JPS61191590A - 液相成長装置 - Google Patents
液相成長装置Info
- Publication number
- JPS61191590A JPS61191590A JP3221485A JP3221485A JPS61191590A JP S61191590 A JPS61191590 A JP S61191590A JP 3221485 A JP3221485 A JP 3221485A JP 3221485 A JP3221485 A JP 3221485A JP S61191590 A JPS61191590 A JP S61191590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soln
- substrate
- raw material
- reservoir
- material solution
- Prior art date
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- Granted
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、スライドボート方式の液相成長装置に関する
ものである。
ものである。
［従来の技術］
結晶成長技術の向上により、化合物半導体に関しても大
型の基板を得られるようになったため、エピタキシャル
ウェハの大型化が要求されている。
型の基板を得られるようになったため、エピタキシャル
ウェハの大型化が要求されている。
液相成長法の中でも、スライドボード方式が一般に広く
用いられており、第５図は従来の液相成長装置の説明図
である。
用いられており、第５図は従来の液相成長装置の説明図
である。
１はＧａＡＳ等の基板、２は基板１を担持する基板ホル
ダー、５は溶液ホルダーで原料溶液溜４内に原料溶液３
が収容されており、基板ホルダー２と溶液ホルダー５は
水平方向にスライド可能になっている。
ダー、５は溶液ホルダーで原料溶液溜４内に原料溶液３
が収容されており、基板ホルダー２と溶液ホルダー５は
水平方向にスライド可能になっている。
［発明が解決しようとする問題点］
第６図及至第８図は、従来の液相成長装置の問題点を示
す説明図であり、第５図と同一部品には同一符号を付し
、説明を省略する。
す説明図であり、第５図と同一部品には同一符号を付し
、説明を省略する。
すなわち、第６図において、基板１が大型化した場合に
は使用する原料溶液３も当然増やす必要があるが、面積
が大きくなった比率で原料溶液３を増やしたのでは、成
長温度が高温であるため表面張力で原料溶液３が丸くな
って基板１の表面全体を覆うことができなくなってしま
う。
は使用する原料溶液３も当然増やす必要があるが、面積
が大きくなった比率で原料溶液３を増やしたのでは、成
長温度が高温であるため表面張力で原料溶液３が丸くな
って基板１の表面全体を覆うことができなくなってしま
う。
よって基板１の表面全体を原料溶液３で覆うためには、
第７図に示すように原料溶液３を面積比以上に多くする
か、あるいは、第８図に示すように蓋６をのせて原料溶
液３を一定厚さにする必要がある。
第７図に示すように原料溶液３を面積比以上に多くする
か、あるいは、第８図に示すように蓋６をのせて原料溶
液３を一定厚さにする必要がある。
しかし、第７図においては原料費が高くなってしまい、
第８図においては蓋６の存在のために原料溶液３が装置
周囲を流れるＨ２ガスと接触できず、高純度化が充分に
できないという問題があった。
第８図においては蓋６の存在のために原料溶液３が装置
周囲を流れるＨ２ガスと接触できず、高純度化が充分に
できないという問題があった。
［発明の目的］
本発明の目的は、前記した従来技術の問題点に鑑み、少
ない原料溶液で基板表面に均一に成長可能で、かつ、原
料溶液の高純度化も可能な液相成長装置を提供すること
にある。
ない原料溶液で基板表面に均一に成長可能で、かつ、原
料溶液の高純度化も可能な液相成長装置を提供すること
にある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の要旨は、原料溶液溜内に該原料溶液溜内径を小
さくするための部材を設けたことにある。
さくするための部材を設けたことにある。
［作 用］
すなわち、第１図及び第３図は本発明の実施例を示す説
明図であり、第１図に示すように原料溶液溜４内に複数
の穴のあいた穴あき板７を設けるか、又は、第３図に示
すようなすのこ８を設けることにより、原料溶液溜４の
内径が小さくなり、原料溶液３を原料溶液溜４の中に流
し込んでも、第６図のように原料溶液３が丸くなったす
せず、基板１の表面全体を覆うことが可能となる。だだ
し、原料溶液３があまりにも少ない場合は、この限りで
はないが、穴あき板７およびすのこ８が原料溶液３で覆
い隠れる程度の量は必要である。なお、第４図は第３図
におけるＡ−Ａ＝断面の説明図である。
明図であり、第１図に示すように原料溶液溜４内に複数
の穴のあいた穴あき板７を設けるか、又は、第３図に示
すようなすのこ８を設けることにより、原料溶液溜４の
内径が小さくなり、原料溶液３を原料溶液溜４の中に流
し込んでも、第６図のように原料溶液３が丸くなったす
