JPS61169753A - 測定方法および装置 - Google Patents

測定方法および装置

Info

Publication number
JPS61169753A
JPS61169753A JP903285A JP903285A JPS61169753A JP S61169753 A JPS61169753 A JP S61169753A JP 903285 A JP903285 A JP 903285A JP 903285 A JP903285 A JP 903285A JP S61169753 A JPS61169753 A JP S61169753A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
cell
input signal
measured
threshold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP903285A
Other languages
English (en)
Inventor
Shuichi Hanajima
花島 秀一
Masaaki Harazono
正昭 原園
Seiichi Takei
武井 清一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP903285A priority Critical patent/JPS61169753A/ja
Publication of JPS61169753A publication Critical patent/JPS61169753A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、測定技術、特に半導体装置の製造におけるウ
ェハ処理工程において、ウェハ洗浄液の濃度測定技術に
適用して有効な技術に関する。
[背景技術] 一般に、半導体装置の製造においては、たとえば、シリ
コンなどの半導体からなる基板、すなわちウェハに、い
わゆるブレーナ技術によって所定の半導体素子を形成す
ることが行われる。
この場合、ウェハの表面に化学気相成長法などによって
薄膜を形成する工程に先立って、ウェハ表面に付着する
異物や金属イオンなどを除去するため、たとえば過酸化
水素やアンモニアなどを所定の濃度に含有する水溶液か
らなる洗浄液によって洗浄することが行われる。
この洗浄液の濃度を測定する方法としては、たとえば二
つのコイルを同軸状に対向させ、一方のコイルには所定
の周波数の交流電流を通じておき、被測定液を二つのコ
イルの軸部に介在させ、他方のコイルに発生される誘導
起電力を測定することによって被測定液の電解質の濃度
を測定する、いわゆる電磁濃度計を、洗浄液が貯留され
る槽内に浸漬し、洗浄液中の過酸化水素やアンモニアな
どの電解質の濃度を測定することが考えられる。
しかしながら、上記の場合、たとえば過酸化水素などの
分解反応などによって液中に気泡が生じることは避けら
れず、この気泡が測定精度を低下させる原因となり、さ
らに、洗浄液が貯留される槽内に浸漬される電TIf1
濃度計自身が汚染源となって洗浄液が汚染されるなどの
不具合があることを本発明者は見いだした。
なお、半導体装置の製造におけるウェハ処理工程につい
て説明されている文献としては、株式会社工業調査会、
昭和56年11月10日発行、「電子材料J 1981
年別冊、P95〜102がある。
[発明の目的] 本発明の目的は、被測定液を汚染することなく高精度に
測定することが可能な測定技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、っぎの通りである。
すなわち、被測定液が貯留される貯留槽の外部に設けら
れ、測定部が挿入されるセルと、このセルの被測定液供
給ノズルに接続され、被測定液を貯留槽から前記セル内
に送る第1のポンプ機構と、セルの被測定液出口ノズル
に接続され、セル内の被測定液を排出する第2のポンプ
機構とを設けることにより、セル内の測定部が浸漬され
る被測定液が測定部の測定動作毎にセル外に排出され、
測定部が被測定液の外部に露出されるようにすることに
よって、被測定液に浸漬される測定部表面に発生される
気泡に起因する測定誤差を低減するとともに測定部によ
る被測定液の汚染を防止し、さらに、被測定液に浸漬さ
れた測定部から入力され、予め設定された第1のしきい
値と比較することによって所定のノイズ成分が除去され
た入力信号を、この入力信号に基づいて逐次更新される
第2のしきい値と比較することにより、前記入力信号に
含まれ、測定部に浸入される気泡などに起因して経時的
に変化するノイズ成分を除去することを可能にして測定
精度を向上させるものである。
〔実施例] 第1図は本発明の一実施例であるウェハ洗浄液の濃度測
定装置の一部を略断面図で示すブロック図である。
