JPS6117440B2 - - Google Patents
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- JPS6117440B2 JPS6117440B2 JP14683678A JP14683678A JPS6117440B2 JP S6117440 B2 JPS6117440 B2 JP S6117440B2 JP 14683678 A JP14683678 A JP 14683678A JP 14683678 A JP14683678 A JP 14683678A JP S6117440 B2 JPS6117440 B2 JP S6117440B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
- H04R19/00—Electrostatic transducers
- H04R19/02—Loudspeakers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Diaphragms For Electromechanical Transducers (AREA)
- Audible-Bandwidth Dynamoelectric Transducers Other Than Pickups (AREA)
Description
本発明は、コンデンサ型スピーカの改良に係わ
る。 通常のコンデンサ型スピーカは、平行に対向し
て配置された２枚の背極板間にダイヤフラムが配
置され、両背極板間に昇圧された音声信号電圧を
供給することによつてダイヤフラムを振動させて
音圧を得るようになされている。この場合、ダイ
ヤフラムの振動力は、背極とダイヤフラム間の空
間の距離をｄとすると、１／d2に比例して増加す
る。このため、音圧感度を上昇させるためには、
できるだけ距離ｄを小さくすることが望まれる。 ところが、この距離ｄが小さくなると、２枚の
背極間の距離が狭小となることによつて、両背極
間の放電開始電圧Vcは、パーシエンの法則にし
たがつて低下する。具体的には、１：70の昇圧ト
ランスを用いた場合、ｄ＝0.3mmのときパワーア
ンプの出力電圧が26Vrms（rms：root means
square）で火花放電が起る。尚、実際には、背
極に穿設されている透孔部のエツジ効果や、汚
れ、更には空気中の湿度の影響によりこの放電開
始電圧は、上述の26Vrmsよりも更に低下する。
特に最近のダイナミツクレンジの大きな録音によ
るプログラムソースの再生においては、さほどの
大音量再生でなくても、瞬時的ピークでパワーア
ンプの出力端には数十Ｖの電圧が発生することは
よく知られているところであり、火花放電の危険
は大きい。そして、上述したように放電開始電圧
Vcを超えた入力電圧により背極間に火花放電が
起ると、局部的な温度上昇が生じ、ダイヤフラム
にピンホールが生じてしまつて、振動モードが変
化してしまい、音質に変化が生ずる。更に極端な
場合には、ピンホールが成長して大きな孔となる
ので低域の音の再生が不可能となつてくる。 従来、このように有害な火花放電を回避するた
めに、コンデンサスピーカの昇圧トランス部分
に、ポジスタのようなリミツタ回路を挿入するこ
とが行われたが、このようにしても、隣時的パル
ス入力に対しては効果がない。 そこで、背極とダイヤフラムを含むスピーカユ
ニツトを放電絶縁耐圧が高く、更に火花の消弧効
果のある６弗化硫黄SF6ガス、或いはフレオン
CCl2F2などのフロン系弗化炭素ガス等の雰囲気
中に配置するようにしたいわゆるガス入りスピー
カが提案されている。このガス入りスピーカによ
れば、従来のスピーカに比し、４倍程度の耐入力
を得ることができるようになつた。このようなガ
ス入りスピーカにおいては、ガスを気密的に封入
し、しかも音圧を効率良くとり出すシールド膜が
スピーカユニツトに対向して貼られる。このシー
ルド膜は、封入される放電防止用のガスの発散を
防止し、また外界からの水蒸気等のガスの侵入を
阻止するシールド効果と共に、防音を妨げること
のない材料の膜より構成されることが必要とな
る。通常、このガス入りスピーカにおいては、そ
のガスのシールド膜として、ポリエチレンテレフ
タレート膜が用いられている。そして、このポリ
エチレンテレフタレート膜によるシールド膜は、
これにより十分なシールド効果を得るために、数
十μｍという比較的厚いフイルムを用いる必要が
