JPS6117628Y2 - - Google Patents

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JPS6117628Y2
JPS6117628Y2 JP16754080U JP16754080U JPS6117628Y2 JP S6117628 Y2 JPS6117628 Y2 JP S6117628Y2 JP 16754080 U JP16754080 U JP 16754080U JP 16754080 U JP16754080 U JP 16754080U JP S6117628 Y2 JPS6117628 Y2 JP S6117628Y2
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、ヒステリシス幅決定回路に関する。[Detailed explanation of the idea] The present invention relates to a hysteresis width determining circuit.

従来、コンパレータ等に入力電圧がスレシホー
ルド電圧付近にある場合、入力電圧や電源電圧な
どのわずかな変動に対応して出力が変化してしま
うためヒステリシスループを持たせてその誤動作
を防止している。しかしながらヒステリシスルー
プのハイレベル値とローレベル値とは独立に設定
することは出来ず互いに影響し合つていた。
Conventionally, when the input voltage of a comparator, etc. is near the threshold voltage, the output changes in response to slight fluctuations in the input voltage or power supply voltage, so a hysteresis loop has been provided to prevent malfunction. There is. However, the high level value and low level value of the hysteresis loop cannot be set independently and they influence each other.

第1図は従来例に係るヒステリシス幅決定回路
の回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional hysteresis width determining circuit.

図において10はコンパレータであり、反転入
力端子(−)に入力電圧VINが印加され、非反転
入力端子(+)には電源電圧VCCが抵抗器R1
抵抗器R2により分圧されて印加され、かつ非反
転入力端子(+)はコンパレータ10の出力電圧
OUTが抵抗器R3を介して帰還され、この端子の
電圧が比較電圧V0になる。第2図は第1図に示
すコンパレータ回路の動作波形図を示す。ここ
で、ヒステリシス幅をΔV、そのヒステリシスル
ープのハイレベル値をVTH、ローレベル値をVTL
とするとハイレベル値VTHおよびローレベル値V
TLは電源電圧VCCおよび出力電圧VOUTによる周
知の演算増幅器における所定の関係をもつて決定
される。すなわちコンパレータ10は入力電圧V
INが上昇してハイレベル値VTHを超えると、出力
電圧VOUTがローレベル電圧VOLになり、比較電
圧VOがVTLになる。次に入力電圧VINが下降し
てローレベル値VTL以下になり、VOがVTHにな
る。出力電圧VOUTはハイレベル電圧VOHとな
る。つまり、(VTH−VTL)すなわちΔVボルト
のヒステリシス幅を持つて出力電圧VOUTが反転
される。
In the figure, 10 is a comparator, the input voltage V IN is applied to the inverting input terminal (-), and the power supply voltage V CC is applied to the non-inverting input terminal (+) by resistors R1 and R2. The output voltage V OUT of the comparator 10 is fed back to the non-inverting input terminal (+) via the resistor R 3 , and the voltage at this terminal becomes the comparison voltage V 0 . FIG. 2 shows an operating waveform diagram of the comparator circuit shown in FIG. 1. Here, the hysteresis width is ΔV, the high level value of the hysteresis loop is V TH , and the low level value is V TL
Then, high level value V TH and low level value V
TL is determined by a predetermined relationship in a well-known operational amplifier based on the power supply voltage V CC and the output voltage V OUT . That is, the comparator 10 receives the input voltage V
When IN rises and exceeds the high level value V TH , the output voltage V OUT becomes the low level voltage V OL and the comparison voltage V 0 becomes V TL . Next, the input voltage V IN falls below the low level value V TL and V O becomes V TH . The output voltage V OUT becomes the high level voltage V OH . That is, the output voltage V OUT is inverted with a hysteresis width of (V TH −V TL ), that is, ΔV volts.

ここで、ヒステリシスのハイレベル値VTHおよ
びローレベル値VTLを決定するための等価回路を
第3図a,bに示す。
Here, equivalent circuits for determining the high level value V TH and low level value V TL of the hysteresis are shown in FIGS. 3a and 3b.

