JPS61175562A - 非破壊検査装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 この発明は鋼管、ステンレス管等の金属管の内外面所定
深さ層域及び内部欠陥検出及び管寸法測定をするための
非破壊検査装置に関し、特に漏洩磁束探傷センサー、渦
流探傷センサー、超音波斜角探傷センサー、超音波垂直
探傷センサーを連設して探傷する装置に関する。

従来の技術 一般に金属管材（以下単に管と称す）には種々の欠陥が
あり、その欠陥の形状や、深さ、材質等によって検出す
るに最適な探傷センサーが異なる。

例えば鋼管などの磁性金属管の外面所定深さ居城の微細
な欠陥を検出するためには漏洩磁束探傷センサー（以下
単に漏洩磁束センサーと称す）が適しており、ステンレ
ス管等の非磁性金Ｒ管の外面所定深さ層域の微細な欠陥
を検出するためには渦流探傷センサー（以下単に渦流セ
ンサーと称す）が適している。

又、管の内外面所定深さ層域及び内部欠陥を検出するた
めには超音波斜角探傷センサー（以下単に斜角センサー
と称す）が適し、管の内部欠陥及び外径及び肉厚の測定
には超音波垂直探傷センサー（以下単に垂直センサーと
称す）が這している。

従って、これらの探傷を組み合わせて行ういわゆる複合
探傷を行うのが一般である。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記夫々のセンサーにはそれぞれ制約が
ある為、同一ライン上に連設し連続探傷することができ
ないという問題があった。

例えば斜角センサー、垂直センサーにおいては部分水浸
法や噴流ノズル等を使用、するため水を用いるか、漏洩
磁束センサー及び渦流センサーは水に弱（センサ一部が
水に濡れるとスケールが付着し、雑音発生の原因となる
他、感度を悪托させるという問題があった・。

又、漏洩磁束センサー及び渦流センサーは、被検材の凹
凸によるセンサー破損防止を目的に薄い保護シュー（例
えば厚さα１−３のステンレス製の薄板）を用いるが、
シューの厚みを大きくする事は探傷性能を大きく低下さ
せる事になるので、極力薄くする必要がある。又、材料
表面とセンサーの間も極力狭い方が良いので、自動検査
装置では被検材である管との間を自動的に一定間隔に保
つ自動追従機構が（１属している。しかし、＠ｌ己自動
追従ａ構は材質による誤差補正の為に探傷前にセンサー
を管外表面に当接させ、基準点調整をしてから探傷を行
う必要がある等の問題があった。

又、漏洩磁束センサーにおいて交流励磁法を用いた同期
検波方法では励磁周波数によって被検材である管の送り
速度に限界を生じ速くすることができず斜角センサー、
垂直センサーについてゆけないという問題があった。

従って、各センサーを同一ラインに連設することは困難
であり、それぞれ独立して設けられていた。その為、広
大な設備設置場所が必要であり、又、管をそれらの探傷
設備に移動させる為の運搬機等も必要であった。その他
多くの探傷時間を要し、各設備ごとに操作員が必要であ
る為、多くの操作員を要するという問題があった。

本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであって、そ
の目的とするところは、漏洩磁束センサー、Ａｍセンサ
ー、斜角センサー、垂直センサーを同一ラインに連設し
、又、各センサーの校正を自動化して狭い設備設置場所
で、小人数で、且つ高速度で管の探傷が効率よ（できる
非破壊検査装置を提供することにある。

問題点を解決する為の手段 本発明は、金属管材の外径に応じてスキュー角と、周速
度が可変に自動設定されるスキュー送りラインと、前記
スキュー送りライン上に、磁性金ＩｉＱ管材の外面所定
深さ層域の微細表面欠陥を検出し、倍速度の同期検波を
行う漏洩磁束センサー及び非磁性金属管材の外面所定深
さ層域の微細表面欠陥を検出する渦流探傷センサーと、
合軸管材の表面をｉｌらすブリウェフト機構と、金属管
材の内外面所定深さ域及び内部の欠陥を検出する超音波
斜角探傷センサーと、金属管材の内部欠陥ならびに外径
及び／又は肉厚を検出するための超音波垂直探傷センサ
ーとを、順次前記順序で下流側樟連設すると共に前記各
センサーの側方に自動校正機構を設けたことを特徴とす
る非破壊検査装置である。

