JPS61166188A - 半導体レ−ザ測定装置 - Google Patents
半導体レ−ザ測定装置Info
- Publication number
- JPS61166188A JPS61166188A JP689885A JP689885A JPS61166188A JP S61166188 A JPS61166188 A JP S61166188A JP 689885 A JP689885 A JP 689885A JP 689885 A JP689885 A JP 689885A JP S61166188 A JPS61166188 A JP S61166188A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- input
- chip
- semiconductor laser
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光フアイバー通信あるいは光記録再生等の光
学的信号処理に用いる半導体レーザの測定装置に関する
。
学的信号処理に用いる半導体レーザの測定装置に関する
。
従来の技術
通常、半導体レーザウニバーを襞間法により分割し約３
００μｍ角のチップを形成した後、取扱いを容易とする
ためパッケージにボンディングされる。工程を効率的に
するため、通常チップ状で２／、− 不良検査を行なう０不良検査項目として一般的には、電
流−電圧特性、発振しきい値のチェックが行なわれる。
００μｍ角のチップを形成した後、取扱いを容易とする
ためパッケージにボンディングされる。工程を効率的に
するため、通常チップ状で２／、− 不良検査を行なう０不良検査項目として一般的には、電
流−電圧特性、発振しきい値のチェックが行なわれる。
以下、チップ状で発振しきい値を測定する従来の方法に
ついて述べる。
ついて述べる。
第２図は、半導体レーザチップの発振しきい値５ をパ
ルスモードで測定する方法を示した図である。
ルスモードで測定する方法を示した図である。
通常、半導体レーザをチップ段階セ測定する場合、発熱
による特性劣化を防ぐためにパルスモードで行なわれる
。半導体レーザチップ１には、パルス電源５よりニード
ル２及び銅ブロック３を通じてパルス電流が印加され、
レーザチップ１の臂開面に対向配置された光検出器４に
よりレーザ光を検出する。検出された信号は、オシロス
コープ２０により観測される構成となっている。この構
成による発振しきい値の測定法には以下のような欠点が
あった〇 （１）検出信号のパルス波形により発振しきい値を測定
しているので正確なしきい値を測定することが困難であ
る。
による特性劣化を防ぐためにパルスモードで行なわれる
。半導体レーザチップ１には、パルス電源５よりニード
ル２及び銅ブロック３を通じてパルス電流が印加され、
レーザチップ１の臂開面に対向配置された光検出器４に
よりレーザ光を検出する。検出された信号は、オシロス
コープ２０により観測される構成となっている。この構
成による発振しきい値の測定法には以下のような欠点が
あった〇 （１）検出信号のパルス波形により発振しきい値を測定
しているので正確なしきい値を測定することが困難であ
る。
（巧 電流−光出力特性（いわゆるＩ−Ｌ特性）が測定
できないので、Ｉ−Ｌ特性におけるキンクや外部微分量
子効率を測定できない。
できないので、Ｉ−Ｌ特性におけるキンクや外部微分量
子効率を測定できない。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、従来の方法ではパルスモードでＩ−り特性が
測定できず、従って正確な発振しきい値を求めることが
困難であるという問題点を解決しようとするものである
。
測定できず、従って正確な発振しきい値を求めることが
困難であるという問題点を解決しようとするものである
。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、半導体レーザにパルス電流を印加するだめの
電源とレーザの襞間面に対向配置される光検出器とを備
え、レーザに印加されるパルス電流と光検出器からの信
号を各々サンプリングホールドする回路からなり、ホー
ルドした信号をＸ−Ｙレコーダに入力することによって
パルスモードでＩ−Ｌ特性を測定するものである。
電源とレーザの襞間面に対向配置される光検出器とを備
え、レーザに印加されるパルス電流と光検出器からの信
号を各々サンプリングホールドする回路からなり、ホー
ルドした信号をＸ−Ｙレコーダに入力することによって
パルスモードでＩ−Ｌ特性を測定するものである。
作 用
半導体レーザに印加されるパルス電流及び光検出器から
の信号を各々サンプリングホールド回路によってホール
ドし、Ｘ−Ｙレコーダに入力することによりパルスモー
ドでＩ−Ｌ特性を測定するものである。−１だ、測定し
たＩ −Ｌ特性から正確な発振しきい値を求めることが
できるものである。
の信号を各々サンプリングホールド回路によってホール
ドし、Ｘ−Ｙレコーダに入力することによりパルスモー
ドでＩ−Ｌ特性を測定するものである。−１だ、測定し
たＩ −Ｌ特性から正確な発振しきい値を求めることが
できるものである。
実施例
第１図は、本発明の一実施例による半導体レーザ測定置
である。例として、チップ状での不良検査における測定
について述べる。：！１′−導体レーザチップ１は、銅
ブロツク３上に載置されニードル２により適当な加重で
押えられている。銅ブロック３とニードル２は半導体レ
ーザチップ１の電極に接触しており、パルス電源５より
駆動パルス１０が印加されるようになっている。駆動パ
ルス１０は、例えば図に示す如く周期１０ ｍ ＳｅＣ
１幅２０μ要の方形波を用いパルスの高さく振幅）は可
変できるものである。この場合、パルスのデユーティ比
は０．２％であるのでレーザチップ１０発熱量はほとん
ど無視できるほどに小さい。一方、半導体レーザチップ
１の一襞間面に対向して光検出器４が配置され、レーザ
