JPS61171138A - 半導体ウエハ製造装置 - Google Patents

半導体ウエハ製造装置

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JPS61171138A
JPS61171138A JP1227885A JP1227885A JPS61171138A JP S61171138 A JPS61171138 A JP S61171138A JP 1227885 A JP1227885 A JP 1227885A JP 1227885 A JP1227885 A JP 1227885A JP S61171138 A JPS61171138 A JP S61171138A
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JP
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liquid
tank
chemical
pipe
etching
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JP1227885A
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Inventor
Toshiaki Shiba
俊明 司馬
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching

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  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウェハにウェットエツチング等の薬液
処理を施す半導体ウェハ製造装置に係り、特に少なくと
も2種類以上の液体を定量調合して薬液処理槽へ供給す
る薬液供給機構に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、このような分野の技術としては、特開昭59−2
94421号公報に記載されるものがあった。以下、そ
の構成を図を用いて説明する。
第2図は従来の半導体ウェハ製造装置の一構成例を示す
図である。この装置は、液体/を収納する薬品容器コと
、液体3を収納する薬品容器ダと、各薬品容器コ、ダ内
の液体/、Jをそれぞれ予め貯えておぐ原液夕/クタ、
6と、各ポンプ?、  tにより供給される原液タンク
5.6内の液体l。
3をそれぞれ所定量貯える液体秤量タンク9.lOと、
各弁//、/2を介してそれぞれ所定量供給される液体
秤量タンク9,10内の液体/、jを収容するエツチン
グ槽13とより構成される。ここで、エツチング槽13
は、攪拌装置を有し、この攪拌装置により液体/、3を
混合して調合されたエツチング液/lIを作る。また、
予めウェハキャリア/Sに複数枚収納された半導体ウェ
ハ/6は、エツチング槽lJ内に一定時間浸漬されてエ
ツチング液/Qにより所定のエツチング処理が施される
以上の構成において、液体/、jの混合液であるエツチ
ング液/lをエツチング槽lJ内に供給するには、まず
各薬品容器コ、4I内の液体/、Jを予め原液タンクよ
、乙にそれぞれ給液しておく。そしてボンプク、ざを駆
動させて各原液タンク!。
6内の液体/、3を液体秤量タンクt、10へそれぞれ
一定時間給液を行なう。各液体秤量タンク9゜10はオ
ーバフローした液体/、3を原液タンクよ。
6へ排出して一定量の液体/、jを貯める。次いで弁/
/、 /コを開き、各液体秤量タンク9,10内の液体
l、3をエツチング槽13へ供給する。エツチング槽1
3では液体l、3を攪拌して所定の混合比を有するエツ
チング液/lIを作る。これにより、安全かつ的確にエ
ツチング液/lIの定量調合が行える。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、上記構成の装置では、1つのエツチング
槽13に対して1つの液体供給系を必要とするので、複
数個の同一エツチング槽へ液体を供給する場合、エツチ
ング槽の数に対応する数の液体供給系を設置しなければ
ならず、装置全体が大型化する。さらに、エツチング槽
lJ内に設けられ      Jた攪拌装置により液体
lと3を攪拌混合しているので、前記のように複数個の
同一エツチング槽を設置する場合、エツチング槽の数に
応じた攪拌装置が必要となり、攪拌装置の設置上の無駄
が生じるばかりか、攪拌装置の取付スペース分だけ個々
のエツチング槽が大型化する。従りて半導体ウェハ製造
