JPS61178779A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPS61178779A
JPS61178779A JP1853185A JP1853185A JPS61178779A JP S61178779 A JPS61178779 A JP S61178779A JP 1853185 A JP1853185 A JP 1853185A JP 1853185 A JP1853185 A JP 1853185A JP S61178779 A JPS61178779 A JP S61178779A
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JP
Japan
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transistor
capacitor
potential
circuit
node
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JP1853185A
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Japanese (ja)
Inventor
Maki Yoshinaga
吉永 真樹
Ichiro Imaizumi
今泉 市郎
Tomoaki Hirai
智明 平井
Noriaki Hatanaka
畑中 紀明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B19/00Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
    • G11B19/02Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
    • G11B19/04Arrangements for preventing, inhibiting, or warning against double recording on the same blank or against other recording or reproducing malfunctions
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B2005/0002Special dispositions or recording techniques
    • G11B2005/0005Arrangements, methods or circuits
    • G11B2005/001Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/455Arrangements for functional testing of heads; Measuring arrangements for heads

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  • Digital Magnetic Recording (AREA)
  • Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make a feedback mechanism unnecessary and to reduce the titled circuit in scale by detecting a supplied write data signal even it is kept in either high or low level state. CONSTITUTION:When the write data signal is kept in a high or low level state due to a short-circuited head troubled circuit, the potentials Va, Vb of terminals A, B are made unchanged after lapse of a predetermined time. With the potential Va at a high level, a capacitor C1 continues to be charged in a capacitor C1 through a transistor Q6 so that the potential Vn1 at a node n1 exceeds a reference voltage Vref2, as shown by the dotted line (a). With the voltage remaining at the low level, the capacitor C1 continues to be discharged through a transistor Q4 so that the potential Vn1 of the node n1 falls below the reference voltage Vref1 as shown by the dotted line (b). As a result, the output of comparators CMP1 or CMP2 is inverted to produce an abnormality signal phid.

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] この発明は、半導体集積回路技術に関し、例えば磁気デ
ィスク装置における記録再生用の半導体集積回路装置に
利用して有効な技術に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to semiconductor integrated circuit technology, and relates to a technology effective for use in, for example, a semiconductor integrated circuit device for recording and reproducing in a magnetic disk device.

[背景技術] 第3図に、ハードディスク・ドライバやフロンビ・ディ
スクドライバのような磁気ディスク装置における記録再
生用IC(半導体集積回路)のヘッド駆動部の構成が示
されている。すなわち、電源電圧Vccと端子A、B間
には、バイポーラトランジスタQ11* Q、2が、ま
た端子A、Bと定電流源000間にはトランジスタQ1
3.Q14が互いに対をなすように接続されている。そ
して。
[Background Art] FIG. 3 shows the configuration of a head drive section of a recording/reproducing IC (semiconductor integrated circuit) in a magnetic disk device such as a hard disk driver or a Fronbi disk driver. That is, the bipolar transistor Q11*Q,2 is connected between the power supply voltage Vcc and the terminals A and B, and the transistor Q1 is connected between the terminals A and B and the constant current source 000.
3. Q14 are connected to each other in pairs. and.

上記端子A、B間に磁気ヘッドを構成するコイルLが外
付けされるとともに、トランジスタQ□、。
A coil L constituting a magnetic head is externally connected between the terminals A and B, and transistors Q□.

Q12およびQ131Q14のベース端子には。For the base terminals of Q12 and Q131Q14.

、相補的な書込みデータ信号り、Dがそれぞれ印加され
る。これによって、書込みデータ信号り、Dが変化する
とコイルに流される電流の向きが変わり、そのときの磁
界の反転によって磁気ディスクに対し、データの書込み
が行なわれる。
, D, and complementary write data signals are applied, respectively. As a result, when the write data signal D changes, the direction of the current flowing through the coil changes, and the reversal of the magnetic field at that time causes data to be written on the magnetic disk.