第3図aはハイレベル値VTHを決定する等価回
路であり、第3図bはローレベル値VTLを決定す
る等価回路である。今、第3図aにおいて、入力
電圧VINが上昇した場合、コンパレータ10の出
力が反転する時点の非反転入力端子(+)の電圧
はVTHであり、反転する時の出力電圧VOUTはVO
である。非反転入力端子(+)とコンパレータ
10の入力端子とのインピーダンスはR3であ
る。したがつて、非反転入力端子(+)の比較電
圧VOすなわちハイレベル値VTHを求める回路
は、抵抗器R1の一端に電源電圧VCCが印加さ
れ、抵抗器R3の一端にハイレベル電圧VOHが印
加され、R1,R3の接続点と抵抗器R2の一端とが
接続され、抵抗器R2の他端は接地される。そし
てこの接続点における電位VOがハイレベル値VT
に相当する。また、第3図bについても同様で
あり、抵抗器R3の一端にはローレベル電圧VOL
が印加されることになる。
FIG. 3a is an equivalent circuit for determining the high level value VTH , and FIG. 3b is an equivalent circuit for determining the low level value VTL . Now, in FIG. 3a, when the input voltage V IN increases, the voltage at the non-inverting input terminal (+) at the time when the output of the comparator 10 is inverted is V TH , and the output voltage V OUT at the time of inversion is V O
It is H. The impedance between the non-inverting input terminal (+) and the input terminal of the comparator 10 is R3 . Therefore, the circuit for determining the comparison voltage V O of the non-inverting input terminal (+), that is, the high level value V TH , is such that the power supply voltage V CC is applied to one end of the resistor R 1 and the high level value is applied to one end of the resistor R 3 . A level voltage V OH is applied, a connection point between R 1 and R 3 and one end of resistor R 2 are connected, and the other end of resistor R 2 is grounded. The potential V O at this connection point is a high level value V T
Corresponds to H. The same applies to FIG. 3b, where one end of the resistor R3 has a low level voltage V OL
will be applied.

ここで、例えばローレベル値VTLを設定するに
は、電源電圧VCCと抵抗器R1,R2およびR3の値
を変えることによつて行なわれるがこのとき、こ
のローレベル値VTLの決定に伴ないハイレベル値
THも変化してしまう。すなわち、単独で、いい
かえればVTHとVTLとを独立に設定することはど
きないことになる。
Here, for example, setting the low level value V TL is done by changing the power supply voltage V CC and the values of resistors R 1 , R 2 and R 3 . The high level value V TH also changes with the determination of V TH . In other words, it is impossible to set V TH and V TL independently.

本考案の目的は、ヒステリシスループのハイレ
ベル値とローレベル値とを互いに影響し合うこと
なく、各々独立に設定することが出来るヒステリ
シス幅決定回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a hysteresis width determining circuit that can independently set the high level value and low level value of a hysteresis loop without influencing each other.

