JPS61167213A - 同調装置 - Google Patents
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- JPS61167213A JPS61167213A JP863685A JP863685A JPS61167213A JP S61167213 A JPS61167213 A JP S61167213A JP 863685 A JP863685 A JP 863685A JP 863685 A JP863685 A JP 863685A JP S61167213 A JPS61167213 A JP S61167213A
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- tuning device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はラジオ、テレビの送信機もしくは受信機、およ
びその他通信機全般に用いることができる同調装置に関
するものである。
びその他通信機全般に用いることができる同調装置に関
するものである。
従来の技術
3ベーノ
近年、ラジオおよびテレビの放送電波および通信機の通
信電波が増加しており、受信希望電波の周波数選択をす
る同調装置の性能においては、高い安定性と信頼性が必
要とされている。一方、同調装置を設置するそれら受信
機、送信機および通信機の製造コストの低減および省ス
ペース化も大きな課題であり、特に合理化が困難な高周
波部の同調回路部品およびシールド方法について抜本的
な新技術の開発が特に必要とされている。
信電波が増加しており、受信希望電波の周波数選択をす
る同調装置の性能においては、高い安定性と信頼性が必
要とされている。一方、同調装置を設置するそれら受信
機、送信機および通信機の製造コストの低減および省ス
ペース化も大きな課題であり、特に合理化が困難な高周
波部の同調回路部品およびシールド方法について抜本的
な新技術の開発が特に必要とされている。
・以下図面を参照しながら、上述した従来の同調装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
第6図は従来の同調装置の斜視図を示すものである。第
5図において、1はインダクタ部品、2はキャパシタ部
品であり、それぞれは基板3に設けられた回路導体4お
よび6によって接続されて同調回路を構成していた。ま
た他の回路網(図示せず)との電気的接続は2次コイル
6などによって取出した信号を回路導体7を介して信号
の授受が行われていた。8はシールドケースであり、隣
接する他の同調回路(図示せず〕との相互結合を発生さ
せるためには結合用窓9などを設けていた。
5図において、1はインダクタ部品、2はキャパシタ部
品であり、それぞれは基板3に設けられた回路導体4お
よび6によって接続されて同調回路を構成していた。ま
た他の回路網(図示せず)との電気的接続は2次コイル
6などによって取出した信号を回路導体7を介して信号
の授受が行われていた。8はシールドケースであり、隣
接する他の同調回路(図示せず〕との相互結合を発生さ
せるためには結合用窓9などを設けていた。
(例えば[ソリッドステー)FM受信機」福井。
鈴木著、電気書院、224〜230ページ)。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、それぞれの部品を
定められた設定位置に高い精度で設置することが困難で
あり、それによって高周波同調装置としての同調周波数
が設定目標値から大きくずれると共に一定値に収れんさ
れることが不可能であった。またシールドケースとそれ
ぞれの同調部品の位置関係を高精度に定めることが困難
であり、それによってシールド性能が不安定であると共
に同調周波数およびQ値が設定目標値から太きくずれて
いた。更に2次コイルとインダクタ部品の位置関係も高
精度に高めることが困難であり、それによって授受する
信号の量が設定目標値から大きくずれていた。そして隣
接する他の同調装置との結合度を任意にかつ容易に調整
することが困難であり1周波数特性が設定目標値から大
きくずれていた。以上のように、上記のような構成では
高性6ページ 能の同調装置を実現するには限界があるという問題点を
有していた。
定められた設定位置に高い精度で設置することが困難で
あり、それによって高周波同調装置としての同調周波数
が設定目標値から大きくずれると共に一定値に収れんさ
れることが不可能であった。またシールドケースとそれ
ぞれの同調部品の位置関係を高精度に定めることが困難
であり、それによってシールド性能が不安定であると共
