JPS61181525A - レ−ザ−同位体分離用作業物質およびレ−ザ−同位体分離法 - Google Patents

レ−ザ−同位体分離用作業物質およびレ−ザ−同位体分離法

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JPS61181525A
JPS61181525A JP2157785A JP2157785A JPS61181525A JP S61181525 A JPS61181525 A JP S61181525A JP 2157785 A JP2157785 A JP 2157785A JP 2157785 A JP2157785 A JP 2157785A JP S61181525 A JPS61181525 A JP S61181525A
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laser
infrared
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isotopes
compd
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Shigeyoshi Arai
重義 荒井
Masatsugu Kamioka
上岡 正嗣
Yoichi Ishikawa
洋一 石川
Shohei Isomura
磯村 昌平
Takao Oshima
大島 隆夫
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RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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RIKEN Institute of Physical and Chemical Research
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、Siの同位体を分離するレーザー同位体分離
に用いられる作業物質およびこの作業物質を用いるSi
のレーザー同位体分離法に関する。
(従来の技術) 波数102〜l Q 3 cm Iの赤外領域における
分子の吸収スペクトルは、分子の振動状態の変化に対応
し、しばしば顕著な同位体効果を示す。そこで特定の同
位体を含む分子に着目し、その分子を吸収の大きな波数
付近の光で照射して選択的に励起し、化学反応を誘起さ
せ分離に導くことが可能である。通常の分子では上述の
領域の光を一光子だけ吸収した場合には、エネルギーが
不充分で化学反応は起こらない。しかし強力な赤外レー
ザー光を照射すると、分子は数十個にも達する光子を吸
収して分解を起こす。この様な分解は赤外多光子解離と
呼ばれている。
天然のSiには質量数28.29および30の同位体が
[”Siミコ [” 9S l] : [3031コ=
92.23  :4、67 : 3.10の比で存在し
ている。これまで赤外多光子解離によるSiの同位体分
離はほとんど研究されていない状態で、わずかにSiF
、を作業物質とした炭酸ガスレーザーによる実験で、”
SiF、および”5IF4の濃縮が報告されているに過
ぎない(J、L、 Lyman and S、D、Ro
ckwocd;J、 Appl、 Phys、。
Vol、 47 、No、2、P、 595−601 
、(1976))。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、この実験による濃縮の選択性は極めて低
く、29Siおよび303 rの濃度は5%程度に増加
するだけであり、実用的な面での意義は認め難い。今日
、医薬、農薬の研究、電子材料の開発において、Slの
同位体に対する需要は高まりつつあり、効率のよい分離
法の開発が望まれている。
本発明の目的は、Siの同位体を効率よく分離するレー
ザー同位体分離法および作業物質を提供することにある
(問題点を解決するための手段) 上記問題点は5iaXbHc (2≦a≦3.0≦b≦
2a+2.2a+2=b+cでXは同一又は異なるハロ
ゲン原子)゛で表されるポリシラン化合物を作業物質と
して用いることにより本質的に解決される。このポリシ
ラン化合物に赤外線レーザーを照射することによりSi
の同位体が分離される。
作業物質としての前記5iaXbHc ポリシラン化合
物は、5izFs 、513Fll 、512FSC1
,5i2FsBr 。
5i2Fstlおよび512FH3などが例示され、赤
外線レーザーとしては、炭酸ガスレーザー、HFレーザ
ーや波長を変換して赤外線となるレーザー(例えば水素
ラマンレーザー)などが含まれる。この内でも分子振動
との波長のマツチングが良いことおよびレーザー光強度
が高いことから炭酸ガスレーザーが特に好ましい。
(作 用) 通常の分子の赤外多光子解離は、レーザー光を集光して
得られる焦点付近のエネルギー密度の高い領域でのみ誘
起され高収率を得ることが困難であるが、前記5iaX
b)lc ポリシラン化合物は非常に低いエネルギー密
度のレーザーパルスの照射においても効率よく分解する
。これはSi原子どうしの結合が極めて弱いためである
と考えられる。
前記5iaXbHc ポリシラン化合物は、赤外線レー
ザーの発振領域である930〜10106O8’に分子
の振動に対応する吸収をもち、その付近の赤外線レーザ
ーのパルス光を照射すると、極めて効率よく赤外多光子
解離を起こし、低次シランに分解する。
天然のSi化合物には28S1の他に1193i 、 
303iが一定の割合で存在し、2931の赤外線吸収
ピークは2 a 31の吸収ピークよりも低波数側に、
また、30 S+の吸収ピークは更に低波数側に位置す
ることが知られている。従って、天然の前記5iaXb
Hcポリシラン化合物に適切な波数のレーザーパルスを
照射すると、吸収スペクトルの差を反映してそれぞれの
同位体を含む分子が選択的に励起され、引き続く分解反
応で2sSiあるいは30Slが低次シラン中に濃縮さ
れる。
(実施例) 以下、本発明を実施例につき説明する。
第1図は、本発明を実施するために用いられた実験装置
の概略図である。この実験装置は以下の様に構成されて
いる。炭酸ガスTEAレーザー1はヘリウムと炭酸ガス
の混合気体をレーザー媒体として使用する。この炭酸ガ
スTEAレーザー1から発生するパルスレーザ−光2は
、直径1.5 cmのアイリス3を通過したのち反応容
器4内に投射され、内部に充填された作業物質に照射さ
れる。
反応容器4は、長さ1mの筒状の容器であって恒温槽5
の内部に設置されて所定の温度に保持されている。レー
ザー光のエネルギー密度は反応容器4の先に設置された
パワーメーター6によって測定される。反応分解生成物
低次シランの収率ならびにその中に濃縮される293i
あるいは303iの濃度は、レーザーの波数、エネルギ
ー密度、照射温度、試料圧によって複雑に変化するが、
分離の選択性は一般的にエネルギー密度、照射温度、試
料圧を低下させるに従って向上し、選択性におよぼすレ
ーザー波数の影響は吸収スペクトルの差を反映している
場合が多い。
次に、本発明に従う一実施例につき述べる。第1図に示
された装置を用い、作業物質として室温に保たれた2T
orrの512F6 を用い、レーザー光として波数9
52.88cm−’、エネルギー密度0.32Jcm−
”のパルスレーザ−光を用い、このレーザー光を平行光
のまま作業物質に照射した。照射パルス数は500であ
った。照射後、試料を液体窒素温度に冷却したトラップ
内に凝縮、捕集し、ついで低温蒸留を行い、生成物3i
F、を分離した。
第2図は、この様にして得られたSiF、の赤外吸収ス
ペクトルを示す。”5IF4の吸収ピークは1031.
8cm−’にあるが、これより13cm−’低波数側に
別の吸収ピークが認められ、これは3 (13t F4
に対応する。即ち、この赤外吸収スペクトルから、30
Slが高濃度で生成物中に濃縮されていることがわかる
次の表は、生成物S I F 4の質量分析の結果をま
とめたものである。5IF4から生ずる21Slp4+
および”5iF3+のイオン信号の強度を100として
”SiF4” 、”51g4”  ナラヒl::”St
h”  、”5IF3”のイオン信号の強度と、その結
果から求められた21+3i、21Slおよび3G3i
の存在比率を示している。
以上の結果より生成物SiF、中の同位体比は[28S
i]  :  [”SiF  :  [”SiF  =
50.2  :  13.1’36.7であり、天然の
同位体比と較べて29Siは2.8倍、303iは11
.8倍濃縮されていることがわかる。
また、作業物質として5ish を使用した以外は上記
実施例と同様の操作により生成物Sin、を辱た。
このものの同位体比は質量分析の結果から[”Sil 
 :  [”SiF  :  [”SiF  =  7
 5.3  :  6.6  :18.1であり、天然
の同位体比より明らかに濃縮されていることが理解でき
る。
さらに、これ以外の前記5iaXb)lc ポリシラン
化合物にも同様の実験を行ったところSiの同位体を効
率よく分離することができた。
(発明の効果) 本発明は、上述の通り、前記5iaXb)lc ポリシ
ラン化合物からなる作業物質に赤外線レーザーを照射し
て、Siの同位体を分離することにより 29Siおよ
び30Siを効率よく分離することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明を実施するために使用された実験装置
の概略図、第2図は作業物質としてSi、F、を使用し
て得られた生成物5iFsの赤外吸収スペクトルである
。 1・・・・・・炭酸ガスレーザー 2・・・・・・レー
ザー光3・・・・・・アイリス  4・・・・・・反応
容器5・・・・・・恒温槽   6・・・・・・パワー
メーター情唄蚤