しかしながら、磁気ヘッド内のコイルLが短絡していた
り、記録再生用IC内の欠陥等によりヘッド駆動部に供
給される書込みデータ信号り、Dが反転されないような
場合には、正常な書込みが行なわれなくなる。そのため
、例えば(株)日立製作所層HD102128のような
記録再生用ICにおいては、第4図に示すような異常検
出回路を設けて、上記のような書込み異常を検出するよ
うにしていた。
However, if the write data signal D supplied to the head drive section is not inverted due to a short circuit in the coil L in the magnetic head or a defect in the recording/reproducing IC, normal writing may not be performed. It will no longer be possible. Therefore, for example, in a recording/reproducing IC such as Layer HD102128 manufactured by Hitachi, Ltd., an abnormality detection circuit as shown in FIG. 4 is provided to detect the above-mentioned writing abnormality.

つまり、定電流源CC2によってコンデンサC7を連続
的にチャージアップさせるとともに、端子A(もしくは
B)の電位Vaの立上がりまたは立下がりを検出して、
上記コンデンサC1と並列に接続されたトランジスタQ
zoをオンさせることによってコンデンサC1に蓄積さ
れた電荷を引抜くような回路を構成しておく。すると、
正常な装置では、必ず書込みデータ信号が周期的に反転
されるので、ヘッドの短絡やICの欠陥が生じていると
端子AおよびBの電位は変化しない。そのため、トラン
ジスタQIOがオン状態にされなくなって、コンデンサ
C1のディスチャージが行なわれなくなる。その結果、
ノードn1の電位がどんどん上昇して行く。そこで、こ
のノードn1の電位をコンパレータCMPで検出するこ
とにより、異常信号φdを発生させていた。
In other words, the capacitor C7 is continuously charged up by the constant current source CC2, and the rise or fall of the potential Va at the terminal A (or B) is detected.
Transistor Q connected in parallel with the above capacitor C1
A circuit is configured to draw out the charge accumulated in the capacitor C1 by turning on zo. Then,
In a normal device, the write data signal is always inverted periodically, so if there is a short circuit in the head or a defect in the IC, the potentials at terminals A and B will not change. Therefore, transistor QIO is no longer turned on, and capacitor C1 is no longer discharged. the result,
The potential of node n1 increases steadily. Therefore, the abnormal signal φd was generated by detecting the potential of this node n1 with the comparator CMP.

ところが、上記のような異常検出回路にあっては、例え
ば監視する端子AもしくはBの電位がハイレベルになっ
た状態で異常が発生すると、トランジスタQIOがオン
されたままになって異常が検出できなくなるおそれがあ
る。従って、ノードn1の電位が一旦低下されたならば
、トランジスタQ1oのベース電位を下げてカットオフ
させてやるようなフィードバック機能を設ける必要が生
じる。そのため、第4図に示すような回路形式を採用す
ると、異常検出回路全体の回路規模が非常に大きくなっ
てしまう、また、第4図に示す回路では、トランジスタ
QIOが飽和動作されるため。
However, in the abnormality detection circuit as described above, if an abnormality occurs while the potential of the monitored terminal A or B is at a high level, the transistor QIO remains on and the abnormality cannot be detected. There is a risk that it will disappear. Therefore, once the potential of the node n1 is lowered, it becomes necessary to provide a feedback function that lowers the base potential of the transistor Q1o to cut it off. Therefore, if the circuit format shown in FIG. 4 is adopted, the circuit scale of the entire abnormality detection circuit becomes very large.Furthermore, in the circuit shown in FIG. 4, the transistor QIO operates in saturation.

周辺の基板電位を安定にしてやらなくてはならず、レイ
アウト上の制約が生じるという不都合がある。
There is a problem in that the peripheral substrate potential must be stabilized, which creates layout constraints.

[発明の目的] この発明の目的は1例えば磁気ディスク装置の記録再生
用ICにおける異常検出回路の規模を小さくできるよう
な半導体集積回路技術を提供することにある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit technology that can reduce the scale of an abnormality detection circuit in a recording/reproducing IC of a magnetic disk device, for example.