以下本考案を実施例図面に従つて説明する。第
4図は本考案の実施例に係るヒステリシス幅決定
回路の回路図である。第4図において、コンパレ
ータ10の反転入力端子(−)に入力電圧VIN
印加され、非反転入力端子(+)には電源電圧V
CCが抵抗器R1を介して印加される。コンパレー
タ10の出力電圧VOUTは抵抗器R3を介してNPN
型トランジスタTrにベースに印加され、該ベー
スは抵抗器R4を介して接地される。トランジス
タTrのコレクタには電源電圧VCCが印加され、
エミツタは抵抗器R2を介して接地される。かつ
非反転入力端子(+)に接地される。コンパレー
タ10の動作はすでに述べた第1図の従来のコン
パレータ回路と同様であり、出力電圧VOUTがハ
イレベル電圧VOHの時はベースの電位はハイレベ
ルとなるためトランジスタTrはオンとなる。ト
ランジスタTrはエミツタホロワであるからトラ
ンジスタTrの出力インピーダンスは極めて低
い。このため抵抗器R1およびR2の存在にかかわ
らずエミツタ電圧はトランジスタTrのベース電
圧からベース・エミツタ間電圧を差引いた電圧に
クランプされた状態になる。すなわち抵抗器R1
およびR2は実質的に無視され、エミツタの電位
Oすなわちハイレベル値VTHを求める等価回路
は第5図aとなる。この等価回路は抵抗器R3
一端にハイレベル電圧VOHが印加され、抵抗器
R3の他端は抵抗器R4を介して接地され、かつ順
方向にダイオードDを介してハイレベル値VTH
取り出される。ここで、ダイオードDはトランジ
スタTrのベース・エミツタ間電圧を等価的に表
わしたものである。その結果、ダイオードDにお
ける電圧降下を無視した場合のハイレベル値VTH
は次式で与えられる。
The present invention will be explained below with reference to the drawings. FIG. 4 is a circuit diagram of a hysteresis width determining circuit according to an embodiment of the present invention. In FIG. 4, an input voltage V IN is applied to the inverting input terminal (-) of the comparator 10, and a power supply voltage V IN is applied to the non-inverting input terminal (+).
CC is applied through resistor R1 . The output voltage V OUT of comparator 10 is NPN through resistor R 3
type transistor T r to its base, which is grounded through a resistor R 4 . A power supply voltage V CC is applied to the collector of the transistor T r ,
The emitter is grounded through resistor R2 . and is grounded to the non-inverting input terminal (+). The operation of the comparator 10 is similar to the conventional comparator circuit shown in FIG. 1, which has already been described, and when the output voltage V OUT is a high level voltage V OH , the base potential is at a high level, so the transistor T r is turned on. . Since the transistor T r is an emitter follower, the output impedance of the transistor T r is extremely low. Therefore, regardless of the presence of resistors R1 and R2, the emitter voltage is clamped to the voltage obtained by subtracting the base-emitter voltage from the base voltage of transistor Tr . i.e. resistor R 1
and R 2 are substantially ignored, and the equivalent circuit for determining the emitter potential V 0 , that is, the high level value V TH , is shown in FIG. 5a. This equivalent circuit shows that high level voltage V OH is applied to one end of resistor R3 , and
The other end of R3 is grounded via a resistor R4 , and a high level value VTH is taken out via a diode D in the forward direction. Here, the diode D equivalently represents the base-emitter voltage of the transistor T r . As a result, the high level value V TH when ignoring the voltage drop across diode D
is given by the following equation.

TH=VOH×R/R+R …(1) 次に、出力電圧VOUTがローレベル電圧VOL
時は、通常VOUTはダイオード1個の端子電圧以
下の残留電圧となり、このVOUTがトランジスタ
rのベース・エミツタ間のダイオード特性によ
り相殺される結果トランジスタTrはオフにな
る。したがつてローレベル値VTLを求める等価回
路は第5図bに如くになる。この等価回路は抵抗
器R1の一端に電源電圧VCCが印加され、抵抗器
R1の他端は抵抗器R2を介して接地され、ローレ
ベル値VTLが取り出される。このローレベル値V
TLは次式で与えられる。
V TH =V OH ×R 4 /R 3 +R 4 ...(1) Next, when the output voltage V OUT is the low level voltage V OL , V OUT is usually a residual voltage that is less than the terminal voltage of one diode, This V OUT is canceled out by the diode characteristics between the base and emitter of the transistor T r , and as a result, the transistor T r is turned off. Therefore, the equivalent circuit for determining the low level value VTL is as shown in FIG. 5b. This equivalent circuit shows that the power supply voltage V CC is applied to one end of the resistor R1 , and the resistor
The other end of R1 is grounded via resistor R2 , and a low level value VTL is taken out. This low level value V
TL is given by the following formula.

TL=VCC×R/R+R …(2) 上式(1)および(2)から明らかなように、互いに共
通の抵抗器を有さないため、ハイレベル値VTH
よびローレベル値VTLを個々の設定することが可
能となる。
V TL =V CC ×R 2 /R 1 +R 2 (2) As is clear from the above equations (1) and (2), since they do not have a common resistor, the high level value V TH and low It becomes possible to set the level value VTL individually.

以上の如く、本考案のヒステリシス幅決定回路
は、ヒステリシスのローレベル値およびハイレベ
ル値を個々にかつ任意の値に簡単に設定できる。
As described above, the hysteresis width determining circuit of the present invention can easily set the low level value and high level value of hysteresis individually to arbitrary values.