あり、これがためのこのシールド膜の質量が大と
なり、特に高域の減衰が甚しく、コンデンサスピ
ーカ本来の特性を十分に発揮できないという結果
を招いている。 本発明は、このような欠点を回避して、機械的
特性、音響的特性を損うことなくして透湿度及び
ガス透過度の少ないシールド膜を有するコンデン
サスピーカを提案せんとするものである。 図面を参照して本発明の一例を説明するに、第
１図中１は、振動膜即ちダイヤフラムで、これを
挾んでその両側に夫々多数の透孔が穿設された例
えば金属箔より成る背極即ち固定電極２が配置さ
れている。３は、ダイヤフラム１及び電極２を所
定の位置関係に支持すると共に、図示しないが各
電極２に対しての給電端子が導入される支持枠を
示す。この支持枠３の両側面には、各背極２に対
向するように、夫々シールド膜４が貼られ、これ
らシールド膜４と支持枠３とによつて気密空間５
が形成され、この空間５内にダイヤフラム１及び
背極２を含むコンデンサスピーカユニツト６が配
置されるようになされる。尚、気密空間５内には
可及的に湿度の小さい空気が封入されるが、その
代りに６弗化硫黄SF6、或いはフレオンCCl2F2の
ようなフロン系弗化炭素ガス等の放電防止効果を
有するガスを封入しても良い。 本発明に於ては、このシールド膜４を、第２図
に示す如く高分子フイルム４ａの片面（第３図に
示す如く両面も可）の全面に亘り金属薄層４ｂを
被着形成して構成する。金属薄層４ｂは本例では
第１図に於てシールド膜４の外表面側である。高
分子フイルム４ａとしては、例えば２〜25μｍ厚
程度のポリエチレンテレフタレート（PET）、10
〜25μｍ厚程度のポリエチレン（PE）、10〜25μ
ｍ厚程度のポリプロピレン（PP）、１〜30μｍ厚
程度のポリ塩化ビニリデン（PVDC）、10〜30μ
ｍ厚程度のナイロン66等のフイルムが可能であ
る。 金属薄層４ｂの材料としては、アルミニウム、
亜鉛、錫、金、銀、チタン、銅等の単体金属ある
いはSUSステンレスステイール等の金属が可能で
ある。 金属薄層４ｂを高分子フイルム４ａ上に被着形
成する方法としては、抵抗加熱方式による真空蒸
法、イオンビーム加熱方式による蒸着法等、ある
いは之等方法に於て更に蒸着源と高分子フイルム
との間に電界を掛けて接着強度を増強する方法等
がある。又、スパツタリング法も有効で、これは
金属薄層にピンホールが生じ難いという特長を有
する。 次に金属薄層の厚さ（Å）と酸素ガス透過度
（c.c.／m2・24Hrs・atm.）との間の実験による関
係のグラフを第４図に示す。第４図はPEH（12
μｍ厚）、PE（25μｍ厚）及びPP（25μｍ厚）
の各フイルムにアルミニウムの蒸着による金属薄
層を被着形成した場合である。 この第４図の実験結果によれば、金属薄層の厚
さが400〜1000Å程度に於て、酸素ガス透過度が
実用に供し得る程度の十分低い値になることが分
る。例えば800Å厚程度で、金属薄層の無い場合
の1/100程度になる。 次に金属薄層の厚さ（Å）と透湿度（ｇ／m2・
24Hrs）（40℃）との間の実験による関係のグラ
フを第５図に示す。 第５図はPET（12μｍ厚）フイルムにアルミ
ニウムの蒸着による金属薄層を被着形成した場合
である。 この第５図の実験結果によれば、金属薄層の厚
さがやはり400〜1000Å程度に於て、透湿度が実
用に供し得る程度の十分低い値になることが分
る。例えば600Å厚程度で、金属薄層の無い場合
の1/100程度になる。 次にPET、PE、PP、PVDC、ナイロン66フイ
ルムに被着形成した金属薄膜の厚さを600Åにし
たときの透湿度を金属薄膜を設けない場合と比較
して以下に表にして示す。
る。 通常のコンデンサ型スピーカは、平行に対向し
て配置された２枚の背極板間にダイヤフラムが配
置され、両背極板間に昇圧された音声信号電圧を
供給することによつてダイヤフラムを振動させて
音圧を得るようになされている。この場合、ダイ
ヤフラムの振動力は、背極とダイヤフラム間の空
間の距離をｄとすると、１／d2に比例して増加す
る。このため、音圧感度を上昇させるためには、
できるだけ距離ｄを小さくすることが望まれる。 ところが、この距離ｄが小さくなると、２枚の
背極間の距離が狭小となることによつて、両背極
間の放電開始電圧Vcは、パーシエンの法則にし
たがつて低下する。具体的には、１：70の昇圧ト
ランスを用いた場合、ｄ＝0.3mmのときパワーア