この発明の他の目的は、磁気ディスク装置の記録再生用
ICのレイアウト設計を容易に行なえるようにする半導
体集積回路技術を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit technology that facilitates the layout design of a recording/reproducing IC for a magnetic disk device.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明かにな
るであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。
[Summary of the Invention] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.

すなわち1例えば磁気ディスク装置の記録再生用ICに
おける異常検出回路に適用した場合に、書込みデータ信
号に応じて変動するヘッド駆動部の出力端子の電位によ
ってコンデンサを瞬時に所定のレベルまでディスチャー
ジさせるためのトランジスタの他に、上記コンデンサを
瞬時に所定のレベルまでチャージアップさせるトランジ
スタを設けるとともに、これらのトランジスタによるコ
ンデンサのディスチャージもしくはチャージアップ後、
引続き徐々にディスチャージもしくはチャージアップを
継続させるような回路を構成することによって、供給さ
れる書込みデータ信号がハイレベルまたはロウレベルの
いずれの状態のまま変化しなくなったとしてもこれを検
出できるようにして、異常検出回路の回路規模を縮減で
きるようにするとともに、飽和動作されるトランジスタ
をなくしてレイアウト上の制約をなくすという上記目的
を達成するものである。
That is, 1. For example, when applied to an abnormality detection circuit in a recording/reproducing IC of a magnetic disk device, the capacitor is instantaneously discharged to a predetermined level by the potential of the output terminal of the head drive unit, which fluctuates according to the write data signal. In addition to the transistor, a transistor is provided that instantly charges up the capacitor to a predetermined level, and after the capacitor is discharged or charged up by these transistors,
By configuring a circuit that gradually continues discharging or charging up, it is possible to detect whether the supplied write data signal remains at a high level or a low level and does not change. The present invention achieves the above-mentioned objectives of reducing the circuit scale of the abnormality detection circuit and eliminating layout constraints by eliminating transistors that operate in saturation.

[実施例] 第1図には、本発明を例えば磁気ディスク装置の記録再
生用ICにおける異常検出回路に適用した場合の一実施
例が示されている。
[Embodiment] FIG. 1 shows an embodiment in which the present invention is applied to, for example, an abnormality detection circuit in a recording/reproducing IC of a magnetic disk device.

この実施例では、一方の端子が電源電圧Vccに接続さ
れたコンデンサC1の他方の端子(ノードn、)と電源
電圧vE8との間に、抵抗R2を介してPNP型のバイ
ポーラトランジスタQ2が接続されている。また、電源
電圧Vccと上記ノードn、との間には、上記コンデン
サC1と並列にNPN型のバイポーラトランジスタQ1
と抵抗R1とが直列接続されている。
In this embodiment, a PNP bipolar transistor Q2 is connected via a resistor R2 between the other terminal (node n,) of a capacitor C1 whose one terminal is connected to the power supply voltage Vcc and the power supply voltage vE8. ing. Further, between the power supply voltage Vcc and the node n, an NPN bipolar transistor Q1 is connected in parallel with the capacitor C1.
and resistor R1 are connected in series.

上記トランジスタQ1およびQ2のベース端子には、第
3図に示すような磁気ヘッドの駆動回路の端子A(また
はB)の電位Vaをレベルシフトしたような電圧Van
とVa2(ただしVa□くV a 2 )が印加されて
いる。
The base terminals of the transistors Q1 and Q2 are supplied with a voltage Van that is level-shifted from the potential Va at the terminal A (or B) of the magnetic head drive circuit as shown in FIG.
and Va2 (where Va□×V a 2 ) are applied.

また、コンデンサC1の一方の端子が接続された上記ノ
ードn1には、NPN型のバイポーラトランジスタQ4
のコレクタ端子が接続され、このトランジスタQ4のエ
ミッタ端子には、定電流源CC1が接続されている。
Furthermore, an NPN bipolar transistor Q4 is connected to the node n1 to which one terminal of the capacitor C1 is connected.
A constant current source CC1 is connected to the emitter terminal of this transistor Q4.

