JPS60157399A - コンデンサマイクロホン - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、コンデンサマイクロホンに係り、さらに詳
しく言えば、音圧によって振動するダイヤフラムの改良
に関するものである。

コンデンサマイクロホンにおいては、一般に、小口径ユ
ニットは大口径ユニットに比べて低域の周波数特性が劣
ると言われている。そこで、小口径ユニットでも大口径
ユニットと同様な周波数特性を得るためにはダイヤプラ
ムのコンプライアンスを高くすればよいのであるが、コ
ンプライアンスを高くすると、他方において、ダイヤフ
ラムが背極側に静電的に吸着されて感度が低下してしま
うという問題が生ずる。もっとも、成極電圧を低くすれ
ばある程度の静電的吸着現象は緩和されるがこれとても
感度低下は否めない。したがって、従来においては、ダ
イヤフラムのテンションと成極電圧とをバランスさせて
ユニットの安定性と周波数特性を満足させるようにして
いるが、低域の周波特性は未だに十分改善されていない
のが実情である。

そこで、この発明の目的は、小口径ユニットでも大口径
ユニットとほぼ同等の改善された低域周波数特性を有す
るコンデンサマイクロホンを提供することにある。

また、この発明の第２の目的は、スペーサを用いること
なくダイヤフラムと背極との間に所定のエアーギャップ
を保持することができるようにしたコンデンサマイクロ
ホンを提供することにある。

すなわち、この発明は、ポリエチレンテレフタレート等
の高抵抗高分子膜の一方の面に金属膜を形成してなるダ
イヤフラムに、その一方の面から他方の面に向けて突出
する多数の突起を設けたことを特徴としている。

以下、この発明を添付図面に示された一実施例を参照し
ながら詳細に説明する。

第１図に示されているように、このコンデンサマイクロ
ホン１は、受音面に複数の透孔３を有するアルミニウム
等からなる円筒状のケーシング２を備えている。このケ
ーシング２内は、ダイヤフラム４が支持リング５に取付
けられた状態で配設されているとともに、このダイヤフ
ラム４との間に所定のエアーギャップが形成されるよう
に背極６が対向的に配置されている。この場合、背極６
は、導電性を有するスペーサリング７を介して電気絶縁
材料からなる支持台８上に載置されており、この背極６
と支持台８との各々には、音波通路を形成する複数の透
孔９，１ｏがそれぞれ穿設されている。なお、この実施
例においては、背極６の上面にはエレクトレット１１が
添着されており、この背極６はスペーサリング７および
このスペーサリング７を支持台８に固定している雄ネジ
２゜を介して例えば前置増巾器を構成する図示しない電
界効果トランジスタのゲートに接続され、一方、ダイヤ
フラム４はその支持リング５およびケーシング２を介し
て上記電界効果トランジスタのドレンに接続されている
。

」１記ダイヤフラム４は、第２図に明示されているよう
に１例えばポリエチレンテレフタレート等の高抵抗高分
子膜１２の一方の面に金属蒸着膜１３を形成したものか
らなるが、この発明においては、ダイヤフラム４には、
その一方の面から他方の面に向けて突出する多数の突起
１４が設けられている。このダイヤフラム４と背極６と
を対向させると、各突起Ｉ４の部分に電気力線が集まる
ようになるため、従来のフラットなダイヤフラムのよう
に静電吸着力が全面にわたって均等に作用する虞れは殆
どない。したがって、二のダイヤフラム４を支持リング
５に取付ける場合、そのテンションをゼロもしくはより
低い値にすることができるため、ダイヤフラム４のコン
プライアンスが大幅に高められ、低域の周波数特性が改
善される。