作　　　　　　　　　用 以上の様に斜角センサー及び垂直センサーの前に漏洩磁
束センサー、渦流センサーを設けているので漏洩磁束セ
ンサー、渦流センサーに水が付着することなく、雑音発
生や感度の悪化という問題もない、又漏洩磁束センサー
、渦流センサーは一体になって探傷前にセンサーを被検
材である管に当接させ自動追従機構の基準点の調整をす
る必要があるが、最上流側に設けているので斜角センサ
ー、垂直センサーの段取替えのいかんに関係なく次検査
材料を投入し精度良（基準点の調整ができる。又、漏洩
磁束センサーの検波には倍速度の同期検波を行っている
ので管の送り速度を速くすることができ、斜角センサー
、垂直センサーと同一速度で探傷することができる。

以下倍速度の同期検波をｗＥ２図に基づいて説明する。

第２図（イ）の上側は従来の探傷波形であり、下側は同
期パルスであって、点Ａはデータサンプリング点である
。

第２図（ロ）の上側は本発明に用いている倍速度の同期
検波を行う際の探傷波形であり、下側は同期パルスであ
る。本発明の波形では従来のデータサンプリング点Ａの
他に点Ｂもサンプリングしているので従来の倍のデータ
が得られる事になり探傷速度を約２倍にする事が可能と
なる。

一方、速度を上げる従来法手段として励磁周波数を２倍
にする方法が考えられるが、疵深さと検出信号の出力の
直線性が悪くなり正確な探傷ができない。

従って本発明法は励磁周波数を変えないので、探傷性能
を保ちながら速度を速く出来る。

又、従来各センサーは別々に設置されそいたので各セン
サーの校正・はそれぞれ独自で行なっていたが、本発明
ｖｔ置では１ラインに設置し被検材である管に対応した
標準片又は資料を利用して自動校正するよう構成したの
！小人数且つ狭い設備設置場所で高速度の探傷ができる
。又、自動校正に用いる標準片はライン側方に設けられ
ているので、各センサーの探傷中に次ロフトの標準片の
準備が出来、自動校正時間も著しく短縮される。

実　　　　施　　　　例 以下本発明の１実施例を図面に基づいて説明する。第１
図は本発明装置の１実施例を示す概略図である。入口チ
ープル■は複数条のレールからなっており、このレール
上を転動する管（４）が次工程のスキュー送りライン（
６）へ送られるようになっている。

スキュー送りライン（６）は図示しない駆動源によって
、シャフトやベルトを介して駆動され、管（４）進向方
向に左右一対配設され、白抜矢印方向へ管の外径に応じ
てスキュー送りするためのスキュー角及び周速自動設定
する複数のローラ（８）から構成されている。

スキュー送りライン（６）に送られた管（４）はディス
ケーラＱｌに送られ、ディスケーラ０〔は回転するワイ
ヤーブラシを管（４）に押し付はスケールを除去する構
造となっている。

ディスケーラＯＩの下流側には管（４）の外面所定深さ
居城の微細表面欠陥を検出し、倍速度の同期検波を行う
漏洩磁束センサーａ？Ｊ及び管（Φの外面所定深さ居城
の渦流センサーａ＠が設けられている。

第３図（イ）（ロ）は漏洩磁束センサーａ３及びｆ＆流
センサー０＠の設置状況及び校正ｖＡ構の概略図を示し
、（イ）は正面図（ロ）は平面図である。

前記漏洩磁束センサー０２）及び渦流センサー０４は１
体となっており、上部には管（４）と前記両センサー〇
δ０４との間を常に一定にする為に自動追従機構ａＯが
設けられている。

なお、前記両センサーＱａ　Ｑ４の側方には管（４の材
質に応じた標準片（以下ＲＢと称す）　（２２）を選出
し、前記両センサー０３０Φを校正するための自動校正
機構が設けられている。

自動校正機構は、Ｒ１１（２２）を持上げるためのシリ
ンダ（２１）を備えＲＢ　（２２）を載置するシリンダ
台（２３）と、前記シリンダ台（２３）にて持上げられ
たＲＢ（２２）を軸架し１．漏洩磁束センサーａδ及び
渦流センサー０４の直下へ移動させ校正時にＲＢ　（２
２）を回転させるＲＢ台車■とを備えている。