上記トランジスタQ4のエミッタ端子には、同じ<NP
N型のトランジスタQ3のエミッタが接続され、共通の
定電流源CC1によって引かれるようになっており、こ
れによってカレントスイッチ回路が構成されている。上
記トランジスタQ3のベース端子には、第3図の回路の
端子Bの電位vbが印加されるようになっている。さら
に、上記トランジスタQ3とQ4のコレクタ端子には、
カレントミラー接続されたトランジスタQ5とQ6がそ
れぞれ接続されている。
The emitter terminal of the transistor Q4 has the same <NP
The emitter of the N-type transistor Q3 is connected and drawn by a common constant current source CC1, thereby forming a current switch circuit. The potential vb of the terminal B of the circuit shown in FIG. 3 is applied to the base terminal of the transistor Q3. Furthermore, the collector terminals of the transistors Q3 and Q4 are
Current mirror-connected transistors Q5 and Q6 are connected, respectively.

そして、この実施例では、上記ノードn1の電位がコン
パレータCMP、とCMP2の反転入力端子と非反転入
力端子に印加されるようになっている。コンパレータC
MP、の非反転入力端子には基準電圧V r e f 
1が、またコンパレータCMP2の反転入力端子には基
準電圧Vref2(Vraf2>Vrefl)が印加さ
れている。これによって、ノードn1の電位が基準電圧
V r e f2よりも高くなるか、Vreilよりも
低くなると、異常信号φdが出力されるようになってい
る。
In this embodiment, the potential of the node n1 is applied to the inverting and non-inverting input terminals of the comparators CMP and CMP2. Comparator C
The reference voltage V r e f is applied to the non-inverting input terminal of MP.
1, and a reference voltage Vref2 (Vraf2>Vrefl) is applied to the inverting input terminal of the comparator CMP2. As a result, when the potential of the node n1 becomes higher than the reference voltage V r e f2 or lower than Vreil, the abnormal signal φd is output.

次に、上記のごとく構成された異常検出回路の動作につ
いて説明する。
Next, the operation of the abnormality detection circuit configured as described above will be explained.

第3図に示すヘッド駆動部に入力される書込みデータ信
号り、Dが周期的に変化すると、これに応じて端子Aお
よびBの電位Vaとvbが変化される。この電圧Vaと
vbが第1図に示す異常検出回路の入力信号として、差
動形のトランジスタQ3とQ4のベース端子に印加され
るとともに、図示しないレベルシフト回路で電圧Vaが
レベルシフトされた信号ValとVa2  (第2図参
照)が、トランジスタQ1とQ2のベース端子に印加さ
れている。
When the write data signal D input to the head driving section shown in FIG. 3 changes periodically, the potentials Va and vb of the terminals A and B change accordingly. These voltages Va and vb are applied to the base terminals of differential transistors Q3 and Q4 as input signals of the abnormality detection circuit shown in FIG. 1, and the voltage Va is level-shifted by a level shift circuit (not shown). Val and Va2 (see FIG. 2) are applied to the base terminals of transistors Q1 and Q2.

従って、書込みデータ信号に応じて、例えば電圧Vaが
ハイレベルに、また電圧vbがロウレベルに変化すると
、これによって先ずトランジスタQ3がオン、Q4がオ
フされ、定電流源CC1によって、トランジスタQs、
Qr、の側に電流が流されるようになる。
Therefore, when the voltage Va changes to a high level and the voltage vb changes to a low level in response to a write data signal, for example, the transistor Q3 is turned on and the transistor Q4 is turned off.
Current begins to flow to the side of Qr.

