JPS61183946A - マイクロパラレルシ−ム接合装置の接合不良判別方法および装置 - Google Patents
マイクロパラレルシ−ム接合装置の接合不良判別方法および装置Info
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- JPS61183946A JPS61183946A JP60022749A JP2274985A JPS61183946A JP S61183946 A JPS61183946 A JP S61183946A JP 60022749 A JP60022749 A JP 60022749A JP 2274985 A JP2274985 A JP 2274985A JP S61183946 A JPS61183946 A JP S61183946A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/4809—Loop shape
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- Power Engineering (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体集積回路（ＩＣ）やトランジスタ、ダ
イオードなどの半導体回路素子を容器本体に収容し、キ
ャップをこの容器本体にシーム接合して半導体回路素子
を気密封止するマイクロパラレルシーム接合装置におけ
る、シーム接合の不良を判別する方法およびこの方法の
実施に直接使用する装置に関するものである。
イオードなどの半導体回路素子を容器本体に収容し、キ
ャップをこの容器本体にシーム接合して半導体回路素子
を気密封止するマイクロパラレルシーム接合装置におけ
る、シーム接合の不良を判別する方法およびこの方法の
実施に直接使用する装置に関するものである。
（従来技術）
ＩＣなどの半導体回路素子を気密に封止する方法として
マイクロパラレルシーム接合（Ｍｉｃｒｏ Ｐａｒａ
ｌｌｅｌ Ｓｅａｍ Ｊｏｉｎ−ｉｎｇ）法が提案
されている。この方法は、第３図に示すように、セラミ
ック基板１に環状のシールフレーム２をろう付けして容
器本体３を形成し、このシールフレーム２内に半導体回
路素子４を固定して薄板のキャップ５を被せ、これを回
転テーブル６に載せてこのキャップ５の縁に一対のテー
パローラ電極７．８を不活性ガス中で所定圧力下で転接
させつつ通電することにより、キャップ５をシールフレ
ーム２にシーム接合するものである。また矩形のキャッ
プの場合にはテーブル６を直線移動させて２辺を接合し
たのち、９０°回転させて残りの２辺を接合するか、円
形のキャップの場合と同様にテーブル５を回転させて接
合する方法がとられている。
マイクロパラレルシーム接合（Ｍｉｃｒｏ Ｐａｒａ
ｌｌｅｌ Ｓｅａｍ Ｊｏｉｎ−ｉｎｇ）法が提案
されている。この方法は、第３図に示すように、セラミ
ック基板１に環状のシールフレーム２をろう付けして容
器本体３を形成し、このシールフレーム２内に半導体回
路素子４を固定して薄板のキャップ５を被せ、これを回
転テーブル６に載せてこのキャップ５の縁に一対のテー
パローラ電極７．８を不活性ガス中で所定圧力下で転接
させつつ通電することにより、キャップ５をシールフレ
ーム２にシーム接合するものである。また矩形のキャッ
プの場合にはテーブル６を直線移動させて２辺を接合し
たのち、９０°回転させて残りの２辺を接合するか、円
形のキャップの場合と同様にテーブル５を回転させて接
合する方法がとられている。
ここにシールフレーム２の上面には、シールフレーム２
より低融点の金などのメッキ層が予め形成され、またキ
ャップ５にも同様に金などのメッキ層が形成されている
。従ってテーパローラ電極７．８に通電するとシールフ
レーム２とキャップ５の間に介在するメッキ層が溶けて
接合される。
より低融点の金などのメッキ層が予め形成され、またキ
ャップ５にも同様に金などのメッキ層が形成されている
。従ってテーパローラ電極７．８に通電するとシールフ
レーム２とキャップ５の間に介在するメッキ層が溶けて
接合される。
この時シールフレーム２やキャップ５の母材自身は溶融
せず、通常のスポット溶接に見られるような母材同志の
溶融部、即ちナゲツトは形成されない。
せず、通常のスポット溶接に見られるような母材同志の
溶融部、即ちナゲツトは形成されない。