貯留槽lには、所定の濃度に過酸化水素あるいはアンモ
ニアなどを含む洗浄液2が貯留されている。
この貯留槽lの外部には、セル3が設けられ、たとえば
電!fttM度計K(測定部)が挿入されている。
さらに、セル3には被測定液供給ノズル4が設けられ給
液ポンプ機構5(第1のポンプ機構)を介して貯留槽1
内の洗浄液2がセル3内に送られ、セル3内は洗浄液2
によって満たされ、セル3内に挿入される電磁濃度計K
が洗浄液2に浸漬される構造とされている。
このように、電磁濃度計Kが洗浄液2が貯留される貯留
槽lの外部に設けられたセル3内において洗浄液2に浸
漬される構造であるため、電磁濃度計に自身が汚染源と
なって貯留槽1内に貯留される洗浄液2が汚染されるこ
とが防止される。
また、セル3には被測定液排出ノズル6が設けられ、こ
の被測定液排出ノズル6に接続された排液ポンプ機構7
(第2のポンプ機構)によって、所定の時期にセル3内
に満たされた洗浄液2がセル3の外部に排出されるよう
に構成されている。
この場合、給液ポンプ機構5および排液ポンプ機構7は
交互に作動され、−回の給液ポンプ機構5の作動によっ
てセル3内に満たされ、電磁濃度計Kが浸漬される所定
量の洗浄液2によって測定動作が行われた後、セル3内
の洗浄液2は排液ポンプ機lI7を動作させることによ
って迅速にセル3の外部に排出され、電磁濃度計にの表
面は洗浄液2の外部に露出される操作が繰り返される。
このため、たとえば電磁濃度計にの表面の洗浄液2に浸
漬される部分に発生して付着され、経時的に増加する気
泡は、前記の排液操作によって電磁濃度計にの表面が被
測定液2の外部に露出される際に消滅され、次の測定動
作時に電磁濃度計にの表面に付着される気泡に起因して
測定誤差が増大することが防止される。
また、セル3の上部には排液ポンプ機構7の下流側に連
通されるオーバーフローパイプ8が設けられ、給液ポン
プ機構5によってセル3内に供給される過剰の洗浄液2
が適宜排出される構造とされている。
同様にセル3の上部には、排気ノズル9が設けられ、セ
ル3の内部で電磁濃度計にと洗浄液2との接触面などに
おいて気泡となって発生される気体がセル3の外部の所
定の部位に排除されるように構成されている。
一方、電磁濃度計Kによって得られた測定値は、たとえ
ば電圧などの電気的な信号に変換され、入力信号S1と
して、第1比較部IOに入力される。
この第1比較部10においては、固定しきい値保持部1
1に予め手動操作などで設定され、保持される固定しき
い値TI  (第1のしきい値)に基づいて入力信号S
lに含まれる所定のレベルのノイズ成分が除去され入力
信号S2として次の第2比較部12に送達される。
この場合、第1比較部10において所定のレベルのノイ
ズ成分が除去された入力信号S2の一部は分岐されてし
きい値算出部13に送達され、所定数の入力信号S2に
基づいて逐次更新される演算しきい値T2(第2のしき
い値)が算出される。
このしきい値算出部13の構造としては、たとえば所定
数の入力信号S2を格納できるメモリを二つ設け、所定
数の入力信号S2から演算しきい値T2の算出に要する
時間ごとに二つのメモリを交互に使用することによって
、連続的にしきい値演算部13に送達される入力信号S
2を処理する構造とすることが考えられる。
そして、第2比較部12においては、しきい値蒐出部1
3において得られた演算しきい値T2に基づいて入力信
号S2が処理され、たとえば大きな気泡がセル内に侵入
される場合などの経時的な変化に起因するノイズが除去
され、入力信号S3としてデータ保持部14に送達され
る。
このデータ保持部14においては、所定の時間内に入力
された入力信号S3の平均値が算出され、たとえばブラ
ウン管などで構成される表示部15において測定値とし
て表示される。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、セル3の被測定液供給ノズル4に接続される給液
ポンプ機構5が作動され、貯留槽l内の洗浄液2は所定
量だけセル3内に導入される。
この時、排液ポンプ機構7は停止されており、セル3の
内部は洗浄液2によって満たされ、セル3の内部に挿入
される!磁濃度計には洗浄液2の液面下に没入されて浸
漬される。
そして、電磁濃度計Kに検出された測定値は、入力信号
S1として第1比較部10に送達される。
第1比較部10においては、固定しきい値保持部11に
予め手動操作などによって設定された固定しきイ1値T
1によって所定のレベルのノイズ成分が除去され、入力
信号S2として第2比較部12に送達される。
この時、入力信号S2の一部はしきい値演算部13に送
達され、入力信号S2に基づいて逐次更新される演算し
きい値T2が算出される。
そして、第2比較部12においては、前記の演算しきい
値T2に基づいて入力信号S2が処理される。
このため、たとえばセル3内において電磁濃度計Kが洗