ンプの出力電圧が26Vrms（rms：root means
square）で火花放電が起る。尚、実際には、背
極に穿設されている透孔部のエツジ効果や、汚
れ、更には空気中の湿度の影響によりこの放電開
始電圧は、上述の26Vrmsよりも更に低下する。
特に最近のダイナミツクレンジの大きな録音によ
るプログラムソースの再生においては、さほどの
大音量再生でなくても、瞬時的ピークでパワーア
ンプの出力端には数十Ｖの電圧が発生することは
よく知られているところであり、火花放電の危険
は大きい。そして、上述したように放電開始電圧
Vcを超えた入力電圧により背極間に火花放電が
起ると、局部的な温度上昇が生じ、ダイヤフラム
にピンホールが生じてしまつて、振動モードが変
化してしまい、音質に変化が生ずる。更に極端な
場合には、ピンホールが成長して大きな孔となる
ので低域の音の再生が不可能となつてくる。 従来、このように有害な火花放電を回避するた
めに、コンデンサスピーカの昇圧トランス部分
に、ポジスタのようなリミツタ回路を挿入するこ
とが行われたが、このようにしても、隣時的パル
ス入力に対しては効果がない。 そこで、背極とダイヤフラムを含むスピーカユ
ニツトを放電絶縁耐圧が高く、更に火花の消弧効
果のある６弗化硫黄SF6ガス、或いはフレオン
CCl2F2などのフロン系弗化炭素ガス等の雰囲気
中に配置するようにしたいわゆるガス入りスピー
カが提案されている。このガス入りスピーカによ
れば、従来のスピーカに比し、４倍程度の耐入力
を得ることができるようになつた。このようなガ
ス入りスピーカにおいては、ガスを気密的に封入
し、しかも音圧を効率良くとり出すシールド膜が
スピーカユニツトに対向して貼られる。このシー
ルド膜は、封入される放電防止用のガスの発散を
防止し、また外界からの水蒸気等のガスの侵入を
阻止するシールド効果と共に、防音を妨げること
のない材料の膜より構成されることが必要とな
る。通常、このガス入りスピーカにおいては、そ
のガスのシールド膜として、ポリエチレンテレフ
タレート膜が用いられている。そして、このポリ
エチレンテレフタレート膜によるシールド膜は、
これにより十分なシールド効果を得るために、数
十μｍという比較的厚いフイルムを用いる必要が
あり、これがためのこのシールド膜の質量が大と
なり、特に高域の減衰が甚しく、コンデンサスピ
ーカ本来の特性を十分に発揮できないという結果
を招いている。 本発明は、このような欠点を回避して、機械的
特性、音響的特性を損うことなくして透湿度及び
ガス透過度の少ないシールド膜を有するコンデン
サスピーカを提案せんとするものである。 図面を参照して本発明の一例を説明するに、第
１図中１は、振動膜即ちダイヤフラムで、これを
挾んでその両側に夫々多数の透孔が穿設された例
えば金属箔より成る背極即ち固定電極２が配置さ
れている。３は、ダイヤフラム１及び電極２を所
定の位置関係に支持すると共に、図示しないが各
電極２に対しての給電端子が導入される支持枠を
示す。この支持枠３の両側面には、各背極２に対
向するように、夫々シールド膜４が貼られ、これ
らシールド膜４と支持枠３とによつて気密空間５
が形成され、この空間５内にダイヤフラム１及び
背極２を含むコンデンサスピーカユニツト６が配
置されるようになされる。尚、気密空間５内には
可及的に湿度の小さい空気が封入されるが、その
代りに６弗化硫黄SF6、或いはフレオンCCl2F2の
ようなフロン系弗化炭素ガス等の放電防止効果を
有するガスを封入しても良い。 本発明に於ては、このシールド膜４を、第２図
に示す如く高分子フイルム４ａの片面（第３図に
示す如く両面も可）の全面に亘り金属薄層４ｂを
被着形成して構成する。金属薄層４ｂは本例では
第１図に於てシールド膜４の外表面側である。高
分子フイルム４ａとしては、例えば２〜25μｍ厚
程度のポリエチレンテレフタレート（PET）、10
〜25μｍ厚程度のポリエチレン（PE）、10〜25μ
ｍ厚程度のポリプロピレン（PP）、１〜30μｍ厚
程度のポリ塩化ビニリデン（PVDC）、10〜30μ
ｍ厚程度のナイロン66等のフイルムが可能であ
る。 金属薄層４ｂの材料としては、アルミニウム、
亜鉛、錫、金、銀、チタン、銅等の単体金属ある
いはSUSステンレスステイール等の金属が可能で
ある。 金属薄層４ｂを高分子フイルム４ａ上に被着形
成する方法としては、抵抗加熱方式による真空蒸
法、イオンビーム加熱方式による蒸着法等、ある