このようなマイクロパラレルシーム接合において、接合
部の品質管理方法、すなわちシール接合の良否を判別す
る方法の一つとして、電流モニタ法が知られている。こ
れはスポット溶接などの他の電気溶接法で広く用いられ
ているもので、２つのテーパローラ電極７．８間の電流
を検出し、この電流を基準電流値と比較してその許容範
囲を外れたことを判別することにより、接合の良否を判
定するものである。
部の品質管理方法、すなわちシール接合の良否を判別す
る方法の一つとして、電流モニタ法が知られている。こ
れはスポット溶接などの他の電気溶接法で広く用いられ
ているもので、２つのテーパローラ電極７．８間の電流
を検出し、この電流を基準電流値と比較してその許容範
囲を外れたことを判別することにより、接合の良否を判
定するものである。
（従来技術の問題点）
しかしマイクロパラレルシーム接合では、１つのシーム
接合回路中に２つの接合点があるため、これら２つの接
合点を流れる全電流の検出は可能であるが１個々の接合
点においてはその電流密度は必ずしも同一にはならない
。このため各接合点の温度上昇がアンバランスになって
も、従来の電流をモニタする方法ではそれを検出するこ
とはできず、シーム接合の良否を高精度に判別すること
は困難であった。このためシーム接合不良による容器の
気密不良が生じても、破壊試験もしくはリークテスタに
よらなければその欠陥を発見することができず、製品の
歩留り低下の大きな要因となっていた。
接合回路中に２つの接合点があるため、これら２つの接
合点を流れる全電流の検出は可能であるが１個々の接合
点においてはその電流密度は必ずしも同一にはならない
。このため各接合点の温度上昇がアンバランスになって
も、従来の電流をモニタする方法ではそれを検出するこ
とはできず、シーム接合の良否を高精度に判別すること
は困難であった。このためシーム接合不良による容器の
気密不良が生じても、破壊試験もしくはリークテスタに
よらなければその欠陥を発見することができず、製品の
歩留り低下の大きな要因となっていた。
（発明の目的）
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、半
導体集積回路やトランジスタ、ダイオードなどの半導体
回路素子を収容する容器をマイクロパラレルシーム接合
によって気密封止する際に、シーム接合の良否を高精度
に検出でき、製品の歩留りを向上させることができるマ
イクロパラレルシーム接合装置の接合不良判別方法を提
供することを第１の目的とする。またこの発明は、この
方法の実施に直接使用する接合不良判別装置を提供する
ことを第２の目的とするものである。
導体集積回路やトランジスタ、ダイオードなどの半導体
回路素子を収容する容器をマイクロパラレルシーム接合
によって気密封止する際に、シーム接合の良否を高精度
に検出でき、製品の歩留りを向上させることができるマ
イクロパラレルシーム接合装置の接合不良判別方法を提
供することを第１の目的とする。またこの発明は、この
方法の実施に直接使用する接合不良判別装置を提供する
ことを第２の目的とするものである。
（発明の構成）
本発明によれば前記第１の目的は、半導体回路素子を収
容する上方が開口した容器本体にキャップを載せ、前記
キャップの対称な周縁に接触するように配置された一対
のテーパローラ電極を、前記キャップの周縁に上方から
転接させつつ通電することにより、前記キャップと容器
本体との間に介在するメッキ層を溶融させ、前記キャッ
プを前記容器本体にシーム接合するマイクロパラレルシ
ーム接合装置において、少くとも一方の前記テーパロー
ラ電極の上下方向の変位に基づいて前記キャップのずれ
による接合不良を判別することを特徴とするマイクロパ
ラレルシーム接合装置の接合不良判別方法により達成さ
れる。
容する上方が開口した容器本体にキャップを載せ、前記
キャップの対称な周縁に接触するように配置された一対
のテーパローラ電極を、前記キャップの周縁に上方から
転接させつつ通電することにより、前記キャップと容器
本体との間に介在するメッキ層を溶融させ、前記キャッ
プを前記容器本体にシーム接合するマイクロパラレルシ
ーム接合装置において、少くとも一方の前記テーパロー
ラ電極の上下方向の変位に基づいて前記キャップのずれ
による接合不良を判別することを特徴とするマイクロパ
ラレルシーム接合装置の接合不良判別方法により達成さ
れる。
また、前記第２の目的は、半導体回路素子を収容する上