に同調周波数およびQ値が設定目標値から太きくずれて
いた。更に2次コイルとインダクタ部品の位置関係も高
精度に高めることが困難であり、それによって授受する
信号の量が設定目標値から大きくずれていた。そして隣
接する他の同調装置との結合度を任意にかつ容易に調整
することが困難であり1周波数特性が設定目標値から大
きくずれていた。以上のように、上記のような構成では
高性6ページ 能の同調装置を実現するには限界があるという問題点を
有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、インダクタとキャパシタを
一体形成し、またシールド性能を高安定化し、また同調
周波数および同調Qを高精度化および高安定1ヒし、ま
た超薄形のシールド形態を実現した同調装置を提供する
ものである。
一体形成し、またシールド性能を高安定化し、また同調
周波数および同調Qを高精度化および高安定1ヒし、ま
た超薄形のシールド形態を実現した同調装置を提供する
ものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明の同調装置は゛、誘
電体回路基板の表裏において互いにアース端子が相異対
向位置関係となるように設定したインダクタ電極を対向
設置し、そのインダクタ電極の外側部に間隙を有するア
ース導体を包囲設置し。
電体回路基板の表裏において互いにアース端子が相異対
向位置関係となるように設定したインダクタ電極を対向
設置し、そのインダクタ電極の外側部に間隙を有するア
ース導体を包囲設置し。
低吸収損失性能を有する導体材料によるシールド器を包
囲設置するという構成を備えたものである。
囲設置するという構成を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成により、集中定数インダクタに対
して分布定数キャパシタを寄生させて共振同調回路を形
成させ、その外周部に間隙を有するアース導体を包囲設
置することにより共振同調6ページ 回路のQ値を低下させることなく高シールド性能を確保
し得るようにし、低吸収損失性能を有する導体材料を共
振同調回路に近接包囲設置することによりQ値低下を発
生させることなく高シールド性能を確保させる。
して分布定数キャパシタを寄生させて共振同調回路を形
成させ、その外周部に間隙を有するアース導体を包囲設
置することにより共振同調6ページ 回路のQ値を低下させることなく高シールド性能を確保
し得るようにし、低吸収損失性能を有する導体材料を共
振同調回路に近接包囲設置することによりQ値低下を発
生させることなく高シールド性能を確保させる。
実施例
以下本発明の実施例の同調装置について、図面を参照し
ながら説明する。第1図は本発明の実施例における同調
装置の構成図を示すものである。
ながら説明する。第1図は本発明の実施例における同調
装置の構成図を示すものである。
第1図において、aは表面図、bは側面図、Cは裏面図
を示す。第1図において、10は誘電体基鈑、11ない
し14はインダクタ電極であシインダクタ電極11およ
び12更に13および14それぞれのアース端子は相異
対向位置関係となるように設定する。16および16は
シールド器であり、低吸収損失性能を有する導体材料を
使用する。
を示す。第1図において、10は誘電体基鈑、11ない
し14はインダクタ電極であシインダクタ電極11およ
び12更に13および14それぞれのアース端子は相異
対向位置関係となるように設定する。16および16は
シールド器であり、低吸収損失性能を有する導体材料を
使用する。
17および18はアース導体であり、アース導体17お
よび18は間隙部19ないし22を有している。またイ
ンダクタ電極11ないし14のアース端子、23および
24はアース導体17の一部7ベーノ 分と接続されている。
よび18は間隙部19ないし22を有している。またイ
ンダクタ電極11ないし14のアース端子、23および
24はアース導体17の一部7ベーノ 分と接続されている。
以上のように構成された同調装置についてその動作を説
明する。
明する。
(以下、共振回路部の動作説明において上記インダクタ
電極を伝送路電極、それぞれの上記インダクタ電極より
成る共振回路部を同調器として説明する。) 第2図a ’−eは本発明の同調器における動作を説明
するだめの等価回路である。第2図aにおいて、”電気
長lを有し、互いにアース端子を逆方向側に設定したそ
れぞれの伝送路電極70.71によって形成される伝送
路に対して、電圧ef全発生る信号源72が伝送路電極
70に接続されて信号を供給するものとする。そして、
それによって伝送路電極70の先端におけるオープン端
