JPS61181127A - 光学系の自動補正機構 - Google Patents
光学系の自動補正機構Info
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- JPS61181127A JPS61181127A JP60021319A JP2131985A JPS61181127A JP S61181127 A JPS61181127 A JP S61181127A JP 60021319 A JP60021319 A JP 60021319A JP 2131985 A JP2131985 A JP 2131985A JP S61181127 A JPS61181127 A JP S61181127A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明に、レチクルに描画され九回路パターンをウェハ
に投影露光する影響霧光装置において、回路パターンを
投影露光する光学系の自動補正機構に関するものである
。
に投影露光する影響霧光装置において、回路パターンを
投影露光する光学系の自動補正機構に関するものである
。
第１１図にこの穐の縮小投影露光装置の原理図を示す。
図において、レチクル１に描画され九回路パターンに縮
小レンズ２で縮小され、可動ステージ３に載置されたウ
ェハ４に投影されることによってＩＣチップサイズ５の
大きさの回路パターンとして転写される。ここで、レチ
クル１と縮小レンズ２間の距離および縮小レンズ２とウ
ェハ４間の距離は、縮小レンズ２の焦点距離および設定
倍率に準じて所定距離に決められている。例えば、レチ
クル１と縮小レンズ２間を固定すると縮小レンズ２とウ
ェハ４間は常に一定の合焦点距離に保たれている。
小レンズ２で縮小され、可動ステージ３に載置されたウ
ェハ４に投影されることによってＩＣチップサイズ５の
大きさの回路パターンとして転写される。ここで、レチ
クル１と縮小レンズ２間の距離および縮小レンズ２とウ
ェハ４間の距離は、縮小レンズ２の焦点距離および設定
倍率に準じて所定距離に決められている。例えば、レチ
クル１と縮小レンズ２間を固定すると縮小レンズ２とウ
ェハ４間は常に一定の合焦点距離に保たれている。
そこで、従来、ウェハ４の厚さ変動などを考慮して縮小
レンズ２とウエノ・４との間の距離を自動計測し、その
計測結果に基づいて可動ステージ３を上下動して合焦点
距離に調整する焦点調整機構が設けられている。
レンズ２とウエノ・４との間の距離を自動計測し、その
計測結果に基づいて可動ステージ３を上下動して合焦点
距離に調整する焦点調整機構が設けられている。
しかし、レチクル１と縮小レンズ２との間の距離も温度
変化による機械的寸法の伸縮や大気の屈折率の変化によ
る光路の伸縮によって変動する。
変化による機械的寸法の伸縮や大気の屈折率の変化によ
る光路の伸縮によって変動する。
この結果、このレチクル１と縮小レンズ２との間の距離
変動が合焦点距離をも変動させてしまう。
変動が合焦点距離をも変動させてしまう。
そこで、” ｓｅｍｉ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｙ□ｒｉ
ｄ ’誌１９８４年７月号、ｐ７２＠センサーＳＲＡ”
で紹介されているように、実際の露光条件と同じ条件で
焦点距離を合焦点距離に制御する自動補正装置が提案さ
れている。この装置においては、ウェハに設けたアライ
メン）−ｒ−夕の検出信号の立上り部の傾斜を測定し、
焦点自動補正時は特別のレチクルで自動補正フィールド
に該レチクルパターンを投影し、自動補正フィールドの
Ｚ方向位置を移動させ、最もコントラストが高い位置を
自動で検出し、このＺ位置と前述のアライメントマーク
の検出信号で検出し元金焦点位置とを照合し、その間の
オフセット値を検出するようにしている。この方式は実
際にレチクル像を投影することによって焦点距離を補正
するものである定め、実際の露光条件とほぼ同一条件に
よって焦点距離を補正するととができる。
ｄ ’誌１９８４年７月号、ｐ７２＠センサーＳＲＡ”
で紹介されているように、実際の露光条件と同じ条件で
焦点距離を合焦点距離に制御する自動補正装置が提案さ
れている。この装置においては、ウェハに設けたアライ
メン）−ｒ−夕の検出信号の立上り部の傾斜を測定し、
焦点自動補正時は特別のレチクルで自動補正フィールド
に該レチクルパターンを投影し、自動補正フィールドの
Ｚ方向位置を移動させ、最もコントラストが高い位置を
自動で検出し、このＺ位置と前述のアライメントマーク
の検出信号で検出し元金焦点位置とを照合し、その間の
オフセット値を検出するようにしている。この方式は実