また、電圧Vaのハイレベルへの変化に伴なって電圧V
anとVa2が上昇するため、PNPトランジスタQ2
がカットオフされて、代わりにNPNトランジスタQ1
がオン状態にされる。これによって、トランジスタQ1
を介してノードn1に電荷が流れ込む(電流ix)。こ
のとき、トランジスタQ4がオフされているため、コン
デンサC1がチャージアップされる。また、オンされて
いるトランジスタQ3に接続されたトランジスタQ5と
カレントミラー接続されているトランジスタQ6には、
トランジスタQ5と同じ大きさの電流が流されるため、
トランジスタQ6を通してノードn1に電荷が流れ込む
(電流ir’)。その結果、第2図に示すようにノード
n1の電位V n 1が速やかに上昇する。
Further, as the voltage Va changes to a high level, the voltage V
Since an and Va2 rise, PNP transistor Q2
is cut off and replaced by NPN transistor Q1.
is turned on. As a result, transistor Q1
Charge flows into node n1 via (current ix). At this time, since transistor Q4 is turned off, capacitor C1 is charged up. In addition, the transistor Q5 connected to the turned-on transistor Q3 and the transistor Q6 connected in a current mirror have the following characteristics:
Since a current of the same magnitude as that of transistor Q5 flows,
Charge flows into node n1 through transistor Q6 (current ir'). As a result, the potential V n 1 of the node n1 quickly rises as shown in FIG.

しかして、ノードn1の電位が上昇すると、トランジス
タQ1のエミッタ電圧が上昇されるので、トランジスタ
Q1がオフ状態にされる。そのため、以後は、カレント
ミラーにより電流が流されるトランジスタQ6の側のみ
からノードn1に向かって電流11′が流されるように
なる。その結果。
As the potential of node n1 rises, the emitter voltage of transistor Q1 rises, so transistor Q1 is turned off. Therefore, from now on, the current 11' is caused to flow toward the node n1 only from the side of the transistor Q6 through which the current is caused to flow by the current mirror. the result.

第2図に示すごとく、電圧V n 1はあるレベルまで
急速に上昇した後、ゆっくりした上昇に移行する。そし
て、次に書込みデータ信号が変化して、端子Aの電位V
aがハイレベルからロウレベルに変化されると、このと
き電圧vbはハイレベルに変化する。そのため、異常検
出回路内のトランジスタQ3がカットオフされて1代わ
りにトランジスタQ4がオン状態にされる。また、電圧
Vaをレベルシフトした信号Van、v62もロウレベ
ルに変化するため、トランジスタQ2がオン状態にされ
る(Qlはオフのままである)。
As shown in FIG. 2, the voltage V n 1 rises rapidly to a certain level and then shifts to a slow rise. Then, the write data signal changes, and the potential of terminal A becomes V
When a is changed from high level to low level, voltage vb is changed to high level at this time. Therefore, the transistor Q3 in the abnormality detection circuit is cut off and the transistor Q4 is turned on instead. Furthermore, since the signal Van, v62, which is the level-shifted voltage Va, also changes to a low level, the transistor Q2 is turned on (Ql remains off).

これによって、コンデンサC1に・蓄積されていた電荷
がトランジスタQ2およびQ4を通して速やかに引き抜
かれ、ノードnlの電位Vnlが降下する。そして、ノ
ードn1の電位Vn、が所定のレベルまで下がると、ト
ランジスタQ2がカットオフされ、Q2を流れる電流1
2が遮断される。
As a result, the charge accumulated in the capacitor C1 is quickly extracted through the transistors Q2 and Q4, and the potential Vnl of the node nl drops. Then, when the potential Vn of the node n1 falls to a predetermined level, the transistor Q2 is cut off, and the current 1 flowing through Q2
2 is blocked.

しかして、このとき、トランジスタQ3が電圧Vaによ
ってカットオフされているため、トランジスタQ5およ
びQ6にも電流は流れない。そのため、コンデンサC1
に蓄積された電荷は、その後はトランジスタQ4を通し
て除々に引き抜かれるようになる。その結果、書込みデ
ータ信号の変化によって端子Aの電位Vaがロウレベル
に変化されると、ノードn1の電位が所定のレベルまで
急速に下がり、その後ゆっくりした下降に移行する。
At this time, however, since transistor Q3 is cut off by voltage Va, no current flows through transistors Q5 and Q6 either. Therefore, capacitor C1
The charges accumulated in the transistor Q4 are then gradually extracted through the transistor Q4. As a result, when the potential Va at the terminal A is changed to a low level due to a change in the write data signal, the potential at the node n1 rapidly decreases to a predetermined level, and then slowly begins to decrease.