ここで、膜厚４μｍのダイヤフラム４にφ０．０５画程
度、深さ１０μ刊以下の突起１４を密度８００個／　ｃ
ｎｆ程度設けてなるφ８．０の小口径単一指向性ユニッ
トの周波数特性と、従来のフラットなダイヤフラムを備
えた同口径の単一指向性ユニットの周波数特性の比較デ
ータを境」図に示し、この発明によれば低域の周波数特
性が大幅に改善されることを実証する。また、第５図に
この発明に係るダイヤフラムをコンデンサマイクロホン
として動作（ピュアコン動作）させた場合の成極電圧に
対する応答特性を示し、第６図に従来のダイヤプラムに
関する同様の成極電圧に対する応答特性を示す。この特
性図から明らかなように、この発明によれば従来例に比
べて成極電圧をある程度高くしても吸着現象はみられず
、動作も安定していることが理解されよう。

また、この発明においては、上記突起１４の大きさを適
当に選ぶことにより、ダイヤプラムと背極との間のエア
ーギャップを形成するため従来用いられていたギャップ
スペーサを不要にすることができる。すなわち、突起１
４自体をギャップスペーサとして使用するもので、この
場合には、例えばφ０．２ｍｍ以下、深さ３０〜５０μ
ｍの突起１４を密度５０　／　ｃＪ程度設ければよい。

なおこの場合、突起１４が背極６と接触することになる
が、ポリエチレンテレフタレートの場合、その体積抵抗
は１０１″ΩｃＩ１１であるため、特別な電気絶縁手段
は不要である。

ところで、上記ダイヤフラム４は、第３図に例示されて
いるような成形装置によりつくることができる。すなわ
ち、高抵抗高分子膜１２の一方の面に予め金属膜１３を
形成してなるダイヤフラム４をゴム板１５を介して受台
１６上に載置する。そして、ダイヤフラム４上に微細な
突起を有する成形型１７をのせ、この成形型１７をスポ
ンジ材１８を介してプランジャ１９により抑圧する。こ
のようにして、ダイヤフラム４には多数の突起１４が形
成されるのであるが、その他に熱加工によっても複数の
突起を有するダイヤフラムをつくることもできる。

上記した実施例の説明から明らかなように、この発明に
よれば、ダイヤフラムに多数の突起を設けたことにより
、従来のようにダイヤプラムが平面的に静電吸着され難
くなるため、支持リンクに取付ける場合、ダイヤフラム
にテンションをかける必要が殆どなくなる。し左がって
、ダイヤフラムのコンプライアンスを高くすることがで
き、低域の周波数特性が大巾に改善される。また、突起
を利用してダイヤフラムと背極との間におけるエアーギ
ャップを規定することができるため、従来用いられたギ
ャップスペーサが不要となり、組立作業性が改善される
とともに、コスト低下にもつながる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係るコンデンサマイクロホンの内部
構造を概略的に示す断面図、第２図はこの発明の要部拡
大断面図、第３図はダイヤフラム　−成形装置の概略的
な側面図、第４図はこの発明によるコンデンサマイクロ
ホンの周波数特性を示す特性図、第５図はこの発明によ
るダイヤフラムの成極電圧に対する応答特性を示した特
性図、第６図は従来のダイヤフラムの成極電圧に対する
応答特性を示した特性図である。 図中、２はケーシング、４はダイヤフラム、５は支持リ
ング、６は背極、１４は突起である。 特許出願人　株式会社オーディオーテクニカ代理人　弁
理士　大　原　拓　也

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）ポリエチレンテレフタレート等の高抵抗高分子膜
   の一方の面に金属膜を形成してなるダイヤフラムを支持
   リングに取付け、上記ダイヤフラムの他方の面を所定の
   エアーギャップが生ずるように背極に対向配置してなる
   コンデンサマイクロホンにおいて、 上記ダイヤフラムには、その一方の面から他方の面に向
   けて突出する多数の突起が形成されていることを特徴と
   するコンデンサマイクロホン。 （２、特許請求の範囲（１）において、上記ダイヤフラ
   ムはテンションを付与されることなく上記支持リングに
   取付けられていることを特徴とするコンデンサマイクロ
   ホン。 （３）特許請求の範囲（１）または（２）において、上
   記突起にて上記背極とダイヤフラムとの間に所定のエア
   ーギャップを保持することを特徴とするコンデンサマイ
   クロホン。