さらに前記漏洩磁束センサー０δ、渦流センサー０Φの
下流にはｉＴ４図に示すように管（４）の進行方向とそ
の回転軸が平行な１対のプリウェットローラ（２５）に
よって管（４）と軸方向に摺動し、上部より図示しない
散水ノズルによって、散水することにより管（イ）表面
を濡らすプリウェット機構（２４）が設けられている。

前記プリウェット機構（２４）のさらに下流には、前記
漏洩磁束センサ−０２１１渦流センサーα局の探傷結果
をマーキングするためのマーカー（２６）が設けられて
いる。

上記マーカー（２Ｇ）の下流には、管（４）の内外面所
定深さ域及び内部の欠陥を検出する斜角センサー（２８
）が設けられている。

第５図にその正面図を示す。

斜角センサー（２８）はスキュー送りライン（６）上の
水槽部（３０）に設けられ、さらにその側方には校正機
構が設けられている。校正機構はオフラインへ移動して
来た水槽部（３０）上でＲＢ　（３［３）を螺進させて
斜角センサー（２８）の校正を行うＲｎ走査機構（３２
）と、Ｒｎ走査機構（３２）へＲＢ　（３Ｂ）を供給す
るＲｎ交換台車（３４）とを備え、Ｒｎ交換台車（３４
）には被検材である管（４）の諸元に対応するＲ　Ｂ　
（３８）が図示していないクレーンによって供給される
ようになっている。

前記斜角センサー（２Ｂ）の下流側には前記斜角センサ
ー（２８）の探傷結果に基づいて欠陥場所をマーキング
するマーカー（３８）が設けられている。前記マーカー
（３８）のさらに下流には内部欠陥ならびに外径及び／
又は肉厚を検出するための垂直センサー（４０）を設け
ている。第６図（イ）（ロ）は垂直センサーの設置状況
及び校正機構の概略図であって、（イ）は正面図、（ロ
）は平面図である。

垂直センサー（４０）は、探傷ライ／上にふって管（４
）の軸中心より等距離に上下接離動する一対のアーム（
４２）（４２）に各々設けられている。垂直センサー　
（４０）は、噴流ノズルを用いたセンサーとなっており
、噴流した水柱を介して超音波を被検材である管（４）
に伝搬させ外径及び肉厚を測定する構造となっている。

又、垂直センサー（４０）の側方には探１δラインに対
して垂直な平面上を移動し、校正用ＲＢ（４Ｂ）を１ｉ
ｔｌした校正用ＲＢ移送台車（４４）が設けられており
１外径測定に必要な垂直センサー（４０）間距離をあら
かじめ校正するようになっている。

前記垂直センサー（４０）の下流側には前＝己垂直セン
サー（４０）の探傷結果と前記各センサー（１２５（１
４１（２８）（４０）の総合結果によって不良品にする
か、手直しをして又はしないで製品にするかをマーキン
グするマーカー（４８）が設けられている。

前記マーカー（４８）の下流のスキュー送りライン（６
）側方には複数条のレールからなる出ロテーブＪしく５
０）が設けられており、この出口チープル（５０）より
管（４）はさらに下工程に送られるようになってｔ）る
。

以下上記設備を用いてｖ（４）の自動連続探傷を行う状
況を説明する。

はじめに各センサー０３０４　（２Ｂ）（４０）は、側
方に設けられた校正＆ｉ　ｔによって一斉に校正を開始
する。

漏洩磁束センサー０り及び渦流センサーａ４においては
、第３図（イ）（ロ）に示す自動校正機構のシリンダ台
（２３）の内、探傷しようとする管（４）と同一材質の
ＲＤ　（２２）をＩＪｉ置したシリンダ台（２３）が前
記Ｒ１１（２２）と共にシリンダ（２１）によって持上
げられる。

次にＲＢ台車（至）が持上げられたＲ　Ｂ　（２２）の
所に移動してＲｎ　（２２）を軸架する。ＲＢ　（２２
）を軸架したＲ［１台車■はセンサー０３０４側へ移動
し、ＲＢ　（２２）をセンサーａ？ＪａΦ直下へ移動さ
せ、ＲＢ（２２）を回転させてセンサーａ？ＪＱ４１の
校正を行う。