際にレチクル像を投影することによって焦点距離を補正
するものである定め、実際の露光条件とほぼ同一条件に
よって焦点距離を補正するととができる。
ところが、特別の補正用レチクルを正いるため、ＩＣ展
造用のレチクルを可動ステージから下して入れ換える必
要がある。この几め、作業が面倒であり、またレチクル
の移動による異物の耐着が生じるなどの問題点がある。
造用のレチクルを可動ステージから下して入れ換える必
要がある。この几め、作業が面倒であり、またレチクル
の移動による異物の耐着が生じるなどの問題点がある。
本発明の目的は、大気圧変動や温度変化に起因する合焦
点距離の変動を手作業を伴うことなく自動的に補正する
ことができる光学系の自動補正機構を提供することにあ
る。
点距離の変動を手作業を伴うことなく自動的に補正する
ことができる光学系の自動補正機構を提供することにあ
る。
本発明に、可動ステージの表面に付した複数の細線パタ
ーンから成る較正用マークの反射光量を補正対象の光学
系を介して検出し、さらにこの反射光量の検出値によっ
て９工へ表面と光学系との間の距離を算出し、この算出
値を参照して焦点距離を合焦点距離に調整するようにし
次ものである。
ーンから成る較正用マークの反射光量を補正対象の光学
系を介して検出し、さらにこの反射光量の検出値によっ
て９工へ表面と光学系との間の距離を算出し、この算出
値を参照して焦点距離を合焦点距離に調整するようにし
次ものである。
以下、実施例に基づいて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図であり、可
動ステージ３の表面には所定間隔で配列された複数の細
線パターンから成る較正用マーク６が付されている。こ
の較正用マーク６に、レチクル１に設けられた窓および
縮小レンズ２を介して検出器７から出力された検出光に
よって照射され、その反射光は同一光路を通って検出器
７に入射される。
動ステージ３の表面には所定間隔で配列された複数の細
線パターンから成る較正用マーク６が付されている。こ
の較正用マーク６に、レチクル１に設けられた窓および
縮小レンズ２を介して検出器７から出力された検出光に
よって照射され、その反射光は同一光路を通って検出器
７に入射される。
これによって、較正用マーク６に第２図の波形８で示す
ような光の強弱信号として検出され、波形９で示すよう
な電気信号に変換される。この時、縮小レンズ２とウェ
ハ４との距離が合焦点距離にあれば、電気信号９の振幅
Ｖが最大となり、合焦点距離からずれるに従って振幅Ｖ
ば小さくなる。
ような光の強弱信号として検出され、波形９で示すよう
な電気信号に変換される。この時、縮小レンズ２とウェ
ハ４との距離が合焦点距離にあれば、電気信号９の振幅
Ｖが最大となり、合焦点距離からずれるに従って振幅Ｖ
ば小さくなる。
従って、検出器７の出力信号の振幅レベルＶが最大値と
なる点、すなわち較正用マーク６の細線部分とスペース
部分とのコントラストが最大となる点に焦点距離を調整
すればよいことになる。
なる点、すなわち較正用マーク６の細線部分とスペース
部分とのコントラストが最大となる点に焦点距離を調整
すればよいことになる。
ところで、較正用マーク６を検出する声めの光路と、回
路パターンを投影す石、ｔめの光路とは異なっているた
め、検出器７の設置位置で検出し九較正用マーク６のコ
ントラストが最大となつ九としても、この時の焦点距離
は合焦点距離と若干ずれている。すなわち、較正用マー
ク６の検出系に光路の差によるオフセットが存在する。
路パターンを投影す石、ｔめの光路とは異なっているた
め、検出器７の設置位置で検出し九較正用マーク６のコ
ントラストが最大となつ九としても、この時の焦点距離
は合焦点距離と若干ずれている。すなわち、較正用マー
ク６の検出系に光路の差によるオフセットが存在する。
従って、実際の露光に際してはこのオフセットを加味し
て焦点距離を補正する必要がおる。
て焦点距離を補正する必要がおる。
第３図は、このオフセット値を加味し、検出器７から見
た合焦点距離をもとに、実際の露光の際の合焦点距離を
求める処理を説明するための図でメク、横軸は縮小レン
ズ２とワエノＳ４の表面との距離ｔｔ−表し、縦軸は検
出器７の出力信号レベルＶを表している。
た合焦点距離をもとに、実際の露光の際の合焦点距離を
求める処理を説明するための図でメク、横軸は縮小レン
ズ２とワエノＳ４の表面との距離ｔｔ−表し、縦軸は検
出器７の出力信号レベルＶを表している。
まず、較正用マーク６を検出する系のオフセット値を検
出する必要がある。そこで、予め用意した合焦点確認用
のレチクルを用いてテスト露光し、合焦点距離ａを定め
る。次に、可動スデージ３を複数段階に移動させながら