方が開口した容器本体にキャップを載せ、前記キャップ
の対称な周縁に接触するように配置された一対のテーパ
ローラを、前記キャップの周縁に上方より転接させつつ
通電することにより前記キャップと容器本体との間に介
在するメッキ層を溶融させ、前記キャップを前記容器本
体にシーＡｍ合するマイクロパラレルシーム接合装置に
おいて、前記キャップのずれが無い状態を基準として少
くとも一方の前記テーパローラ電極の変位を検出する変
位検出回路と、前記テーパローラ電極の変位の許容範囲
を設定する設定器と、前記テーパローラ電極の変位を前
記許容範囲と比較する比較器とを備え、前記テーパロー
ラ電極の変位が前記許容範囲を外れたことから接合不良
を判別することを特徴とするマイクロパラレルシーム接
合装置の接合不良判別装置により達成される。
方が開口した容器本体にキャップを載せ、前記キャップ
の対称な周縁に接触するように配置された一対のテーパ
ローラを、前記キャップの周縁に上方より転接させつつ
通電することにより前記キャップと容器本体との間に介
在するメッキ層を溶融させ、前記キャップを前記容器本
体にシーＡｍ合するマイクロパラレルシーム接合装置に
おいて、前記キャップのずれが無い状態を基準として少
くとも一方の前記テーパローラ電極の変位を検出する変
位検出回路と、前記テーパローラ電極の変位の許容範囲
を設定する設定器と、前記テーパローラ電極の変位を前
記許容範囲と比較する比較器とを備え、前記テーパロー
ラ電極の変位が前記許容範囲を外れたことから接合不良
を判別することを特徴とするマイクロパラレルシーム接
合装置の接合不良判別装置により達成される。
（発明の原理）
発明者はマイクロパラレルシーム接合法における接合不
良の原因を詳細に検討した結果、２つのテーパローラ電
極に対するキャップのずれが大きな原因であることを知
った。
良の原因を詳細に検討した結果、２つのテーパローラ電
極に対するキャップのずれが大きな原因であることを知
った。
第４．５図はその原理説明図であり、第４図は、シール
フレーム２が正規の位置にありながらキャップ５が一方
のテーパローラ電極７側にχだけずれている状態を示す
。また第５図はキャップ５はシールフレーム２自身がテ
ーパローラ電極７側にχだけずれ、この結果キャップ５
がテーパローラ電極７側にχだけずれた状態を示してい
る。
フレーム２が正規の位置にありながらキャップ５が一方
のテーパローラ電極７側にχだけずれている状態を示す
。また第５図はキャップ５はシールフレーム２自身がテ
ーパローラ電極７側にχだけずれ、この結果キャップ５
がテーパローラ電極７側にχだけずれた状態を示してい
る。
これらの場合には、キャップ５のずれχにより一方のテ
ーパローラ電極７はＨ＝χｔａｎθだけ上昇し、他方の
テーパローラ電極８は同量だけ下降する。ここにθはテ
ーパローラ電極７．８のテーパ角である。このようにテ
ーパローラ電極７．８の上下動があると、テーパローラ
電極７．８がキャップ５に接触する部分の半径が変化す
る。このためテーパローラ電極７．８がキャップ５を押
圧する荷重が同じであっても、接触面積が変化してくる
ために接触圧力が変化する。この結果テーパローラ電極
７．８とキャップ５との接触抵抗、またキャップ５とシ
ールフレーム２との接触抵抗がアンバランスになる。ま
た、テーパローラ電極７．８の熱伝達特性もアンバラン
スになる。
ーパローラ電極７はＨ＝χｔａｎθだけ上昇し、他方の
テーパローラ電極８は同量だけ下降する。ここにθはテ
ーパローラ電極７．８のテーパ角である。このようにテ
ーパローラ電極７．８の上下動があると、テーパローラ
電極７．８がキャップ５に接触する部分の半径が変化す
る。このためテーパローラ電極７．８がキャップ５を押
圧する荷重が同じであっても、接触面積が変化してくる
ために接触圧力が変化する。この結果テーパローラ電極
７．８とキャップ５との接触抵抗、またキャップ５とシ
ールフレーム２との接触抵抗がアンバランスになる。ま
た、テーパローラ電極７．８の熱伝達特性もアンバラン
スになる。
このように２つの接合点における全電流が同じであって
も、各接合点の発熱量および放熱量などの熱的条件がア
ンバランスになるため、温度がアンバランスになり、接
合不良が発生するものであることが解った。
も、各接合点の発熱量および放熱量などの熱的条件がア
ンバランスになるため、温度がアンバランスになり、接
合不良が発生するものであることが解った。
そこで発明者はこれらの原因となっている第４図に示す