いは之等方法に於て更に蒸着源と高分子フイルム
との間に電界を掛けて接着強度を増強する方法等
がある。又、スパツタリング法も有効で、これは
金属薄層にピンホールが生じ難いという特長を有
する。 次に金属薄層の厚さ（Å）と酸素ガス透過度
（c.c.／m2・24Hrs・atm.）との間の実験による関
係のグラフを第４図に示す。第４図はPEH（12
μｍ厚）、PE（25μｍ厚）及びPP（25μｍ厚）
の各フイルムにアルミニウムの蒸着による金属薄
層を被着形成した場合である。 この第４図の実験結果によれば、金属薄層の厚
さが400〜1000Å程度に於て、酸素ガス透過度が
実用に供し得る程度の十分低い値になることが分
る。例えば800Å厚程度で、金属薄層の無い場合
の1/100程度になる。 次に金属薄層の厚さ（Å）と透湿度（ｇ／m2・
24Hrs）（40℃）との間の実験による関係のグラ
フを第５図に示す。 第５図はPET（12μｍ厚）フイルムにアルミ
ニウムの蒸着による金属薄層を被着形成した場合
である。 この第５図の実験結果によれば、金属薄層の厚
さがやはり400〜1000Å程度に於て、透湿度が実
用に供し得る程度の十分低い値になることが分
る。例えば600Å厚程度で、金属薄層の無い場合
の1/100程度になる。 次にPET、PE、PP、PVDC、ナイロン66フイ
ルムに被着形成した金属薄膜の厚さを600Åにし
たときの透湿度を金属薄膜を設けない場合と比較
して以下に表にして示す。
【表】
尚、PE、PP、PVDC及びナイロン66も第５図
のPETと同様に、600Å厚程度以上で透湿度は略
一定の低い値になる。 以上より明らかな如く、高分子フイルムに被着
形成する金属薄層は400〜1000Å厚程度で、ガス
透過度及び透湿度共に金属薄層を設けない場合に
比し実用に供し得る十分小さな値になる。尚、金
属薄層の厚さを1000Åを越えて大にすると、シー
ルド膜自体のステイフネスが大となつて、再生音
の高域減衰となつて好ましくない。 尚、図示を省略したが、第１図に於て両背極
２，２にトランスの２次コイルの両端が接続さ
れ、その１次コイルに音声信号が供給される。ダ
イヤフラム１がエレクトレツト高分子フイルムで
ある場合は必要ないが、非エレクトレツト高分子
フイルムの場合は、その片面又は両面に界面活性
剤又は帯電防止剤を塗布し、成極用直流電源をダ
イヤフラム１とトランスの２次コイルの中点との
間に接続する。 又、バツクエレクトレツト型コンデンサスピー
カでは、電極２，２のダイヤフラム１側の面に
夫々エレクトレツト高分子フイルムが被着される
と共に、非エレクトレツト高分子フイルムの両面
には界面活性剤又は帯電防止剤が塗布される。 上述せる本発明によれば、機械的特性、音響特
性を損うことなくして透湿度及びガス透過度の少
ないシールド膜を有するコンデンサスピーカを得
ることができる。従つて２枚の背極間間隔を小に
しても火花放電が起り難くなり、この火花放電に
よりダイヤフラムにピンホールが生じて振動モー
ドが変化して音質に変化を来す虞は少ない。
のPETと同様に、600Å厚程度以上で透湿度は略
一定の低い値になる。 以上より明らかな如く、高分子フイルムに被着
形成する金属薄層は400〜1000Å厚程度で、ガス
透過度及び透湿度共に金属薄層を設けない場合に
比し実用に供し得る十分小さな値になる。尚、金
属薄層の厚さを1000Åを越えて大にすると、シー
ルド膜自体のステイフネスが大となつて、再生音
の高域減衰となつて好ましくない。 尚、図示を省略したが、第１図に於て両背極
２，２にトランスの２次コイルの両端が接続さ
れ、その１次コイルに音声信号が供給される。ダ
イヤフラム１がエレクトレツト高分子フイルムで
ある場合は必要ないが、非エレクトレツト高分子
フイルムの場合は、その片面又は両面に界面活性
剤又は帯電防止剤を塗布し、成極用直流電源をダ
イヤフラム１とトランスの２次コイルの中点との
間に接続する。 又、バツクエレクトレツト型コンデンサスピー
カでは、電極２，２のダイヤフラム１側の面に
夫々エレクトレツト高分子フイルムが被着される
と共に、非エレクトレツト高分子フイルムの両面
には界面活性剤又は帯電防止剤が塗布される。 上述せる本発明によれば、機械的特性、音響特
性を損うことなくして透湿度及びガス透過度の少
ないシールド膜を有するコンデンサスピーカを得
ることができる。従つて２枚の背極間間隔を小に
しても火花放電が起り難くなり、この火花放電に
よりダイヤフラムにピンホールが生じて振動モー
