JPS61182587A - 相補論理ゲートを使つて電子部品の故障をテストする方法 - Google Patents
相補論理ゲートを使つて電子部品の故障をテストする方法Info
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- JPS61182587A JPS61182587A JP61013596A JP1359686A JPS61182587A JP S61182587 A JPS61182587 A JP S61182587A JP 61013596 A JP61013596 A JP 61013596A JP 1359686 A JP1359686 A JP 1359686A JP S61182587 A JPS61182587 A JP S61182587A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、一般に、それぞれの電子部品がその状態を表
わすデジタル部品信号を出す一層の電子部品内の故障を
テストする方法に関するものである。この方法では、理
論的に部品信号の論理積(AND)または論理積否定(
NAND)関数であるテストゲート信号を生成させ、理
論的に部品信号の全てを論理的“O″ (すなわち、“
偽り”状態)にする情報パターンを電子部品に加えて、
テストゲート信号を観察する。また、本発明は、それぞ
れの電子部品がその状態を表わすデジタル部品信号を出
す一層の電子部品と、前記一群の電子部品内の故障をテ
ストするテスト手段とで構成された電子デジタル回路に
関するものであり、テスト手段は、部品信号の論理積(
AND)関数または論理積否定(NAND)関数のいず
れかであるテストゲート信号をその出力側に発生するテ
ストゲートを備えている。
わすデジタル部品信号を出す一層の電子部品内の故障を
テストする方法に関するものである。この方法では、理
論的に部品信号の論理積(AND)または論理積否定(
NAND)関数であるテストゲート信号を生成させ、理
論的に部品信号の全てを論理的“O″ (すなわち、“
偽り”状態)にする情報パターンを電子部品に加えて、
テストゲート信号を観察する。また、本発明は、それぞ
れの電子部品がその状態を表わすデジタル部品信号を出
す一層の電子部品と、前記一群の電子部品内の故障をテ
ストするテスト手段とで構成された電子デジタル回路に
関するものであり、テスト手段は、部品信号の論理積(
AND)関数または論理積否定(NAND)関数のいず
れかであるテストゲート信号をその出力側に発生するテ
ストゲートを備えている。
(発明が解決しようとする問題点)
電子装置のデジタル部分の故障をテストする技術は多数
開発されている。これらの技術は、一般に、装置のデジ
タル部品に論理的“1”と“O”の適当なパターンを加
え、部品からの出力信号を観察することから成っている
。例としては、米国特許第4,061,908号を参照
されたい。信号を運ぶ回線が装置内に埋没していて外部
試験装置が出力信号にアクセスすることが困難であれば
、部品をテストする問題は、より一層難かしくなる。特
に、典型的な大規模集積回路(IC)の限られたピンの
数でICの内部状態を観察するには、厳しい限界がある
。
開発されている。これらの技術は、一般に、装置のデジ
タル部品に論理的“1”と“O”の適当なパターンを加
え、部品からの出力信号を観察することから成っている
。例としては、米国特許第4,061,908号を参照
されたい。信号を運ぶ回線が装置内に埋没していて外部
試験装置が出力信号にアクセスすることが困難であれば
、部品をテストする問題は、より一層難かしくなる。特
に、典型的な大規模集積回路(IC)の限られたピンの
数でICの内部状態を観察するには、厳しい限界がある
。
フォスター他の論文“連想記憶アドレス型ライン・ドラ
イバーの検査”、I B M Tech、 Disc。
イバーの検査”、I B M Tech、 Disc。
Bull、、 Vow、 13.1971年5月、3
867−3868頁には、記憶装置に対する一対のアド
レス・ラインを制御するライン・ドライバーをテストす
る場合の前記困難さを克服する1つの試みが記載されて
いる。ライン・ドライバーは、特別の記憶装置を構成す
るテスト・セルの出力信号に応答するNANDゲートに
よって、故障の有無がテストされるようになっている。
867−3868頁には、記憶装置に対する一対のアド
レス・ラインを制御するライン・ドライバーをテストす
る場合の前記困難さを克服する1つの試みが記載されて
いる。ライン・ドライバーは、特別の記憶装置を構成す
るテスト・セルの出力信号に応答するNANDゲートに
よって、故障の有無がテストされるようになっている。
上記フォスタの方法の欠点は、テスト手順を遂行するの
に、大量のオンチップ・テスト回路が必要なことである
。その上、その方法は、通常動作の聞咎対のアドレス・
ライン上に正反対の2進信号が存在していることに依存
している。したがって、出力信号にアクセスすることが
困難な一層の電子部品の故障をテストする場合、必要な
オンチップテスト回路が少なくてすむより一般的な方法
が得られれば望ましい。
に、大量のオンチップ・テスト回路が必要なことである
。その上、その方法は、通常動作の聞咎対のアドレス・
ライン上に正反対の2進信号が存在していることに依存
している。したがって、出力信号にアクセスすることが
困難な一層の電子部品の故障をテストする場合、必要な
オンチップテスト回路が少なくてすむより一般的な方法
が得られれば望ましい。
(問題点を解決するための手段)
本発明による、一群の電子部品の故障をテストする方法
は、 理論的に部品信号の論理和(OR)または論理和否定(
NOR)関数である第1ゲート信号を作ること(テスト
ゲート信号は第2ゲート信号と定義する)、 理論的に部品信号の全てを、それぞれ論理的“θ″と“
1”にする第1および第2情報パターンを電子部品に加
えてゲート信号を観察すること、および 観察ステップにおいてゲート信号として生じた実際値と
ゲート信号の対応する理論(故障のない状態における)
値とを比較すること、 が特徴である。部品信号を切り換えさせる入力データに
応じて、その部品信号が論理的“0” (すなわち、“
偽り”状態、以下通例により“0”と呼ぶ)から論理的
“1” (すなわち、“真”状態、以下通例により“1
″と呼ぶ)、またはその逆に切り換わらない場名には、
部品の1つに故障がある。すなわち、部品信号は、“0
”か“1″のどちらかに1停留する(Stuck at
)。同様に、ゲート信号を切り換えさせる入力データに
応じてゲート信号が切り換らない場合には、第1および
第2ゲート信号の一方に“停留” (Stuck at
)故障が存在する。
は、 理論的に部品信号の論理和(OR)または論理和否定(
NOR)関数である第1ゲート信号を作ること(テスト
ゲート信号は第2ゲート信号と定義する)、 理論的に部品信号の全てを、それぞれ論理的“θ″と“
