JPS61176115A - 半導体露光装置 - Google Patents

半導体露光装置

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Publication number
JPS61176115A
JPS61176115A JP60015476A JP1547685A JPS61176115A JP S61176115 A JPS61176115 A JP S61176115A JP 60015476 A JP60015476 A JP 60015476A JP 1547685 A JP1547685 A JP 1547685A JP S61176115 A JPS61176115 A JP S61176115A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
exposure
spare
intensity
mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP60015476A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Shimamura
島村　吉則
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
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Priority to US06/823,732 priority patent/US4707609A/en
Publication of JPS61176115A publication Critical patent/JPS61176115A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70016—Production of exposure light, i.e. light sources by discharge lamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ゛［発明の利用分野］ 本発明は、フォトマスク或いはレチクルのパターンを半
導体基板（ウェハ）上のフォトレジスト層に転写するた
めの半導体露光装置に関する。
［従来技術］ 従来の半導体露光装置において、光源である露光用ラン
プの寿命による交換は人手による照度チェックによって
交換時期を決定して行なわれていた。この照度チェック
およびランプ交換作業には当然のことながら時間を要し
、その間、露光作業を停止しなければならないので、露
光装置の稼動にとってロスタイムとなり、その短縮化が
課題であった。
［発明の目的と概要］ 本発明は前述の課題を解決して露光ランプの交換を極く
短時間のうちに行なえることのできる半導体露光装置を
提供しようとするものであり、露充用ランプの照度をモ
ニタしてそれが成る設定値に低下したときに、予じめ装
備しておいた予備ランプを代りに点灯させると共に露光
用ランプの位置にこの予備ランプを持ち来たす自動ラン
プ交換機能を備えることによって、稼動時間の途切れを
殆んど生じないでランプ交換を果すことができるように
したものである。
［実施例］ 図面と共に本発明の詳細な説明すれば、第１図は露光装
置の照明系の構成を示す光路図、第２図はランプ交換シ
ステムの構成を示すブロック図で、現在露光用の光源と
して稼動しているほうの超高圧水銀灯を露光用ランプ１
Ａで示し、その交換のための点灯していない超高圧水銀
灯を予備ランプ１Ｂとして示しである。
第１図において露光用ランプ１Ａからの光は楕円凹面鏡
２で集光されて第１ミラー３を介してコリメータ４に入
射され、コリメータ４で平行光束にされてからＮＤフィ
ルタ５およびＬ３９フィルタ６を介してフライズアイレ
ンズ７を通り、ハーフミラ−からなる第２ミラー８によ
って直下へ向けられたのち、コンデンサレンズ９を通っ
てマスク面１０に照射され、マスク１０の直下の半導体
ウェハ１１のレジスト層にマスクパターンを転写するよ
うになっている。
ここでハーフミラ−からなる第２ミラー８の後面位置に
は、フライズアイレンズ７からミラー８へ入射してくる
光源光の一部を受光してその照射強度を測定する光電変
換素子１２が設けられており、この光電変換素子１２に
よってランプ１Ａの照射強度をモニタするようになって
いる。
予備ランプ１Ｂは、本発明においては露光装置内に予じ
めセットされているものであり、リレーによる電源の切
換えで露光用ランプ１Ａに代って点灯可能であり、また
両ランプＩＡ、１Ｂは共通の支持具１７に支持されてい
て、支持具１７の回動或いは必要に応じて直線運動を組
み会わせた動きによって両ランプの相互位置を入れ換え
、凹面！ｌｉ２の正規光軸上にランプ１Ａ又は１Ｂを選
択的に位置させることができるようになっている。
第２図において、上述のランプの点灯電源は符号１４で
示され、また電源切換用のリレーは符号１５で示され、
さらに支持具１７を回動させてランプを入れ換えるモー
タは符号１３で示されている。
これらのリレー１５とモータ１３の制御は、第２図にお
いて、光電変換素子１２の出力Ｖｏと設定電圧Ｖｒとを
比較して制御出力を生じるコントローラ１６により行な
われる。すなわち、設定器１８による設定電圧ＶＩは、
ランプ１Ａの交換寿命と考えられる照度に対応した電圧
値として予じめ設定され、これと光電変換素子１２によ