ドが変化して音質に変化を来す虞は少ない。
第１図は本発明のコンデンサスピーカの一実施
例の断面図、第２図はその一部の拡大断面図、第
３図は本発明の他の実施例の一部の拡大断面図、
第４図及び第５図は実験データを示すグラフであ
る。 １はダイヤフラム、２は背極、４はシールド
膜、４ａは高分子フイルム、４ｂは金属薄層、５
は空間、６はスピーカユニツトである。
例の断面図、第２図はその一部の拡大断面図、第
３図は本発明の他の実施例の一部の拡大断面図、
第４図及び第５図は実験データを示すグラフであ
る。 １はダイヤフラム、２は背極、４はシールド
膜、４ａは高分子フイルム、４ｂは金属薄層、５
は空間、６はスピーカユニツトである。
Claims (1)
- １ 背極とダイアフラムとを含むスピーカユニツ
トが空間内に配されて成るコンデンサ型スピーカ
に於て、上記空間を気密的にシールドするシール
ド膜を設け、該シールド膜を高分子フイルムの少
なくとも片面の全面に亘り金属薄層を被着形成し
て構成したことを特徴とするコンデンサ型スピー
カ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14683678A JPS5573200A (en) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | Capacitor-type speaker |
| CA000340338A CA1149928A (en) | 1978-11-28 | 1979-11-21 | Electrostatic loudspeaker |
| NL7908511A NL7908511A (nl) | 1978-11-28 | 1979-11-22 | Elektrostatische luidspreker. |
| GB7940535A GB2037537B (en) | 1978-11-28 | 1979-11-23 | Electrostatic loudspeakers |
| FR7929325A FR2443181B1 (fr) | 1978-11-28 | 1979-11-28 | Haut-parleur electrostatique |
| DE19792947973 DE2947973A1 (de) | 1978-11-28 | 1979-11-28 | Kondensatorlautsprecher |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14683678A JPS5573200A (en) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | Capacitor-type speaker |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5573200A JPS5573200A (en) | 1980-06-02 |
| JPS6117440B2 true JPS6117440B2 (ja) | 1986-05-07 |
Family
ID=15416616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14683678A Granted JPS5573200A (en) | 1978-11-28 | 1978-11-28 | Capacitor-type speaker |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5573200A (ja) |
| CA (1) | CA1149928A (ja) |
| DE (1) | DE2947973A1 (ja) |
| FR (1) | FR2443181B1 (ja) |
| GB (1) | GB2037537B (ja) |
| NL (1) | NL7908511A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| FR2683969B1 (fr) * | 1991-11-15 | 1997-06-20 | Thomson Csf | Membrane d'etancheite pour dispositif immerge, notamment pour dispositif acoustique sous-marin, et dispositif comprenant une telle membrane. |
