JPS61179581A - Ｓｉ発光ダイオ−ド - Google Patents
Ｓｉ発光ダイオ−ドInfo
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- JPS61179581A JPS61179581A JP60019491A JP1949185A JPS61179581A JP S61179581 A JPS61179581 A JP S61179581A JP 60019491 A JP60019491 A JP 60019491A JP 1949185 A JP1949185 A JP 1949185A JP S61179581 A JPS61179581 A JP S61179581A
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- JP
- Japan
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- light
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- emitting diode
- film
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光ダイオードの材料構成および構造に関する
。
。
°従来の発光ダイオードはＧａｐ、ＧａＡｓ。
ＧａＮ 、ＳｉＯ等の化合物半導体のＰ −ｎ接合から
の発光を用いるのが通例であった。
の発光を用いるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、化合物半導体・表面の
保護膜との界面での表面準位密度が１０１１−ｉｏ１３
／−と極めて高く、ひいては発光特性の変動、劣化が著
しいといつ間Ｍがあった。
保護膜との界面での表面準位密度が１０１１−ｉｏ１３
／−と極めて高く、ひいては発光特性の変動、劣化が著
しいといつ間Ｍがあった。
本発明は、かかる従来技術の問題点を解決するために、
発光ダイオードにおいて、Ｓｉ基板にＰ−ｎ接合を形成
し、該Ｐ −ｎ接合の表面部にはＳ１０！あるいはＳ
ｉ、Ｎ、膜が保護膜として形成され、前記Ｐ−ｎ接合に
電圧を２印加して電流を流し、前記Ｐ −ｎ接合部から
発光せしめる事を特徴とする。
発光ダイオードにおいて、Ｓｉ基板にＰ−ｎ接合を形成
し、該Ｐ −ｎ接合の表面部にはＳ１０！あるいはＳ
ｉ、Ｎ、膜が保護膜として形成され、前記Ｐ−ｎ接合に
電圧を２印加して電流を流し、前記Ｐ −ｎ接合部から
発光せしめる事を特徴とする。
Ｓｉ″のＰ −ｎ接合上のＳ１０．膜あるいはＳｉ３Ｎ
４ 膜は熱生成されたり、あるいは適当なアニール処理
を施すことにより、表面準位密度が１０１・／−のオー
ダーに小さくでき、そのため表面に帰因する特性劣化が
著しく小さい発光ダイオードとなる作用がある。
４ 膜は熱生成されたり、あるいは適当なアニール処理
を施すことにより、表面準位密度が１０１・／−のオー
ダーに小さくでき、そのため表面に帰因する特性劣化が
著しく小さい発光ダイオードとなる作用がある。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すＳｉ発光ダイオードの
断面図である。すなわち、Ｓ１基板１の表面には拡散層
２．酸化膜３が形成され、透明電極４と５に電圧、電流
が印加されてＰ −ｎ接合部で発光することとなる。
断面図である。すなわち、Ｓ１基板１の表面には拡散層
２．酸化膜３が形成され、透明電極４と５に電圧、電流
が印加されてＰ −ｎ接合部で発光することとなる。
本発明は単なるＰ −ｎ接合のみならずＣＩＣＤ（Ｃｈ
ａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）の如
く基板とチャンネルからなるＰ −ｎ接合にも適用でき
る。
ａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ ）の如
く基板とチャンネルからなるＰ −ｎ接合にも適用でき
る。
更に本発明は単結晶Ｓ１のみならず多結晶Ｓ１やアモル
ファスＳ１にも適用できる。
ファスＳ１にも適用できる。
〔発明の効果〕 。
上記の如（Ｓｉ発光ダイオードを実現することにより特
性変動のない発光ダイオードを実現できる効果がある。
性変動のない発光ダイオードを実現できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すＳｉ発光ダイオードの
断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ５・・・・・・・・・酸化膜 ４．５・・・電極 以 上
断面図である。 １・・・・・・・・・Ｓ１基板 ２・・・・・・・・・拡散層 ５・・・・・・・・・酸化膜 ４．５・・・電極 以 上
Claims (1)
- Ｓｉ基板にＰ−ｎ接合を形成し、該Ｐ−ｎ接合の表面
部にはＳｉＯ＿２あるいはＳｉ＿３Ｎ＿４膜が保護膜と
して形成され、前記Ｐ−ｎ接合に電圧を印加して電流を
流し、前記Ｐ−ｎ接合部から発光せしめる事を特徴とす
るＳｉ発光ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019491A JPS61179581A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | Ｓｉ発光ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60019491A JPS61179581A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | Ｓｉ発光ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61179581A true JPS61179581A (ja) | 1986-08-12 |
Family
ID=12000827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60019491A Pending JPS61179581A (ja) | 1985-02-04 | 1985-02-04 | Ｓｉ発光ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61179581A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5258628A (en) * | 1992-02-27 | 1993-11-02 | Eastman Kodak Company | Linearizing emitted light intensity from a light-emitting device |
| US5458735A (en) * | 1991-08-14 | 1995-10-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for the production of electroluminescent silicon structures |
| KR100446622B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 발광 디바이스 장치 |
| KR100455288B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 발광소자를 이용한 평판형 표시장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4210934Y1 (ja) * | 1964-07-25 | 1967-06-16 | ||
| JPS604509U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-14 | 古沢 チヱ子 | 婦人用着物 |
-
1985
- 1985-02-04 JP JP60019491A patent/JPS61179581A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4210934Y1 (ja) * | 1964-07-25 | 1967-06-16 | ||
| JPS604509U (ja) * | 1983-06-17 | 1985-01-14 | 古沢 チヱ子 | 婦人用着物 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5458735A (en) * | 1991-08-14 | 1995-10-17 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for the production of electroluminescent silicon structures |
| US5258628A (en) * | 1992-02-27 | 1993-11-02 | Eastman Kodak Company | Linearizing emitted light intensity from a light-emitting device |
| KR100446622B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-09-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 발광 디바이스 장치 |
| KR100455288B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 발광소자를 이용한 평판형 표시장치 |
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