装置において同一般備を複数台設置することの無駄や、
それに伴なう装置全体の大型化という問題点があった。
本発明は、前記従来技術が持っていた問題点として、複
数個のエツチング槽へ薬液を供給する薬液供給系におい
て、同一般備を複数台設置することの無駄や、それに伴
なう装置全体の大型化の点について解決した半導体ウェ
ハ製造装置を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、前記問題点を解決するために、複数個のエツ
チング槽へ薬液を供給するようにした半導体ウェハ製造
装置において、1種類の第1の液体を供給する液体供給
系と、1種類以上の他の第2の液体を貯える少なくとも
1つ以上の原液タンクと、この原液タンクから供給され
る前記第2の液体を所定量貯える少な(とも1つ以上の
液体秤量タンクと、前記液体供給系から供給される前記
第1の液体を所定量受液すると共に、前記液体秤量タン
クから供給される所定量の前記第2の液体を受液し、該
第1と第2の液体を非反応性ガスで混合して薬液を調合
する調合タンクとを備え、この調合タンクで作られた薬
液を、複数個の薬液処理槽へ供給するようにしたもので
ある。
〔作用〕
本発明によれば、以上のように半導体ウェハ製造装置を
構成し・だので、少な(とも1つの調合タンクにより複
数種の液体を所定の比率で攪拌混合し、この調合タンク
によって作られた薬液を複数個の薬液処理槽へ供給でき
る。このため、調合すべき液体の種類に応じた液体供給
系、原液タンク及び液体秤量タンクと、調合タンクとを
設置するのみで足り、同一般備を複数台設置するという
無駄が省け、それに伴なう装置全体の小型化が図れ、薬
液供給システムの自動化やメンテナンスの簡易化が可能
となる。したがって、前記問題点を除去できるのである
〔実施例〕
第1図は本発明の第1の実施例を示す半導体ウェハ製造
装置の概略構造図である。この実施例では、一種類の液
体、例えば純水と弗酸を用い、純水で弗酸を稀釈して複
数の薬液処理槽へ供給する装置が示されている。
第1図において、lOOは受液器であり、この受液器1
00には仕切板10/によって受液槽100mとタンク
設置槽100 bとが形成されている。受液槽/DOa
の底部には弁IO,2を有する排液管10Jが連結され
ている。またタンク設置槽100b内には、液体(例え
ば、弗酸)llQを貯える原液タンク///と、攪拌調
合済の薬液(例えばエツチング液)lコOが貯えられる
調和液タンクl−Oとが設置されている。ポンプ系によ
る汲上げ設備を省略するため、調和液タンクノコlより
低位置に、複数個の同一の薬液処理槽(例えば、エツチ
ング槽)/J/。
13λ、/33が設置され、各エツチング槽131〜/
33には分岐用の弁/J’l、 /8.131mを有す
る共通配管/37を介して調和液タンクノコlからエツ
チング液lコOが供給される。
原液タンク///及び調和液タンク/1/の上方位置に
は、供給用ポンプ1lIo、液体ろ適用のフィルタ/参
/、液漏れ等の安全対策のために受皿iro上に設置さ
れた液体秤量タンク/!/、及び液漏れ等の安全対策の
ために受皿16θ上に設置された調合タンク/4/が設
けられている。そして、原液タンク///内の弗酸/1
0は、供給管/70を介してポンプ1lIoにより吸上
げられ、フィルタ/’I/でろ過された後、供給管/7
/に設けられた電磁弁等の制御弁17コを介して液体秤
量タンクtriへ供給される。
液体秤量タンク151は、原液タンク///から供給さ
れる弗酸iioを一定量秤量して一時貯えるもので、そ
の内部に上下位置調節可能なオーバフロー管lざ0を有
している。また液体秤量タンクlり/の底部には、制御
弁/1/を有する排出管igaと、制御弁/113を有
する供給管1r4Iとが連結されてい      Jる
。一方の排出管lざλはオーバフロー管/10の下端と
連結されて原液タンク///へ連通し、他方の供給管/
g’lは調合タンク/A/へ連通している。さらに液体
秤量タンクlSlの上部には、異状時のオーバフロー用
の排出管7ざjが連結され、この排出管/gSに連結さ
れた排出管/12を介してオーバフローした弗酸/10
が原液タンク///へ還元される。
調合タンクIt、/は、純水/90を所定量受液すると
共に、秤量績の弗酸iioを受液してこれらの液体を攪
拌混合して所定の比率の調合液、すなわちエツチング液
/20を作るものである。そのため、その容積は充分な
大きさを有している。そして調合タンク/6/の上方に
は、純水/90を送るための往路供給管/9/及び復路
供給管/L2が配設され、この供給管/9/、  /?