較正用マーク６の検出系によって検出器７の出力信号レ
ベルＶが最大となる焦点距離すを求める。従って、「ａ
−ｂ＝Δｔ」が較正用マーク６の検出系のオフセット値
となる。このオフセット値は記憶装置に記憶させておく
。
出する必要がある。そこで、予め用意した合焦点確認用
のレチクルを用いてテスト露光し、合焦点距離ａを定め
る。次に、可動スデージ３を複数段階に移動させながら
較正用マーク６の検出系によって検出器７の出力信号レ
ベルＶが最大となる焦点距離すを求める。従って、「ａ
−ｂ＝Δｔ」が較正用マーク６の検出系のオフセット値
となる。このオフセット値は記憶装置に記憶させておく
。
そこで、実際の露光運転起動時には、起動開始直前、あ
るいは所定時間間隔で較正用マーク６の検出信号レベル
が最大となる距離ｅを可動ステージ３を上下動によって
検出し、次いでこの時検出し水距離ｅｌｃオフセット値
Δｔを加算し、その加算値「ｅ＋Δｔ」で示される距離
ｆと一致するようにレンズ２とウェハ４の表面との距離
を可動ステージ３の上下動によって調整する。
るいは所定時間間隔で較正用マーク６の検出信号レベル
が最大となる距離ｅを可動ステージ３を上下動によって
検出し、次いでこの時検出し水距離ｅｌｃオフセット値
Δｔを加算し、その加算値「ｅ＋Δｔ」で示される距離
ｆと一致するようにレンズ２とウェハ４の表面との距離
を可動ステージ３の上下動によって調整する。
これにより、焦点距離は合焦点距離に調整される。
第４図に、このような自動補正機構を機能ブロック図と
して表している。
して表している。
第４図において、１０は検出器７に入射された較正用マ
ーク６の光信号の振幅値を検出する振幅検出器を表し、
ここで検出された振幅値は図示しない計測機構によって
計測され、かつサーボ制御部１１を介して入力され念レ
ンズ２とウェハ４間の距離の計測値ｔｄと共に記憶部１
２に記憶される。この記憶され九振幅値と距離の計測値
ｔｄは、その後最大値検出部１３によって読出され、振
幅値が最大値となる距離の算出のために用いられる。
ーク６の光信号の振幅値を検出する振幅検出器を表し、
ここで検出された振幅値は図示しない計測機構によって
計測され、かつサーボ制御部１１を介して入力され念レ
ンズ２とウェハ４間の距離の計測値ｔｄと共に記憶部１
２に記憶される。この記憶され九振幅値と距離の計測値
ｔｄは、その後最大値検出部１３によって読出され、振
幅値が最大値となる距離の算出のために用いられる。
一方、テスト露光によって得られた合焦点距離の計測値
／、ｄはサーボ制御部１１を介してオフセット検出部１
４に送られ、較正用ｉ−り６の検出信号が最大振幅値を
示す距離の値との差が求められる。この差の値（オフセ
ット＠）ハ制御値作成部１５に送られ、前記較正用マー
ク６の検出信号が最大振幅値を示す距離の値と加算され
、可動ステージ３０制御目標距離の信号りとしてサーボ
制御部１１に供給される。
／、ｄはサーボ制御部１１を介してオフセット検出部１
４に送られ、較正用ｉ−り６の検出信号が最大振幅値を
示す距離の値との差が求められる。この差の値（オフセ
ット＠）ハ制御値作成部１５に送られ、前記較正用マー
ク６の検出信号が最大振幅値を示す距離の値と加算され
、可動ステージ３０制御目標距離の信号りとしてサーボ
制御部１１に供給される。
この場合、検出器７を除く部分はコンピュータのソフト
ウェア処理によって実現できるものである。
ウェア処理によって実現できるものである。
なお、第５図の他の実施例に示すように、較正用マーク
６の検出光路をレチクル１の裏面に設は次鏡面３０によ
って曲折させ、検出器７をレチクル１の下側に配置する
ようにしてもよい。
６の検出光路をレチクル１の裏面に設は次鏡面３０によ
って曲折させ、検出器７をレチクル１の下側に配置する
ようにしてもよい。
ま九、第６図の他の実施例に示すように、較正用マーク
６の結儂点３２を中心に反射！Ｉ３３を揺動させ、照射
光３４〜３６をレンズ２の入射瞳内で揺動させ、レンズ
２を通して得た較正用マーク６の検出信号を平均化させ
ることＫよシ、レンズ２の収差による誤差の発生を防ぐ
ことができる。
６の結儂点３２を中心に反射！Ｉ３３を揺動させ、照射
光３４〜３６をレンズ２の入射瞳内で揺動させ、レンズ
２を通して得た較正用マーク６の検出信号を平均化させ
ることＫよシ、レンズ２の収差による誤差の発生を防ぐ
ことができる。
ところで、以上のようにして焦点距離は合焦点距離に調
整されるが、焦点距離が変動する場合には倍率も同時に
変動する。従って、倍率の誤差もレチクル１とレンズ２
との距離を調整することによって補正する必要がある。
整されるが、焦点距離が変動する場合には倍率も同時に