子には進行波電圧eAが励起されるものとする。一方。
電極を伝送路電極、それぞれの上記インダクタ電極より
成る共振回路部を同調器として説明する。) 第2図a ’−eは本発明の同調器における動作を説明
するだめの等価回路である。第2図aにおいて、”電気
長lを有し、互いにアース端子を逆方向側に設定したそ
れぞれの伝送路電極70.71によって形成される伝送
路に対して、電圧ef全発生る信号源72が伝送路電極
70に接続されて信号を供給するものとする。そして、
それによって伝送路電極70の先端におけるオープン端
子には進行波電圧eAが励起されるものとする。一方。
伝送路電極71は上記の伝送路電極70に近接して対向
設置もしくは並設されているので、相互誘導作用によっ
て電圧が誘起される。その伝送路電極71の先端におけ
るオープン端子に誘起される進行波電圧をeB とする
。
設置もしくは並設されているので、相互誘導作用によっ
て電圧が誘起される。その伝送路電極71の先端におけ
るオープン端子に誘起される進行波電圧をeB とする
。
ここで伝送路電極7oおよび71においてはそれぞれの
アース端子が逆方向側に設定されているので、誘起され
る進行波電圧QBは励起する進行波電圧eAに対して逆
位相となる。そして、それぞれの進行波電圧e□および
QBは伝送路の先端がオープン状態であるので、伝送路
電極Toおよび71より成る伝送路において電圧定在波
を形成することになる。ここで伝送路電極70における
電圧定在波の分布様態を示す電圧分布係数をKで表わす
ものとすると、伝送路電極71における電圧分布係数は
(1−K)で表わすことができる。
アース端子が逆方向側に設定されているので、誘起され
る進行波電圧QBは励起する進行波電圧eAに対して逆
位相となる。そして、それぞれの進行波電圧e□および
QBは伝送路の先端がオープン状態であるので、伝送路
電極Toおよび71より成る伝送路において電圧定在波
を形成することになる。ここで伝送路電極70における
電圧定在波の分布様態を示す電圧分布係数をKで表わす
ものとすると、伝送路電極71における電圧分布係数は
(1−K)で表わすことができる。
そこで次に、伝送路電極70および71において任意の
対向する部分において発生する電位差Vを求めると。
対向する部分において発生する電位差Vを求めると。
v二Ke□−(1−K)eB ・・・・・・・ (
1)で表わすことができる。ここで、それぞれの伝送路
電極70および71が同じ電気長lであるとすると。
1)で表わすことができる。ここで、それぞれの伝送路
電極70および71が同じ電気長lであるとすると。
9ページ
eB””−eA ・・・・・・・
・・ (2)と々す、それによって第1式における電
位差VはV=Ke、+ (1−K) IIIA =e□ ・・・・・・・・・
(3)と寿る。すなわち伝送路電極7oと71がそれぞ
れ対向する全ての部分において電位差Vを発生させるこ
とができる。
・・ (2)と々す、それによって第1式における電
位差VはV=Ke、+ (1−K) IIIA =e□ ・・・・・・・・・
(3)と寿る。すなわち伝送路電極7oと71がそれぞ
れ対向する全ての部分において電位差Vを発生させるこ
とができる。
ここで伝送路電極70および71はその電極巾Wを有す
るものとしく電極の厚みは薄いものとする)、さらに誘
電率86を有する誘電体を介して間隔dに対向されてい
るものとする。この場合における伝送路の単位長当りに
形成するキャパシタンスC8は、 であり、故に 10ページ となる。
るものとしく電極の厚みは薄いものとする)、さらに誘
電率86を有する誘電体を介して間隔dに対向されてい
るものとする。この場合における伝送路の単位長当りに
形成するキャパシタンスC8は、 であり、故に 10ページ となる。
従って、第2図aに示す伝送路は、第2図すに示すよう
な単位長当りにおいて第6式で求まるC8の分布キャパ
シタ73を含んだ伝送路となる。
な単位長当りにおいて第6式で求まるC8の分布キャパ
シタ73を含んだ伝送路となる。
さらに、この伝送路は第2図Cに示すように、伝送路の
分布インダクタ成分および伝送路の屈曲形状により発生
する集中インダクタ成分それぞれによる総合的な分布イ
ンダクタ77および78と分布キャパシタ73よりなる
分布定数回路と等価に表わすことができる。
分布インダクタ成分および伝送路の屈曲形状により発生
する集中インダクタ成分それぞれによる総合的な分布イ
ンダクタ77および78と分布キャパシタ73よりなる
分布定数回路と等価に表わすことができる。
次に、この分布キャパシタ73の形成における伝送路の
電気長βとの関係について説明する。第3図aに示すよ
