニッケル（ＮｉＯ） 、酸化マンガン（ＭｎＯ）、
酸化ｖｉ４（ＣｕＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の
うちから選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物が
３２〜１６重量％、残部五酸化リン（ｈＯｓ）が２０〜
４８重量％とを含有する非晶質強磁性酸化物薄膜を結晶
化温度以下で加熱して垂直力−回転角が０．６度以上に
向上することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
非晶質強磁性酸化物薄膜の製造方法。 （５） 特許請求の範囲第３項記載の方法における非
晶質酸化物薄膜は、その五酸化リンの組成範囲の一部で
ある１０重量％以下を三酸化ヒ素（八５２０３） 、酸
化セレン（ＳｅＯｇ）、酸化テルル（ＴｅＯ２）の中か
ら選ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換したも
のよりなる特許請求の範囲第３項記載の非晶質強磁性酸
化物薄膜の製造法。」 代理人弁理士 杉 村 暁 秀外１名
Claims (5)
- （１）酸化第二鉄（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）が４８〜３６重量
％、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）、
酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸
化銅（ＣｕＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のうちか
ら選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物が３２〜
１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ＿２Ｏ＿５）が２０〜
４８重量％を含有し、磁気飽和値が６０〜２０ｅｍｕ／
ｇであることを特徴とする非晶質強磁性酸化物薄膜。 - （２）前記の五酸化リンの組成範囲の一部である１０重
量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓ＿２Ｏ＿３）、酸化セレン
（ＳｅＯ＿２）、酸化テルル（ＴｅＯ＿２）の中から選
ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非晶質強磁性酸
化物薄膜。 - （３）鉄、コバルト、ニッケル、銅、マンガン、マグネ
シウムのうち一種または二種以上の金属をＡ蒸発源とし
、五酸化リンあるいはその一部を三酸化ヒ素、酸化セレ
ン、酸化テルルの中から選ばれた一種あるいは二種以上
で置換した酸化物をＢ蒸発源とし、初期真空度を５×１
０＾−＾５ｔｏｎ以下になるように減圧した後、Ａ蒸発
源を１７００℃から２０００℃の範囲に、Ｂ蒸発源を３
００℃から７００℃の温度範囲に可変しながら真空度を
１〜１０×１０＾−＾３ｔｏｎに維持して金属と酸化物
を同時に蒸発させ、かつ基板上に蒸着させることにより
非晶質強磁性酸化物薄膜を形成することを特徴とする非
晶質強磁性酸化物薄膜の製造法。 - （４）酸化第二鉄（Ｆｅ＿２Ｏ＿３）が４８〜３６重量
％、酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）、
酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、酸
化銅（ＣｕＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）のうちか
ら選ばれた何れか一種または二種以上の酸化物が３２〜
１６重量％、残部五酸化リン（Ｐ＿２Ｏ＿５）が２０〜
４８重量％とを含有する非晶質強磁性酸化物薄膜を結晶
化温度以下で加熱して垂直力−回転角が０．６度以上に
向上することを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
非晶質強磁性酸化物薄膜の製造方法。 - （５）特許請求の範囲第３項記載の方法における非晶質
酸化物薄膜は、その五酸化リンの組成範囲の一部である
１０重量％以下を三酸化ヒ素（Ａｓ＿２Ｏ＿３）、酸化
セレン（ＳｅＯ＿２）、酸化テルル（ＴｅＯ＿２）の中
から選ばれた一種あるいは二種以上の酸化物で置換した
ものよりなる特許請求の範囲第３項記載の非晶質強磁性
酸化物薄膜の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293185A JPS61193406A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3293185A JPS61193406A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193406A true JPS61193406A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0571124B2 JPH0571124B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=12372666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3293185A Granted JPS61193406A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 非晶質強磁性酸化物薄膜およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193406A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171870A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Canon Inc | チタン酸ビスマス薄膜の形成方法 |
| JPH01156462A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| CN105819848A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-08-03 | 陕西科技大学 | 一种尖晶石型Co1-xMnxFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP3293185A patent/JPS61193406A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS=1983 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63171870A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Canon Inc | チタン酸ビスマス薄膜の形成方法 |
| JPH01156462A (ja) * | 1987-12-14 | 1989-06-20 | Sharp Corp | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| CN105819848A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-08-03 | 陕西科技大学 | 一种尖晶石型Co1-xMnxFe2O4铁磁性薄膜及其制备方法 |
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| JPH0571124B2 (ja) | 1993-10-06 |
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