1”にする第1および第2情報パターンを電子部品に加
えてゲート信号を観察すること、および 観察ステップにおいてゲート信号として生じた実際値と
ゲート信号の対応する理論(故障のない状態における)
値とを比較すること、 が特徴である。部品信号を切り換えさせる入力データに
応じて、その部品信号が論理的“0” (すなわち、“
偽り”状態、以下通例により“0”と呼ぶ)から論理的
“1” (すなわち、“真”状態、以下通例により“1
″と呼ぶ)、またはその逆に切り換わらない場名には、
部品の1つに故障がある。すなわち、部品信号は、“0
”か“1″のどちらかに1停留する(Stuck at
)。同様に、ゲート信号を切り換えさせる入力データに
応じてゲート信号が切り換らない場合には、第1および
第2ゲート信号の一方に“停留” (Stuck at
)故障が存在する。
本発明による電子回路は、テスト手段がさらに部品信号
の論理和(OR)または論理和否定(NOR)のどちら
かである第1ゲート信号をその出力側に発生する第1ゲ
ートを備えていることが特徴である。ここで、テストゲ
ートとテストゲート信号を、それぞれ第2ゲートと第2
ゲート信号と定義する。
の論理和(OR)または論理和否定(NOR)のどちら
かである第1ゲート信号をその出力側に発生する第1ゲ
ートを備えていることが特徴である。ここで、テストゲ
ートとテストゲート信号を、それぞれ第2ゲートと第2
ゲート信号と定義する。
入力情報パターンに応じて、素子たとえば部品またはゲ
ートの1つが出すデジタル出力データの説明において、
ここで使用するとき、“理論的”または“理論的に”の
語は、素子に停留故障が存在していない場合に予想され
る固有の出力データを表わす。すなわち、“理論的”デ
ジタル出力データは、素子が正常に動作しているときに
生じたデータである。
ートの1つが出すデジタル出力データの説明において、
ここで使用するとき、“理論的”または“理論的に”の
語は、素子に停留故障が存在していない場合に予想され
る固有の出力データを表わす。すなわち、“理論的”デ
ジタル出力データは、素子が正常に動作しているときに
生じたデータである。
本方法および本電子回路では、理論的に部品信号の全て
を“0”にする情報パターンを部品に加えて、ゲート信
号を観察する。同様に、理論的に部品信号の全てを“1
”にする情報パターンを加えてゲート信号を観察する。
を“0”にする情報パターンを部品に加えて、ゲート信
号を観察する。同様に、理論的に部品信号の全てを“1
”にする情報パターンを加えてゲート信号を観察する。
続いて、これら2つの操作においてゲート信号として生
じた実際値とゲート信号の理論値とをそれぞれ比較する
。実際値と理論値との一対一の一致は、部品信号のどれ
もが“θ″または1”に停留して(Stuck at)
ないことを示す。
じた実際値とゲート信号の理論値とをそれぞれ比較する
。実際値と理論値との一対一の一致は、部品信号のどれ
もが“θ″または1”に停留して(Stuck at)
ないことを示す。
もし、一対一の一致が生じなければ、通常は、部品やゲ
ートに、少なくとも1個の停留故障が存在する。この不
一致は、誤りの典型を示している。
ートに、少なくとも1個の停留故障が存在する。この不
一致は、誤りの典型を示している。
通常は、できるだけ多くの故障を分離するため、さらに
テストが実行される。このテストは、部品信号に“ロー
リング(rolling ) 0”または“ローリング
1”、パターン、もしくはその両方を使用することを含
んでいることが好ましい。
テストが実行される。このテストは、部品信号に“ロー
リング(rolling ) 0”または“ローリング
1”、パターン、もしくはその両方を使用することを含
んでいることが好ましい。
本発明は、部品信号にアクセスすることが困難である装
置たとえばICの内部電子部品をテストするのに特に適
している。ICに組み込む必要のある唯一の付加回路は
、相補ゲートである。少数のテストパターンを用いて停
留故障の場所を決定することができる。本方法は、テス
トする部品の個々の特性によって制限されないので、広
い用途を有している。
置たとえばICの内部電子部品をテストするのに特に適
している。ICに組み込む必要のある唯一の付加回路は
、相補ゲートである。少数のテストパターンを用いて停
留故障の場所を決定することができる。本方法は、テス
トする部品の個々の特性によって制限されないので、広
い用途を有している。
本発明による電子デジタル回路の好ましい実施例は、デ
ジタル回路が1個の半導体基板の上に集積されているこ
と、そして第1および第2ゲートの出力がボンディング
・パッドに接続されていることが特徴である。このよう
な集積回路は、前記ボンディング・パッドに容易にアク
セスできるので、たとえば“パッケージング”前に、本
発明による方法でテストすることが可能である。しかし
、前記ボンディング・パッドは、外部接続ピンに接続さ
れていることが必要である。ボンディング・バンドが前
記ピンに接続されていれば、パッケージ回路を随時テス
トすることが可能である。もしボンディング・バンドが
前記ピンに接続されていなければ、テストはパフケージ
ング前にしか実行できないが、集積デバイスに対する接
続ピンの総数は増えない。それらの接続ピンは、本発明
によるテスト手段を構成するものではない。
ジタル回路が1個の半導体基板の上に集積されているこ
と、そして第1および第2ゲートの出力がボンディング
・パッドに接続されていることが特徴である。このよう
な集積回路は、前記ボンディング・パッドに容易にアク
セスできるので、たとえば“パッケージング”前に、本
発明による方法でテストすることが可能である。しかし
、前記ボンディング・パッドは、外部接続ピンに接続さ
れていることが必要である。ボンディング・バンドが前
記ピンに接続されていれば、パッケージ回路を随時テス
トすることが可能である。もしボンディング・バンドが
前記ピンに接続されていなければ、テストはパフケージ
ング前にしか実行できないが、集積デバイスに対する接
続ピンの総数は増えない。それらの接続ピンは、本発明
によるテスト手段を構成するものではない。
(実施例)
以下、図面を参照して好ましい実施例を説明するが、図
面および以下の説明において、同一または非常によ(似
た部品は、同一参照記号を用いて表示しである。図中の
電界効果トランジスタ(FET)は、全てNチャンネル
絶縁ゲート型トランジスタである。ディプレッション型
FETのチャンネル領域は、エンハンスメント型FET
と区別するため特に太く示しである。
面および以下の説明において、同一または非常によ(似
た部品は、同一参照記号を用いて表示しである。図中の
電界効果トランジスタ(FET)は、全てNチャンネル
絶縁ゲート型トランジスタである。ディプレッション型
FETのチャンネル領域は、エンハンスメント型FET
と区別するため特に太く示しである。
本方法に従って、多くの種類の電子デバイスを停留故障