うな伝送路における単位長当りの特性インピーダンス2
゜は、第3図すに示す等価回路で表わすことができる。
電気長βとの関係について説明する。第3図aに示すよ
うな伝送路における単位長当りの特性インピーダンス2
゜は、第3図すに示す等価回路で表わすことができる。
その特性インピーダンス2゜は一般的に
11ぺ−7
となる。ここで伝送路が無損失の場合はとなる。本発明
の同調器における実施例の多くはこの仮定を適用するこ
とができ、かつ説明の簡略化のため以下第8式に示す特
性インピーダンスZ。
の同調器における実施例の多くはこの仮定を適用するこ
とができ、かつ説明の簡略化のため以下第8式に示す特
性インピーダンスZ。
を用いる。第8式におけるキャパシタンスC6は第6式
において求めた伝送路における単位当りのキャパシタン
スC6と同じものである。すなわち蚕送路における単位
長当りの特性インピーダンスZoはキャパシタンスC8
の関数であり、それはまたキャパシタC8に関与する誘
電体の誘電率ε8.伝送路電極の巾Wおよびそれぞれの
伝送路電極の設置間隔dの関数でもある。
において求めた伝送路における単位当りのキャパシタン
スC6と同じものである。すなわち蚕送路における単位
長当りの特性インピーダンスZoはキャパシタンスC8
の関数であり、それはまたキャパシタC8に関与する誘
電体の誘電率ε8.伝送路電極の巾Wおよびそれぞれの
伝送路電極の設置間隔dの関数でもある。
以」二のように、伝送路における単位長当りの特性イン
ピーダンスが2゜で、その電気長がβであり、かつ先端
がオープン状態である伝送路の端子に発生する等価リア
クタンスXは X=−Z。Cotθ ・・・・・・・・・
(91で表わすことができる。ここで。
ピーダンスが2゜で、その電気長がβであり、かつ先端
がオープン状態である伝送路の端子に発生する等価リア
クタンスXは X=−Z。Cotθ ・・・・・・・・・
(91で表わすことができる。ここで。
θ=2π−・・・・・・・・・ (10)λ
であり1.特に
の場合において等価リアクタンスXは
X≦0 ・・・・・・・・ (12
)となる。すなわち伝送路の端子における等価リアクタ
ンスはキャパシティブリアクタンスとなり得る。したが
って伝送路の電気長すによってθが第(11)式に該当
する場合、すなわち例えば電気長lをλ/4以下に設定
することによりキャノ(シタを形成することができる。
)となる。すなわち伝送路の端子における等価リアクタ
ンスはキャパシティブリアクタンスとなり得る。したが
って伝送路の電気長すによってθが第(11)式に該当
する場合、すなわち例えば電気長lをλ/4以下に設定
することによりキャノ(シタを形成することができる。
そして、その形成できるキャパシタのキャパシタンスG
は 13ベー、・ で表わされるように、θの変化によって、すなわち伝送
路の電気長βの設定によって任意のキャパシタンスCを
実現することができる。
は 13ベー、・ で表わされるように、θの変化によって、すなわち伝送
路の電気長βの設定によって任意のキャパシタンスCを
実現することができる。
以上第(9)式〜第(13)式において説明した伝送路
の動作様態について図に表わしたものが第4図である。
の動作様態について図に表わしたものが第4図である。
第4図では、先端がオープン状態の伝送路において、そ
の電気長lの変化に従って端子に発生する等価リアクタ
ンスXが変化する様子を表わしている。第4図から明ら
かなように、伝送路の電気長βがλ7・′4以下もしく
はλ/2〜4λ/3などにおけるような場合には負の端
子リアクタンスを形成することが可能であり、すなわち
等価的にキャパシタを形成することができる。さらに、
負の端子リアクタンスを発生させる条件において。
の電気長lの変化に従って端子に発生する等価リアクタ
ンスXが変化する様子を表わしている。第4図から明ら
かなように、伝送路の電気長βがλ7・′4以下もしく
はλ/2〜4λ/3などにおけるような場合には負の端
子リアクタンスを形成することが可能であり、すなわち
等価的にキャパシタを形成することができる。さらに、
負の端子リアクタンスを発生させる条件において。
伝送路の電気長βを任意に設定することによって。
キャパシタンスCを任意の値に実現することが可能であ
る。
る。
14べ一一゛
このようにして形成されるキャノ(シタCは、第2図d
において示す集中定数キャノくシタ79として等価的に
置換することができる。そして、伝送路に存在する分布
インダクタ成分および伝送路の屈曲形成によって発生す
る集中インダクタ成分それぞれの総合によって形成され
るインダクタは。
において示す集中定数キャノくシタ79として等価的に