2に連結された3方弁/93を閉じることによって純水
/90がリバースリターン方式に循環している。そし″
C3方弁/F、7を開くことによって純水/qθが調合
タンク/A/に供給される。
調合タンク/l、/は、その内部に上下位置調節可能な
オーバフロー管200を有すると共に、多数の吹出孔を
有する攪拌用配管−O/が設けられている。
攪拌用配管二O7には、制御弁コ0コを介して、混合す
る液と反応しない非反応性ガス(例えば、N2ガス)コ
03が供給され、このN2ガス−03を多数の吹出孔か
ら吹出すことによって内部の液体を攪拌混合する。さら
に調合タンク/4/の上部には、N2ガスλ03の排気
を行なう排気管コopが設けられると共に、異状時のオ
ーバフロー用の排出管コO!が連結されている。そして
この排出管コ0!に連結された配管コ06を介してオー
バフローした液が受液槽100mへ排出される。また調
合タンク/A/の底部には、制御弁コ0りを有する排出
管コOgと、制御弁ユ09を有し調和液タンクノコlに
連通した供給管210とが連結されている。排出管20
Irは弁207を介して、オーバフロー管コO0は3方
弁2//を介して、それぞれ配管201.に連通してい
る。さらに3方弁J//は供給管210と連結しており
、該3方弁コ//を開くことによりオーバフロー管20
0と配管−06が連通し、該3方弁−7lを閉じること
によりオーバフロー管コ00と供給管210が連通ずる
前記各タンク///、/コ/、 /j?、、 /A/に
は、液体の有無等を検出するためにセンサが取付けられ
ている。すなわち、原液タンク///の側壁下部には液
体の有無を検出するセンサココOが取付けられている。
液体秤量タンクtriの側壁上部には液体の上限レベル
を検出する上限レベルセンサココlが、側壁下部にはタ
ンク内が空であることを検出する空検出センサ/10が
それぞれ取付けられている。
同様に、調合タンク/A/の上部には上限レベルセンサ
ココ3が、同タンク/l、/の下部には空検出センサ2
評が、調和液タンクノコ/の上部には上限レベルセンサ
ココ5が、同タンク/2/の下部には空検出センサーム
が、それぞれ取付けられている。そして各センサココ0
〜ココ6の検出信号は、図示しないが、この半導体クエ
ハ製造装置における液体の流れを制御するためのシーケ
ンス制御装置に入力される。シーケンス制御装置は、半
導体スイッチ、タイマ等で構成され、前記各七ンサコー
θ〜、2JAカらの検出信号を入力し、ポンプ/110
の駆動や、制御弁17コ、/ざ/、/lダ、−0コ、コ
07.コ09  及び3方弁/9J、コ//の開、閉等
を順次制御する。
なお、第1図において、各タンク///、 /J/。
/jt/、  /4/及びエツチング槽/、7/〜13
.?は、例えば鉄アングル筐体に弗素樹脂等の耐食性樹
脂が被覆された構造をなすと共に、液体/10.  /
コ0に触れるポンプlダ0、フィルタ/’II、管/7
01/7/・・・、弁17コ・1・等は、弗素樹脂等の
耐食性樹脂で作られるか、あるいはこの耐食性樹脂で被
覆され、薬品に侵されないような構造になっている。
次に、以上のように構成される半導体ウェハ製造装置の
動作について説明する。
なお、初期条件として、制御弁/7:t、 /II。
/13.コOλ、コ07.λOデ及び3方弁lデ3は閉
状態、3方弁コl/は開状態罠なっていると仮定する。
まず、図示しない操作パネル上の液体供給スイッチをオ
ンにすると、各センサーコλ、コ一ダ、−二6による各
タンク/!/、 /4/、 /;1/内が空である検゛
出信号、および原液タンク///に設けられたセンサー
−〇による液体有の検出信号に基づき、ポンプlダ0が
駆動すると共に、制御弁17−及び3方弁/9.3が開
く。
ポンプ/110が駆動すると、原液タンク///から汲
上げられた弗酸/10が、管/70→ポンプ14Io→
フィルタ/り/→管/7/→制御弁17コという経路で
液体秤量タンクlSlへ供給される。液体秤量タンクi
si内の弗酸/10が上限レベルに達すると、これがセ
ンサ2コ/により検出され、その検出信号によりポンプ
1lIoが停止すると共に制御弁17コが閉じて弗酸/
10の供給が停止される。液体秤量タンク/3/内にお
いて、上限レベルより上にオーバフローした弗酸llO
は、オーバフロー管7go及ヒ排出管/gコを介して原
液タンク///へ戻され、これによって割合比分の弗酸
iioが一定量秤量されて液体秤量タンクlSl内に貯
められる。
なお、センサ/10等の故障により、液体秤量タンク/
に/への弗酸/lθの供給が停止されない場合には、余
剰の弗酸/10が排出管lざjを介して原液タンク//
/へ排出され、これが図示しないセンサにより検出され
る。すると、制御弁It/が開き、秤量操作不完全とし
て液体秤量タンクizi内の弗酸l/θが全て原液タン
ク/10へ戻される。セしてセンサ/10等の故障の原
因が取除かれた後、再度、上記と同様にして液体秤量タ
ンク/jlへの弗酸/10の供給操作が行なわれる。