書込みデータ信号が周期的に変化して、端子Aの電位V
aが一定の時間内に変化される限り、上記動作によって
、異常検出回路内のノードn1の電位Vnlは、上昇と
下降を繰り返し、基準電圧V r e f 1とV r
 e f 2を越えることがない。そのため、コンパレ
ータCMP1とCMP2の出力も変化されず、異常信号
φdは出力されない。
The write data signal changes periodically, and the potential V of terminal A
As long as a is changed within a certain period of time, the potential Vnl of the node n1 in the abnormality detection circuit repeats rising and falling due to the above operation, and the reference voltages V r e f 1 and V r
e f never exceeds 2. Therefore, the outputs of the comparators CMP1 and CMP2 are not changed, and the abnormal signal φd is not output.

ところが、ヘッドが短絡したり、回路の故障によりヘッ
ド駆動部に入って来る書込みデータ信号がハイレベルま
たはロウレベルに固定されてしまうと、端子AおよびB
の電位Va、Vbが一定時間を経過しても変化しなくな
る。すると、電位Vaがハイレベルのときには、トラン
ジスタQ6を通してコンデンサC1に電荷がチャージさ
れ続け、第2図に破線イで示すように、ついにはノード
n、の電位Vn1が基準電圧V r a f 2を越え
てしまう。また、電圧Vaがロウレベルのままであると
、トランジスタQ4を通してコンデンサC1の電荷がデ
ィスチャージされ続け、第2図に破線口で示すように、
ついにはノードn1の電位Vnlが基準電圧V r e
 f 1以下に下がってしまう。その結果、コンパレー
タCMPIまたはCMP2の出力が反転して異常信号φ
dが形成される。
However, if the write data signal entering the head drive unit is fixed at high or low level due to a short circuit in the head or a circuit failure, terminals A and B
The potentials Va and Vb do not change even after a certain period of time. Then, when the potential Va is at a high level, charges continue to be charged to the capacitor C1 through the transistor Q6, and as shown by the broken line A in FIG. 2, the potential Vn1 of the node n finally reaches the reference voltage V r a f 2. I'll go beyond it. Furthermore, if the voltage Va remains at a low level, the charge in the capacitor C1 continues to be discharged through the transistor Q4, and as shown by the broken line in FIG.
Finally, the potential Vnl of node n1 reaches the reference voltage V r e
f will drop below 1. As a result, the output of comparator CMPI or CMP2 is inverted and the abnormal signal φ
d is formed.

以上説明したように、この実施例に従うと、書込みデー
タ信号もしくは端子A(またはB)の電位がハイレベル
およびロウレベルのいずれかの状態のまま変化しなくな
った場合には、これを確実に検出して異常信号φdを形
成することができる。
As explained above, according to this embodiment, if the write data signal or the potential of terminal A (or B) remains unchanged at either high level or low level, this can be reliably detected. The abnormal signal φd can be formed by

しかも、第4図に示した異常検出回路のように。Moreover, like the abnormality detection circuit shown in FIG.

異常検出回路内のノードn1の電位の変化を、ヘッド駆
動部の出力端子A(またはB)の電位を保持する前段の
回路にフィードバックさせる必要がない、そのため、異
常検出回路全体の回路規模が小さくなって、チップサイ
ズを低減することができるようになる。
There is no need to feed back changes in the potential of the node n1 in the abnormality detection circuit to the preceding circuit that holds the potential of the output terminal A (or B) of the head drive unit, so the circuit scale of the entire abnormality detection circuit is small. Therefore, the chip size can be reduced.