についてテストすることができる。第1図に示すような
部分10を含んでいる集積回路(IC)は、そのような
1つのデバイスである。
についてテストすることができる。第1図に示すような
部分10を含んでいる集積回路(IC)は、そのような
1つのデバイスである。
テストする回路は、ここでは部品C1、C2、およびC
3で代表される一層の本質的に同じ電子部品である。各
部品C1、C2またはC3は、対応する入力信号11、
I2またはI3に応答し、その部品の状態を表わす対応
するデジタル出力信号S1、S2、またはS3を発生す
る。1つの信号として図示しであるが、各人力■1、I
2またはI3は、2つ以上の信号で構成することができ
る。
3で代表される一層の本質的に同じ電子部品である。各
部品C1、C2またはC3は、対応する入力信号11、
I2またはI3に応答し、その部品の状態を表わす対応
するデジタル出力信号S1、S2、またはS3を発生す
る。1つの信号として図示しであるが、各人力■1、I
2またはI3は、2つ以上の信号で構成することができ
る。
それぞれ、部品信号81〜S3を伝える回線・Ll、L
2およびL3は、ICの入出力ピンに接続されていない
ので、ICの最終パッシベーション後は、非破壊的に調
べることはできない。
2およびL3は、ICの入出力ピンに接続されていない
ので、ICの最終パッシベーション後は、非破壊的に調
べることはできない。
回線L1〜L3に結合された部品01〜C3は、いろい
ろなものであってもよい。たとえば、部品01〜C3は
、回線L1〜L3で形成されたデジタル・パスのための
ライン・ドライバであってもよい。別な例として、部品
01〜C3は、出力信号が回線L1〜L3上で運ばれる
記憶セルであってもよい、その他の可能性として、アナ
ログ・デジタル交換器、各種の論理ゲート、検出増幅器
がある。
ろなものであってもよい。たとえば、部品01〜C3は
、回線L1〜L3で形成されたデジタル・パスのための
ライン・ドライバであってもよい。別な例として、部品
01〜C3は、出力信号が回線L1〜L3上で運ばれる
記憶セルであってもよい、その他の可能性として、アナ
ログ・デジタル交換器、各種の論理ゲート、検出増幅器
がある。
部品01〜C3のテストは、IC部分10の中に設けら
れた多入力相補論理ゲートA、Bで実行される。ゲート
A、Bの入力端子は、回線L1〜L3を介して部品01
〜C3に接続されている。
れた多入力相補論理ゲートA、Bで実行される。ゲート
A、Bの入力端子は、回線L1〜L3を介して部品01
〜C3に接続されている。
ゲー)Aは、出力信号OAを発生するORまたはNOR
ゲートとして構成されている。ゲートBは、出力信号O
Bを発生するANDまたはNANDゲートとして構成さ
れている。これにより、4つの異なる相補配列が得られ
る。ゲートA、Bが正常に動作すれば、ゲート信号OA
は、信号81〜S3の論理和(OR)関数または論理和
否定(NOR)関数であり、他方ゲート信号OBはそれ
らの論理積(AND)関数または論理積否定(NAND
)関数である。信号OA、OBは、ICの出力ピンから
取り出すことが可能である。
ゲートとして構成されている。ゲートBは、出力信号O
Bを発生するANDまたはNANDゲートとして構成さ
れている。これにより、4つの異なる相補配列が得られ
る。ゲートA、Bが正常に動作すれば、ゲート信号OA
は、信号81〜S3の論理和(OR)関数または論理和
否定(NOR)関数であり、他方ゲート信号OBはそれ
らの論理積(AND)関数または論理積否定(NAND
)関数である。信号OA、OBは、ICの出力ピンから
取り出すことが可能である。
ゲー)A、Bの内部構成は、ゲートがそれぞれOR/N
ORおよびAND/NANDの相補論理機能を果しさえ
すれば、特に重要ではない。たとえば、ゲートAが反転
(invertea)入力によってNANDまたはAN
Dゲートとして構成される事実は、ド・モルガンの定理
に基づき、ゲートAはなおORゲートまたはNORゲー
トとして機能するので、本テスト方法には影響はない。
ORおよびAND/NANDの相補論理機能を果しさえ
すれば、特に重要ではない。たとえば、ゲートAが反転
(invertea)入力によってNANDまたはAN
Dゲートとして構成される事実は、ド・モルガンの定理
に基づき、ゲートAはなおORゲートまたはNORゲー
トとして機能するので、本テスト方法には影響はない。
同様な注釈は、ゲートBが、反転入力によって、NOR
ゲートまたはORゲートとして構成される場合にも当て
はまる。
ゲートまたはORゲートとして構成される場合にも当て
はまる。
便宜上、停留(Stuck at)故障をS−A”故障
と呼ぶ。入力11、I2またはI3が論理出力の変化を
生じさせるように変化しても、出力S1、S2またはS
3が0”または“1”のままであるときは、部品C1C
2またはC3内にS−A故障がある。同様に、信号81
〜S3の適当な変化に応じて出力OAまたはOBが変化
しないときは、ゲートAまたはB内にS−A故障が存在
する。
と呼ぶ。入力11、I2またはI3が論理出力の変化を
生じさせるように変化しても、出力S1、S2またはS
3が0”または“1”のままであるときは、部品C1C
2またはC3内にS−A故障がある。同様に、信号81
〜S3の適当な変化に応じて出力OAまたはOBが変化
しないときは、ゲートAまたはB内にS−A故障が存在
する。
S−A故障についてテストする場合、最初のステップは
、理論的に信号81〜S3の全てが“0”、すなわち“
偽り”になるように入力!1〜■3を調整することであ
る。これは、“全部O”パターンの提供と呼ばれる。こ
のステップにおける出力OA、OBの値を観察するため
に、通常の試験装置が使用される。第2のステップは、
理論的に信号81〜S3の全てが“1”、すなわち“真
”であるように、入力rt〜■3を調整することである
。これは、“全部1”パターンの提供と呼ばれる。同様
に、第2のステップにおいてOA値とOB値が観察され
る。これらのステップの実行順序は、勿論重要なことで
はない。
、理論的に信号81〜S3の全てが“0”、すなわち“
偽り”になるように入力!1〜■3を調整することであ
る。これは、“全部O”パターンの提供と呼ばれる。こ
のステップにおける出力OA、OBの値を観察するため
に、通常の試験装置が使用される。第2のステップは、
理論的に信号81〜S3の全てが“1”、すなわち“真
”であるように、入力rt〜■3を調整することである
。これは、“全部1”パターンの提供と呼ばれる。同様
に、第2のステップにおいてOA値とOB値が観察され
る。これらのステップの実行順序は、勿論重要なことで
はない。
次に、“全部0”ステップおよび“全部1”ステップに
おいて生じたOAおよびOBの値がそれぞれ、理論的、
すなわち“正常な”OAおよびOB値と比較される。も
し一対一の一致があれば、どの部品出力81〜S3も停
留していない。また、ゲートAまたはゲートBはどちら