置換することができる。そして、伝送路に存在する分布
インダクタ成分および伝送路の屈曲形成によって発生す
る集中インダクタ成分それぞれの総合によって形成され
るインダクタは。
集中定数インダクタ80として等価的に置換することが
できる。この第2図dにおいてアース端子を共通化して
表わすと、明らかに最終的には第2図eにおいて示すよ
うに、集中定数キャノくシタ79および集中定数インダ
クタ8oより成る並列共振回路と等価になり、同調器を
実現することができる。
できる。この第2図dにおいてアース端子を共通化して
表わすと、明らかに最終的には第2図eにおいて示すよ
うに、集中定数キャノくシタ79および集中定数インダ
クタ8oより成る並列共振回路と等価になり、同調器を
実現することができる。
次に一ヒ記同調器の外周部にアース導体17および18
を包囲設置することによって他の回路網(図示せず)と
の静電的結合を阻止する機能を発揮する。またアース導
体17および18の形状として間隙19ないし22を設
けることによって短絡二次コイルを形成しないようにし
て上記同調器におけるQ値低下を防止する。
を包囲設置することによって他の回路網(図示せず)と
の静電的結合を阻止する機能を発揮する。またアース導
体17および18の形状として間隙19ないし22を設
けることによって短絡二次コイルを形成しないようにし
て上記同調器におけるQ値低下を防止する。
15ベーゾ
次に低吸収損失性能を有する導体材料によるシールド器
を同調器に近接包囲設置することによって、同調器にお
けるQ値低下を防止しながら高シールド性能を得る。
を同調器に近接包囲設置することによって、同調器にお
けるQ値低下を防止しながら高シールド性能を得る。
なお、上記の実施例におけるインダクタ電極としては、
金属導体、プリント金属箔導体、厚膜導体、薄膜導体な
どを使用することができる。また上記それぞれの導体を
異種組み合わせてインダクタ電極を形成してもよい。
金属導体、プリント金属箔導体、厚膜導体、薄膜導体な
どを使用することができる。また上記それぞれの導体を
異種組み合わせてインダクタ電極を形成してもよい。
イカ、樹脂系プリント回路基板、ガラス系プリント回路
基板などを用いることができる。
基板などを用いることができる。
また、上記の実施例におけるシールド器としては、銅、
銀、金、アルミニウム、黄銅、青銅などを用いることが
できる。
銀、金、アルミニウム、黄銅、青銅などを用いることが
できる。
発明の効果
以上のように本発明は、インダクタ電極、およ電極、お
よび誘電体基板、および間隙を有したアース導体、低吸
収損失性能を・有する導体材料によるシールド器を設け
ることにより、吐ず、極めて簡単な構成および製造工法
によってインダクタとキャパシタを一体化構成できる。
よび誘電体基板、および間隙を有したアース導体、低吸
収損失性能を・有する導体材料によるシールド器を設け
ることにより、吐ず、極めて簡単な構成および製造工法
によってインダクタとキャパシタを一体化構成できる。
!f、た同調装置の形態を超薄形化できると共に、小形
化および軽量化も同時に実現することができる。゛また
機械的可動部を全く有しないモジュール化形態の同調装
置が実現でき、同調周波数および同調Q’を極めて安定
にすることができる。またインダクタとキャパシタの間
に介在する接続リードがないため、不要なリードインダ
クタンスおよびストレーキャパシタなどの不安定要素が
なく、高安定な同調装置が実現できる。また製造の合理
化と共に省資源化を計ることができ、同調装置の製造コ
ストを著しく低減することができる。また同調装置の部
品点数を削減することができ、部品在庫等と製造管理が
合理化できるのでトータルコストヲ著しく削減できる。
化および軽量化も同時に実現することができる。゛また
機械的可動部を全く有しないモジュール化形態の同調装
置が実現でき、同調周波数および同調Q’を極めて安定
にすることができる。またインダクタとキャパシタの間
に介在する接続リードがないため、不要なリードインダ
クタンスおよびストレーキャパシタなどの不安定要素が
なく、高安定な同調装置が実現できる。また製造の合理
化と共に省資源化を計ることができ、同調装置の製造コ
ストを著しく低減することができる。また同調装置の部
品点数を削減することができ、部品在庫等と製造管理が
合理化できるのでトータルコストヲ著しく削減できる。
そして、同調器の周囲に包囲設置するアース導17ペー
ジ 体に間隙を設けることにより同調器の短絡効果を防止し
、同調器のQ値低下を防止しながら他回路網とのシール
ド効果を極めて高めることができ、高安定な同調装置が
実現できる。
ジ 体に間隙を設けることにより同調器の短絡効果を防止し