さらに、この実施例の異常検出回路には、飽和動作する
トランジスタがないため、そのトランジスタの周縁の基
板電位を安定にしてやるような配慮が不要である。その
ため、回路のレイアウト設計等が容易になるという利点
がある。
Furthermore, since the abnormality detection circuit of this embodiment does not have a transistor that operates in saturation, there is no need to take care to stabilize the substrate potential around the transistor. Therefore, there is an advantage that circuit layout design etc. are facilitated.

[効果] (1)磁気ディスク装置の記録再生用ICにおいて、書
込みデータ信号に応じて変動するヘッド駆動部の出力端
子の電位によってコンデンサを瞬時に所定のレベルまで
ディスチャージさせるためのトランジスタの他に、上記
コンデンサを瞬時に所定のレベルまでチャージアップさ
せるトランジスタを設けるとともに、これらのトランジ
スタによるコンデンサのディスチャージもしくはチャー
ジアップ後、引続き除々にディスチャージもしくはチャ
ージアップを継続させるように異常検出回路を構成して
なるので、供給される書込みデータ信号がハイレベルま
たはロウレベルのいずれの状態のまま変化しなくなった
としてもこれを検出できるという作用により、フィード
バック機構を設ける必要がなくなり、これによって異常
検出回路の回路規模が縮減されるという効果がある。
[Effects] (1) In a recording/reproducing IC for a magnetic disk device, in addition to a transistor for instantaneously discharging a capacitor to a predetermined level by the potential of the output terminal of the head drive unit that fluctuates in accordance with a write data signal, In addition to providing transistors that instantly charge up the capacitor to a predetermined level, an abnormality detection circuit is configured to gradually continue discharging or charging up the capacitor after the capacitor is discharged or charged up by these transistors. , the ability to detect whether the supplied write data signal remains unchanged at high or low level eliminates the need for a feedback mechanism, thereby reducing the circuit size of the abnormality detection circuit. It has the effect of being

(2)書込みデータ信号に応じて変動するヘッド駆動部
の出力端子の電位によってコンデンサを瞬時に所定のレ
ベルまでディスチャージさせるためのトランジスタの他
に、上記コンデンサを瞬時に所定のレベルまでチャージ
アップさせるトランジスタを設けるとともに、これらの
トランジスタによるコンデンサのディスチャージもしく
はチャージアップ後、引続き除々にディスチャージもし
くはチャージアップを継続させねように異常検出回路を
構成してなるので、飽和動作されるトランジスタがなく
なるという作用により1回路のレイアウト設計等が容易
になるという効果がある。
(2) In addition to the transistor that instantly discharges the capacitor to a predetermined level using the potential of the output terminal of the head drive unit that changes according to the write data signal, the transistor that instantly charges up the capacitor to a predetermined level. In addition, after the capacitor is discharged or charged up by these transistors, an abnormality detection circuit is configured to prevent the gradual discharge or charge-up from continuing.As a result, there are no transistors operating in saturation. This has the effect of facilitating circuit layout design and the like.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない0例えば、上記実施例では
、コンパレータとその基準電圧を2つ設けて検出を行な
っているが、これを一つにするようなことも可能である
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, in the above embodiment, two comparators and their reference voltages are provided for detection, but it is also possible to use only one comparator.