ようなキャップ５のずれ、あるいは第５図に示すような
シールフレーム２とキャップ５とが一体となったずれを
、テーパローラ電極７．８の上下方向の変位に基づいて
検出し、このキャップ５のずれが予め設置した許容範囲
を外れたことから接合不良を判別するという思想を得た
ものである。
ようなキャップ５のずれ、あるいは第５図に示すような
シールフレーム２とキャップ５とが一体となったずれを
、テーパローラ電極７．８の上下方向の変位に基づいて
検出し、このキャップ５のずれが予め設置した許容範囲
を外れたことから接合不良を判別するという思想を得た
ものである。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例であるマイクロパラレルシー
ム接合装置の側面図、第２図はその接合不良判別装置の
ブロック図である。
ム接合装置の側面図、第２図はその接合不良判別装置の
ブロック図である。
この実施例においては、前記第３図に示すように、回転
テーブル６と共に回転する容器本体３に円形のキャップ
５を載せてシーム接合する。符合ｔｏ、１０はそれぞれ
門形の静荷重式接合ヘッドであり、図では省略したが同
一機枠上に図示のごとく対向させて配置されている。従
って接合ヘッド１０．１０の説明は必要な場合を除き、
一方の接合へラド１０のみの説明に止める。１１はフレ
ームであり、このフレーム１１には直線運動用ベアリン
グ１２によって上下動可能にシャフト１３が保持されて
いる。このシャフト１３の上端部位には重重１４が装荷
されて、シャフト１３に下向きの荷重を付与する。シャ
ツ）１３の下端部には電極支持体１５が固定され、この
支持体１５には前記テーパローラ電極７または８がシャ
フト１３の軸線に対して直角かつ回転自在に装着されて
いる。電極支持体１５には給電帯１６が接続されて、テ
ーパローラ電極７．８に電流が供給される。
テーブル６と共に回転する容器本体３に円形のキャップ
５を載せてシーム接合する。符合ｔｏ、１０はそれぞれ
門形の静荷重式接合ヘッドであり、図では省略したが同
一機枠上に図示のごとく対向させて配置されている。従
って接合ヘッド１０．１０の説明は必要な場合を除き、
一方の接合へラド１０のみの説明に止める。１１はフレ
ームであり、このフレーム１１には直線運動用ベアリン
グ１２によって上下動可能にシャフト１３が保持されて
いる。このシャフト１３の上端部位には重重１４が装荷
されて、シャフト１３に下向きの荷重を付与する。シャ
ツ）１３の下端部には電極支持体１５が固定され、この
支持体１５には前記テーパローラ電極７または８がシャ
フト１３の軸線に対して直角かつ回転自在に装着されて
いる。電極支持体１５には給電帯１６が接続されて、テ
ーパローラ電極７．８に電流が供給される。
前記回転テーブル６は、その上に容器本体３およびキャ
ップ５を載せた状態で両テーパローラ電極７．８の間の
下方に配置される。従ってテーパローラ電極７．８は、
重錘１４．１４の荷重によってキャップ５に押圧される
。この状態で回転テーブル６を電気モータ（図示せず）
などにより回転させる一方１両テーパローラ電極７．８
に電流を流せば、テーパローラ電極７．８に押圧された
部分が発熱し、容器本体３のシールフレームのメッキ層
およびキャップ５のメッキ層が溶融し、シーム接合され
る。
ップ５を載せた状態で両テーパローラ電極７．８の間の
下方に配置される。従ってテーパローラ電極７．８は、
重錘１４．１４の荷重によってキャップ５に押圧される
。この状態で回転テーブル６を電気モータ（図示せず）
などにより回転させる一方１両テーパローラ電極７．８
に電流を流せば、テーパローラ電極７．８に押圧された
部分が発熱し、容器本体３のシールフレームのメッキ層
およびキャップ５のメッキ層が溶融し、シーム接合され
る。
以上説明したマイクロパラレルシーム接合装置は従来装
置と変わるところはなく、従ってテーパローラ電極７．
８の昇降機構等については省略した。
置と変わるところはなく、従ってテーパローラ電極７．
８の昇降機構等については省略した。
この実施例ではシャフト１３．１３の変位を検出するた
め、前記シャフト１３．１３に例えば差動変圧器からな
る位置センサ１８．１８を取付け、シャフト１３とフレ
ーム１１との相対移動距離をそれぞれ電圧変動値として
検出する。
め、前記シャフト１３．１３に例えば差動変圧器からな
る位置センサ１８．１８を取付け、シャフト１３とフレ
