JPH0378040B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、コンデンサマイクロホンに係り、
さらに詳しく言えば、音圧によつて振動するダイ
ヤフラムの改良に関するものである。

コンデンサマイクロホンにおいては、一般に、
小口径ユニツトは大口径ユニツトに比べて低域の
周波数特性が劣ると言われている。そこで、小口
径ユニツトでも大口径ユニツトと同様な周波数特
性を得るためにはダイヤフラムのコンプライアン
スを高くすればよいのであるが、コンプライアン
スを高くすると、他方において、ダイヤフラムが
背極側に静電的に吸着されて感度が低下してしま
うという問題が生ずる。もつとも、成極電圧を低
くすればある程度の静電的吸着現象は緩和される
がこれとても感度低下は否めない。したがつて、
従来においては、ダイヤフラムのテンシヨンと成
極電圧とをバランスさせてユニツトの安定性と周
波数特性を満足させるようにしているが、低減の
周波特性は未だに十分改善されていないのが実情
である。

そこで、この発明の目的は、小口径ユニツトで
も大口径ユニツトとほぼ同等の改善された低域周
波数特性を有するコンデンサマイクロホンを提供
することにある。

また、この発明の第２の目的は、上エヤーギヤ
ツプ用のスペーサを用いることなくダイヤフラム
と背極との間に所定のエアギヤツプを保持させる
こともできるコンデンサマイクロホンを提供する
ことにある。

すなわち、この発明は、ポリエチレンテレフタ
レート等の高抵抗高分子膜の一方の面に金属膜を
形成してなるダイヤフラムの背極と対向する面に
多数の突起を形成したことを特徴としている。

以下、この発明を添付図面に示された一実施例
を参照しながら詳細に説明する。

第１図に示されているように、このコンデンサ
マイクロホン１は、受音面に複数の透孔３を有す
るアルミニウム等からなる円筒状のケーシング２
を備えている。このケーシング２内は、ダイヤフ
ラム４が支持リング５に取付けられた状態で配設
されているとともに、このダイヤフラム４との間
に所定のエアーギヤツプが形成されるように背極
６が対向的に配置されている。この場合、背極６
は、導電性を有するスペーサリング７を介して電
気絶縁材料からなる支持台８上に載置されてお
り、この背極６と支持台８との各々には、音波通
路を形成する複数の透孔９，１０がそれぞれ穿設
されている。なお、この実施例においては、背極
６の上面にはエレクトレツト１１が添着されてお
り、この背極６はスペーサリング７およびこのス
ペーサリング７を支持台８に固定している雄ネジ
２０を介して例えば前置増巾器を構成する図示し
ない電界効果トランジスタのゲートに接続され、
一方、ダイヤフラム４はその支持リング５および
ケーシング２を介して上記電界効果トランジスタ
のドレンに接続されている。

上記ダイヤフラム４は、第２図に明示されてい
るように、例えばポリエチレンテレフタレート等
の高抵抗高分子膜１２の一方の面に金属蒸着膜１
３を形成したものからなるが、この発明において
は、ダイヤフラム４には、その背極６と対向する
面に多数の突起１４が設けられている。このダイ
ヤフラム４と背極６とを対向させると、各突起１
４の部分に電気力線が集まるようになるため、従
来のフラツトなダイヤフラムのように静電吸着力
が全面にわたつて均等に作用する虞れは殆どな
い。したがつて、このダイヤフラム４を支持リン
グ５に取付ける場合、そのテンシヨンをゼロもし
くはより低い値にすることができるため、ダイヤ
フラム４のコンプライアンスが大幅に高められ、
低域の周波数特性が改善される。