せず、基板１の表面全体を覆うことが可能となる。だだ
し、原料溶液３があまりにも少ない場合は、この限りで
はないが、穴あき板７およびすのこ８が原料溶液３で覆
い隠れる程度の量は必要である。なお、第４図は第３図
におけるＡ−Ａ＝断面の説明図である。
穴あき板７の穴は第２図に示すように円形９、三角形１
０、四角形１１あるいはその他の多角形でもよく、原料
溶液３が下方には流出する程度の大きざであればよい。
０、四角形１１あるいはその他の多角形でもよく、原料
溶液３が下方には流出する程度の大きざであればよい。
又、基板１と穴あき板７及びすのこ８との間隔を３〜’
１０１１１程度離すことが望ましいが、基板１の大きざ
によって適宜設定すればよい。
１０１１１程度離すことが望ましいが、基板１の大きざ
によって適宜設定すればよい。
基板ホルダー２及び溶液ホルダー５は、一般にグラファ
イト類であり、穴あき板７及びすのこ８の材質もグラフ
ァイト類であることが望ましい。
イト類であり、穴あき板７及びすのこ８の材質もグラフ
ァイト類であることが望ましい。
［実施例］
実施例１
グラファイト類の塞板ホルダーに３インチのＧａＡｓ基
板をセットする。グラファイト類の溶液ホルダーの原料
溶液溜内には厚さ３Ｍ１１で直径５姻の穴が７ｍ間隔で
全面においているグラフ１イト板がＧａＡｓ基板との間
隔が３Ｎｎになるよう設置されている。
板をセットする。グラファイト類の溶液ホルダーの原料
溶液溜内には厚さ３Ｍ１１で直径５姻の穴が７ｍ間隔で
全面においているグラフ１イト板がＧａＡｓ基板との間
隔が３Ｎｎになるよう設置されている。
この原料溶液溜にＧａ１２０ｇ、Ａ３１０ｇを入れ、反
応管内にセットし、水素ガス置換後８００℃の成長温度
まて昇温させる。温度安定後、１°Ｃ／ｍｉｎの冷却速
度で降温を開始し、４℃下った時点でＧａＡｓ基板と原
料溶液を接触させ、成長終了後、基板ホルダーをスライ
ドさせＧａＡｓ基板と原料溶液を分離する。
応管内にセットし、水素ガス置換後８００℃の成長温度
まて昇温させる。温度安定後、１°Ｃ／ｍｉｎの冷却速
度で降温を開始し、４℃下った時点でＧａＡｓ基板と原
料溶液を接触させ、成長終了後、基板ホルダーをスライ
ドさせＧａＡｓ基板と原料溶液を分離する。
上記方法で成長させたエピタキシャルウェハの特性を測
定したところ、アンドープでキャリア濃度が２．５Ｘ
１０”ｃｍ□３であった。厚さに関しては、３μｍ以上
成長させた場合、グラファイト板の影響がわずかながら
あるものの、３μ而以下の成長では±１０％以下の均一
厚さのエピタキシャルウェハを得ることができた。
定したところ、アンドープでキャリア濃度が２．５Ｘ
１０”ｃｍ□３であった。厚さに関しては、３μｍ以上
成長させた場合、グラファイト板の影響がわずかながら
あるものの、３μ而以下の成長では±１０％以下の均一
厚さのエピタキシャルウェハを得ることができた。
実施例２
原料溶液溜内にグラファイト類のすのこを設け、その他
の条件を実施例１と同じにして液相成長させたところ、
アンドープでキャリア濃度が２、 Ｑｘ １０１４ｃｍ
’ 、厚さの均一性はほぼ実施例１と同じく±１０％以
下であった。
の条件を実施例１と同じにして液相成長させたところ、
アンドープでキャリア濃度が２、 Ｑｘ １０１４ｃｍ
’ 、厚さの均一性はほぼ実施例１と同じく±１０％以
下であった。
比較例
基板ホルダーに３インチのＧａＡｓ基板をセットし内側
に何も設けていない原料溶液溜にＧａ３００９、ＧａＡ
ｓ２５ｇを入れ、反応管内にセットし、実施例１及び２
の約２倍の時間Ｈ２ガス置換した後、８００℃の成長温
度まで昇温させる。
に何も設けていない原料溶液溜にＧａ３００９、ＧａＡ
ｓ２５ｇを入れ、反応管内にセットし、実施例１及び２
の約２倍の時間Ｈ２ガス置換した後、８００℃の成長温
度まで昇温させる。
温度安定後、１℃／ｍｉｎの冷却速度で降温を開始し、
４℃下った時点でＧａＡｓ基板を原料溶液を接触させ、
３μｍ成長させた後、基板ホルダーをスライドさせてＧ
ａＡｓ基板と原料溶液を分離する。
４℃下った時点でＧａＡｓ基板を原料溶液を接触させ、
３μｍ成長させた後、基板ホルダーをスライドさせてＧ
ａＡｓ基板と原料溶液を分離する。
このエピタキシャルウェハは、アンドープでキャリア濃
度が１ 、５Ｘ １０１４ｃｍ”であったが、厚さの均
一性は±２０％であった。
度が１ 、５Ｘ １０１４ｃｍ”であったが、厚さの均
一性は±２０％であった。
このように、厚さの均一性が悪くなった要因は、原料溶
液が実施例１及び２と比較して２倍以上もあるため、高
純度化のためのＨ２ガス置換に時間がかかり、従ってＧ
ａＡＳ基板表面が熱劣化（Ａｓの揮散）により凹凸にな
ってしまうためである。
液が実施例１及び２と比較して２倍以上もあるため、高
純度化のためのＨ２ガス置換に時間がかかり、従ってＧ
ａＡＳ基板表面が熱劣化（Ａｓの揮散）により凹凸にな
ってしまうためである。
本実施例では、３インチ基板を用いたが、２インチの場
合でも原料溶液が従来の約半分の量ですみ、量が少ない
ため同じ時間のＨ２ガス置換によってより一層高純度化
が可能となる。又、本発明はＧａＡｓ他にＩｎＰ、Ｇａ
ＡＪＡｓ。
合でも原料溶液が従来の約半分の量ですみ、量が少ない
ため同じ時間のＨ２ガス置換によってより一層高純度化
が可能となる。又、本発明はＧａＡｓ他にＩｎＰ、Ｇａ