る実際の照度とがコントローラ１６内で比較される。ラ
ンプ１Ａがその使用により照度が低下してくると、光電
変換素子１２の出力電圧Ｖｏが低下するから、コントロ
ーラ１６によってＶＯ≦Ｖｔになったことを判別してリ
レー１５とモータ１３を付勢し、ランプ電源１４を予備
ランプ１Ｂに切換えてこれを点灯すると共に、支持具１
１を回動させてランプ１Ａのあった正規光軸位置に予備
ランプ１Ｂを持ち来たし、装置を稼動状態に復旧させる
ものである。
尚、以上の実施例では露光ランプ１Ａに対して予備ラン
プ１Ｂをひとつ準備した場合を説明したが、予備ランプ
を二個以上装備して順に交換するようにしてもよく、ま
たその交換も支持具１７の回動によるロータリ一方式に
限らず、直線的に変位するレシプロ方式の支持具で行な
うようにしてもよい。
［発明の効果］ 以上に述べたように、本発明では、照明系内に光源ラン
プとその予備ランプを一本以上装備すると共に、照明光
学系内での光源光の照射強度を常時モニタし、ランプの
交換寿命を自動検知して予備ランプとの自動交換を果す
ので、従来のようなランプ照射強度の測定作業とランプ
の交換作業とによる稼動停止時間を殆んど必要とするこ
となく、極く短時間でランプ交換ができ、装置の稼働率
の向上を達成できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例に係る半導体露光装置の照明光
学系の構成を示す光路図、第２図は同じくランプ交換シ
ステムの構成を示すブロック図である。 １Ａ：露光用ランプ、１Ｂ＝予備ランプ、１２：光電変
換素子、１３：モータ、 １４：ランプ電源、１５：リレー、 １６：コントローラ、１７：支持具。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、露光用ランプと少なくとも１本の予備ランプと、前
    記露光用ランプの照射強度をモニタして該照射強度が予
    じめ設定した値に低下したとき指令信号を出力する制御
    手段と、前記指令信号に基づいて前記露光用ランプを消
    灯すると共に前記予備ランプの１本を点灯させる点灯切
    換手段と、前記指令信号に基づいて前記露光用ランプに
    代えて前記点灯対象の予備ランプを露光用位置に持ち来
    たすランプ交換手段とを備えたことを特徴とする半導体
    露光装置。 ２、点灯切換手段が、電源電力を前記露光用ランプから
    前記予備ランプの１本に切換えるリレー装置を有する特
    許請求の範囲第１項に記載の半導体露光装置。 ３、ランプ交換手段が、前記露光用ランプと予備ランプ
    とを共通軸心回りに回転移動させることによりランプ交
    換を行なうものである特許請求の範囲第１項に記載の半
    導体露光装置。
JP60015476A 1985-01-31 1985-01-31 半導体露光装置 Pending JPS61176115A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015476A JPS61176115A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 半導体露光装置
US06/823,732 US4707609A (en) 1985-01-31 1986-01-29 Exposure apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60015476A JPS61176115A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 半導体露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61176115A true JPS61176115A (ja) 1986-08-07

Family

ID=11889850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60015476A Pending JPS61176115A (ja) 1985-01-31 1985-01-31 半導体露光装置

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JP (1) JPS61176115A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01243427A (ja) * 1988-03-24 1989-09-28 Tokyo Electron Ltd 露光方法及び露光装置
JP2003195179A (ja) * 2001-10-11 2003-07-09 Leica Microsystems (Schweiz) Ag 光学観察装置内の照明用光源装置及び光源のランプの交換方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01243427A (ja) * 1988-03-24 1989-09-28 Tokyo Electron Ltd 露光方法及び露光装置
JP2003195179A (ja) * 2001-10-11 2003-07-09 Leica Microsystems (Schweiz) Ag 光学観察装置内の照明用光源装置及び光源のランプの交換方法

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