前記校正が終りスキュー送りライン（６）のローラ（８
）のスキュー角と周速度を自動調整した後、漏洩磁束セ
ンサーａδと渦流センサー（１４１の追従機構０９の基
準点を合わせる為に管（４）を入ロチープル■側のスキ
ュー送りライン（６）から漏洩磁束センサーαδ渦流セ
ンサー０４１直下へ搬入させ、前記両七゛７サー１１２
１０４を管（４）に接触させ、追従機構ＯＧの基準点を
調整した後管（４）を逆送し、入口チープル（２）側の
スキュー送りライン（６）へもどし探傷の準備が完了す
る。

斜角センサー（２８）においては探傷しようとする管（
４）の諸元に基づいて図示しないクレーンであらかじめ
第５図に示すＲＢ　（３０）をＲｎ交換台車（３４）上
に準備しておき、とのＲｎ交換台車（３４）をオフライ
ンのＲｎ走査機構（３２）へ移動させ、ＲＢ走査機１ｉ
　（３２）にＲＢ　（３Ｂ）を取付ける。Ｒｎ走査機構
（３２）にＲＢ　（３Ｂ＞が取付けられると、斜角セン
サー（２Ｂ）を設けた水槽部（３０）はＲｎ走査機構（
３２）へ移動し、ＲＢ（３Ｂ）を斜角センサー（２８）
上で螺進させて、斜角センサー（２８）の校正を行う。

以上の校正が完了した後、斜角センサー（２８）を設け
た水槽部（３０）をＲｎ走査機構（３２）の位置から探
傷ライン上にもどして探傷の準備が完了する。

垂直センサー（４０）においてはｆｌ′ｒ６図（イ）（
ロ）に示す校正用Ｒ１１（４Ｇ）を載程した校正用Ｒ［
＋移送用台車（４４）を垂直センサー（４０）（４０）
を備えた上下一対のアーム（４２）（４２）の位置に移
動させ、ｌｊｌ′を流ノズルタ′イゾの垂直４ｒ　７４
）　−（４０）（４０）から校正用Ｒｎ　（４０）に水
を噴流し、水温なども考慮して校正を行う。

上記の様にして各センサー０シ０４１　（２Ｂ）（４０
）は〔１動的に校正が行なわれる。

以上の校正が完了すると、探傷がＩｊｉｌ始される。

管（４）はディスケーラＯｅを通り、表面のスケールは
除去される。スケールを除去された管（４）は漏洩磁束
センサーａシ及び渦流センサー（＋４）へ送られる。

管（４）が磁性体の場合は、漏洩磁束センサー０δで・
非磁性体の場合は渦流センサー０４１で探傷され、所定
深さ居城の微細な表面欠陥を検出する。

次に管（４）は第４図に示すプリウェット機１１ｉ　（
２４）へ送られ表面を濡らされる。このプリウェット機
構（２４）は、一対のプリウェットローラ（２５）（２
５）によって、管（４）を軸方向に摺動させ、上部から
注水しながら管表面を濡らしている。又、従来の回転ブ
ラシ式のようにブラシを使用せずローラを使用している
のでブラシの間にスケールがたまって、管（４）表面を
傷つけることはない０次に管（４はマーカー（２６）に
送られ漏洩磁束センサー０フ、輻流センサー０１での探
傷結果によって欠陥があればマーカー　（２Ｇ）でマー
キングを行う。

次に管（４）は斜角センサー（２８）に送られ、管４）
の内外面及び内質の所定深さ域の欠陥を管（２）の下方
を水浸する部分水浸法で検出し、欠陥があれば次工程の
マーカー（３８）でマーキングを行う。この工程ではプ
リウェット機構によって管（４）の表面がｉｌれている
ので管（４）の水乗りカミ良く、高速度で探傷しても雑
音の発生を防ぐことができる。

次に管（４）は噴流ノズルタイプの垂直センサー（４０
）によって内部欠陥や外径及び肉厚を伴出及び測定され
る。

上記垂直センサー（４０）の探傷結果に基づいて欠陥が
あれば次工程のマーカー（４８）でマーキングを行う、
なおこの際も管（４）表面は十分に濡れているので雑音
は発生しない。

又、前記漏洩磁束センサー０δ、渦流センサーｑ優。

斜角セｙ　？　−（２８）、垂直センサー（４０）の結
果を総合して不良品とするか、手直しをして又はしない
で製品とするかの判断を行い、その結果も、マーカー（
４８）でマーキングされる。