変動する。従って、倍率の誤差もレチクル１とレンズ２
との距離を調整することによって補正する必要がある。
今、第７図において、レチクル１とレンズ２との距離を
ｂルンズ２とウェハ４の表面との距離をａとし、かつ前
述の合焦点補正の結果ａの距離をａ（１と決め九時、レ
ンズの関係式より、となっている。ただし、 ａ６・・・合焦点時のレンズ２とウェハ４の表面間距離 ｂｅ・・・合焦点時のレチクル１とレンズ２．の表面間
距離 ｆ、・・・合焦点時のレンズ２の焦点距離従って、この
条件にて再度第２図の特性を計測し、検出光信号の１周
期間隔Ｔを求め、このＴの値と実際のパターンを求める
と、この差が倍率誤差となる。この結果、さらに倍率を
４１倍補止すると、 （Ｋに所定の倍率） となる。さらに最終補正後、各距離をａ′、ｂ′とする
と、 の関係も成す立つ。
ｂルンズ２とウェハ４の表面との距離をａとし、かつ前
述の合焦点補正の結果ａの距離をａ（１と決め九時、レ
ンズの関係式より、となっている。ただし、 ａ６・・・合焦点時のレンズ２とウェハ４の表面間距離 ｂｅ・・・合焦点時のレチクル１とレンズ２．の表面間
距離 ｆ、・・・合焦点時のレンズ２の焦点距離従って、この
条件にて再度第２図の特性を計測し、検出光信号の１周
期間隔Ｔを求め、このＴの値と実際のパターンを求める
と、この差が倍率誤差となる。この結果、さらに倍率を
４１倍補止すると、 （Ｋに所定の倍率） となる。さらに最終補正後、各距離をａ′、ｂ′とする
と、 の関係も成す立つ。
以上の（１）、 （２）、 （３）、 （４）式より、
ｆｏに無関係にａ′とｂ′を各々ａＯｍ ｂ（Ｈの式で
次のように決めることができる。
ｆｏに無関係にａ′とｂ′を各々ａＯｍ ｂ（Ｈの式で
次のように決めることができる。
すなわち、（５）、 （６）式の第２項が各々”０＊ｂ
Ｏからの倍率誤差の補正値となる。
Ｏからの倍率誤差の補正値となる。
第８図は、倍率補正動作の手順を示すフローチャートで
あり、まず信号変換処理５０において較正用マーク６の
検出傷を電気信号９に変換する。
あり、まず信号変換処理５０において較正用マーク６の
検出傷を電気信号９に変換する。
次ＫＡＤ変換処理５１においてグロック５２に従って較
正用マーク６の電気信号９を等間隔でディジタル値５３
に変換し、さらに最大値検出処理５４においてこのディ
ジタル値５３の中で極大となる極大点５５を検出する。
正用マーク６の電気信号９を等間隔でディジタル値５３
に変換し、さらに最大値検出処理５４においてこのディ
ジタル値５３の中で極大となる極大点５５を検出する。
この後、同期検出処理５６において極大点５５０間隔に
基づいて較正用マーク６の１周期の幅Ｔ１すなわち細線
パターン間隔を検出し、次に倍率補正値演算処理５７に
おいて較正用マーク６０１周期の幅Ｔと設定の倍率Ｋに
おける較正用マークの１周期幅Ｔｏ とを比較し、倍率
補正値Δｎを算出する。次に、設定倍率にど補正値Δｎ
とを用い、前述した第（５）式および第（６）式に従っ
て倍率補正後の距離ａ ／ 、 ｂ／を算出し、この算
出値に基づいてレチクル１とレンズ２との間の距離すお
よびレンズ２とウェハ表面との間の距離ａを調整する。
基づいて較正用マーク６の１周期の幅Ｔ１すなわち細線
パターン間隔を検出し、次に倍率補正値演算処理５７に
おいて較正用マーク６０１周期の幅Ｔと設定の倍率Ｋに
おける較正用マークの１周期幅Ｔｏ とを比較し、倍率
補正値Δｎを算出する。次に、設定倍率にど補正値Δｎ
とを用い、前述した第（５）式および第（６）式に従っ
て倍率補正後の距離ａ ／ 、 ｂ／を算出し、この算
出値に基づいてレチクル１とレンズ２との間の距離すお
よびレンズ２とウェハ表面との間の距離ａを調整する。
この場合、レンズ２とウェハ表面との間の距離ａは、合
焦点補正時の値にａ′を加算して制御する。
焦点補正時の値にａ′を加算して制御する。
一方、レチクル１とレンズ２との間の距離すは、第９図
（ａ）〜（Ｃ）に示すような機構によって調整する。
（ａ）〜（Ｃ）に示すような機構によって調整する。
すなわち、第９図（ａ）に示すように、レチクル１を搭
載するテーブル６０の２方向の位置を、ピエゾ素子６１
に印加する制御電圧６２の電圧値に応じて伸縮させて調
整する。または、第９図（ｂ）に示すように、テーブル
６０の下面に傾斜部６３を形成し、アクチェエータ６４
によってねじ機構６５を介して傾斜部６３に係合するク
サビ６６の位置を図の左右方向に移動させることによっ
て調整する。
載するテーブル６０の２方向の位置を、ピエゾ素子６１
に印加する制御電圧６２の電圧値に応じて伸縮させて調
整する。または、第９図（ｂ）に示すように、テーブル
６０の下面に傾斜部６３を形成し、アクチェエータ６４