ＡＪＡｓ。
ＧａＡＪｌＰ、・・・・・・等の■−ｖ族化合物及びＩ
Ｉ−ＶＩ族化合物の成長にも適用できることは云うまで
もない。
Ｉ−ＶＩ族化合物の成長にも適用できることは云うまで
もない。
［発明の効果］
以上に説明した通り、本発明の液相成長装置によれば次
のような顕著な効果を奏する。
のような顕著な効果を奏する。
（１）原料溶液が従来の半分又は半分以下ですむため、
安価なエピタキシャルウェハを得ることができる。
安価なエピタキシャルウェハを得ることができる。
（２）原料溶液が少ないため、Ｈ２ガス置換によってよ
り高純度化ができる。
り高純度化ができる。
（３）Ｈ２ガス置換の時間が短かくてすむため、基板の
熱劣化を極力避けることができる。
熱劣化を極力避けることができる。
第１図及至第４図は本発明の実施例を示す説明図、第５
図及至第８図は従来例を示す説明図である。 １：基板、 ２：基板ホルダー、 ３：原料溶液、 ４：原料溶液溜、 ５：溶液ホルダー、 ６：１１ ７：穴あき板、 ８：すのこ。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 鵞 ＩＹＪ “１ Ｍ３ 閉 児４凹８：ｔのこ 禎 ５固 犀 ゴ ｌコ 兜 ６ 乙 第ｇｖａ
図及至第８図は従来例を示す説明図である。 １：基板、 ２：基板ホルダー、 ３：原料溶液、 ４：原料溶液溜、 ５：溶液ホルダー、 ６：１１ ７：穴あき板、 ８：すのこ。 代理人 弁理士 佐 藤 不二雄 鵞 ＩＹＪ “１ Ｍ３ 閉 児４凹８：ｔのこ 禎 ５固 犀 ゴ ｌコ 兜 ６ 乙 第ｇｖａ
Claims (4)
- （１）基板を担持する基板ホルダーと原料溶液を収納す
る原料溶液溜を設けた溶液ホルダーから成る液相成長装
置において、前記原料溶液溜内に該原料溶液溜内径を小
さくするための部材が設けられていることを特徴とする
液相成長装置。 - （２）前記部材が複数の穴のあいた板であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の液相成長装置。 - （３）前記部材がすのこであることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の液相成長装置。 - （４）前記部材が前記基板ホルダーと同じ材質からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項及至第３項記載
の液相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221485A JPS61191590A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 液相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3221485A JPS61191590A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 液相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61191590A true JPS61191590A (ja) | 1986-08-26 |
| JPH0568440B2 JPH0568440B2 (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=12352670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3221485A Granted JPS61191590A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | 液相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61191590A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138332U (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | 三洋電機株式会社 | 液相成長装置 |
| JPS5918194A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP3221485A patent/JPS61191590A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58138332U (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | 三洋電機株式会社 | 液相成長装置 |
| JPS5918194A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシヤル成長方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0568440B2 (ja) | 1993-09-28 |
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