なお、第4図本案実施例回路において説明した
トランジスタTrは例えばFETなどの他の能動素
子等のスイツチ素子に置き替えることも可能であ
る。
Note that the transistor T r explained in the circuit according to the embodiment of the present invention in FIG. 4 can be replaced with a switch element such as another active element such as an FET.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例に係るヒステリシス幅決定回路
の回路図、第2図は第1図の回路の動作波形図、
第3図aは第1図の回路のハイレベル値を決定す
る等価回路図、第3図bは第1図の回路のローレ
ベル値を決定する等価回路図である。第4図は本
考案の実施例に係るヒステリシス幅決定回路の回
路図、第5図aは第4図の回路のハイレベルを決
定する等価回路図、第5図bは第4図の回路のロ
ーレベルを決定する等価回路図である。 10……コンパレータ、R1,R2……入力側分
圧回路の抵抗器(R1…第1の抵抗、R2…第2の
抵抗)、R3,R4……出力側分圧回路の抵抗器、V
IN……入力電圧、VCC……電源電圧、VOUT……
出力電圧、Tr……トランジスタ(スイツチ素
子)。
FIG. 1 is a circuit diagram of a conventional hysteresis width determining circuit, FIG. 2 is an operating waveform diagram of the circuit in FIG. 1,
3a is an equivalent circuit diagram for determining the high level value of the circuit of FIG. 1, and FIG. 3b is an equivalent circuit diagram for determining the low level value of the circuit of FIG. 1. 4 is a circuit diagram of a hysteresis width determining circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 5a is an equivalent circuit diagram for determining the high level of the circuit of FIG. 4, and FIG. 5b is a circuit diagram of the circuit of FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram for determining a low level. 10...Comparator, R1 , R2 ...Resistor of input side voltage divider circuit ( R1 ...first resistor, R2 ...second resistor), R3 , R4 ...output side voltage divider circuit resistor, V
IN ……Input voltage, V CC ……Power supply voltage, V OUT ……
Output voltage, T r ...transistor (switch element).

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】 非反転入力端子に第1の抵抗および第2の抵抗
を含む入力側分圧回路を介して固定の電圧が印加
され、反転入力端子に変動する入力電圧が印加さ
れるコンパレータと、 このコンパレータの出力電圧を分圧して引き出
す出力側分圧回路と、 前記出力側分圧回路で引き出された電圧が制御
端子に印加されかつ、所定の一定電圧が電源端子
に印加され、出力端子を前記コンパレータの非反
転入力端子に接続したトランジスタであつて、前
記コンパレータの反転入力端子に印加される入力
電圧が前記出力側分圧回路によつてあらかじめ設
定される第1の電圧値以上のときオフ動作し、前
記入力電圧が前記第1と第2の抵抗器によつてあ
らかじめ設定される第2の電圧値以下のときオン
動作をするトランジスタと、 前記反転入力端子に印加される入力電圧が前記
第1の電圧値以上に上るとき、および第2の電圧
値以下に下るとき論理レベルが反転する前記コン
パレータの出力電圧を取り出す出力端子とを備え
てなるヒステリシス幅決定回路。
[Claims for Utility Model Registration] A fixed voltage is applied to the non-inverting input terminal via an input voltage divider circuit including a first resistor and a second resistor, and a varying input voltage is applied to the inverting input terminal. a comparator that divides and draws out the output voltage of the comparator; an output voltage divider circuit that divides and draws out the output voltage of the comparator; the voltage drawn by the output voltage divider circuit is applied to a control terminal, and a predetermined constant voltage is applied to a power supply terminal. , a transistor having an output terminal connected to a non-inverting input terminal of the comparator, wherein the input voltage applied to the inverting input terminal of the comparator has a first voltage value preset by the output-side voltage dividing circuit. a transistor that operates off when the input voltage is above and turns on when the input voltage is equal to or lower than a second voltage value preset by the first and second resistors; and an output terminal for taking out the output voltage of the comparator, the logic level of which is inverted when the input voltage rises above the first voltage value and falls below the second voltage value.
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