この様にして探傷された管（４）は、スキュー送りライ
ン（６）の下流へ送られ出口チープル（５０）から次工
程へ送られる。

次に信号処理について第７図のブロック図に基いて説明
する。漏洩磁束センサーａシ及び渦流センサーｑ＠にお
いては管（４）が磁性体であるか非磁性体であるかによ
ってどちらのセンサーを働らかせるのか切替スイッチ（
５Ｂ）で切替る。

漏洩磁束センサー０り及び渦流センサーＱ４１は増幅部
（５２）（５４）、検波部（５ｆｔ）（５７）、切替ス
イッチ（５８）を通って判定器（６０）で判定される０
判定器（ＧＯ）で判定された結果はマーカー（２Ｂ）で
マーキングされる。ここで渦流センサーＱ４１の検波部
（５７）には、材質に応じたＲ適位相信号が与えられる
ようになっている。

斜角センサー（２８）は発振部（６４）から高圧パルス
信号により励振され、超音波をを発振する。管（４）内
部を通り欠陥で反射した超音波は斜角センサー（２８）
によって受信され電気信号に変換さに１増幅器（６６）
で増幅されてゲート回路（６８）によってＲＢによって
あらかじめ適正である事が確認されたゲート位置の信号
を取出すようになっている。このゲート位置は管（４）
の外径及び肉厚寸法信号と横波音速によって自動的に設
定される。ゲート回路（６８）を通った信号は判定器（
７０）に送られ、製造方法、品種、材質等によって基準
化されている判定基準に基づき疵深さ及びを書間が判定
される。前記判定器（７０）で判定された結果はマーカ
ー（３８）でマーキングされる。

垂直センサー（４０）は発振部（６４）からの高圧ノ（
ルス信号によって励振され超音波を発振し、この発振さ
れた超音波は材料内外表面や欠陥で反射し、又、垂直セ
ンサー（４０）で受信され、増幅器（７４）を通って演
算器（７Ｂ）に送られる。この際安定した測定値を得る
ためゲイン設定器（７８）によって材質および材料肉厚
に応じて必要なゲインが自動的に設定され増幅器（７４
）に送られるようになっている。

こうして得られた垂直センサー（４０）の信号は、演算
器（７６）に入力され、垂直センサー（４０）管外表面
間の時間から垂直センサー（４０）から管（４）の外表
面までの距離すなわち水距離を求めると同時に管（４）
の外表面から管（４）の内表面間の時間差を肉厚に変換
される。この際に必要な水中内での超音波の伝搬速度及
び材料の超音波縦波伝搬速度は、あらかじめ入力されて
いる情報に基づいて縦波音速設定器（８０）によって設
定される。以上の様にして求めた水距離と肉厚より管（
４）の外径及び内径が演算器（７６）内で演算される。

一方、垂直探傷評価も同時に行なわれ内質疵判定に使用
される。これらの外径、内径、肉厚データ及び疵データ
は判定器（８２）に送られ、公差判定及び内質疵判定さ
れる０判定器（８２）で判定された結果はマーカー（４
８）でマーキングされる。

この様にして得られた漏洩磁束センサー０δ、渦流セン
サー０４．斜角センサー（２８）、垂直センサー（４０
）の測定結果はすべて総合評価部（８４）へ送られ、疵
の「置注と共に疵発生部の寸法を判定の考慮に入れ、手
入れをして又はしないで製品とするか、あるいは不良品
とするかを判定し、そのｉ果をマーカー（４８）でマー
キングする。

以上のようにして漏洩磁束センサー、渦流センサー、斜
角センサー、垂直センサーを同一ラインで効率良（連設
することができる。

効　　　　　　　　　果 以上の様に本発明においては、スキュー送りライン上に
ディスケーラ、倍速度の同期検波を行う漏洩磁束センサ
ー及び渦流センサー、ブリウェットＩ！構、斜角センサ
ー、垂直センサーを順次前記順序で下流側に連設し、各
センサーの側方に各々自動校正機構を設けたので各セン
サーを同一ラインで連設することができ、さらに漏洩磁
束センサー、渦流センサーに水が付着することが無い為
、水による雑音の発生を防止でき、又、漏洩磁束センサ
ー、渦流センサーの自動追従機構の基準点の調整も斜角
センサー、垂直センサーの調整に関係な（でき、漏洩磁
束センサーの探傷速度については倍速度検波を用いるこ
とによって精度低下する事なく斜角センサー、垂直セン
サーと同−探傷速度にまで速くすることができるのでラ
イン全体の探傷速度も速くでき、又各センサーの自動校
正機構によって、いっせいに各センサーの校正ができる
ので、大幅な人手の削減と、校正時間の短縮ができる。