浄液2に浸漬される測定時間内に、大きな径の気泡が侵
入するなどして、第1比較部において除去できない大き
なノイズが入力信号S1に混入され入力信号S2となっ
て第2比較部12に送達されても、演算しきい値T2が
前記気泡浸入前の通常の入力信号S2に基づいて算出さ
れているため、極端な値を持つ入力信号S2は抑制され
る。
この結果、データ保持部には正確な入力信号S2のみが
送達され、表示部15において正確な洗浄液2の濃度が
知られる。
所定時間経過後、排液ポンプ機構7が作動され、セル3
内の洗浄液2はセル3の外部に排出され、1!磁濃度計
にの表面が洗浄液2の外部に露出される。
このように、測定処理後セル3内の洗浄液2がセル3の
外部に排除され電磁濃度計にの表面が露出されるため、
セル3内において電磁濃度計Kが洗浄液2に浸漬される
際に電磁濃度計にの表面に徐々に発生される気泡が消滅
され、後の測定動作時に電磁濃度計にの表面に付着され
る気泡に起因して測定誤差が増大することが防止される
所定の時間経過後、排液ポンプ機構7が停止され、給液
ポンプ機構5が作動されて、セル3内には再び貯留槽1
から供給される新たな洗浄液2が満たされる。
上記の一連の操作を繰り返すことによって、貯留槽1内
の洗浄液2の濃度が、洗浄液2を汚染することなく、継
続して高精度に行われる。
[効果] (1)、被測定液に浸漬された測定部から入力され、予
め設定された第1のしきい値と比較することによって所
定のノイズ成分が除去された入力信号を、この入力信号
に基づいて逐次更新される第2のしきい値と比較するこ
とにより、前記入力信号に含まれ、経時的に変化するノ
イズ成分が除去されるため、測定精度が向上される。
(2)、測定部が挿入されるセルと、このセルの被測定
液供給ノズルに接続され、被測定液を貯留槽から前記セ
ル内に送る第1のポンプ機構と、セルの被測定液出口ノ
ズルに接続され、セル内の被測定液を排出する第2のポ
ンプ機構とからなり、セル内の測定部が浸漬される被測
定液が測定部の測定操作毎にセル外に排出され、測定部
が被測定液の外部に露出されるため、測定部が被測定液
に浸漬される際に測定部表面に徐々に形成される気泡が
消滅され、後の測定操作おいて測定部表面に形成される
気泡に起因する測定精度の低下が防止される。
(3)、前記(2)の結果、測定部が汚染源となって貯
留槽内の被測定液が汚染されることが防止される。
(4)、前記(11,(21,(31の結果、ウェハ洗
浄工程における生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば測定部としては、紫外線分光光度計、イオン電
極などを使用することも可能である。
C利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハ洗浄液の濃度
測定技術に適用した場合について説明したが、それに限
定されるものではなく、たとえば、継続的な濃度管理が
必要とされる溶液の濃度測定技術に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例であるウェハ洗浄液の濃度測
定装置の一部を略断面図で示すブロック図である。 1・・・貯留槽、2・・・洗浄液(被測定液)、3・・
・セル、4・・・被測定液供給ノズル、5・・・給液ポ
ンプ機構、6・・・排液ノズル、7・・・排液ポンプ機
構、8・・・オーバーフローパイプ、9・・・排気パイ
プ、10・・・第1比較部、11・・・固定しきい値保
持部、12・・・第2比較部、13・・・しきい値演算
部、14・、・・データ保持部、15・・・表示部、K
・・・電磁濃度計(測定部)、Sl、S2・・・入力信
号、T1・・・固定しきい値(第1のし、きい値)、T
2・・・演算しきい値(第2のしきい値)。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被測定液に浸漬された測定部から入力され、予め設
    定された第1のしきい値と比較することによって所定の
    ノイズ成分が除去された入力信号を、該入力信号に基づ
    いて逐次更新される第2のしきい値と比較することによ
    って、前記入力信号に含まれ、経時的に変化するノイズ
    成分を除去することを特徴とする測定方法。 2、被測定液がウェハの洗浄液であることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の測定方法。 3、測定部が挿入されるセルと、該セルの被測定液供給
    ノズルに接続され、被測定液を貯留槽から前記セル内に
    送る第1のポンプ機構と、セルの被測定液出口ノズルに
    接続され、セル内の被測定液を排出する第2のポンプ機
    構とからなり、セル内の測定部が浸漬される被測定液が
    測定部の測定動作毎にセル外に排出され、測定部が被測