、同調器のQ値低下を防止しながら他回路網とのシール
ド効果を極めて高めることができ、高安定な同調装置が
実現できる。
そして、同調器に対してシールド器を極めて近接して包
囲設置させても同調Q’に低下させることがなく、従っ
て超薄形および超小形したシールディング形態が実現で
きると共に高安定でかつ同調Qの高い同調装置を実現す
ることができる。
囲設置させても同調Q’に低下させることがなく、従っ
て超薄形および超小形したシールディング形態が実現で
きると共に高安定でかつ同調Qの高い同調装置を実現す
ることができる。
第1図は本発明の一実施例における同調装置の構成図、
第2図ないし第4図は同実施例における同調装置の動作
原理説明図、第6図は従来の同調装置の斜視図である。 10・・・・・・誘電体基鈑、11〜14・・・・・・
インダクタ電極、15.16・・・・・・シールド器、
17.18・・・・・・アース導体、19〜22・・・
・・・間隙部、23゜24・・・・・・アース端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第2図
第2図ないし第4図は同実施例における同調装置の動作
原理説明図、第6図は従来の同調装置の斜視図である。 10・・・・・・誘電体基鈑、11〜14・・・・・・
インダクタ電極、15.16・・・・・・シールド器、
17.18・・・・・・アース導体、19〜22・・・
・・・間隙部、23゜24・・・・・・アース端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第2
図 第2図
Claims (6)
- (1)それぞれ任意の電気的等価長を有する第1および
第2の電極が誘電体を介して対向設置し、上記第1およ
び第2の電極それぞれのアース端子または共通端子を互
いに対向する部分を含まない相異対向位置関係にある任
意のそれぞれの位置に設定し、更に上記第1もしくは第
2の電極における任意の位置に第1の端子を設け、この
第1の端子と上記アース端子または共通端子を第2の端
子とする2端子同調回路網を複数個設置し、上記2端子
同調回路網群におけるそれぞれの第1および第2の電極
に対向する片側もしくは両側において一部分もしくは全
部分が比較的吸収損失の小さい金属材によるシールド器
を設置すると共に、上記2端子同調回路網群の間におけ
る所要部分にアース導体を設置した同調装置。 - (2)シールド器として一部分もしくは全部分が銅材質
によって構成された特許請求の範囲第1項記載の同調装
置。 - (3)シールド器として一部分もしくは全部分が銅材質
を含む合金によって構成された特許請求の範囲第1項記
載の同調装置。 - (4)アース導体として第1の電極もしくは第2の電極
と同種の材質および工法によって構成される特許請求の
範囲第1項記載の同調装置。 - (5)第1および第2の電極として少なくとも一ケ所以
上の屈曲部を有する特許請求の範囲第1項記載の同調装
置。 - (6)第1および第2の電極がスパイラル形状である特
許請求の範囲第1項記載の同調装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP863685A JPS61167213A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 同調装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP863685A JPS61167213A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 同調装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61167213A true JPS61167213A (ja) | 1986-07-28 |
Family
ID=11698431
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP863685A Pending JPS61167213A (ja) | 1985-01-21 | 1985-01-21 | 同調装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61167213A (ja) |
-
1985
- 1985-01-21 JP JP863685A patent/JPS61167213A/ja active Pending
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