さらに設備の設置場所も狭くてすみ、又。

管をそれらの探傷設備に移動させる為の運搬機も１ライ
ンでよ（、連続探傷できるので探傷時間を大幅に短縮で
き、小人数でも操作できるというすぐれた効果を仔する
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明ｖｅａの１実施例の全体を示す概略図、
第２図（イ）（ｒｆｆ）は漏洩磁束探傷波形であって、
（イ）は従来の探傷波形を示し、（ロ）は本発明に用い
ている倍速度の探傷波形を示す図、第３図（イ）（ロ）
は漏洩磁束センサー及び渦流センサーの設置状況及び校
正機構の概略図を示し、（イ）は正面図、（ロ）は平面
図、第４図はプリウェット機構を示す正面図、第５図は
斜角センサーの設置状況及び校正ｖＡ横を示す概略図、
１′ｒ６図（イン（ロ）は垂直センサーの設置状況及び
校正機構の概略図であって、（イ）は正面図、（ロ）は
平面図、ＩＴ７図は本発明装置の１実施拘の信号処理を
表わすブロック図である。 ２・・・・・・入口チープル　　４・・・・・・管６・
・−・・・スキュー送りライン　８・・・・・・Ｏ−ラ
１０・・・・・・ディスケーラ　１２・・・・・・漏洩
磁束センサー１４・・・・・・渦流センサー　　１０・
・・・・・自動追従機構２０・・・・・・ＲＢ台車　　
　　２１・・・・・・シリンダ２２・・・・・・ＲＩ３
　　　　　　２３・・・・・・シリンダ台２４・・・・
・・プリウェットｆｉ　Ｇ？２５・・・・・・プリウェ
ットローラ ２６・・・・・・マーカー　　　　２８・・・・・・斜
角センサー３０・・・・・・水槽部　　　　　３２・・
・・・・ＲＢ走査ａ構３ト・・・・・ＲＢ交換台車　　
３６・・・・・・ＲＩ３３Ｂ・・・・・・マーカー　　
　　４０・・・・・・垂直センサー４２・・・・・・ア
ーム　　４ト・・・・・校正用ＲＢ移送台車４６・・・
・・・校正用Ｒ８４８・・・・・・マーカー５０・・・
・・・出口チープル　　５２・・・・・・増幅部５４・
・・・・・増幅部　　　　　５Ｇ・・・・・・検波部５
７・・・・・・検波部　　　　　５８・・・・・・切替
スイッチ６０・・・・・・判定器　　　　　６４・・・
・・・発振部６６・・・・・・増幅器　　　　　６８・
・・・・・ゲート回路７０・・・・・・判定器　　　　
　７４・・・・・・増幅器７Ｇ・・・・・・演算器　　
　　　７８・・・・・・ゲイン設定器８０・・・・・・
縦波音速設定器　８２・・・・・・判定器８４・・・・
・・総合評価部 Ａ　　　　＾　　　　＾　　　　＾ （ロノ 第２図 ’ｌ／シリ〉り゛ （イノ （ロ） 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 金属管材の外径に応じてスキュー角と、周速度が可変に
   自動設定されるスキュー送りラインと、前記スキュー送
   りライン上に磁性金属管材の外面所定深さ層域の微細表
   面欠陥を検出し、倍速度の同期検波を行う漏洩磁束セン
   サー及び非磁性金属管材の外面所定深さ層域の微細表面
   欠陥を検出する渦流探傷センサーと金属管材の表面を濡
   らすプリウエット機構と、金属管材の内外面所定深さ域
   及び内部の欠陥を検出する超音波斜角探傷センサーと金
   属管材の内部欠陥ならびに外径及び／又は肉厚を検出す
   るための超音波垂直探傷センサーとを、順次前記順序で
   下流側に連設すると共に前記各センサーの側方に自動校
   正機構を設けたことを特徴とする非破壊検査装置。