チップ１から放射されるパルス光を検出するようになっ
ている。そして、レーザチップ１に印加されるパルス電
流信号及び光検出５、、− 器４の検出信号パルスは、それぞれ増幅器（１）６によ
り増幅され、サンプリングホールド回路７に入力される
。
である。例として、チップ状での不良検査における測定
について述べる。：！１′−導体レーザチップ１は、銅
ブロツク３上に載置されニードル２により適当な加重で
押えられている。銅ブロック３とニードル２は半導体レ
ーザチップ１の電極に接触しており、パルス電源５より
駆動パルス１０が印加されるようになっている。駆動パ
ルス１０は、例えば図に示す如く周期１０ ｍ ＳｅＣ
１幅２０μ要の方形波を用いパルスの高さく振幅）は可
変できるものである。この場合、パルスのデユーティ比
は０．２％であるのでレーザチップ１０発熱量はほとん
ど無視できるほどに小さい。一方、半導体レーザチップ
１の一襞間面に対向して光検出器４が配置され、レーザ
チップ１から放射されるパルス光を検出するようになっ
ている。そして、レーザチップ１に印加されるパルス電
流信号及び光検出５、、− 器４の検出信号パルスは、それぞれ増幅器（１）６によ
り増幅され、サンプリングホールド回路７に入力される
。
また、サンプリングホールド回路７にはパルス電源５か
らザンプリングパルス１１が入力されている。ザンプリ
ングパルス１１は、図に示す如く周期は駆動パルス１０
と同じ（１０ｍ５ｅＣで、パルス幅が２μ要、そして駆
動パルス１０より約１５μ要のディレィがかけられてい
る。これは、光検出器が容量をもつため光検出信号の立
上り時間に約１０μ５ｌｌｆ要するためである。
らザンプリングパルス１１が入力されている。ザンプリ
ングパルス１１は、図に示す如く周期は駆動パルス１０
と同じ（１０ｍ５ｅＣで、パルス幅が２μ要、そして駆
動パルス１０より約１５μ要のディレィがかけられてい
る。これは、光検出器が容量をもつため光検出信号の立
上り時間に約１０μ５ｌｌｆ要するためである。
サンプリングホールド回路下に入力された駆動パルス電
流信号及び検出信号パルスは、サンプリンクハルス１１
により抜き取られ、次のパルスが入るまでホールドされ
る。ホールドされたパルス電流信号及び検出信号パルス
は、増幅器（２）８で増幅され、それぞれＸ−Ｙレコー
ダのＸ軸端子及びＹ軸端子に入力される。
流信号及び検出信号パルスは、サンプリンクハルス１１
により抜き取られ、次のパルスが入るまでホールドされ
る。ホールドされたパルス電流信号及び検出信号パルス
は、増幅器（２）８で増幅され、それぞれＸ−Ｙレコー
ダのＸ軸端子及びＹ軸端子に入力される。
このような構成によれば、第３図に示すように、レーザ
チップ１に印加する駆動パルス電流を徐々６７、 に大きくしていった場合、Ｘ−Ｙレコーダに入力される
信号はレコーダのＸ入力１４のように連続的になる。捷
だ、光検出器４の検出信号パルスも同様に連続的な信号
となってＸ−ＹレコーダのＹ軸に入力されるので、パル
スモードでのＩ−Ｌ％性が測定できるものである。Ｉ−
Ｌ特性からは、容易に正確な発振しきい値及び外部微分
量子効率を求めることができ、またキンク不良の判定も
できる。従って、この装置を半導体レーザのチップ検査
に用いた場合、従来に比べより厳密にチップ検査ができ
るものである。
チップ１に印加する駆動パルス電流を徐々６７、 に大きくしていった場合、Ｘ−Ｙレコーダに入力される
信号はレコーダのＸ入力１４のように連続的になる。捷
だ、光検出器４の検出信号パルスも同様に連続的な信号
となってＸ−ＹレコーダのＹ軸に入力されるので、パル
スモードでのＩ−Ｌ％性が測定できるものである。Ｉ−
Ｌ特性からは、容易に正確な発振しきい値及び外部微分
量子効率を求めることができ、またキンク不良の判定も
できる。従って、この装置を半導体レーザのチップ検査
に用いた場合、従来に比べより厳密にチップ検査ができ
るものである。
発明の効果
以上述べたように、本発明による半導体レーザ測定装置
によればパルスモードでＩ −Ｌ特性ができるので、容
易に正確な発振しきい値、及び外部微分量子効率を求め
ることができ、またキンク不的であり、製造コストを下
げることができるので工業的に見ても中文価値のあるも
のである。
によればパルスモードでＩ −Ｌ特性ができるので、容
易に正確な発振しきい値、及び外部微分量子効率を求め
ることができ、またキンク不的であり、製造コストを下
げることができるので工業的に見ても中文価値のあるも
のである。
第１図は本発明による半導体レーザ測定装置の一実施例
を示す図、第２図は従来例による半導体レーザの測定法
を示す図、第３図は半導体レーザに印加する駆動パルス
電流を変化した場合のレコーダに入力される信号の波形
を示した図である。 １・・・・・・半導体レーザチップ、５・・・・・・パ
ルス電源、７・・・・・サンプルホール）”回路、９・
・・・・・Ｘ−Ｙレコーダ。
を示す図、第２図は従来例による半導体レーザの測定法
を示す図、第３図は半導体レーザに印加する駆動パルス
電流を変化した場合のレコーダに入力される信号の波形
を示した図である。 １・・・・・・半導体レーザチップ、５・・・・・・パ
ルス電源、７・・・・・サンプルホール）”回路、９・
・・・・・Ｘ−Ｙレコーダ。
Claims (1)
- 半導体レーザに電流を印加する電源と、前記半導体レー
ザの光出力を検出する受光装置と、前記半導体レーザに
印加される電流と前記受光装置の出力信号とをサンプリ
ングホールドする装置とを備え、前記半導体レーザの電