も停留していない。OAおよびOBの実際値と理論値と
の不一致は、IC部分10の中に1個またはそれ以上の
S−A故障があることを示している。この不一致により
、各S−A故障の種類と場所に関する部分的情報が得ら
れる。
おいて生じたOAおよびOBの値がそれぞれ、理論的、
すなわち“正常な”OAおよびOB値と比較される。も
し一対一の一致があれば、どの部品出力81〜S3も停
留していない。また、ゲートAまたはゲートBはどちら
も停留していない。OAおよびOBの実際値と理論値と
の不一致は、IC部分10の中に1個またはそれ以上の
S−A故障があることを示している。この不一致により
、各S−A故障の種類と場所に関する部分的情報が得ら
れる。
S−A故障に関するさらに詳しいデータは、“ローリン
グO”テストまたは(および)“ローリング1”テスト
を実行して得ることが好ましい。
グO”テストまたは(および)“ローリング1”テスト
を実行して得ることが好ましい。
“ローリング0”テストは、信号81〜S3の選択され
た1つが理論的に“正常”状態において“O” (偽り
)になり、残りの信号が理論的に“正常”状態において
“1” (真)になるように、入力11〜■3の値を調
整することから成る。この調整は、それぞれの信号81
〜S3について順次実行される。10−リング1″テス
トは、丁度正反対゛であり、それぞれの信号81〜S3
が、順番に、理論的に“1”になり、残りの信号が理論
的に0″になるように、入力11〜I3の値を順次調整
することから成る。
た1つが理論的に“正常”状態において“O” (偽り
)になり、残りの信号が理論的に“正常”状態において
“1” (真)になるように、入力11〜■3の値を調
整することから成る。この調整は、それぞれの信号81
〜S3について順次実行される。10−リング1″テス
トは、丁度正反対゛であり、それぞれの信号81〜S3
が、順番に、理論的に“1”になり、残りの信号が理論
的に0″になるように、入力11〜I3の値を順次調整
することから成る。
次に、特別な実例でテスト方法の特徴をより明確に明ら
かにする。ゲートAがNORゲートで、ゲートBがAN
Dゲートである実例について検討する。NORゲートA
の出力OAは、(理論的に)81〜S3の全てが“0”
のときだけ“1”である。ANDゲートBの出力OBは
、(理論的に)81〜S3の全てが“1”のときだけ“
1”である。
かにする。ゲートAがNORゲートで、ゲートBがAN
Dゲートである実例について検討する。NORゲートA
の出力OAは、(理論的に)81〜S3の全てが“0”
のときだけ“1”である。ANDゲートBの出力OBは
、(理論的に)81〜S3の全てが“1”のときだけ“
1”である。
表Iは、“全部0”および“全部1”ステップのおいて
生じる可能性があるOAとOBのさまざまな組合せを示
す。“5−A−0”は、O停留故障(Stuck at
O)を、”5−A−1″は、1停留故障(Stuck
at 1)を意味する。理論的結果として、(OA、
OB)は、“全部0”ステップのとき(1、O)であり
、“全部1”ステップのとき(0,1)である。もしO
AおよびOBが実際にこれらの値をとれば、信号S1〜
S3、AまたはBは、どれも停留していない。
生じる可能性があるOAとOBのさまざまな組合せを示
す。“5−A−0”は、O停留故障(Stuck at
O)を、”5−A−1″は、1停留故障(Stuck
at 1)を意味する。理論的結果として、(OA、
OB)は、“全部0”ステップのとき(1、O)であり
、“全部1”ステップのとき(0,1)である。もしO
AおよびOBが実際にこれらの値をとれば、信号S1〜
S3、AまたはBは、どれも停留していない。
次に第2a図を参照して、NORゲートAとANDゲー
トBに対する“全部O”パターンの使用を説明する。“
全部0”ステップのときOAについてのみ不一致が生じ
る事例を検討する。これは、81〜S3のうち少なくと
も1つ(全部ではない)が、たとえば第2a図のように
、Slが5−A−1であることを示すことがある。他方
、これは、ゲートA内の5−A−0故障を示すこともあ
る。
トBに対する“全部O”パターンの使用を説明する。“
全部0”ステップのときOAについてのみ不一致が生じ
る事例を検討する。これは、81〜S3のうち少なくと
も1つ(全部ではない)が、たとえば第2a図のように
、Slが5−A−1であることを示すことがある。他方
、これは、ゲートA内の5−A−0故障を示すこともあ
る。
“ローリング0”テストは、可能性のある故障の場所を
より詳しく決定するために行なう。表■は、“ローリン
グO”テストにより生じると思われる結果の例を示す。
より詳しく決定するために行なう。表■は、“ローリン
グO”テストにより生じると思われる結果の例を示す。
信号S1が5−A−1であると仮定すると、“ローリン
グ0′″が81に達したとき、OBは“1”になること
によってこの故障を識別する。OAは依然して5−A−
0であるかもしれない。本方法では、これを、これ以上
明らかにすることはできない、しかしながら、もし、“
ローリング0″テストのどの時点においても、OBが1
11にならなければ、ゲートAは5−A−0であるが、
81〜S3はどれも停留しない。
グ0′″が81に達したとき、OBは“1”になること
によってこの故障を識別する。OAは依然して5−A−
0であるかもしれない。本方法では、これを、これ以上
明らかにすることはできない、しかしながら、もし、“
ローリング0″テストのどの時点においても、OBが1
11にならなければ、ゲートAは5−A−0であるが、
81〜S3はどれも停留しない。
同様に、′全部1″ステップのときOBについてだけ不
一致が生じる事例を検討する。この事例は、S1〜S3
のうち1またはそれ以上(全部ではない)が、たとえば
第2b図のように、S2が5−A−0であることを意味
することがある。また、この不一致は、ゲートBが5−
A−0故障であることを示すこともある。
一致が生じる事例を検討する。この事例は、S1〜S3
のうち1またはそれ以上(全部ではない)が、たとえば
第2b図のように、S2が5−A−0であることを意味
することがある。また、この不一致は、ゲートBが5−
A−0故障であることを示すこともある。
次に、“ローリング1″テストは、可能性のある故障の
場所を決定するために行なう。表■は、典型的な結果を
示す。“ローリング1”が信号2に達したとき、OAは
、“θ″になって、5−A−〇であることを識別する。
場所を決定するために行なう。表■は、典型的な結果を
示す。“ローリング1”が信号2に達したとき、OAは
、“θ″になって、5−A−〇であることを識別する。
もし“ローリング1″テスト全体を通じてOAが11”
にとどまっていれば、81〜S3はどれも停留しないが
、ゲートBに5−A−0故障が生じる。
にとどまっていれば、81〜S3はどれも停留しないが
、ゲートBに5−A−0故障が生じる。