    定液の外部に露出されることを特徴とする測定装置。 4、測定部が電磁濃度計であることを特徴とする特許請
    求の範囲第3項記載の測定装置。
JP903285A 1985-01-23 1985-01-23 測定方法および装置 Pending JPS61169753A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP903285A JPS61169753A (ja) 1985-01-23 1985-01-23 測定方法および装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP903285A JPS61169753A (ja) 1985-01-23 1985-01-23 測定方法および装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61169753A true JPS61169753A (ja) 1986-07-31

Family

ID=11709309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP903285A Pending JPS61169753A (ja) 1985-01-23 1985-01-23 測定方法および装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61169753A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5439569A (en) Concentration measurement and control of hydrogen peroxide and acid/base component in a semiconductor bath
KR101791490B1 (ko) 전산화성 물질 농도의 측정 방법, 기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템
JP2003521710A (ja) パルス電流測定法を用いる水溶液中の過酢酸の特異的検出のための電気化学的センサー
JP5773132B2 (ja) 過硫酸濃度の測定方法、過硫酸濃度測定装置、及び過硫酸供給装置
KR20130049731A (ko) 세정 장치, 측정 방법 및 교정 방법
JPS6363858B2 (ja)
JPS61169753A (ja) 測定方法および装置
US5882598A (en) Wafer gap conductivity cell for characterizing process vessels and semiconductor fabrication processes and method of use
JP3508712B2 (ja) レジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法
JPS58171821A (ja) プラズマ処理における汚染度又は清浄度検知方法およびその装置
CN114270185A (zh) 用于测定分析物溶液中至少一种分析物物质的方法和设备
EP2656064B1 (en) Dissolved nitrogen concentration monitoring method and substrate cleaning method
US4612094A (en) Electrical conditioning of a platinum electrode useful in measurement in hypochlorite
JP3459719B2 (ja) シリコンウエハ処理装置
JPS5939030A (ja) 純水洗浄装置
JPH0661218A (ja) 半導体のエッチング方法およびその装置
EP0608037A2 (en) Method and apparatus for on-line monitoring the quality of a purified metal sulphate solution
US6746579B2 (en) Electrolytic gold plating method and apparatus therefor
JP2000303093A (ja) ガス溶解洗浄水の評価装置
JP3265185B2 (ja) 腐食速度測定方法およびその装置
JPH0737857A (ja) 処理液監視装置
JPH06308079A (ja) エッチング反応速度の評価方法
JP2000055850A (ja) アンモニア性窒素濃度測定装置における故障検出方法
JP2009200346A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JPH0226740B2 (ja)