[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である磁気ディスク装置の
記録再生用ICにおける異常検出回路に適用したものに
ついて説明したが、それに限定されるものでなく、ある
信号が一定期間以上所定のレベルを維持したか否かを監
視したいような場合に広く利用することができる。
[Field of Application] In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to an abnormality detection circuit in a recording/reproducing IC of a magnetic disk device, which is the field of application in which the invention was made, but the present invention is not limited to this. It can be widely used in cases where it is desired to monitor whether a certain signal has maintained a predetermined level for a certain period of time or more.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は1本発明を磁気ディスク装置の記録再生用IC
における異常検出回路に適用した場合の一実施例を示す
回路図、 第2図は、その回路における各部の信号の変化を示すタ
イムチャート。 第3図は、磁気ディスク装置の記録再生用ICにおける
ヘッド駆動部の構成の一例を示す回路図、第4図は、従
来の磁気ディスク装置の記録再生用ICにおける異常検
出回路の一例を示す回路図である。 Qloo・・チャージ用トランジスタ、C2・・・・デ
ィスチャージ用トランジスタ、Qs = C4・・・・
差動形トランジスタ、CC,−CC2・・・・定を流源
、C1・・・・コンデンサ、CMP、、CMP2・・・
・コンパレータ。 第  1vA 第  2  図
Figure 1 shows the present invention as a recording/reproducing IC for a magnetic disk device.
FIG. 2 is a time chart showing changes in signals of each part in the circuit. FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of the configuration of a head drive section in a recording/reproducing IC of a magnetic disk device, and FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of an abnormality detection circuit in a conventional recording/reproducing IC of a magnetic disk device. It is a diagram. Qloo... Charge transistor, C2... Discharge transistor, Qs = C4...
Differential transistor, CC, -CC2... Constant current source, C1... Capacitor, CMP, , CMP2...
·comparator. Figure 1vA Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、監視すべき信号とその反転信号もしくはそれと相補
的な信号とによって動作される一対の差動形トランジス
タを含むカレントスイッチ回路と、一方の差動形トラン
ジスタと電源電圧との間に接続されたコンデンサと、こ
のコンデンサの一方の端子に接続され、上記監視信号に
対応する信号によってオン、オフ制御されるチャージ用
トランジスタおよびディスチャージ用トランジスタと、
上記コンデンサの充電電圧を検出するコンパレータとを
有し、上記監視信号のレベルが一定期間同一レベルを維
持したときに上記コンパレータの出力が変化するように
構成されてなることを特徴とする半導体集積回路。 2、上記カレントスイッチ回路は、カレントミラー接続
されたトランジスタを含み、上記コンデンサのディスチ
ャージ経路が遮断された状態では、このトランジスタに
カレントミラーで流される電流によって上記コンデンサ
がチャージアップされるようにされてなることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体集積回路。 3、上記チャージ用トランジスタは、上記コンデンサの
一方の端子と回路の第1の電源電圧との間に接続された
NPN型バイポーラトランジスタからなり、上記ディス
チャージ用トランジスタは、上記コンデンサの一方の端
子と回路の第2の電源電圧との間に接続されたPNP型
バイポーラトランジスタからなることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載もしくは第2項記載の半導体集積
回路。
[Claims] 1. A current switch circuit including a pair of differential transistors operated by a signal to be monitored and its inverted signal or a signal complementary thereto; one differential transistor and a power supply voltage; a capacitor connected between the capacitor and a charging transistor and a discharging transistor connected to one terminal of the capacitor and controlled to turn on and off by a signal corresponding to the monitoring signal;
a comparator that detects the charging voltage of the capacitor, and is configured such that the output of the comparator changes when the level of the monitoring signal maintains the same level for a certain period of time. . 2. The current switch circuit includes a transistor connected to a current mirror, and when the discharge path of the capacitor is cut off, the capacitor is charged up by the current flowing through the transistor by the current mirror. A semiconductor integrated circuit according to claim 1, characterized in that: 3. The charging transistor is an NPN bipolar transistor connected between one terminal of the capacitor and the first power supply voltage of the circuit, and the discharging transistor is connected between one terminal of the capacitor and the circuit. The semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, characterized in that the semiconductor integrated circuit comprises a PNP type bipolar transistor connected between the second power supply voltage and the second power supply voltage.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392172A (en) * 1992-01-30 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Magnetic head circuit having a write current changeover circuit with a clamp voltage depending on write current for high-speed data transfer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5392172A (en) * 1992-01-30 1995-02-21 Hitachi, Ltd. Magnetic head circuit having a write current changeover circuit with a clamp voltage depending on write current for high-speed data transfer

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