表T、A=NORゲート、B=ANDゲートの場合、起
りうる結果 残りの7つの組合せ 起りえない 表n、A=NORゲート、B=ANDゲートの場合、少
なくとも1個の部品信号が5−A−1、または(および
)OAが5−A−0である、10−リングO″パターン
を使用した典型的な結果 SI S2 S3 0A OB
意 味0→11100→I Slは“1
″に停留する1 0 1 0 0 S2
は停留しない1 1 0 0 0 S3は停
留しない表■、ゲートA=NORゲート、ゲートB=A
NDゲートの場合、少なくとも1個の部品信号が5−A
−0,または(および)OBが5−A−0である、“ロ
ーリング1”パターンを使用した典型的結果 SI S2 S3 σA OB
意 味1 0 0 1 0
Slは停留しない01→001→0 0 S2は′O
”に停留する0 0 1 1 0 S3は
停留しないもし、′全部1”ステップのときOAについ
てのみ不一致が生じれば、表Iに示すようにゲートAは
5−A−1である、81〜S3はどれも5−A−0でな
いが、81〜S3のうち1個またはそれ以上(全部では
ない)が5−A−1であるかもしれない。もしあれば、
81〜S3のどれが5−A−1であるかを識別するため
に、“ローリングO”テストが実行される。
りうる結果 残りの7つの組合せ 起りえない 表n、A=NORゲート、B=ANDゲートの場合、少
なくとも1個の部品信号が5−A−1、または(および
)OAが5−A−0である、10−リングO″パターン
を使用した典型的な結果 SI S2 S3 0A OB
意 味0→11100→I Slは“1
″に停留する1 0 1 0 0 S2
は停留しない1 1 0 0 0 S3は停
留しない表■、ゲートA=NORゲート、ゲートB=A
NDゲートの場合、少なくとも1個の部品信号が5−A
−0,または(および)OBが5−A−0である、“ロ
ーリング1”パターンを使用した典型的結果 SI S2 S3 σA OB
意 味1 0 0 1 0
Slは停留しない01→001→0 0 S2は′O
”に停留する0 0 1 1 0 S3は
停留しないもし、′全部1”ステップのときOAについ
てのみ不一致が生じれば、表Iに示すようにゲートAは
5−A−1である、81〜S3はどれも5−A−0でな
いが、81〜S3のうち1個またはそれ以上(全部では
ない)が5−A−1であるかもしれない。もしあれば、
81〜S3のどれが5−A−1であるかを識別するため
に、“ローリングO”テストが実行される。
同様に、もし“全部0”ステップのときOBについての
み不一致があれば、ゲー)Bは5−A−1である。31
〜S3はどれも5−A−4でないが、31〜S3のうち
少なくとも1個(全部ではない)は5−A−0であるか
もしれない。もしあれば、81〜S3のどれが5−A−
0であるかを識別するために、“ローリング1″テスト
が実行される。
み不一致があれば、ゲー)Bは5−A−1である。31
〜S3はどれも5−A−4でないが、31〜S3のうち
少なくとも1個(全部ではない)は5−A−0であるか
もしれない。もしあれば、81〜S3のどれが5−A−
0であるかを識別するために、“ローリング1″テスト
が実行される。
全検討した4つの不一致の事例のそれぞれは、IC部分
10の中に故障を1つだけ含むことができる。不一致の
ケースは、11残っているが、それらのケースのうち4
つは、複数のS−A故障を示し、残りの7つは起りえな
い。
10の中に故障を1つだけ含むことができる。不一致の
ケースは、11残っているが、それらのケースのうち4
つは、複数のS−A故障を示し、残りの7つは起りえな
い。
重複故障の事例は、表■に項目別に示しである。
これらは、“ローリング0”テストまたはくおよび)“
ローリング1”テストを実行すれば、明らかになる。テ
スト結果の説明は、ひどく複雑になるだけであるから、
ここでは、これ以上の検討は省略する。デジタル回路テ
スト分野の専門家ならば、前述の資料に基き、これらの
事例を適当に分析することができよう。
ローリング1”テストを実行すれば、明らかになる。テ
スト結果の説明は、ひどく複雑になるだけであるから、
ここでは、これ以上の検討は省略する。デジタル回路テ
スト分野の専門家ならば、前述の資料に基き、これらの
事例を適当に分析することができよう。
OAとOBの“起りなえい組合せのどれかが生じたなら
ば、外部試験装置が故障であるかもしれない。そのほか
、試験中のデバイスが設計エラーを含んでいるかもしれ
ないし、あるいは“全部0”ステップおよび“全部1゛
ステツプが正しく実行されなかったかもしれない。その
ほかにも、“全部0″ステツプと“全部1“ステップの
間に、あるいはこれらのステップのうち最後のステップ
を実行している最中に、IC部分10に故障が生じた可
能性もある。
ば、外部試験装置が故障であるかもしれない。そのほか
、試験中のデバイスが設計エラーを含んでいるかもしれ
ないし、あるいは“全部0”ステップおよび“全部1゛
ステツプが正しく実行されなかったかもしれない。その
ほかにも、“全部0″ステツプと“全部1“ステップの
間に、あるいはこれらのステップのうち最後のステップ
を実行している最中に、IC部分10に故障が生じた可
能性もある。
相補論理ゲートの別の構成について起りうる事例も、前
述したNOR/ANDの事例と全く同様である。表■は
、ゲートAがORゲート、ゲートBがANDゲートであ
る場合、起りうる結果の一部を示す。
述したNOR/ANDの事例と全く同様である。表■は
、ゲートAがORゲート、ゲートBがANDゲートであ
る場合、起りうる結果の一部を示す。
表IV、A=ORゲート、B=ANDゲートの場合、起
りうる結果 次に第3図を説明する。第3図は、本発明に従ってS−
A故障につきテストすることができる内容アドレス可能
記憶装置(CAM)12を示す。
りうる結果 次に第3図を説明する。第3図は、本発明に従ってS−
A故障につきテストすることができる内容アドレス可能
記憶装置(CAM)12を示す。
CAM12は、4ビツト入力回路14に接続され、32
行×4列のマトリクスに配置された一部の本質的に同一
のCAMセルで構成されている。第1図でテストする部
品について使用した記号″C1〜C3”に対応して、第
3図では列に対し記号″C1・・・CJ・・・C32”
を使用している。
行×4列のマトリクスに配置された一部の本質的に同一
のCAMセルで構成されている。第1図でテストする部
品について使用した記号″C1〜C3”に対応して、第
3図では列に対し記号″C1・・・CJ・・・C32”
を使用している。
しかし、CAM12内のテストする部品は、回路14ま
で拡張することもできる。代表的な列CJ内のセルCJ
IとCJ4に対する外部接続は、許容回線EJと突合せ
(a+atch )回線LJから成る。
で拡張することもできる。代表的な列CJ内のセルCJ
IとCJ4に対する外部接続は、許容回線EJと突合せ
(a+atch )回線LJから成る。