ーム１１との相対移動距離をそれぞれ電圧変動値として
検出する。
第２図において２０は変位検出回路であり、この変位検
出回路２０は前記２つの位置センサ１８．１８と、これ
ら位置センサ１８．１８の出力を増幅する増幅回路２１
．２１と、その出力の差を求める差動増幅回路２２と、
この回路２２の出力の絶対値を求める絶対値回路２３と
を備える。位置センサ１８，１８はゼロ設定器１８ａ、
１８ａを備え、このゼロ設定器１８ａ、１８ａによって
キャップ５のずれが無い時における位置センサ１８．１
８の出力電圧がゼロとなるように調整される。また、こ
の位置センサ１８，１８は差動変圧器であるので、キャ
ップ５のずれが無い時の出力をゼロとして、キャップ５
のずれがあると一方の位置センサ１８が正の電圧を他方
の位置センサ１８が負の電圧を出力する。
出回路２０は前記２つの位置センサ１８．１８と、これ
ら位置センサ１８．１８の出力を増幅する増幅回路２１
．２１と、その出力の差を求める差動増幅回路２２と、
この回路２２の出力の絶対値を求める絶対値回路２３と
を備える。位置センサ１８，１８はゼロ設定器１８ａ、
１８ａを備え、このゼロ設定器１８ａ、１８ａによって
キャップ５のずれが無い時における位置センサ１８．１
８の出力電圧がゼロとなるように調整される。また、こ
の位置センサ１８，１８は差動変圧器であるので、キャ
ップ５のずれが無い時の出力をゼロとして、キャップ５
のずれがあると一方の位置センサ１８が正の電圧を他方
の位置センサ１８が負の電圧を出力する。
２３は絶対値回路であり、差動増幅回路２２の絶対値を
求める。
求める。
２４は比較回路であり、この絶対値回路２３の出力を、
設定器２５の設定値と比較し、この設定値より大きくな
ると接合不良と判断して接合不良信号を制御回路２６に
送る。設定器２５の設定値はテーパローラ電極７，８の
変位の許容範囲すなわちキャップ５のずれの許容範囲を
設定するものである。
設定器２５の設定値と比較し、この設定値より大きくな
ると接合不良と判断して接合不良信号を制御回路２６に
送る。設定器２５の設定値はテーパローラ電極７，８の
変位の許容範囲すなわちキャップ５のずれの許容範囲を
設定するものである。
制御回路２６は接合不良信号に基づいて警告ランプや警
告ブザーなどによって警告したり、テーパローラ電極７
．８の電流を遮断し回転テーブル６を停止してシーム接
合を停止させる。
告ブザーなどによって警告したり、テーパローラ電極７
．８の電流を遮断し回転テーブル６を停止してシーム接
合を停止させる。
この実施例においてキャップ５の直径を１２．８７ｍｍ
とし、テーパローラ電極７，８のテーパ角゛θを１５°
とする。ギヤ、プ５の正規の位置からのずれχが１．０
ｍｍあるものとすればテーパローラ電極７，８はそれぞ
れ Ｈ＝１．０Ｘｔａｎ１５゜ ＝１．ＯＸｏ、２７ ＝０．２７ｍｍ だけ上方および下方に変位する。回転テーブル６は約１
１，２秒かけて１８５°回転する。従ってテーパローラ
電極７，８はキャップ５の円周の２０．２ｍｍを１１．
２秒かけて転接する間に。
とし、テーパローラ電極７，８のテーパ角゛θを１５°
とする。ギヤ、プ５の正規の位置からのずれχが１．０
ｍｍあるものとすればテーパローラ電極７，８はそれぞ
れ Ｈ＝１．０Ｘｔａｎ１５゜ ＝１．ＯＸｏ、２７ ＝０．２７ｍｍ だけ上方および下方に変位する。回転テーブル６は約１
１，２秒かけて１８５°回転する。従ってテーパローラ
電極７，８はキャップ５の円周の２０．２ｍｍを１１．
２秒かけて転接する間に。
０．２７ｍｍづつ変位することになる。
チー六ローラ電極７．８の上下逆向きの変位の絶対値の
和は変位検出回路２０で求められ、この変位量が設定器
２５で設定された許容範囲を外れると制御回路２６は警
告を発し、シーム接合動作を停止する。
和は変位検出回路２０で求められ、この変位量が設定器
２５で設定された許容範囲を外れると制御回路２６は警
告を発し、シーム接合動作を停止する。
以上の実施例においては２つのテーパローラ電極７，８
の変位の絶対値の和を変位検出器２０で求めているが、
本発明はこれに限られるものではない。例えばギャップ
周縁がテーパローラ電極の回転軸に対して常に直交する
方向に移動する場合には、一方のテーパローラ電極のみ
の変位を検出して、その絶対値を設定値と比較してもよ
い。このような方法が適用可能な場合としては、円形キ
ャップを回転させてシーム接合する場合、短形のキャッ
プをその周縁方向に平行移動させてシーム接合する場合