流対光出力特性を測定する半導体レーザ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP689885A JPS61166188A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体レ−ザ測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP689885A JPS61166188A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体レ−ザ測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61166188A true JPS61166188A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11651039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP689885A Pending JPS61166188A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 半導体レ−ザ測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61166188A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142324A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザー測定装置 |
| JP2006310665A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Daitron Technology Co Ltd | 半導体レーザ素子の信号検出装置及びそれを用いた入出力特性検出装置 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP689885A patent/JPS61166188A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005142324A (ja) * | 2003-11-06 | 2005-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザー測定装置 |
| JP2006310665A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Daitron Technology Co Ltd | 半導体レーザ素子の信号検出装置及びそれを用いた入出力特性検出装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4563642A (en) | Apparatus for nondestructively measuring characteristics of a semiconductor wafer with a junction | |
| EP0411641B1 (en) | Electro-optic sampling apparatus using a low noise pulsed laser diode | |
| TWI264791B (en) | Apparatus and method for dynamic diagnostic testing of integrated circuits | |
| CN112179507B (zh) | 基于单个单光子探测器测量光学二阶关联函数的方法 | |
| US5563508A (en) | Non-contact resistivity measurement apparatus and method using femtosecond laser pulses to create an electron flow | |
| US4982151A (en) | Voltage measuring apparatus | |
| JPS61166188A (ja) | 半導体レ−ザ測定装置 | |
| JP2659554B2 (ja) | 光強度相関装置 | |
| JPS62283684A (ja) | 光プロ−ブ装置 | |
| US4772118A (en) | Methods of and apparatus for measuring picosecond semiconductor laser pulse duration using the internally generated second harmonic emission accompanying the laser output | |
| JPS63248141A (ja) | 光半導体特性測定装置 | |
| JP2675419B2 (ja) | 高感度電圧検出装置 | |
| JPH028732A (ja) | 周期的信号記録方法および装置 | |
| SOICHI et al. | Semiconductor laser measuring device | |
| JP2000028678A (ja) | 光半導体チップ検査装置及び光半導体チップ検査方法 | |
| JPS6242537Y2 (ja) | ||
| JP3231581B2 (ja) | 煙センサーの検査方法 | |
| Thomson | An Optical Curve Tracer for Pulsed Laser Diodes | |
| JPS6371668A (ja) | 半導体レ−ザの光学特性測定方法 | |
| JP2859720B2 (ja) | 半導体集積回路テスタ | |
| JP3258465B2 (ja) | 物理化学センサ | |
| CN1037126C (zh) | 激光脉冲信噪比测试仪 | |
| RU2080689C1 (ru) | Устройство для определения электрофизических характеристик полупроводниковых пластин | |
| JP2709170B2 (ja) | 電圧測定装置 | |
| JPH0344985A (ja) | 光信号の検出方法 |