典型的セルCJIは、第1列のビット回線G1とHlの
間に接続されている。ビット回線01〜H4および突合
せ回線L1〜L32は適当なプルアップ回路(図示せず
)にも接続されている。
間に接続されている。ビット回線01〜H4および突合
せ回線L1〜L32は適当なプルアップ回路(図示せず
)にも接続されている。
第4図の典型的セルCJIで代表されるように、各CA
Mセルは、欧州特許公報第75,711号に開示されて
いるタイプの通常のFETセルである。セルCJIは、
静的乱アクセス記憶装置(RAM)部分と比較器部分を
含んでいる。RAM部分は、交さ結合記憶FET Q
l、Q2、抵抗負荷FETQ3、Q4、およびアクセス
FET Q5、Q6で構成される。突合せ回線LJに
接続された比較器部分は、FET Q7、Q8、Q9
で構成される。RAM部分と比較器部分は、接地基準電
圧と正の電源電圧v0の間で動作する。
Mセルは、欧州特許公報第75,711号に開示されて
いるタイプの通常のFETセルである。セルCJIは、
静的乱アクセス記憶装置(RAM)部分と比較器部分を
含んでいる。RAM部分は、交さ結合記憶FET Q
l、Q2、抵抗負荷FETQ3、Q4、およびアクセス
FET Q5、Q6で構成される。突合せ回線LJに
接続された比較器部分は、FET Q7、Q8、Q9
で構成される。RAM部分と比較器部分は、接地基準電
圧と正の電源電圧v0の間で動作する。
簡単に述べると、回線EJの電圧が十分高く、FET
Q5、Q6をターンオンさせると、回線G1、Hlか
らセルCJIにデータ・ビットが書き込まれる。EJ雷
電圧低いとき、セルCJIに記憶されたビットが回vA
G1、Hl上の入力ビットに一致するかどうかを判定す
るため、比較(すなわち質問)がなされる、記憶された
ビットが比較のため提供された入力ビットと同じであれ
ば、FET Q9はオフになる。これは、一致を表わ
し、もし行CJの他の全てのセルに一致が生じれば、回
線LJは高電圧になることができる。もし、入力ビット
と記憶ビットとが異っていれば、FtiTQ9はオンに
なり、LJ雷電圧引き下げて不一致を指示する。
Q5、Q6をターンオンさせると、回線G1、Hlか
らセルCJIにデータ・ビットが書き込まれる。EJ雷
電圧低いとき、セルCJIに記憶されたビットが回vA
G1、Hl上の入力ビットに一致するかどうかを判定す
るため、比較(すなわち質問)がなされる、記憶された
ビットが比較のため提供された入力ビットと同じであれ
ば、FET Q9はオフになる。これは、一致を表わ
し、もし行CJの他の全てのセルに一致が生じれば、回
線LJは高電圧になることができる。もし、入力ビット
と記憶ビットとが異っていれば、FtiTQ9はオンに
なり、LJ雷電圧引き下げて不一致を指示する。
第3図に戻って、ゲートAは、図示のように配列された
スイッチングFET QAI・・・QAJ・・・QA
32、抵抗プルアップFET QA。
スイッチングFET QAI・・・QAJ・・・QA
32、抵抗プルアップFET QA。
およびインバータIAで構成された通常のORゲートで
ある。同様に、ゲートBは、図示のように配列された、
インバータIB1・・・IBJ・・・lB52、スイッ
チングFET QBI・・・・QBJ・・・QB32
、抵抗プルアップFETQB、およびインバータIBで
構成された通常のNANDゲートである。
ある。同様に、ゲートBは、図示のように配列された、
インバータIB1・・・IBJ・・・lB52、スイッ
チングFET QBI・・・・QBJ・・・QB32
、抵抗プルアップFETQB、およびインバータIBで
構成された通常のNANDゲートである。
ゲートAの出力OAおよびゲートBの出力OBは、それ
ぞれ、排他的ORゲートEXORAおよびEXORBに
接続されている。排他的ORゲートEXORA、EXO
RBの出力は、それぞれ、発光ダイオードDA、DBに
接続されている。排他的ORゲートEXORA、EXO
RBは、それ。
ぞれ、排他的ORゲートEXORAおよびEXORBに
接続されている。排他的ORゲートEXORA、EXO
RBの出力は、それぞれ、発光ダイオードDA、DBに
接続されている。排他的ORゲートEXORA、EXO
RBは、それ。
ぞれ、“理論(すなわち、正常)値VTAs VTll
と、ゲー)A、Bによって得られた実際値とを比較する
比較手段である。発光ダイオードDA、DBは、排他的
ORゲートEXORASEXORBと協同して観察手段
を構成している。
と、ゲー)A、Bによって得られた実際値とを比較する
比較手段である。発光ダイオードDA、DBは、排他的
ORゲートEXORASEXORBと協同して観察手段
を構成している。
CAM12は、2組のステップでテストされる。
第1組は、セル内の5−A−1故障について検査し、第
2組はセル内の5−A−0故障について検査する。
2組はセル内の5−A−0故障について検査する。
第1組のステップは、入力回路14が理論的に全てのセ
ルに“0゛を書き込む情報パターンを発生する(または
、発生しようと試みる)書込み動作で始まる。入力回路
14が比較のため“全部0”の4ビツト・ワードを加え
る(加えようと試みる)ことにより、信号31〜S32
に“全部1”パターンが与えられる。理論的に、(OA
、OB)は(1,0)である。この最初のステップにお
いて、値V↑^は“1”であり、値■□は“0”である
。
ルに“0゛を書き込む情報パターンを発生する(または
、発生しようと試みる)書込み動作で始まる。入力回路
14が比較のため“全部0”の4ビツト・ワードを加え
る(加えようと試みる)ことにより、信号31〜S32
に“全部1”パターンが与えられる。理論的に、(OA
、OB)は(1,0)である。この最初のステップにお
いて、値V↑^は“1”であり、値■□は“0”である
。
もしOAが実際に“0”であれば、ゲー)Aが5−A−
0であるか31〜s32の全部が5−A−〇(起りそう
もない)のどちらかである。OBの“1”値は、次の括
弧内の1つまたはそれ以上の事柄を示している(ゲート
Bが5−A−1である。 181〜S32の
少なくとも1個が5−A−0である。1個またはそれ以
上のセルが5−A−1である。)。もし発光ダイオード
DAまたはDBの1つが発光しなければ、“正常”状態
を示している。
0であるか31〜s32の全部が5−A−〇(起りそう
もない)のどちらかである。OBの“1”値は、次の括
弧内の1つまたはそれ以上の事柄を示している(ゲート
Bが5−A−1である。 181〜S32の
少なくとも1個が5−A−0である。1個またはそれ以
上のセルが5−A−1である。)。もし発光ダイオード
DAまたはDBの1つが発光しなければ、“正常”状態
を示している。
次に、入力回路14内で孤立した“1”がビットからビ
ットへ移るようなワードを順次入力回路14に発生させ
る(または、発生しようと試みる)ことによって4つの
“全部O”パターンが信号81〜332に与えられる。
ットへ移るようなワードを順次入力回路14に発生させ