などが考えられる。
の変位の絶対値の和を変位検出器２０で求めているが、
本発明はこれに限られるものではない。例えばギャップ
周縁がテーパローラ電極の回転軸に対して常に直交する
方向に移動する場合には、一方のテーパローラ電極のみ
の変位を検出して、その絶対値を設定値と比較してもよ
い。このような方法が適用可能な場合としては、円形キ
ャップを回転させてシーム接合する場合、短形のキャッ
プをその周縁方向に平行移動させてシーム接合する場合
などが考えられる。
また、１つの位置センサにより、２つのテーパローラ電
極の相対変位を検出し、その絶対値を設定値と比較する
ようにしてもよい。例えば、差動変圧器を位置センサと
して用いる場合にはこの差動変圧器のコイル側を一方の
シャフト１３に、可動鉄心側を他方のジャ７）１３にそ
れぞれ固定して、両者の相対変位を１つの差動変圧器で
検出してもよい。
極の相対変位を検出し、その絶対値を設定値と比較する
ようにしてもよい。例えば、差動変圧器を位置センサと
して用いる場合にはこの差動変圧器のコイル側を一方の
シャフト１３に、可動鉄心側を他方のジャ７）１３にそ
れぞれ固定して、両者の相対変位を１つの差動変圧器で
検出してもよい。
この場合には位置センサの出力は前記第１．２図の実施
例のものに比べて２倍になるから感度が向上する。この
ような方法によれば、正多角形のキャップを回転させつ
つシーム接合する場合のように２つの位置センサが同詩
に上下動する場合にも、キャップのずれによる変位のみ
を検出できる利点がある。
例のものに比べて２倍になるから感度が向上する。この
ような方法によれば、正多角形のキャップを回転させつ
つシーム接合する場合のように２つの位置センサが同詩
に上下動する場合にも、キャップのずれによる変位のみ
を検出できる利点がある。
また、前記第１，２図の実施例では、位置センサ１８と
して差動変圧器を用いゼロ設定器１８ａによってゼロ調
整するが１本発明における変位検出回路はこれに限定さ
れるものでないのは勿論である。例えば、テーパローラ
電極への通電開始時またはその直前におけるテーパロー
ラ電極の位置を示す位置センサの出力を記憶し、その後
のシーム接合中の位置センサの出力とこの記憶値との差
から変位を求めてもよい。また、位置センサの出力の最
大値と最小値を求め両者の差から最大変位を求めたり、
位置センサの出力の変化率からキャップのずれを間接的
に検出するものなど種々の構成が可能である。本発明は
キャップのずれをテーパローラ電極の変位に基づいて検
出するものであれば全て包含するものである。
して差動変圧器を用いゼロ設定器１８ａによってゼロ調
整するが１本発明における変位検出回路はこれに限定さ
れるものでないのは勿論である。例えば、テーパローラ
電極への通電開始時またはその直前におけるテーパロー
ラ電極の位置を示す位置センサの出力を記憶し、その後
のシーム接合中の位置センサの出力とこの記憶値との差
から変位を求めてもよい。また、位置センサの出力の最
大値と最小値を求め両者の差から最大変位を求めたり、
位置センサの出力の変化率からキャップのずれを間接的
に検出するものなど種々の構成が可能である。本発明は
キャップのずれをテーパローラ電極の変位に基づいて検
出するものであれば全て包含するものである。
（発明の効果）
本発明は以上のように、半導体回路素子の容器をマイク
ロパラレルシーム接合する際に、テーパローラ電極の変
位に基づいてキャップのずれが許容範囲内にあるか否か
を判別することによりシーム接合の良否を検出する。こ
のため２つのテーパローラ電極のキャップ接触部分の回
転半径の差が許容範囲を超えて過大にならず、温度のア
ンバランスによる接合不良を高精度に検出できる。この
結果法のような種々の効果を得ることができる。
ロパラレルシーム接合する際に、テーパローラ電極の変
位に基づいてキャップのずれが許容範囲内にあるか否か
を判別することによりシーム接合の良否を検出する。こ
のため２つのテーパローラ電極のキャップ接触部分の回
転半径の差が許容範囲を超えて過大にならず、温度のア
ンバランスによる接合不良を高精度に検出できる。この
結果法のような種々の効果を得ることができる。
（１）シーム接合不良に基づく容器の気密性の低下を防
止し、製品の歩留りを著しく高めることができる。
止し、製品の歩留りを著しく高めることができる。
（２）後工程の組立作業中や使用中に破損しない強固な
気密封止が可能になる。