| JP3281887B2 (ja) * | 1993-07-30 | 2002-05-13 | ソニー株式会社 | 静電容量型スピーカー用振動板 |
| SE9401761D0 (sv) * | 1994-05-19 | 1994-05-19 | Lars Staahl | Högpresterande skal/membran |
| DE102007014577A1 (de) * | 2007-03-23 | 2008-09-25 | Sennheiser Electronic Gmbh & Co. Kg | Kapazitiver Aufnahmewandler und Mikrofon |
| CN102300144B (zh) * | 2010-06-22 | 2015-07-29 | 宏达国际电子股份有限公司 | 电容式电声转换系统及其电容式电声转换器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB422299A (en) * | 1933-11-03 | 1935-01-09 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in apparatus such as loud speakers for converting electrical oscillations into mechanical oscillations |
| GB838024A (en) * | 1956-10-11 | 1960-06-22 | Pye Ltd | Improvements in electrostatic loudspeakers |
| US3668336A (en) * | 1969-12-08 | 1972-06-06 | Dayton Wright Associates Ltd | Audio system including electrostatic loudspeaker |
| US3778562A (en) * | 1973-10-21 | 1973-12-11 | Dayton Wright Ass Ltd | Electrostatic loudspeaker having acoustic wavefront modifying device |
| CA1025994A (en) * | 1975-07-08 | 1978-02-07 | Uniroyal Ltd. | Electromechanical transducer |
-
1978
- 1978-11-28 JP JP14683678A patent/JPS5573200A/ja active Granted
-
1979
- 1979-11-21 CA CA000340338A patent/CA1149928A/en not_active Expired
- 1979-11-22 NL NL7908511A patent/NL7908511A/nl not_active Application Discontinuation
- 1979-11-23 GB GB7940535A patent/GB2037537B/en not_active Expired
- 1979-11-28 FR FR7929325A patent/FR2443181B1/fr not_active Expired
- 1979-11-28 DE DE19792947973 patent/DE2947973A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2037537A (en) | 1980-07-09 |
| FR2443181B1 (fr) | 1986-05-09 |
| FR2443181A1 (fr) | 1980-06-27 |
| NL7908511A (nl) | 1980-05-30 |
| GB2037537B (en) | 1983-05-05 |
| CA1149928A (en) | 1983-07-12 |
| JPS5573200A (en) | 1980-06-02 |
| DE2947973A1 (de) | 1980-06-04 |
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