ここで、膜厚4μｍのダイヤフラム４にφ0.05mm
程度、深さ10μｍ以下の突起１４を密度800個／
cm²程度設けてなるφ8.0の小口径単一指向性ユニツ
トの周波数特性と、従来のフラツトなダイヤフラ
ムを備えた同口径の単一指向性ユニツトの周波数
特性の比較データを第４図に示し、この発明によ
れば低域の周波数特性が大幅に改善されることを
実証する。また、第５図にこの発明に係るダイヤ
フラムをコンデンサマイクロホンとして動作（ピ
ユアコン動作）させた場合の成極電圧に対する応
答特性を示し、第６図に従来のダイヤフラムに関
する同様の成極電圧に対する応答特性を示す。こ
の特性図から明らかなように、この発明によれば
従来例に比べて成極電圧をある程度高くしても吸
着現象はみられず、動作も安定していることが理
解されよう。

また、この発明においては、上記突起１４の大
きさを適当に選ぶことにより、ダイヤフラムと背
極との間のエアーギヤツプを形成するため従来用
いられていたギヤツプスペーサを不要にすること
ができる。すなわち、突起１４自体をギヤツプス
ペーサとして使用するもので、この場合には、例
えばφ0.2mm以下、深さ30〜50μｍの突起１４を密
度50／cm²程度設ければよい。なおこの場合、突起
１４が背極６と接触することになるが、ポリエチ
レンテレフタレートの場合、その体積抵抗は
10¹⁸Ωcmであるため、特別な電気絶縁手段は不要
である。

ところで、上記ダイヤフラム４は、第３図に例
示されているような成形装置によりつくることが
できる。すなわち、高抵抗高分子膜１２の一方の
面に予め金属膜１３を形成してなるダイヤフラム
４をゴム板１５を介して受台１６上に載置する。
そして、ダイヤフラム４上に微細な突起を有する
成形型１７をのせ、この成形型１７をスポンジ材
１８を介してプランジヤ１９により押下する。こ
のようにして、ダイヤフラム４には多数の突起１
４が形成されるのであるが、その他に熱加工によ
つても複数の突起を有するダイヤフラムをつくる
こともできる。

上述した実施例の説明から明らかなように、こ
の発明によれば、背極と対向するダイヤフラムの
面に多数の突起を設けたことにより、従来のよう
にダイヤフラムが背極に平面的に静電吸着され難
くなるため、ダイヤフラムにテンシヨンをかける
必要が殆どなくなる。したがつて、ダイヤフラム
のコンプライアンスを高くすることができ、低域
の周波数特性が大巾に改善される。

この発明の構成はまた、ダイヤフラムをその高
分子膜側が背極と対向するように配置し、突起を
エアーギヤツプの長さに等しい長さに形成するこ
とにより、突起によりエアーギヤツプを規定する
ことができ、従来のようにエアーギヤツプ用のス
ペーサは不要となり、組立作業性が改善されると
ともに、コスト低下にもつながる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るコンデンサマイクロホ
ンの内部構造を概略的に示す断面図、第２図はこ
の発明の要部拡大断面図、第３図はダイヤフラム
成形装置の概略的な側面図、第４図はこの発明に
よるコンデンサマイクロホンの周波数特性を示す
特性図、第５図はこの発明によるダイヤフラムの
成極電圧に対する応答特性を示した特性図、第６
図は従来のダイヤフラムの成極電圧に対する応答
特性を示した特性図である。 図中、２はケーシング、４はダイヤフラム、５
は支持リング、６は背極、１４は突起である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ポリエチレンテレフタレート等の高抵抗の高
   分子膜の一方の面に金属膜を形成してなるダイヤ
   フラムを支持リングに取付け、前記ダイヤフラム
   は所定のエアーギヤツプが生じるように背極に対
   向配置してなるコンデンサマイクロホンにおい
   て、前記ダイヤフラムの前記背極と対向する面に
   は多数の突起が形成されていることを特徴とする
   コンデンサマイクロホン。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記ダイヤ
   フラムはテンシヨンを付与されることなく前記支
   持リングに取付けられていることを特徴とするコ
   ンデンサマイクロホン。 ３ 特許請求の範囲第１項あるいは第２項におい
   て、前記ダイヤフラムは前記高分子膜が前記背極
   と対向するように配置され、前記突起は前記エア
   ーギヤツプの長さに略等しい長さに形成され、各
   突起の先端は前記背極の面に接触していることを
   特徴とするコンデンサマイクロホン。