る(または、発生しようと試みる)ことによって4つの
“全部O”パターンが信号81〜332に与えられる。
これは、“ランニング(running ) 1”と
呼ばれる。各“全部0”パターンにおいて、(OASO
B)の理論上の結果は(0,1)である(したがって、
このステップにおいて、vTA=″0”、VTl=“1
′″であル)。
呼ばれる。各“全部0”パターンにおいて、(OASO
B)の理論上の結果は(0,1)である(したがって、
このステップにおいて、vTA=″0”、VTl=“1
′″であル)。
全“ランニング1′順序においてOAの“1”値は、以
下の括弧内の1つまたはそれ以上の事柄を意味している
(ゲートBが5−A−0である。
下の括弧内の1つまたはそれ以上の事柄を意味している
(ゲートBが5−A−0である。
81〜S32の全部が5−A−1(起りそうもない)で
ある。回路14は5−A−0である。)。
ある。回路14は5−A−0である。)。
もしOBが“O”と“1″の間で切り換われば、OBが
“O゛になる各側は、入力回路14内が5−A−0であ
ることを見分けるのに役立つ。
“O゛になる各側は、入力回路14内が5−A−0であ
ることを見分けるのに役立つ。
第2組のステップは、入力回路14が同様に、第1組の
それとは反対の情報を与える(または、与えようと試み
る)ことを除いて、第1組のステップの繰り返しである
。したがって、前の2つの文節において得られた結果の
解釈は、セルに関してすべての”5−A−1”を“5−
A−0″で置き換え、そして、回路14内のビットを逆
に“5−A−1”で置き換えれば、当てはまる。
それとは反対の情報を与える(または、与えようと試み
る)ことを除いて、第1組のステップの繰り返しである
。したがって、前の2つの文節において得られた結果の
解釈は、セルに関してすべての”5−A−1”を“5−
A−0″で置き換え、そして、回路14内のビットを逆
に“5−A−1”で置き換えれば、当てはまる。
もし81〜8.32のうち停留した個々の信号および、
ことによると、停留した個々のセルを識別することを希
望するならば、第1図で説明したタイプの“ローリング
0”テストおよび“ローリング1″テストを使用するこ
とができる。これらのテストは異なるデータを行に書き
込むことと、次に適当な比較を行なうこと、から成る。
ことによると、停留した個々のセルを識別することを希
望するならば、第1図で説明したタイプの“ローリング
0”テストおよび“ローリング1″テストを使用するこ
とができる。これらのテストは異なるデータを行に書き
込むことと、次に適当な比較を行なうこと、から成る。
以上、発明を特定実施例について説明したが、この説明
は、例示するためだけのものであり、特許請求の範囲に
記載した発明の範囲を限定するように解釈すべきでない
。たとえば、テストする部品は、相補論理ゲートと一緒
に、あるいはゲートから分離しそプリント回路基板上に
配置することができる。もし部品信号を伝える回線が回
路基板に埋め込まれていれば、本発明の使用により、テ
ストする部品がIC内に埋め込まれているときと同じ利
点が得られよう。たとえ回線が回路基板に埋め込まれて
いなくても、従来の技術に比べてテスト時間を短縮する
ことができる。したがって、この分野の専門家ならば、
特許請求の範囲に記載した発明の真の範囲および精神の
枠内でいろいろな修正、変更、利用をなすことができよ
う。
は、例示するためだけのものであり、特許請求の範囲に
記載した発明の範囲を限定するように解釈すべきでない
。たとえば、テストする部品は、相補論理ゲートと一緒
に、あるいはゲートから分離しそプリント回路基板上に
配置することができる。もし部品信号を伝える回線が回
路基板に埋め込まれていれば、本発明の使用により、テ
ストする部品がIC内に埋め込まれているときと同じ利
点が得られよう。たとえ回線が回路基板に埋め込まれて
いなくても、従来の技術に比べてテスト時間を短縮する
ことができる。したがって、この分野の専門家ならば、
特許請求の範囲に記載した発明の真の範囲および精神の
枠内でいろいろな修正、変更、利用をなすことができよ
う。
第1図は、本発明に従ってテスト可能な一般のIC部分
のブロック図、 第2a図と第2b図は、それぞれ、第1図のIC部分を
テストするときに使用する“全部O”と“全部1”パタ
ーンを示す略図、 第3図は、本発明に従ってテスト可能な内容アドレス可
能記憶装置(CAM)の回路図、第4図は、第3図の典
型的CAMセルの回路図である。 10・・・IC部分、12・・・内容アドレス可能記憶
装置(CAM) 、14・・・入力回路、A、B・・・
多入力相補論理ゲート、CI、C2、C3・・・電子部
品、I1、I2、I3・・・入力信号、Ll、L2、L
3・・・回線、Sl、G2、G3・・・出力信号、OA
、OB・・・ゲートの出力信号、01〜C32・・・電
子部品、E1〜E32・・・許容回線、L1〜L32・
・・突合せ回線、G1、C4、Hl、H4・・・ビット
回線、5l−332・・・出力信号、CJI、CJ4・
・・典型的セル(FETセル)、Ql。 C2・・・交さ結合記憶PET、、Q3、C4・・・抵
抗負荷FET、C5、C6・・・アクセスFET、C7
、C8、Q9・・・FET、QAI〜QA32、QBI
〜QB32・・・スイッチングFET、QA、QB・・
・抵抗プルアップPET、DASDB・・・発光ダイオ
ード、IBI〜lB52・・・インバータ、EXORA
SEXORB・・・排他的ORゲート、vo・・・電源
電圧、V TA% V B・・・理論値。
のブロック図、 第2a図と第2b図は、それぞれ、第1図のIC部分を
テストするときに使用する“全部O”と“全部1”パタ
ーンを示す略図、 第3図は、本発明に従ってテスト可能な内容アドレス可
能記憶装置(CAM)の回路図、第4図は、第3図の典
型的CAMセルの回路図である。 10・・・IC部分、12・・・内容アドレス可能記憶
装置(CAM) 、14・・・入力回路、A、B・・・
多入力相補論理ゲート、CI、C2、C3・・・電子部
品、I1、I2、I3・・・入力信号、Ll、L2、L
3・・・回線、Sl、G2、G3・・・出力信号、OA
、OB・・・ゲートの出力信号、01〜C32・・・電
子部品、E1〜E32・・・許容回線、L1〜L32・
・・突合せ回線、G1、C4、Hl、H4・・・ビット
回線、5l−332・・・出力信号、CJI、CJ4・
・・典型的セル(FETセル)、Ql。 C2・・・交さ結合記憶PET、、Q3、C4・・・抵
抗負荷FET、C5、C6・・・アクセスFET、C7
、C8、Q9・・・FET、QAI〜QA32、QBI
〜QB32・・・スイッチングFET、QA、QB・・
・抵抗プルアップPET、DASDB・・・発光ダイオ
ード、IBI〜lB52・・・インバータ、EXORA
SEXORB・・・排他的ORゲート、vo・・・電源
電圧、V TA% V B・・・理論値。
Claims (10)
- (1)それぞれの電子部品がその状態を表わすデジタル