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)SiaXbHc(2≦a≦3、0≦b≦2a+2
    、2a+2=b+cでXは同一又は異なるハロゲン原子
    )で表されるポリシラン化合物であることを特徴とする
    Siのレーザー同位体分離のための作業物質。
  2. (2)前記ポリシラン化合物がフッ素原子を有するハロ
    ゲン化ジシランまたはトリシランであることを特徴とす
    る特許請求の範囲第(1)項記載の作業物質。
  3. (3)前記フッ素原子を有するハロゲン化ジシランがS
    i_2F_6であることを特徴とする特許請求の範囲第
    (2)項記載の作業物質。
  4. (4)前記フッ素原子を有するハロゲン化トリシランが
    Si_3F_6であることを特徴とする特許請求の範囲
    第(2)項記載の作業物質。
  5. (5)SiaXbHc(2≦a≦3、0≦b≦2a+2
    、2a+2=b+cでXは同一又は異なるハロゲン原子
    )で表されるポリシラン化合物に赤外線レーザーを照射
    して、Siの同位体を分離するレーザー同位体分離法。
  6. (6)前記赤外線レーザーが炭酸ガスレーザーであるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第(5)項記載のレーザ
    ー同位体分離法。
JP2157785A 1985-02-06 1985-02-06 レ−ザ−同位体分離用作業物質およびレ−ザ−同位体分離法 Granted JPS61181525A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7307233B2 (en) 2003-09-30 2007-12-11 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Isotope separation method and working substance for isotope separation
JP2016524793A (ja) * 2013-05-21 2016-08-18 インテグリス・インコーポレーテッド 濃縮されたケイ素前駆体組成物およびこれを利用するための装置および方法

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JP2016524793A (ja) * 2013-05-21 2016-08-18 インテグリス・インコーポレーテッド 濃縮されたケイ素前駆体組成物およびこれを利用するための装置および方法

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