によってねじ機構６５を介して傾斜部６３に係合するク
サビ６６の位置を図の左右方向に移動させることによっ
て調整する。
あるいは、第９図（Ｃ）に示すようにテーブル６０をバ
ネ部材６７で支持したうえ、テーブル６０の下面に設け
た虫体６８に対して動磁石６９から励磁電流７０に応じ
九磁力を作用させてテーブル６０を上下動させることに
より調整する。
ネ部材６７で支持したうえ、テーブル６０の下面に設け
た虫体６８に対して動磁石６９から励磁電流７０に応じ
九磁力を作用させてテーブル６０を上下動させることに
より調整する。
このような倍率補正によって温度変化や大気圧の変化に
よる倍率誤差をなくすことができる。
よる倍率誤差をなくすことができる。
なお、較正用マーク６は所定間隔に配列した複数の細線
パターンの代わりに、第１０図（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、一定の幅の細線部とスペース部が混在するもので
あればよく、その形状は自由に設定できるものである。
パターンの代わりに、第１０図（ａ）〜（ｄ）に示すよ
うに、一定の幅の細線部とスペース部が混在するもので
あればよく、その形状は自由に設定できるものである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、大気圧
変動や温度変化に起因する合焦点距離の変動を手作業を
伴うことなく自動的に補正することができる。従って、
従来のように９二ノ・表面への異物の混入などが起るこ
ともなく、シかも露光作業の短縮を図れるという効果が
得られる。
変動や温度変化に起因する合焦点距離の変動を手作業を
伴うことなく自動的に補正することができる。従って、
従来のように９二ノ・表面への異物の混入などが起るこ
ともなく、シかも露光作業の短縮を図れるという効果が
得られる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図、第２図は
較正用マークの検出信号波形図、第３図は合焦点距離を
求める処理を説明する九めの図、第４図は合焦点距離の
自動補正を行うための機能ブロック図、第５図は本発明
の他の実施例を示すブロック図、第６図は本発明のさら
に他の実施例を示すブロック図、第７図は倍率補正処理
を説明するための図、第８図は倍率補正処理の手順を示
すフローチャート、第９図はレチクルの上下動を行う機
構の実施例を示す図、第１０図は較正用マークの他の例
を示す図、第１１図は投影露光装置の一般的構成を示す
ブロック図である。 １・・・レチク・ル、２・・・縮小レンズ、３・・・可
動ステージ、４・・・ウェハ、６・・・較正用マーク、
７・・・検出器、１２・・・記憶部、１４・・・オフセ
ット検出部、１５・・・制御値作成部、３０・・・鏡面
、３３・・・反射鏡。
較正用マークの検出信号波形図、第３図は合焦点距離を
求める処理を説明する九めの図、第４図は合焦点距離の
自動補正を行うための機能ブロック図、第５図は本発明
の他の実施例を示すブロック図、第６図は本発明のさら
に他の実施例を示すブロック図、第７図は倍率補正処理
を説明するための図、第８図は倍率補正処理の手順を示
すフローチャート、第９図はレチクルの上下動を行う機
構の実施例を示す図、第１０図は較正用マークの他の例
を示す図、第１１図は投影露光装置の一般的構成を示す
ブロック図である。 １・・・レチク・ル、２・・・縮小レンズ、３・・・可
動ステージ、４・・・ウェハ、６・・・較正用マーク、
７・・・検出器、１２・・・記憶部、１４・・・オフセ
ット検出部、１５・・・制御値作成部、３０・・・鏡面
、３３・・・反射鏡。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、照明光源と、この照明光源からの照明光によつてレ
チクルに描画された回路パターンをウェハ表面に投影す
る光学系と、ウエハを左右、上下方向に搬送する可動ス
テージと、可動ステージの上下動によつて前記光学系と
ウェハ表面との距離を所定距離に調整する焦点機構とを
備えた投影露光装置において、前記可動ステージの表面
に付した複数の細線パターンから成る較正用マークの反
射光を前記光学系を介して検出する検出手段と、この検
出手段で検出された較正用マークの反射光量に基づいて
光学系とウェハ表面との距離を算出する演算手段と、合
焦点距離の値とこの合焦点距離位置におけるテスト露光
によつて前記演算手段で算出された距離の値との差をオ
フセット値として記憶する記憶手段と、露光運転起動時
に前記演算手段で算出された距離の値と前記オフセット
値との加算値をもとめ、この加算値に対して前記光学系
とウェハ表面との間の距離が一致するように前記焦点機