気密封止が可能になる。
（３）２つの接合部の温度のアンバランスが小さくなる
ので、温度が過度に上昇することがなくなり、テーパロ
ーラ電極や容器の損傷が発生しない。
ので、温度が過度に上昇することがなくなり、テーパロ
ーラ電極や容器の損傷が発生しない。
（４）温度が過度に上昇することがないので、収容する
半導体回路素子の温度による特性への悪影’２ＪＩ防止
することができる。
半導体回路素子の温度による特性への悪影’２ＪＩ防止
することができる。
第１図、本発明の一実施例である装置の側面図、第２図
は接合不良判別装置のブロック図、第３図はマイクロパ
ラレルシーＬ、接合法の説明図、第４，５図は本発明の
原理説明図である。 ３・・・・・・・・・・・・容器本体。 ４・・・・・・・・・・・・半導体回路素子。 ５・・・・・・・・・・・・キャップ。 ７．８・・・・・・・・テーパローラ電極。 １８・・・・・・・・・・・・位置センサ。 ２０・・・・・・・・・・・・変位検出回路。 ２２・・・・・・・・・・・・差動増幅回路。 ２３・・・・・・・・・・・・絶対値回路。 ２４・・・・・・・・・・・・比較回路。 ２５・・・・・・・・・・・・設定器。 特許出願人 １１木アビオニクス株式会社代 理 人
Ｊ「埋土 山 ＩＩ＋ 文 如第３図 第４図 第５図
は接合不良判別装置のブロック図、第３図はマイクロパ
ラレルシーＬ、接合法の説明図、第４，５図は本発明の
原理説明図である。 ３・・・・・・・・・・・・容器本体。 ４・・・・・・・・・・・・半導体回路素子。 ５・・・・・・・・・・・・キャップ。 ７．８・・・・・・・・テーパローラ電極。 １８・・・・・・・・・・・・位置センサ。 ２０・・・・・・・・・・・・変位検出回路。 ２２・・・・・・・・・・・・差動増幅回路。 ２３・・・・・・・・・・・・絶対値回路。 ２４・・・・・・・・・・・・比較回路。 ２５・・・・・・・・・・・・設定器。 特許出願人 １１木アビオニクス株式会社代 理 人
Ｊ「埋土 山 ＩＩ＋ 文 如第３図 第４図 第５図
Claims (7)
- （１）半導体回路素子を収容する上方が開口した容器本
体にキャップを載せ、前記キャップの対称な周縁に接触
するように配置された一対のテーパローラ電極を、前記
キャップの周縁に上方から転接させつつ通電することに
より、前記キャップと容器本体との間に介在するメッキ
層を溶融させ、前記キャップを前記容器本体にシーム接
合するマイクロパラレルシーム接合装置において、 少くとも一方の前記テーパローラ電極の上下方向の変位
に基づいて前記キャップのずれによる接合不良を判別す
ることを特徴とするマイクロパラレルシーム接合装置の
接合不良判別方法。 - （２）前記容器本体は前記キャップの周縁が前記テーパ
ローラ電極の回転軸に対して直交する方向に相対移動さ
れ、一方のテーパローラ電極の変位を検出しこの変位が
予め設定した許容範囲を外れたことから接合不良を判別
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイ
クロパラレルシーム接合装置の接合不良判別方法。 - （３）２つのテーパローラ電極の相対変位を検出し、こ
の相対変位は予め設定した許容範囲を外れたことから接
合不良を判別することを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のマイクロパラレルシーム接合装置の接合不良判
別方法。 - （４）半導体回路素子を収容する上方が開口した容器本
体にキャップを載せ、前記キャップの対称な周縁に接触
するように配置された一対のテーパローラを、前記キャ
ップの周縁に上方より転接させつつ通電することにより
前記キャップと容器本体との間に介在するメッキ層を溶
融させ、前記キャップを前記容器本体にシーム接合する
マイクロパラレルシーム接合装置において、 前記キャップのずれが無い状態を基準として少くとも一
方の前記テーパローラ電極の変位を検出する変位検出回
路と、前記テーパローラ電極の変位の許容範囲を設定す
る設定器と、前記テーパローラ電極の変位を前記許容範
囲と比較する比較器とを備え、前記テーパローラ電極の
変位が前記許容範囲を外れたことから接合不良を判別す
ることを特徴とするマイクロパラレルシーム接合装置の
接合不良判別装置。 - （５）一対のテーパローラ電極は前記キャップの周縁の
移動方向に直交する直線上に対向配置され、変位検出回
路は、一方のテーパローラ電極の変位を検出する位置セ