一方、このような液体秤量タンク/!lへの弗酸/10
の供給操作と並行して、調合タンクtbiへの純水/デ
0の供給操作が行なわれる。すなわち、前記薬液供給ス
イッチがオンして3方弁/?、?が開(と、配管/?/
、  11.1内を循環する純水/90が、該3方弁l
デ3を介して調合タンク/A/に供給される。
調和タンク/A/内の純水/テ0が上限レベルに達する
と、これがセンサココ3により検出され、その検出信号
により3方弁/?3が閉じて純水/90の供給が停止さ
れる。調合タンク161内において、上限レベルより上
にオーバフローした純水/90は、オーバ70−管コ0
0→開状態の3方弁コ//→配管206→受液槽100
mという経路で排出されるため、調合タンク/A/内に
は一定量秤量された純水/90が貯えられる。
調合タンク/4/のセンサココ3及び液体秤量タンクl
Slのセンサコ21が、各液体の上限レベルを検出する
と、その各検出信号が図示しないタイマに与えられる。
このタイマは雨検出信号の入力を条件として作動を開始
し、設定時間経過後に3方弁コ//を閉じると共に制御
弁/ざ3を開(。この設定時間は、タンク7kl、  
/l、/の秤量に要する時間を考慮して決められる。
制御弁/gJが開くと、液体秤量タンクl!lにより秤
量された弗酸/10が調合タンク/4/へ供給される。
この際3方弁コ//は配管206への経路が閉じている
が、供給管−70に向う経路が開いている。
しかし制御弁−〇9が閉じているので、液体秤量タンク
/タフ内に投入された弗酸110は、オーバフロー管2
00→3方弁コ//→供給管210へと流れるが、制御
弁コ09で阻止される。
なお、調合タンク/6)内に収容された純水/90及び
弗酸/10の量が、秤量不完全により設定値を超えると
、余剰分が排出管コO!→配管コ06→受液檀100m
へと排出され、これが図示しないセンサにより検出され
る。すると制御弁207が開き、秤量操作不完全として
調合タンク/A/内の液体が全℃受液槽100 mへ排
出され、再度、上記と同様にして、液体秤量タンクir
iへの弗酸/10の供給、調合タンク/A/への純水/
デ0の供給、および該調合タンク/l、/への弗酸ii
oの供給という操作が行なわれる。
次に、液体秤量タンク/に/内の弗酸/10が、全て調
合タンク/l、/へ排出されると、これが液体秤量タン
クiriのセンサーココにより検出され、その検出信号
により、制御弁/13が閉じると共に、図示しないタイ
マが作動して一定時間、制御弁コθコが開く。制御弁コ
Oコが開くと、N2ガスコ03が攪拌用配管20/から
吹出し、調合タンク/A/内の純水/90及び弗酸/1
0が攪拌混合され、調合液であるエツチング液l−〇が
作られる。
制御弁コOjが開いて一定時間経過すると、前記タイマ
により制御弁20デが開き、エツチング液lコOが、供
給管コ10→制御弁コOqという経過と、オーバフロー
管200→3方弁コ/l→供給管コ/ Q−4’制御弁
209という経過とをへて、調和液タンクl−/へ供給
される。調和液タンクl−/内のエツチング液lコ0が
上限レベルに達すると、これがセンサココjにより検出
され、その検出信号により制御弁コOデが閉じる。
前記レベルセンサijの検出信号に基づいて、あるいは
手動により、弁/3’l−/34が開き、調和液タンク
lコノ内のエツチング液120が管/37を介して各エ
ツチングへ供給され、薬液の供給操作が終了する。その
後、各エツチング槽/3/ −/、7.7内で半導体ウ
ェハのエツチング処理が行なわれる。
而して本実施例によれば、1つの調合タンク/6/によ
り、2種類の液体を所定の比率で攪拌混合して調合液を
作り、これを複数個のエツチング槽/3/ −/33へ
供給できるため、装置全体の小型化やメンテナンスの簡
易化が可能となり、さらに調合量の同一なエツチング液
l−〇を各エツチング槽/3/〜/、7.7へ供給でき
る。しかも各タンク/// 。
/λ/、 /!r/、 /A/に対する液体の供給、排
出は、各センサ信号に基づき所定の処理シーケンスに従
って自動的に行なわれるため、作業者の安全確保、薬液
調合時間の短縮、調合量の均一性、塵埃等からの汚染の
防止等を図ることができ、これによって半導体ウェハの
製品歩留を向上させることができる。また、調合タンク
/A/での攪拌は、N2ガス203を用いて行なってい
るため、攪拌機構が簡単となる利点もある。さらにまた
、調和タンク/6/のオーバフロー管200は、3方弁
コllを介して供給管コ10に連結されているため、オ
ーバ70−管コ00内に入っている調合量の液体は、3
方弁コ/l→供給管コlO→制御弁209という経路で
調和液タンクl−lへ供給される。そのため、調合タン
ク16/における秤量精度を向上させることができる。
第3図は、本発明の第2の実施例を示す半導体ウニ八制
御装置の概略構成図である。この装置では、複数の原液
タンク///、  J//と複数の液体秤量タンク/!