構を制御する制御手段とを備えて成る光学系の自動補正
機構。 ２、前記検出手段は、前記光学系の入射瞳内に較正用マ
ークの検出光を揺動する揺動鏡を有することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の光学系の自動補正機構。 ３、照明光源と、この照明光源からの照明光によつてレ
チクルに描画された回路パターンをウェハ表面に投影す
る光学系と、ウェハを左右、上下方向に搬送する可動ス
テージと、この可動ステージの上下動によつて前記光学
系とウェハ表面との距離を所定距離に調整する焦点機構
とを備えた投影露光装置において、前記可動ステージの
表面に付した複数の細線パターンから成る較正用マーク
の反射光を前記光学系を介して検出する検出手段と、こ
の検出手段で検出された較正用マークの反射光量に基づ
いて光学系とウェハ表面との距離および較正用マークに
おける細線パターン間隔を算出する演算手段と、合焦点
距離の値とこの合焦点距離位置におけるテスト露光によ
つて前記演算手段で算出された距離の値との差をオフセ
ット値として記憶する記憶手段と、露光運転起動時に前
記演算手段で算出された距離の値と前記オフセット値と
の加算値を求め、この加算値に対して前記光学系とウェ
ハ表面との間の距離が一致するように前記焦点機構を制
御する第１の制御手段と、設定倍率における細線パター
ン間隔の値と前記演算手段で算出した細線パターン間隔
の値との差を算出し、その差に基づいてレチクルと前記
光学系との距離を制御する第２の制御手段とを備えて成
る光学系の自動補正機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021319A JPS61181127A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 光学系の自動補正機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60021319A JPS61181127A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 光学系の自動補正機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61181127A true JPS61181127A (ja) | 1986-08-13 |
Family
ID=12051830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60021319A Pending JPS61181127A (ja) | 1985-02-06 | 1985-02-06 | 光学系の自動補正機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61181127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376427A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Canon Inc | 露光方法 |
| JP2012022241A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Ushio Inc | 投影レンズとワーク間の距離調整方法 |
| CN111123667A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻装置、光刻装置的垂向控制方法及曝光方法 |
-
1985
- 1985-02-06 JP JP60021319A patent/JPS61181127A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6376427A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-06 | Canon Inc | 露光方法 |
| JP2012022241A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Ushio Inc | 投影レンズとワーク間の距離調整方法 |
| CN111123667A (zh) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻装置、光刻装置的垂向控制方法及曝光方法 |
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