部品信号を出す一群の電子部品の故障をテストする方法
であって、理論的に部品信号の論理積(AND)関数ま
たは論理積否定(NAND)関数であるテストゲート信
号を生成し、理論的に部品信号の全てを論理的“0”(
すなわち、偽り状態)にする情報パターンを電子部品に
加えて、そのテスト・ゲート信号(第2ゲート信号と定
義する)を観察するようになっている場合において、 理論的に部品信号の論理和(OR)関数または論理和否
定(NOR)関数である第1ゲート信号を生成すること
、 理論的に部品信号の全てをそれぞれ論理的 “0”および論理的“1”にする第1および第2情報パ
ターンを電子部品に加えて前記ゲート信号を観察するこ
と、 前記観察ステップにおいてゲート信号として生じた実際
値とゲート信号の対応する理論 (“正常状態”における)値とを比較すること、の諸ス
テップを含んでいることを特徴とする方法。 - (2)前記観察ステップも前記比較ステップも、第1お
よび第2ゲート信号が生じている間に、故障をテストす
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (3)前記比較ステップが電子部品内に少なくとも1個
の故障が存在する可能性を示している場合において、 各電子部品を順次選択し、各選択のあと、 (i)理論的に部品信号を論理的“0”にする情報パタ
ーンを選択した電子部品に加え、そして(ii)理論的
に部品信号を論理的“1”にする情報パターンを残りの
電子部品に加えて、ゲート信号を観察すること、 各電子部品を順次選択し、各選択のあと、 (i)理論的に部品信号を論理的“1”にする情報パタ
ーンを選択した電子部品に加え、そして(ii)理論的
に部品信号を論理的“0”にする情報パターンを残りの
電子部品に加えて、ゲート信号を観察すること、および 各順次選択ステップにおいてゲート信号として生じた実
際値と、ゲート信号の対応する“正常”値とを比較する
こと、 のうち、最初の2つのステップの少なくとも1つと3番
目のステップとを含んでいることを特徴とする特許請求
の範囲第2項記載の方法。 - (4)前記比較ステップが部品信号の少なくとも1つが
論理的“1”に停留される可能性を全く否定していない
場合において、 各電子部品を順次選択し、各選択のあと、 (i)理論的にその部品信号を論理的“0”にする情報
パターンを選択した電子部品に加え、そして(ii)理
論的にそれらの部品信号を論理的“1”にする情報パタ
ーンを残りの電子部品に加えて、ゲート信号を観察する
こと、および順次選択ステップにおいてゲート信号とし
て生じた実際値と、ゲート信号の対応する“正常”値と
を比較すること、 の諸ステップを含んでいることを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の方法。 - (5)前記比較ステップが部品信号の少なくとも1つが
“0”に停留される可能性を全く不定していない場合に
おいて、 各電子部品を順次選択し、各選択のあと、 (i)理論的に部品信号を論理的“1”にする情報を選
択した電子部品に加え、かつ(ii)理論的に部品信号
を論理的“0”にする情報パターンを残りの電子部品に
加えて、ゲート信号を観察すること、および 前記順次選択ステップにおいてゲート信号として生じた
実際値と、ゲート信号の対応する“正常”値とを比較す
ること、 の諸ステップを含んでいることを特徴とする特許請求の
範囲第2項記載の方法。 - (6)一群の電子部品と、前記一群の電子部品内の故障
についてテストするテスト手段とで構成され、特許請求
の範囲第1項から第5項のいずれかに記載の方法でテス
ト可能な電子デジタル回路であって、それぞれの電子部
品はその部品の状態を表わすデジタル部品信号を提供し
、前記テスト手段は、前記部品信号の論理積(AND)
関数または論理積否定(NAND)関数のどちらかであ
るテストゲート信号(第2ゲート信号と定義する)をそ
の出力端子に発生するテストゲート(第2ゲートと定義
する)を備え、さらに部品信号の論理和(OR)関数ま
たは論理和否定(NOR)関数のどちらかである第1ゲ
ート信号をその出力端子に発生する第1ゲートを備えて
いることを特徴とする電子デジタル回路。 - (7)前記デジタル回路は、1個の半導体基板の上に集
積されており、前記第1および第2ゲートは、ボンディ
ングパットに接続されていることを特徴とする特許請求
の範囲第6項記載の電子デジタル回路。 - (8)“正常”状態において部品信号の全てを論理的“
偽り”にする情報パターンを電子部品に加えて、前記両
ゲート信号を観察し、そして“正常”状態において部品
信号の全てを論理的“真”にする別の情報パターンを加
えて、前記両ゲート信号を観察する観察手段に、前記第
1および第2ゲートの出力端子が接続されており、前記
観察手段は、前記第1および第2ゲートの出力端子に生
じた実際値と、最初の情報パターンと前記別の情報パタ
ーンに関するゲート信号の“正常”値とを比較する比較
手段を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第6
項または第7項記載の電子デジタル回路。 - (9)前記部品信号は、前記集積回路の入出力ピンを介
して接近することができないことを特徴とする特許請求
の範囲第7項記載の電子デジタル回路。 - (10)前記電子部品は行と列のマトリクスに構成され
ており、前記デジタル回路は1つの列内の電子セルを任
意に選択する選択手段を備えており、各行内の電子部品
の出力側は第1および第2ゲートの入力端子の結合され
たそれぞれの導線に接続されていることを特徴とする特
許請求の範囲第7項または第9項に記載の電子デジタル
回路。
Applications Claiming Priority (2)
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US06/695,586 US4674090A (en) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | Method of using complementary logic gates to test for faults in electronic components |
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JPS61182587A true JPS61182587A (ja) | 1986-08-15 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JPS61182587A (ja) |
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1986
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