t/、  3!/とが設けられている。このような構成
によれば、各原液タンク///、  3//内に複数種
の薬品を収容し、これら複数種の薬品と純水/90とを
混合して他のエツチング液を作ることが可能となる。
なお、上記第1.第2実施例においては、純水/90を
用いたエツチング液/コ0の定量調合について述べたが
、純水/9θの代りに他の液体等を用いてエツチング液
以外の薬液の定量調合を行なう場合も、本発明の装置を
用いることができる。また、調合タンク/A/の数を液
体秤量タンク/!/、8/の設置個数に応じて追加した
り、配管7.77を複数本の個別配管としたり、各セン
サの取付は個数や、取付は場所、あるいはこれらの各セ
ンサ信号に基づき実行される処理シーケンス等を種々変
形しうろことは勿論である。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したよ5に、、本発明によれば、少なく
とも1つ以上の原液タンク、その原液タンク数に対応し
た数の液体秤量タンク、及び調合タンクを備え、前記調
合タンクで作られた調合液を複数個の薬液処理槽へ供給
するようKしたので、同−設備を複数台設置するという
無駄が省け、これに伴なう装置全体の小型化が図れ、薬
液供給システムの自動化やメンテナンスの簡易化が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す半導体ウェハ製造
装置の全体構成図、第2図は従来の半導体ウェハ製造装
置の構成図、第3図は本発明の第2の実施例を示す半導
体ウェー・製造装置の概略構成図である。 /10. /90・・・液体、iii、 、yii・・
・原液タンク、lコ0・・・調合済薬液(エツチング液
)、lコト・・調和液タンク、/、7/ −/、7.7
・・・薬液処理槽(エツチング槽)、/!/、8/・・
・液体秤量タンク、/4/・・・調合タンク、lざO,
コ00・・・オーバ70−管、コ0/・・・攪拌用配管
、203・・・非反応性ガス(N2ガス)、ココ0〜−
一6・・・センナ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、少なくとも2種類以上の液体からなる混合薬液が満
    たされる薬液処理槽内で、半導体ウェハを薬液処理する
    半導体ウェハ製造装置において、1種類の第1の液体を
    供給する液体供給系と、1種類以上の他の第2の液体を
    貯える少なくとも1つ以上の原液タンクと、この原液タ
    ンクから供給される前記第2の液体を所定量貯える少な
    くとも1つ以上の液体秤量タンクと、前記液体供給系か
    ら供給される前記第1の液体を所定量受液すると共に、
    前記液体秤量タンクから供給される所定量の前記第2の
    液体を受液し、該第1と第2の液体を非反応性ガスで混
    合して薬液を調合する調合タンクと、この調合タンクか
    ら供給される前記薬液を収容する複数個の薬液処理槽と
    を備えたことを特徴とする半導体ウェハ製造装置。 2、前記調合タンクは、前記第1の液体を所定量受液す
    るためのオーバフロー管と、受液した前記第1と第2の
    液体を混合するための非反応性ガス供給手段と、前記オ
    ーバフロー管と連結され前記混合液の薬液を前記薬液処
    理槽へ排出するための管とを備えた特許請求の範囲第1
    項記載の半導体ウェハ製造装置。
JP1227885A 1985-01-25 1985-01-25 半導体ウエハ製造装置 Pending JPS61171138A (ja)

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