ンサと、この位置センサの出力の絶対値を求める絶対値
回路とを備えることを特徴とする特許請求の範囲第４項
記載のマイクロパラレルシーム接合装置の接合不良判別
装置。 - （６）変位検出回路は２つのテーパローラ電極の相対変
位を検出する１つの位置センサと、この位置センサの出
力の絶対値を求める絶対値回路とを備えることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載のマイクロパラレルシー
ム接合装置の接合不良判別装置。 - （７）変位検出回路は２つのテーパローラ電極のそれぞ
れの変位を検出する２つの位置センサと、これら各位置
センサの出力の差を求める差動増幅器と、この差動増幅
器の出力の絶対値を求める絶対値回路とを備えることを
特徴とする特許請求の範囲第４項記載のマイクロパラレ
ルシーム接合装置の接合不良判別装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022749A JPS61183946A (ja) | 1985-02-09 | 1985-02-09 | マイクロパラレルシ−ム接合装置の接合不良判別方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60022749A JPS61183946A (ja) | 1985-02-09 | 1985-02-09 | マイクロパラレルシ−ム接合装置の接合不良判別方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183946A true JPS61183946A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0344421B2 JPH0344421B2 (ja) | 1991-07-05 |
Family
ID=12091338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60022749A Granted JPS61183946A (ja) | 1985-02-09 | 1985-02-09 | マイクロパラレルシ−ム接合装置の接合不良判別方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183946A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348744B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2002-10-25 | 차이나 스틸 코포레이션 | 벽부재상의링리테이너내에장착되는튜브형본체의조립과해체에적합한푸시풀장치 |
| KR101366536B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2014-02-28 | 주식회사 장원 | 용광로용 풍구해체장치 |
| US11021764B2 (en) * | 2017-08-18 | 2021-06-01 | Paul Wurth S.A. | Extraction device for a tuyere part |
-
1985
- 1985-02-09 JP JP60022749A patent/JPS61183946A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100348744B1 (ko) * | 1998-06-17 | 2002-10-25 | 차이나 스틸 코포레이션 | 벽부재상의링리테이너내에장착되는튜브형본체의조립과해체에적합한푸시풀장치 |
| KR101366536B1 (ko) * | 2012-12-13 | 2014-02-28 | 주식회사 장원 | 용광로용 풍구해체장치 |
| US11021764B2 (en) * | 2017-08-18 | 2021-06-01 | Paul Wurth S.A. | Extraction device for a tuyere part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344421B2 (ja) | 1991-07-05 |
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